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晶闸管最终版.doc

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晶闸管最终版.doc

晶闸管一、晶闸管基础知识晶闸管(THYRISTOR)别名可控硅(SCR(SILICONCONTROLLEDRECTIFIER)是一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。特点体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。应用领域整流(交流直流)逆变(直流交流)变频(交流交流)斩波(直流直流)此外还可作无触点开关等。1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示图1可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流IB2流过,经BG2放大,其集电极电流IC2Β2IB2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以IB1IC2。此时,电流IC2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流IC1Β1IB1Β1Β2IB2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使IB2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1表1可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2可控硅基本伏安特性21反向特性当控制极开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。图3阳极加反向电压22正向特性当控制极开路,阳极上加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫正向转折电压图4阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段3、触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。图5阳极和控制极均加正向电压4、主要参数41电压额定1断态重复峰值电压UDRM在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压,一般为正向折电压的80%。2反向重复峰值电压URRM在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压,一般为反向击穿电压的80%。3通态(峰值)电压UTM晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压(一般为2V)。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时,额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2,3倍。42额定电流通态平均电流(额定电流)ITAV晶闸管在环境温度为和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许连续流过的单相工频正弦半波电流的最大平均值。使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管额定电流。实际使用时应留一定的裕量,一般取15到2倍。对于一只额定电流ITAV100A的晶闸管,允许的电流有效值应该为157A(考虑正弦半波波形系数)。43、动态参数(1)晶闸管的开通时间TGT与关断时间TQ开通与关断时间的含义如前所述(2)断态电压临界上升率DU/DT指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。(2)通态电流临界上升率DI/DT指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快,则晶闸管刚一开通,便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏。二、典型可控整流电路以下以最常用的单相桥式全控整流电路和三相桥式全控整流电路对晶闸管整流电路做一简单介绍。1、单相桥式全控整流电路单相整流电路中应用较多的A带电阻负载的工作情况工作原理及波形分析见图6VT1和VT4组成一对桥臂,在U2正半周承受电压U2,得到触发脉冲即导通,当U2过零时关断;VT2和VT3组成另一对桥臂,在U2正半周承受电压U2,得到触发脉冲即导通,当U2过零时关断。数量关系角的移相范围为180。B带阻感负载的工作情况为便于讨论,假设电路已工作于稳态,ID的平均值不变。假设负载电感很大,负载电流ID连续且波形近似为一水平线U2过零变负时,由于电感的作用晶闸管VT1和VT4中仍流过电流ID,并不关断。至ΩTΠ时刻,给VT2和VT3加触发脉冲,因VT2和VT3本已承受正电压,故两管导通。图6单相全控桥式带电阻负载时的电路及波形VT2和VT3导通后,U2通过VT2和VT3分别向VT1和VT4施加反压使VT1和VT4关断,流过VT1和VT4的电流迅速转移到VT2和VT3上,此过程称换相,亦称换流。晶闸管移相范围为90。晶闸管承受的最大正反向电压均为22U。晶闸管导通角Θ与无关,均为180。变压器二次侧电流I2的波形为正负各180的矩形波,其相位由角决定,有效值I2ID。图7单相全控桥带阻感负载时的电路及波形C带反电动势负载时的工作情况在|U2|E时,才有晶闸管承受正电压,有导通的可能,导通之后,UDU2,,直至|U2|E,ID即降至0使得晶闸管关断,此后UDE与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度Δ停止导电,Δ称为停止导电角。图8单相桥式全控整流电路接反电动势电阻负载时的电路及波形在角相同时,整流输出电压比电阻负载时大。如图8B图所示ID波形在一周期内有部分时间为0的情况,称为电流断续。与此对应,若ID波形不出现为0的点的情况,称为电流连续。当触发脉冲到来时,晶闸管承受负电压,不可能导通。为了使晶闸管可靠导通,要求触发脉冲有足够的宽度,保证当WTΔ时刻有晶闸管开始承受正电压时,触发脉冲仍然存在。这样,相当于触发角被推迟为Δ。负载为直流电动机时,如果出现电流断续则电动机的机械特性将很软。为了克服此缺点,一般在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器,用来减少电流的脉动和延长晶闸管导通的时间。这时整流电压UD的波形和负载电流ID的波形与电感负载电流连续时的波形相同,UD的计算公式亦一样。为保证电流连续所需的电感量L可由下式求出2、三相桥式全控整流电路应用最为广泛,共阴极组阴极连接在一起的3个晶闸管(VT1,VT3,VT5)共阳极组阳极连接在一起的3个晶闸管(VT4,VT6,VT2)编号1、3、5,4、6、2A带电阻负载时的工作情况0时的情况假设将电路中的晶闸管换作二极管进行分析对于共阴极阻的3个晶闸管,阳极所接交流电压值最大的一个导通对于共阳极组的3个晶闸管,阴极所接交流电压值最低(或者说负得最多)的导通图9三相桥式全控整流电路原理图任意时刻共阳极组和共阴极组中各有1个晶闸管处于导通状态从相电压波形看,共阴极组晶闸管导通时,UD1为相电压的正包络线,共阳极组导通时,UD2为相电压的负包络线,UDUD1UD2是两者的差值,为线电压在正半周的包络线直接从线电压波形看,UD为线电压中最大的一个,因此UD波形为线电压的包络线。三相桥式全控整流电路的特点(1)2管同时通形成供电回路,其中共阴极组和共阳极组各1,且不能为同1相器件。(2)对触发脉冲的要求按VT1VT2VT3VT4VT5VT6的顺序,相位依次差60。共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120,共阳极组VT4、VT6、VT2也依次差120同一相的上下两个桥臂,即VT1与VT4,VT3与VT6,VT5与VT2,脉冲相差180。表1三相桥式全控整流电路电阻负载A0时晶闸管工作情况时段IIIIIIIVVVI共阴极组中导通的晶闸管VT1VT1VT3VT3VT5VT5共阳极组中导通的晶闸管VT6VT2VT2VT4VT4VT6整流输出电压UDUAUBUABUAUCUACUBUCUBCUBUAUBAUCUAUCAUCUBUCB(3)UD一周期脉动6次,每次脉动的波形都一样,故该电路为6脉波整流电路。图10三相桥式全控整流电路带电阻负载A0时的波形(4)需保证同时导通的2个晶闸管均有脉冲可采用两种方法一种是宽脉冲触发另一种方法是双脉冲触发(常用)。(5)晶闸管承受的电压波形与三相半波时相同,晶闸管承受最大正、反向电压的关系也相同A30时的工作情况从WT1开始把一周期等分为6段,UD波形仍由6段线电压构成,每一段导通晶闸管的编号等仍符合表1的规律区别在于晶闸管起始导通时刻推迟了30,组成UD的每一段线电压因此推迟30变压器二次侧电流IA波形的特点在VT1处于通态的120期间,IA为正,IA波形的形状与同时段的UD波形相同,在VT4处于通态的120期间,IA波形的形状也与同时段的UD波形相同,但为负值。A60时工作情况UD波形中每段线电压的波形继续后移,UD平均值继续降低。A60时UD出现为零的点。图11三相桥式全控整流电路带电阻负载A30时的波形小结当A≤60时,UD波形均连续,对于电阻负载,ID波形与UD波形形状一样,也连续当A60时,UD波形每60中有一段为零,UD波形不能出现负值。带电阻负载时三相桥式全控整流电路A角的移相范围是120B阻感负载时的工作情况A≤60时,UD波形连续,工作情况与带电阻负载时十分相似,各晶闸管的通断情况、输出整流电压UD波形、晶闸管承受的电压波形等都一样区别在于由于负载不同,同样的整流输出电压加到负载上,得到的负载电流ID波形不同。阻感负载时,由于电感的作用,使得负载电流波形变得平直,当电感足够大的时候,负载电流的波形可近似为一条水平线。A60时阻感负载时的工作情况与电阻负载时不同,电阻负载时UD波形不会出现图12三相桥式全控整流电路带电阻负载A60时的波形

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