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BTS7960智能功率芯片中文资料.doc

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BTS7960智能功率芯片中文资料.doc

BTS7960智能功率芯片中文资料TheBTS7960ispartoftheNovalithICfamilycontainingthreeseparatechipsinonepackageOnepchannelhighsideMOSFETandonenchannellowsideMOSFETtogetherwithadriverIC,formingafullyintegratedhighcurrenthalfbridge.Allthreechipsaremountedononecommonleadframe,usingthechiponchipandchipbychiptechnology.ThepowerswitchesutilizeverticalMOStechnologiestoensureoptimumonstateresistance.DuetothepchannelhighsideswitchtheneedforachargepumpiseliminatedthusminimizingEMI.InterfacingtoamicrocontrollerismadeeasybytheintegrateddriverICwhichfeatureslogiclevelinputs,diagnosiswithcurrentsense,slewrateadjustment,deadtimegenerationandprotectionagainstovertemperature,overvoltage,undervoltage,overcurrentandshortcircuit.TheBTS7960canbecombinedwithotherBTS7960toformHbridgeand3phasedriveconfigurations.BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分一是p型通道的高电位场效应晶体管,二是一个n型通道的低电位场效应晶体管,结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。所有三个芯片是安装在一个共同的引线框,利用芯片对芯片和芯片芯片技术。电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。由于p型通道的高电位开关,需要一个电荷泵消除电磁干扰。通过驱动集成技术,逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器,失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。BTS7960可结合其他的BTS7960形成全桥和三相驱动结构。图框如下下图显示使用的数据表2引脚结构2.1引脚分配上视图是BTS7960BandBTS7960P的引脚结构引脚的定义和功能引脚的定义和功能PINSYMBOLI/O功能1GND接地2INI输入,高电位开关、低电位开关是否开启决定3INHI抑制,当设定为低电平进入睡眠状态4,8OUTO功率输出5SRI转换速率功率开关的转换速率通

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