工艺流程-集成电路封装技术课件(ppt 122页)

集成电路封装技术集成电路封装技术 2.1.1 为什么要学习封装工艺流程 熟悉封装工艺流程是认识封装技术的前提，是 进行封装设计、制造和优化的基础。 芯片封装和芯片制造不在同一工厂完成 它们可能在同一工厂不同的生产区、或不同的地区，甚 至在不同的国家。许多工厂将生产好的芯片送到几千公里以 外的地方去做封装。芯片一般在做成集成电路的硅片上进行 测试。在测试中，先将有缺陷的芯片打上记号（打一个黑色 墨点），然后在自动拾片机上分辨出合格的芯片。 第二章 封装工艺流程 2.1.2 封装工艺流程概况 流程一般可以分成两个部分：在用塑料封装之前的工 序称为 前段工序 ，在成型之后的操作称为 后段工序 。成型 工序是在净化环境中进行的，由于转移成型操作中机械水 压机和预成型品中的粉尘达到 1000级以上（空气中 0.3m 粉尘达 1000个 /m3以上）。 现在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物，即所 谓的 塑料封装 。上图所示的塑料成型技术有许多种，包括 转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术，其中转移成 型技术使用最为普遍。 第二章 封装工艺流程 硅片减薄 硅片切割 芯片贴装 芯片互连 去飞边毛刺切筋成形上焊锡打码 成型技术 2.2 芯片切割 2.2.1、为什么要减薄 半导体集成电路用硅片 4吋厚度为 520m ， 6吋厚度为 670m 。这样就对芯片的切分带来困难。因此电路层制作完 成后，需要对硅片背面进行减薄，使其达到所需要的厚度， 然后再进行划片加工，形成一个个减薄的裸芯片。 第二章 封装工艺流程 2.2.2减薄工艺 硅片背面减技术主要有： 磨削、研磨、化学抛光 干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀 等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等 第二章 封装工艺流程 减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架的薄膜 （常称为蓝膜）上，送到划片机进行划片。现在划片机都 是自动的，机器上配备激光或金钢石的划片刀具。切割分 部分划片（不划到底，留有残留厚度）和完全分割划片。 对于部分划片，用顶针顶力使芯片完全分离。划片时，边 缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃度。这 样会严重影响芯片的碎裂强度。 2.2.2减薄工艺 先划片后减薄和减薄划片两种方法 第二章 封装工艺流程 DBG(dicing before grinding) 在背面磨削之前，将硅片 的正面切割出一定深度的切口，然后再进行磨削。 DBT(dicing by thinning) 在减薄之前先用机械的或化学 的方法切割出一定深度的切口，然后用磨削方法减薄到一 定厚度后，采用常压等离子腐蚀技术去除掉剩余加工量。 。 这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起 的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害，大大增强了 芯片的抗碎能力。 2.3 芯片贴装 芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板 或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 第二章 封装工艺流程 共晶粘贴法 焊接粘贴法 导电胶粘贴法 玻璃胶粘贴法 贴装方式 2.3.1共晶粘贴法 共晶反应 指在一定的温度下，一定成分的液体同时结晶出两种 一定成分的固相反应。例如，含碳量为 2.11%-6.69%的铁碳 合金，在 1148摄氏度的恆温下发生共晶反应，产物是奥氏 体（固态）和渗碳体（固态）的机械混合物，称为 “ 莱氏 体 ” 。 一般工艺方法 陶瓷基板芯片座上镀金膜 -将芯片放置在芯片座上 -热 氮气氛中（防氧化）加热并使粘贴表面产生摩擦（去除粘 贴表面氧化层） -约 425 时出现金 -硅反应液面，液面移动 时，硅逐渐扩散至金中而形成紧密结合。 第二章 封装工艺流程 2.3.1共晶粘贴法 预型片法 ，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点 是可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完 全的影响。 第二章 封装工艺流程 2.3.2 焊接粘贴法 焊接粘贴法是利用合金反应进行芯片粘贴的方法。优点 是热传导性好。 一般工艺方法 将芯片背面淀积一定厚度的 Au或 Ni，同时在焊盘上淀积 Au-Pd-Ag和 Cu的金属层。然后利用合金焊料将芯片焊接在焊 盘上。焊接工艺应在热氮气或能防止氧化的气氛中进行。 第二章 封装工艺流程 合金焊料 硬质焊料 软质焊料 硬质焊料： 金 -硅、金 -锡、金 -锗。 优点： 塑变应力值高（ “内应力 ”指组成单一构造的不同材质之间，因材质差异 而导致变形方式的不同，继而产生的各种应力。当材料在外力作用下不能产生 位移时，它的几何形状和尺寸将发生变化，这种形变称为 应变（ Strain） 。 材料发生形变时内部产生了大小相等但方向相反的反作用力抵抗外力把 分布内力在一点的集度称为 应力（ Stress） 。物体由于外因而变形时，在物体 内各部分之间产生相互作用的内力，以抵抗这种外因的作用，并力图使物体从 变形后的位置回复到变形前的位置。在所考察的截面某一点单位面积上的内力 称为应力（ Stress）。 按照应力和应变的方向关系，可以将应力分为正应力 和切应力 ，正应力 的方向与应变方向平行，而切应力的方向与应变垂直。按照载荷（ Load）作 用的形式不同，应力又可以分为拉伸压缩应力、弯曲应力和扭转应力），具有 良好的抗疲劳与抗潜变特性。 缺点： 因材质的热膨胀系数不同而引发应力破坏。 软质焊料： 铅 -锡、铅 -银 -銦。 在焊接前先在芯片背面制作 多层技术薄膜，目的是利用焊料 的润湿。 使用软质焊料可消除硬质焊 料的缺点。 2.3.3 导电胶粘贴法 导电胶是银粉与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。 银粉起导电作用，而环氧树脂起粘接作用。 第二章 封装工艺流程 导电胶有三种配方： （ 1）各向同性材料，能沿所有方向导电。 （ 2）导电硅橡胶，能起到使器件与环境隔 绝，防止水、汽对芯片的影响，同时还可 以屏蔽电磁干扰。 （ 3）各向异性导电聚合物，电流只能在一 个方向流动。在倒装芯片封装中应用较多 。无应力影响。 三种导电胶的特点是：化学接合、具有导电功能 。 导电胶贴装工艺 第二章 封装工艺流程 膏状导电胶： 用针筒或注射器将粘贴剂涂布到芯 片焊盘上（不能太靠近芯片表面，否则 会引起银迁移现象），然后用自动拾片 机（机械手）将芯片精确地放置到焊盘 的粘贴剂上，在一定温度下固化处理（ 150 1小时或 186 半小时）。 固体薄膜： 将其切割成合适的大小放置于芯片 与基座之间，然后再进行热压接合。采 用固体薄膜导电胶能自动化大规模生产 。 导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，高温下会引 起粘接可靠度下降，因此不适合于高可靠度封装。 玻璃胶粘贴法 与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（ 后面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃 粉。它是起导电作用的金属粉（ Ag、 Ag-Pd、 Au、 Cu 等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合，制成膏状。 第二章 封装工艺流程 在芯片粘贴时，用盖印、丝网印刷、点胶 等方法将胶涂布于基板的芯片座中，再将芯片 置放在玻璃胶之上，将基板加温到玻璃熔融温 度以上即可完成粘贴。由于完成粘贴的温度要 比导电胶高得多，所以它只适用于陶瓷封装中 。在降温时要控制降温速度，否则会造成应力 破坏，影响可靠度。 2.4 芯片互连 芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的 I/O引线 或基板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法： 第二章 封装工艺流程 打线键合（ WB wire bonding） 倒装芯片键合 (FCB flip chip bonding， C4) 载带自动键合（ TAB tape automate bonding） 这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电 路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。 打线键合 适用引脚数为 3-257；载带自动键合的 适用引脚数为 12-600；倒装芯片键合适用的引脚数为 6-16000。可见 C4适合于高密度组装。 2.4.1 打线键合技术 第二章 封装工艺流程 打线键合技术 超声波键合（ Ultrasonic Bonding ,U/S bonding） 热压键合（ Thermocompression Bonding T/C bonding） 热超声波键合（ Thermosonic Bonding,T/S bonding） 2.4.1 打线键合技术介绍 （ 1）超声波键合 第二章 封装工艺流程 优点 ： 键合点尺寸小，回 绕高度低，适合于键合 点间距小、密度高的芯 片连接。 缺点： 所有的连线必须沿 回绕方向排列（这不可 能），因此在连线过程 中要不断改变芯片与封 装基板的位置再进行第 2 根引线的键合。从而限 制了打线速度。 2.4.1 打线键合技术介绍 （ 2）热压键合 第二章 封装工艺流程 先将金属线穿过毛细管状的键合工具（称 为瓷嘴或焊针），该工具是由碳化钨或氧化铝等耐高温 材料制成；然后再电子点火或氢焰将金属线烧断并利用 熔融金属的表面张力作用使线的末端灼烧成球（直径约 为金属线直径的 2-3倍），键合工具再将金属球压至已经 预热到 150-250 的第一金属焊垫上进行球形键合。 此时球形键合点受压稍有变形，其目的 一是增加键合面积， 二是穿破表面氧化层，以形成紧密键合。球形键合 完成后，键合工具升起并引导金属线至第二键合点上进 行楔形接合（不需烧成金属球，而是将金属线直接压到 焊区上）。 由于键合工具顶端是圆锥形的，所以得到的焊点通 常为新月状。 由于热压焊是在高温下进行的，通常使用的金属线 为金线（抗氧化性强）。为降低成本有时也用铝线。铝 线的 2个焊接点是楔形的。原因是铝线不易在线的末端灼 烧成球。 （ 3）热超声波键合 热超声波键合 是热压键合与超声波键合的混合技术。在 工艺过程中，先在金属线末端成球，再使用超声波脉冲进行 金属线与金属接垫之间的接合。 此过程中接合工具不被加热，仅给接合的基板加热 (温 度维持在 100-150) 。其目的是抑制键合界面的金属间化合 物（类似于化学键，金属原子的价电子形成键）的成长，和 降低基板高分子材料因高温产生形变。 第二章 封装工艺流程 打线键合的线材与可靠度 （ 1）合金线材 铝合金线 因纯铝线材太软很少使用。铝合金线标准线材是铝 - 1%硅。令你一种是含 0.5-1%镁的铝导线。其优点是抗疲劳 性优良，生成金属间化合物的影响小。 金线 纯金线的纯度一般用 4个 9。为增加机械强度，往往在 金中添加 5-10ppm 铍或铜。金线抗氧化性好，常由于超声 波焊接中。 第二章 封装工艺流程 （ 2）影响打线键合可靠度因素 第二章 封装工艺流程 封胶和粘贴材料 与线材的反应 金属间化合物的形成 可靠度常用拉力试验 和键合点的剪切试验 测试检查 可靠度因素 2.4.2 载带自动键合技术 第二章 封装工艺流程 载带自动健合技术是在类似于 135胶片的柔性载带粘结金属 薄片，（像电影胶片一样卷在一带卷上，载带宽度 8-70mm。 在其特定的位置上开出一个窗口。窗口为蚀刻出一定的印刷线路 图形的金属箔片（ 0.035mm厚）。 引线排从窗口伸出，并与载带相连，载带边上有供传输带用 的齿轮孔。 当载带卷转动时，载带依靠齿孔往前运动，使带上的窗口精 确对准带下的芯片。再利用热压模将导线排精确键合到芯片上。 可见 TAB技术与一般的压丝引线技术不同。 后者的特点是将一根、一根的引线先后分立的快速的键合到 搭接片上。 TAB技术中内引线键合后还要作后道工序，包括电学 测试、通电老化，外引线键合、切下，最后进行封装工艺（。这 些都在载带上完成。 过去， TAB技术不受重视的原因： （ 1） TAB技术初始投资大； （ 2）开始时 TAB工艺设备不易买到，而传统的引线工艺已 得到充分的发展，且其生产设备也容易买到； （ 3）有关 TAB技术资料和信息少。但是随着芯片信息容量 及随之而来的引脚数的增加，传统的分立引线工艺显得力 不从心。为降低引线成本的需要， TAB技术越来越受到人 们的青睐，促使许多半导体厂家积极开发研究。 第二章 封装工艺流程 TAB技术较之常用的引线工艺的优点： （ 1）对高速电路来说，常规的引线使用圆形导线，而且引线 较长，往往引线中高频电流的趋肤效应使电感增加，造成信号 传递延迟和畸变，这是十分不利的。 TAB技术采用矩形截面的 引线，因而电感小，这是它的优点。 （ 2）传统引线工艺要求键合面积 4mil2，而 TAB工艺的内引线 键合面积仅为 2mil2这样就可以增加 I/O密度，适应超级计算机 与微处理器的更新换代。 （ 3） TAB技术中使用铜线而不使用铝线，从而改善器件的热耗 散性能。 （ 4）在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可剔 除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本，提高了 可靠性。 （ 5） TAB工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。 第二章 封装工艺流程 2.4.2 载带自动键合技术 TAB技术的关键材料 基带材料： 要求耐高温，与金属箔粘贴性好，热匹配性 好，抗化学腐蚀性强，机械强度高，吸水率低。 例如，聚酰亚胺 （ PI）、聚乙烯对本二甲酸脂（ PET）和苯并环丁烯（ BCB） TAB金属材料： 要求导电性能好，强度高，延展性、表 面平滑性良好，与各种基带粘贴牢固，不易剥离，易于用光 刻法制作出精细复杂的图形，易电镀 Au、 Ni、 Pb/Sn焊接材 料，例如， Al、 Cu。 芯片凸点金属材料： 一般包括金属 Au、 Cu、 Au/Sn、 Pd/Sn。 第二章 封装工艺流程 2.4.2 载带自动键合技术 TAB的关键技术 芯片凸点制作技术 TAB载带制作技术 载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引 线焊接技术 第二章 封装工艺流程 2.4.2 载带自动键合技术 TAB的关键技术 -芯片凸点制作技术 第二章 封装工艺流程 IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层，厚度高于 电路的键合点，因此必须在 IC芯片的键合点上或 TAB载带的 内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合，通常 TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片 TAB两大类 。 地状金属凸块；单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸 块，在双层与三层载带上，因为蚀刻的工艺容易致导带变形 ，而使未来键合发生对位错误，因此双层与三层载带较少应 用于凸块载带 TAB的键合。 凸块式芯片 TAB，先将金属凸块长成于 IC芯片的铝键合 点上，再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引 脚所需要的金属化条件外，可避免引脚与 IC芯片间可能发生 短路，但制作长有凸块的芯片是 TAN工艺最大的困难。 2.4.2 载带自动键合技术 芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种 第二章 封装工艺流程 蘑菇状凸点一般用光刻胶做掩膜制作，电镀时，光刻胶 以上凸点除了继续升高以外，还横向发展，凸点越来越高 ，横向也越来越大，所以凸点形状像蘑菇。随着横向发展 电镀电流密度的不均匀性使得最终得到的凸点顶部成凹形 ，且凸点的尺寸也难以控制。 直状凸点制作是使用厚膜抗腐蚀剂做掩膜，掩膜的厚度 与要求的凸点高度一致，所以始终电流密度均匀，凸点的 平面是平整的。 金凸块制作的传统工艺 金凸块制作的传统工艺 : 第一步 ，对芯片进行清洁处理 第二步 ，通过真空溅散的方法，在芯片键合的上表面 形成粘着层和阻挡层。粘着层提供 IC芯片上的铝键合点与 凸块间良好的键合力与低的接触电阻特性。常用的材料是 Ti、 Cr、和 Al，这几种金属的与铝和氧化硅的粘着性很好 。扩散阻挡层的作用是阻止芯片上的铝与凸块材料之间的 扩散反应而形成金属间化合物。 金属层做好后、接着涂 25微米后的光刻胶，然后用电 镀的方法制作金属凸块。凸块制作完成后在其顶面电镀一 层 25微米的金（凸块金属不是金的情况），目的是起抗氧 化作用。 第二章 封装工艺流程 第二章 封装工艺流程 金凸块制作的传统工艺 凸块转移技术 一般的凸块制作工艺流程，可以看出，它的制作工艺 复杂，技术难度大，成本高。因此改进凸块制作技术成为 一项研究的热门课题。 日本 Matsushita公司开发了凸块转移技术。 这种技术分 2次键合： 第 1次是将在玻璃基板上做成的凸块，转移到载带内引 脚前端与芯片键合点相对应的位置。 第 2次键合。在引脚前端有凸点的载带由专门的制造商 提供，这样就避免了在芯片焊区制作凸点的麻烦，降低了 生产成本。 第二章 封装工艺流程 第二章 封装工艺流程 凸块转移技术 载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术 芯片上的凸点和载带制作完成后，接下来要进行引线的焊接，这又分内引线焊 接和外引线焊接。 内引线焊接是引线与芯片焊接，外引线焊接是将引线焊接到外壳或基板焊区。 双层结构载带单层结构载带 三层结构载带 TAB载带制作技术 第二章 封装工艺流程 2.4.2 载带自动键合技术 第二章 封装工艺流程 （ 1）单层结构载带 这仅为一铜带，其上腐蚀出引线图 案以及支撑结构。方法是将光刻胶涂在 铜带的两侧。将要刻蚀掉的部分曝光， 腐蚀后留下引线图案。带上可事先制备 出凸点，这种情况下可选用不带凸点的 芯片。再将载带上的引线排与芯片的 I/O键合点键合。单层结构的缺点是全 部引线与金属支撑架相连接，妨碍了带 上器件的测试检验和通电老化。 （ 2）双层结构载带 双层结构载带可用两种方法制作。 用液体聚酰亚胺涂敷铜带（ 1.4mil厚） ，然后再干燥处理。聚酰亚胺的厚度为 2-3mil。将聚酰亚胺进行光刻，然后窗 口和齿孔用 KOH或 NaOH腐蚀出来，再 用 FeCl3铜标腐蚀液将铜带上所需图形腐 蚀出来。 （ 3）三层结构载带 所用载带厚度为 5mil，比双层带厚 ，因而更稳定。它的制作方法是：用粘 接剂涂敷 12或 24英寸的 Kapton带，再 将带条分裂成 TAB产品所需要的合适宽 度。窗口和齿孔用硬工具冲制而成。然 后将铜带与 Kapton带进行叠合处理，使 铜带压合在齿孔机的 Kapton。最后光刻 铜带，形成引线排。三层结构的优点是 胶带和铜之间有很高的结合强度，且绝 缘性能好，吸湿性低。 TAB内引线焊接技术 将载带引线图形指端与芯片焊接到一起的方法主要有热压 焊合再流焊。当芯片凸点是 Au、 Au/Ni、 Cu/Au，而载带 Cu箔引线也是镀这类凸点金属时，使用热压焊；而载带 Cu 箔引线镀层为 Pb/Sn时，或者芯片凸点具有 Pb/Sn，而载带 Cu箔引线是上述硬金属时就要用热压再流焊。完全使用热 压焊焊接温度高，热压再流焊的温度低。 这两种焊接方法都是使用自动或半就自动化的引线焊接机 进行多点一次焊接的。 主要工艺操作是 对位、焊接、抬起、芯片 传送 4部分。 第二章 封装工艺流程 2.4.2 载带自动键合技术 内引线焊接 第二章 封装工艺流程 TAB 内引线焊接技术 ,焊接程序 对位 给做成电路的晶圆片上的芯片进行测试，给坏芯片打上标记 用划片机划片 将划过片的大圆片（晶圆片的背面有粘着层，经划片后仍 呈大圆片状）放置在焊接机的承片台上 按设计程序将性能好的 IC芯片置 于载带引线图形下面，使载带引线图形对芯片凸点进行精确对位。 焊接 落下加热的热压焊头，加压一定时间，完成焊接。 抬起 抬起热压焊头，焊接机将压焊到载带上的 IC芯片通过链轮步进卷 绕到卷轴上，同时下一个载带引线图形也步进到焊接对位的位置上。 芯片传送 供片系统按设定程序将下一个好的 IC芯片移到新的载带引线 图形下方进行对位，从而完成了程序化的完整的焊接过程。 焊接工艺条件： 焊接温度 T=450-500 ；焊接压力 P=50g；焊接时间 t=0.5-1秒。此外，焊 头的平行度、平整度要好，焊接时的倾斜度要合适，否则会影响焊接效果。凸 点的高度和载带引线图形的厚度的一致性也会影响焊接质量。 完成内引脚键合与电性能测试后，芯片与内引脚面或整个 IC芯片必须再涂 上一层高分子胶材料保护引脚、凸块与芯片，以避免外界的压力、震动、水汽 等因素造成破坏。 封胶的材料 一般为环氧树脂 (Epoxy)和硅橡胶 (Silicone)。环氧树脂用盖印或点胶的方 法涂布，可覆盖整个芯片或仅涂布完成内引脚键合的芯片表面。在烘烤硬化时 应注意加温条件，避免气泡和预应力的产生。 第二章 封装工艺流程 2.4.2 载带自动键合技术 外引线焊接技术 第二章 封装工艺流程 外引线焊接技术 经过老化、筛选 、测试的载带芯片可 以用于各种集成电路 。 对于微电子封装 的引线框架或在生产 线上连接安装载带芯 片的电子产品，可使 用外引线压焊机将卷 绕的载带芯片连接进 行外引线焊接，焊接 时要及时应用切断装 置，将每个焊点外沿 处将引线和聚酰亚胺 （ PI）支撑框架以外 的部分切断并焊接。 2.4.3 倒装芯片键合技术 倒装焊（ FCB）芯片 ，放置面朝下。借助于凸点与基 板焊区直接焊接。这样就省略了互连线，由互连线产生的 杂散电容和电感要比 WB和 TAB小得多，因此适合于高频、 高速电路和高密度组装的应用。 倒装焊的典型例子是 IBM公司的 C4(Controlled- Collapse Chip Connection，可控塌陷芯片连接 )技术。 第二章 封装工艺流程 C4技术的凸缘制备主要通过电子束蒸发、溅散等工艺，将 UBM(Under Bump Metallurgy)或 BLM(Ball Limiting Metallurgy)沉积在芯片的铝焊盘上。 UBM一般有三层，分 别为铬 /铬 -铜（ 50%-50%） /铜。 第二章 封装工艺流程 凸点芯片的类型。在多层化金属上可用多种方法形成不同 尺寸和高度要求的凸点金属，其分类可按凸点材料分类， 也可按凸点结构形状进行分类。 按凸点材料分类： Au凸点、 Ni/Sn凸点、 Cu凸点、 Cu/Pb- Sn凸点 In凸点 Pb/Sn凸点 (C4) 按凸点结构分类：周边形、面阵形 按凸点形状分类：蘑菇状、直状、球形、叠层 第二章 封装工艺流程 第二章 封装工艺流程 凸点芯片的制作工艺 蒸发 /溅散凸点制作法 电镀凸点制作法 置球及模板印刷制 作焊料凸点 蒸发 /溅散凸点制作法 这是早期常用的方法，因为它与 IC工艺兼容，工艺简单 成熟。多层金属和凸点金属可以一次完成。 工艺流程： 制作掩模板 -Si圆片安装制作好的掩模板 -Si圆片光刻掩 模孔 -蒸发 /溅射各金属层 -蒸发 /溅射凸点金属 -去掩模板、去 除光刻胶，剥离多余的金属层 -形成凸点。 缺点 : 是形成的凸点大且低。如果形成一定高度的凸点需要的 时间长，真空溅散设备应是多源多靶的，价格贵。成本高效 率低，不适合大批量生产。 第二章 封装工艺流程 电镀凸点制作法 这是目前国际上普遍采用的方法，工艺成熟。加工过程 少，工艺简单易行，适合大批量制作各种类型的凸点。 基本工序： Si3N4钝化，用激光烧毁不合格的芯片 - 蒸发 /溅散 Ti-W- Au-涂光刻胶 -光刻电极窗口 -腐蚀大面积 Au-W-Ti-去胶，保 留窗口多层电极 -闪溅金属层（ Au） -贴厚光刻胶（膜） -套 刻出凸点窗口 -电镀 Au凸点 -去除厚胶（膜） -腐蚀闪溅 Au。 第二章 封装工艺流程 置球及模板印刷制作焊料凸点 工艺流程 钝化好的圆片 - 覆盖并固定掩模板 - 置 Pb-Sn焊料球 - H2或 N2保护气氛下焊料球再流 - 焊料冷却收球 - 取下掩模板 - Pb-Sn焊料芯片凸点形成 - 第二章 封装工艺流程 凸点芯片的 FCB技术 制作的凸点芯片既可用于厚膜陶瓷基板上进行 FCB又可 在薄膜陶瓷基板上进行 FCB,还可在 PWB上直接将芯片 FCB。这 些基板既可以是单层的，也可以是多层的，而凸点芯片要倒 装在基板上层的金属化焊区上。 （ 1） FCB互连基板的金属焊区制作 要使 FCB芯片与各类基板互连达到一定的可靠性要求，关键 是安装互连 FCB芯片的基板顶层金属焊区要与芯片凸点一一 对应，与凸点金属具有良好的压焊或焊料浸润特性。 （ 2） FCB的工艺方法 FCB的工艺方法主要有以下几种，即 热压 FCB法 、再 流 FCB法 (C4)、 环氧树脂光固化 FCB法 和 各向异性导电胶粘接 FCB法 。 第二章 封装工艺流程 热压 FCB法 使用倒装焊接机完成对各种凸点，如 Au凸点、 Ni-Al 凸点、 Cu-Pb-Sn凸点的 FCB。 倒装焊接机是由光学摄像对位系统、检拾热压超声 焊头、精确定位承片台及显示屏等组成的精密设备。 将欲 FCB的基板放置在承片台上，用检拾焊头检拾带 有凸点的芯片，面朝下对着基板，一路光学摄像头对着凸 点芯片面，一路光学摄像头对着基板上的焊区，分别进行 调准对位，并显示在屏上。待调准对位达到要求的精度后 ，即可落下压焊头进行压焊。压焊头可加热，并带有超声 ，同时承片台也对基板加热，在加热、加压、超声到设定 的时间后就完成所有凸点与基板焊区的焊接。 FCB与基板的平行度非常重要，如果它们不平行，焊 接后的凸点形变将有大有小，致使拉力强度也有高有低， 有的焊点可能达不到使用要求。 第二章 封装工艺流程 再流 FCB法 这种焊接方法专对各类 Pb-Sn焊料凸点进行再流焊接， 俗称再流焊接法。这种 FCB技术最早起源于于美国 IBM公司， 又称 C4技术，即可控塌陷芯片连接。 C4技术倒装焊的特点是： 1） C4除具有一般凸点芯片 FCB的优点外，它的凸点还可整个芯片面阵分 布，再流时能够弥补基板的凹凸不平或扭曲等，所以，不但可与光滑平 整的陶瓷 /硅基板金属焊区互连，还能与 PWB上的金属焊区互连。 2） C4的芯片凸点使用高熔点的焊料（如 90%Pb-10%Sn） ,而 PWB上的焊区 使用低熔点的常规 37%Pb-63%Sn焊料，倒装焊再流时， C4凸点不变形，只 有低熔点的焊料熔化，这就可以弥补 PWB基板的缺陷（如凹凸扭曲等）产 生焊接不均匀问题。 3）倒装焊时 Pb-Sn焊料熔化再流时较高的表面张力会产生 “ 自对准效果 ，这就使 C4芯片倒装焊时对准精度要求大为宽松。 第二章 封装工艺流程 环氧树脂光固化倒装焊法 这是一种微凸点 FCB法。日本曾用这种方法对 6mm6mm 芯 片成功进行倒装焊， Au凸点仅为 5m5m ，节距只有 10m ，载有 2320个微凸点。与一般倒装焊截然不同的是，这里利 用光敏树脂光固化时产生的收缩力将凸点与基板上谨慎焊区 牢固地互连在一起，不是 “ 焊接 ” ，而是 “ 机械接触 ” 。 第二章 封装工艺流程 各向异性导电胶 在大量的液晶显示器 (LCD)与 IC芯片连接的应用中， 典型的是使用 各向异性导电胶薄膜 （ ACAF）将 TAB的外引 线焊接（ OLB）到玻璃显示板的焊区上，但最小外引脚焊 接（ OLB outer lead bonding）的节距为 70m 。而使用 各向异性导电胶 (ACA)可以直接倒装焊再玻璃基板上，称 为玻璃上芯片 (COG)技术。 第二章 封装工艺流程 各向异性导电胶 ACA有 热固型 、 热塑型 和 紫外光 (UV)固化型 几种，而以 UV型最佳，热固型次之。 UV型的固化速度快，无温度梯度，故芯片和基板均不需 加热，因此不需考虑由 UV照射固化产生的微弱热量引起的热 不匹配问题。 UV的光强可在 1500mW/cm2以上，光强越强，固化时间越 短。一般照射数秒后，让 ACA达到 “ 交联 ” ，这时可去除压 力，继续光照，方可达到完全固化。光照时需加压， 100m100m 的凸点面积，需加压 0.5N/凸点以上。 第二章 封装工艺流程 为了制作更小、精度更高的 LCD，就要不断缩小 IC芯片的 凸点尺寸、凸点节距或倒装焊节距。例如小于 50m 凸点 尺寸或节距，这样使用 ACA常规倒装焊方法，将使横向短 路的可能性随之增加。为了消除这种不良影响，使用 ACA 倒装焊方法要加以改进，其中 设置尖峰状的绝缘介质坝 就 是一种有效的方法。 第二章 封装工艺流程 倒装焊接后的芯片下填充 倒装焊后，在芯片与基板间填充 环氧树脂 ，不但可以 保护芯片免受环境如湿汽、离子等污染，利于芯片在恶劣环 境下正常工作，而且可以使芯片耐受机械振动和冲击。特别 是填充树脂后可以减少芯片与基板（尤其 PWB）间膨胀失配 的影响，即可减小芯片凸点连接处的应力和应变。 第二章 封装工艺流程 倒装焊芯片下填充环氧树脂填料要求 应小于倒装焊芯片与基板间的间隙，以达到芯片下各处完全填充覆盖。 填料应无挥发性，因为挥发能使芯片下产生间隙，从而导致机械失效。 应尽可能减小乃至消除失配应力，填料与倒装芯片凸点连接处的 z方向 CTE(Coefficient of Thermal Expansion 热膨胀系数 )应大致匹配。 为避免 PWB产生形变，填料的固化温度要低一些。 要达到耐热循环冲击的可靠性，填料应有高的玻璃转化温度。 对于存储器等敏感器件，填充 放射性低的填料至关重要。 填料的粒子尺寸 在填充温度操作条件下的填料粘滞性要低，流动性要好，即填料的粘滞性应随着 温度的提高而降低。 为使倒装焊互连具有较小的应力，填料应具有较高的弹性模量和弯曲强度。 在高温高湿环境条件下，填料的绝缘电阻要高，即要求杂质离子（ Cl-、 Na 、 K 等）数量要低。 填料抗各种化学腐蚀的能力要强。 第二章 封装工艺流程 填料的填充方法 实际填充时，将倒芯片和基板加热到 70-75 ，利用加有 填料、形状如同 “ L” 的注射器，沿着芯片的边缘双向注射填 料。 由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片 -基板的中 心流动。一个 12.7mm见方的芯片， 10分钟可完全充满缝隙， 用料大约 0.03ml。 填充后要对环氧树脂进行固化。可在烘箱中分段升温， 待达到固化温度后，保温 3-4小时，即可达到完全固化。 第二章 封装工艺流程 2.5 成型技术 芯片互连完成之后就到了塑料封装的步骤，即将芯片与 引线框架包装起来。这种成型技术有 金属封装 、 塑料封装 、 陶瓷封装 等，但从成本的角度和其它方面综合考虑，塑料封 装是最为常用的封装方式，它占据 90%左右的市场。 第二章 封装工艺流程 2.5 成型技术 1、塑料封装的种类和材料 塑料封装的成型技术有多种，包括 转移成型技术 （ Transfer Molding）、 喷射成型技术 （ Inject Molding）、 预 成型技术 （ Premolding）等，但最主要的是转移成型技术。转 移成型使用的材料一般为热固性聚合物（ Thermosetting Polymer）。 热固性聚合物 是指低温时聚合物是塑性的或流动的，但 将其加热到一定温度时，即发生所谓的交联反应（ Cross- inking），形成刚性固体。若继续加热，则聚合物只能变软而 不可能熔化、流动。 第二章 封装工艺流程 2.5 成型技术 2、转移成型工艺流程 将已贴装芯片并完成引线键合的框架带置于模具中 ; 将塑封的预成型块在预热炉中加热（预热温度在 90- 95 之间） ; 放入转移成型机的转移罐中 在转移成型压力下，塑封料被挤压到浇道中，经过浇口 注入模腔（整个过程中，模具温度保持在 170-175 ） 塑封料在模具中固化，经过一段时间的保压，使模块达 到一定的硬度，然后用顶杆顶出模块，就完成成型过程。 第二章 封装工艺流程 2.5 成型技术 3、转移成型设备 在自动化生产设备中，产品的预热、模具的加热和 转移成型操作都在同一台设备中完成，并由计算机实施控 制。也就是说预热、框架带的放置、模具放置等工序都可 以达到完全自动化。 第二章 封装工艺流程 转移成型技术设备 预加热器 压机 模具和固化炉 2.6 去飞边毛刺 塑料封装中塑封料树脂溢出、贴带毛边、引线毛 刺等统称为飞边毛刺现象。 去飞边毛刺主要工序 第二章 封装工艺流程 介质去飞边毛刺 溶剂去飞边毛刺 用介质去飞边毛刺时，是将研磨料（如颗粒状的塑料球） 与高压空气一起冲洗模块。在去飞边毛刺过程中，介质会将框 架引脚的表面轻微擦磨，这将有助于焊料和金属框架的粘连。 水去飞边毛刺 用水去飞边毛刺工艺是利用高压的水流来冲击模块，有时也会 将研磨料与高压水流一起使用。用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于 很薄的毛刺。溶剂包括 N-甲基吡咯烷酮 (NMP)或双甲基呋喃（ DMF） 。 2.7 上焊锡 封装后要对框架外引线进行上焊锡处理，目的是在框 架引脚上做保护层和增加其可焊性。上焊锡可用二种方法， 电镀和浸锡。 电镀工序： 清洗 -在电镀槽中进行电镀 -冲洗 -吹干 -烘干（在烘箱中） 浸锡工序： 去飞边 -去油 -去氧化物 -浸助焊剂 -热浸锡（熔融焊锡， Sn/Pb=63/67） -清洗 -烘干 二种方法比较： 浸锡容易引起镀层不均匀，中间厚，边上薄（表面张力 作用）。电镀中间薄角周围厚（电荷集聚效应）。电镀液还 会造成离子污染。 第二章 封装工艺流程 2.8 切筋成型 切筋工艺是指切除框架外引脚之间的堤坝以及在框架带 上连在一起的地方；成型工艺则是将引脚弯成一定形状，以 适合装配的需要。 切筋成型通常是两道工序，但同时完成（在机器上）。 有的公司是分开做的，如 Intel公司。先切筋，然后完成上焊 锡，再进行成型工序，其好处是可以减少没有上焊锡的截面 面积，如切口部分的面积。 第二章 封装工艺流程 2.9 打码 打码就是在封装模块的顶面印上去不掉的、字迹清楚 的标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等。最常用 印码方式是油墨印码和激光印码两种。 第二章 封装工艺流程 油墨打码 工艺过程有些像敲橡皮图章，因为是用橡 胶来刻制打码标识。油墨是高分子化合物，是 基于环氧或酚醛的聚合物，需要进行热固化， 或使用紫外光固化。油墨打码对表面要求较高 ，表面有污染油墨则打不上去。另外油墨也容 易擦去。为了节省生产实间，在模块成型之后 先打码，然后将模块进行固化，也就是塑封料 和油墨一起固化。粗糙的表面油墨的粘附性好 。 激光印码 利用激光就是在模块 表面写标识。现有激光打 码机。激光打码最大的优 点是印码不易擦去，工艺 简单。缺点是字迹较淡。 2.10 元器件的装配 元器件装配在基板上的方法有 两种 : 波峰焊 (Wave Soldering)，波峰焊主要在插孔式 PTH(plated through-hole 镀金属通孔 )封装型元器件装配， 表面贴装式 SMT及混合型元器件装配则大多使用回流焊。 回流焊 也叫再流焊（其核心环节是利用外部热源加热， 使焊料熔化而再次流动浸润以完成电路板的焊接），是伴随 着微型化电子产品的出现而发展起来的焊接技术，它最适合 表面贴装元器件，也可以用于插孔式元器件与表面贴装器件 混合电路的装配。 第二章 封装工艺流程 回流焊工艺流程： 丝网印刷焊膏 -贴片 -回流焊 其核心是丝网印刷的准确性。贴片元器件 是通过焊膏固定的。回流焊是在回流焊设备中 进行的。将贴好元器件的电路板进入再流焊设 备，传送系统带动电路板通过设备里各个设定 的温度区域，焊膏经过了干燥、预热、熔化、 冷却，将元器件焊接到电路板上。 第二章 封装工艺流程 回流焊的焊接原理 : 当 PCB进入升温区（干燥区）时，焊膏中的溶剂、 气体蒸发掉，同时，焊膏中的助焊剂润湿焊盘、元器件 端头和引脚，焊膏软化、塌落 无铅波峰焊 、覆盖了焊盘 、回流焊元器件端头和引脚与氧气隔离 计算机 B进入 保温区时， PCB和元器件得到充分的预热，以防 PCB突 然进入焊接高温区而损坏 PCB和元器件 当电脑 B进入 焊接区时，温度迅速上升使焊膏达到熔化状态，液态焊 锡对 PCB的焊盘、元器件端头和引脚润湿、扩散、漫流 或回流混合形成焊锡接点 PCB进入冷却区，使焊点凝 固。此时完成了再流焊。 按加热方式的不同，分为气相回流焊（ 焊剂 (锡膏 )在一定的高温气流下进行物理反 应达到 SMD的焊接；因为是气体在焊机内循 环流动产生高温达到焊接目的，所以叫 “回流 焊）、红外回流焊、远红外回流焊、红外加 热风回流焊和全热风回流焊。另外根据焊接 特殊需要还有充氮回流焊。目前常见设备有 台式回流炉和立式回流炉。 厚膜与薄膜的概念 相对于三维块体材料，从一般意义上讲，所谓膜，由 于其厚度尺寸小，可以看着是物质的二维形态。在膜中又有 薄膜和厚膜之分。 按膜厚的经典分类认为，小于 1m 的为薄膜，大于 1m 的为厚膜。 另一种认为，厚膜与薄膜的概念并不单指膜的厚度，而 主要是还是指制造工艺技术的不同。厚膜是通过丝网印刷（ 或喷涂）和烧结（聚合）的方法，而薄膜是通过真空蒸发、 溅散、气相化学淀积、电镀等方法而形成。 第三章 厚薄膜技术 3.2 厚膜技术 厚膜技术是用丝网印刷或喷涂等方法，将导体浆料、 电阻浆料和介质浆料等涂覆在陶瓷基板上制成所需图形， 再经过烧结或聚合完成膜与基板的粘接。它的基本内容是 印刷和烧结，但目前已发展成综合性很高的一种技术。它 的范围和内容越来越广泛，包括互连技术，制造元器件技 术和组装封装技术。 第三章 厚薄膜技术 厚膜技术的主要工序 浆料 ，也称涂料，它是由金属或金属氧化物粉末和玻 璃粉分散在有机载体中而制成的可以印刷的浆状物或糊状 物。其中的有机载体是由有机溶剂和树脂配制而成的。 第三章 厚薄膜技术 1.制法： 根据不同的浆料（导体、电阻、介质等）的成分和配方， 将各种固体粉料先均匀混合，再加入适量载体，使粉料均匀分 散于载体中，然后再进行研磨，便获得结构均匀的分散体系， 即厚膜浆料。 2.印刷 印刷是厚膜浆料在基板上成膜的基本技术之一。厚膜中最 常用的印刷是丝网印刷。 这种印刷技术先用丝绸、尼龙或不锈钢丝编织成的网绷紧 在框架上，再将刻有导体或电阻图形的有机膜或金属箔（称掩 模）贴到丝网上。印刷时，将基板放在丝网下面，而将浆料放 在丝网上面，然后用橡胶或塑料制成的刮板以一定的速度和压 力在丝网上移动，使它通过掩模上的开孔图形而漏印到基板上 ，于是在基板上便得到该浆料印出的所需图形。 第三章 厚薄膜技术 3.干燥 印好的图形要经过 “ 流延 ” ，又称 “ 流平 ” 一段时间，通 常为 5-15分钟。主要是使丝网筛孔的痕迹消失，某些易挥发的 溶剂在室温下挥发。 4.烧结 烧结也称烧成，它是厚膜技术中的主要工序之一。印好的 厚膜浆料只有经过烧结工序后，才具有一定的电性能，才能成 为所需要的厚膜元件。 烧结过程的阶段： 升温、最高烧结温度（或称峰值温度） 的保温和降温三个阶段 。 厚膜元件的质量与烧结条件（包括升、降温速率，最高烧 结温度和保温时间 统称烧成曲线等有密切的关系，所以要严 格进行控制。 第三章 厚薄膜技术 4.微调 微调是厚膜元件烧结后，对其阻值或容量进行微量调整 的一种方法。 微调的原因是：因为厚膜电阻或电容在烧结后其阻值和 容量通常还不能完全达到所要求的数值精度，所以还需要进 行调整。 调整的方法：用喷砂或激光等方法来切割电阻或电容图 形，以改变他们的几何尺寸。使阻值或容量发生变化，从而 达到预定的标称值和所需的精度。微调对电阻来说，通常是 阻值上升，而电容器较多的是容量下降。 5.封装 封装是把制成的厚膜电路或组合件保护在一定的外壳中 或采取其它防护措施，如印刷一层保护层，以达到防潮、防 辐射和防止周围环境气氛等影响。 第三章 厚薄膜技术 3.3 厚膜材料 厚膜材料包括基板、导体材料、电阻材料、介质材料。 陶瓷基板包括： 氧化铝陶瓷基板、氧化铍陶瓷基板、特种陶瓷基板（高介 电系数的钛酸盐、锆酸盐，和具有铁磁性的铁氧体陶瓷等，主 要作传感器和磁阻电路用）、氮化铝基板和碳化硅陶瓷基板。 第三章 厚薄膜技术 厚膜基板 陶瓷 金属 树脂 氧化铝陶瓷基板 目前用的比较多的基板，它的主要成分是 Al2O3，基板 中 Al2O3的含量通常为 92-99.9%， Al2O3的含量愈高基板的 性能愈好，但与厚膜的附着力较差，因此一般采用 94-96% Al2O3的陶瓷。 这种氧化铝陶瓷板要在 1700 以上高温下烧成，因而 成本比较高。所以国内外也有采用 85%和 75% Al2O3陶瓷的 ，虽然它们的性能稍差些，但成本低，在一般的电路生产 中可采用。 第三章 厚薄膜技术 多层陶瓷基板 所谓多层陶瓷基板，就是呈多层结构，它是用来作 多层布线用的。目前用的最多的主要是氧化铝多层陶瓷基 板。多层化的方法有三种： 厚膜多层法 用烧成的 Al2O3板 印刷多层法 用未烧成（生）的基板 生板（片）叠层法 用生板（带有通孔） 第三章 厚薄膜技术 厚膜多层法 厚膜多层法是在烧成的氧化铝基板上交替地印刷和烧 结厚膜导体（如 Au、 Ag-Pd等）与介质浆料而制成，导体 层之间的连接是在介质层上开孔并填入导体浆料，烧结后 而相互连接起来。 印刷多层法 它是在生的氧化铝陶瓷基板上印刷和干燥 Mo、 W等导 体层，然后再其上印刷和干燥与基板成分相同的 Al2O3介质 浆料，反复进行这种工序到所需层数，再将这种基板在 1500-1700的还原气氛中烧成，基板烧成后，在导体部分 镀镍、金以形成焊区，焊接外接元件。 第三章 厚薄膜技术 生板（片）叠层法 它是在冲好通孔的氧化铝生片上印刷 Mo、 W等导体， 然后将这种印好导体图形的生片合叠到所需层数，在一定 的压力和温度下压紧，再放到 1500-1700 的还原气氛中 烧结成一个坚固的整体。 以下进行三种多层化方法的比较 第三章 厚薄膜技术 厚膜多层法 特点： 制造灵活性大，介质浆料可以用多种成分，不一定用 基板成分。可以在空气中烧结，温度在 1000 以下。 烧结后基板上的导体不需要电镀，用金或银 -钯可直接 焊接。 基板内部可以制作电阻、电容等厚膜元件。 制作过程容易实现自动化。 缺点： 制造很细的线（微细线）困难。因烧成的介质上印导 线容易渗开。 可焊性、密封性和散热性没其它二种好。 第三章 厚薄膜技术 印刷多层法和生片叠层法 二者是利用生片容易吸收浆料中的溶剂的特点来制造 的，它们的 优点 ： 线条不会渗开变粗，可以印出分辨率很高的微细线。 容易实现多层化，进行高密度布线。即层数可以制得 很多，尤其是生片叠层法可以做到 30层以上。 导体和绝缘介质烧成整体，密封性好，可靠性高。 基板只需一次烧成，导体采用 Mo、 W等贱金属材料，因 而成本低。 缺点： 设计和制造灵活性差，生产周期长 烧结温度高，要在还原性气氛中烧结等。 三种多层化方法的比较 对厚膜导体的要求 1 导电率高，且与温度的相关性小 2 附着力强 3 可焊性好，能重焊 4 抗焊料侵蚀 5 可热压焊合超声焊 6 适合丝网印刷和烧结，多次烧结性能不变 7 不发生迁移现象，与其他元器件相容性好 8 资源丰富，成本低 厚膜导体与材料 第三章 厚薄膜技术3.3 厚膜材料 Ag、 Ag-Pd、 Cu、 Au等能较好地满足上述要求，实际采用较多。 Ag浆料的最大特点是电导率高，但其与基板的附着强度、 焊接特性等存在问题。 焊接后的 Ag厚膜导体，随时间加长及温度上升，其与基板 的附着强度下降。这是由于 Ag与玻璃层间形成 Ag-O键，以及与 焊料扩散成分生成 Ag3Sn所致。为了防止或减少 Ag3S