[工学]微机原理及接口2013年度第15次课.ppt

微机原理及接口,第3章 汇编语言程序设计,3.1 汇编语言程序格式,3.4 汇编语言程序设计,3.3 DOS功能调用,3.2 伪指令,基本结构有：顺序结构（线性结构） 选择结构（分支结构） 循环结构,三种结构可以任意组合和嵌套构成复杂的程序。,三、程序的基本结构,3.4 汇编语言程序设计,3.4 汇编语言程序设计,三、程序的基本结构,3、循环结构,例6：统计一个数据块中负数的个数，个数送RS中,DATA SEGMENT D1 DB -1,-3,5,6,9,-5 COUNT EQU $-D1 RS DW ? DATA ENDS,3.4 汇编语言程序设计,LEA BX, D1 MOV CX, COUNT MOV DX, 0 LOP1: MOV AL,BX CMP AL,0 JGE JUS INC DX JUS: INC BX DEC CX JNZ LOP1 MOV RS,DX CODE ENDS END START,DATA SEGMENT D1 DB -1,-3,5,6,9,-5 COUNT EQU $-D1 RS DW ? DATA ENDS CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE, DS:DATA START: MOV AX, DATA MOV DS, AX,例6：统计一个数据块中负数的个数，个数送RS中,3.4 汇编语言程序设计,LEA BX, D1 MOV CX, COUNT MOV DX, 0 LOP1: MOV AL,BX CMP AL,0 JGE JUS INC DX JUS: INC BX DEC CX JNZ LOP1 MOV RS,DX,例6：,Y,N,Y,N,Data segment Mess1 db 45h,0c8h,96h,0,64h,0ffh Max db 1 dup(?) Data ends Code segment Assume cs:code,ds:data Start: mov ax, data mov ds,ax mov bx, offset mess1 mov cx, 6,l1: mov al , bx l2: inc bx dec cx and cx,0fh jz pro_end cmp al, bx jl l1 jmp l2 pro_end: mov Max , al code ends end start,实验七：有一有符号数串 mess1 db 45h,0c8h,96h,0,64h,0ffh 要求编一程序,找出该数串中的最大数放入max单元。,伪指令 数据定义伪指令，符号定义伪指令，段 定义伪指令,小结,汇编语言程序格式： 汇编语言，汇编语言语句的分类，汇编语言语句的格式,汇编语言程序设计： 顺序结构，选择结构，循环结构,第4章 半导体存储器,4.1 概述,4.3 CPU与存储器的连接,4.2 随机读写存储器,第四章 半导体存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,按存取速度和用途,内存,外存,：通过系统总线直接与CPU相连,：通过I/O接口与CPU相连,二、半导体存储器的分类,按制造工艺,双极型,CMOS型,HMOS型,按应用角度,RAM：随机读写存储器 Random Access Memory,ROM：只读存储器 Read Only Memory,第一节 概述,计算机的 存 储 器,外存储器,作用：用于存放当前运行的程序和数据，是主机一部分。 特点：通常用半导体存储器作为内存储器。内存速度较高，CPU可直接读写。,作用：用于存放暂时不用的程序和数据。 特点：容量大、速度较低、CPU不能直接读写。,内存储器,第四章 半导体存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类,（1）RAM的分类及特点 静态SRAM 动态DRAM,特点是集成度介于双极型RAM与动态RAM之间，不需要刷新，易用电池备用电源，功耗也在双极型和动态RAM之间。,信息会自然丢失，须（2ms）定时刷新。集成度最高，比静态RAM功耗低，价格便宜。,第四章 半导体存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类,（2）ROM的分类及特点 掩膜只读存储器,掩膜只读存储器是芯片厂家用用光刻工艺掩膜对存储器进行编程，一旦制造完毕，其内容就不可更改。,第四章 半导体存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类, 可编程只读存储器PROM,可编程只读存储器PROM 允许用户烧断管子熔丝的方法一次性写入，一旦写入也不可更改。,（2）ROM的分类及特点 掩膜只读存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类, 可擦除只读存储器EPROM,EPROM允许用户由专用编程器完成多次写入信息。写入之前应先擦除原来写入的信息。用紫外光照射15分钟左右，芯片中信息被擦除。, 可编程只读存储器PROM,（2）ROM的分类及特点 掩膜只读存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类, 可电改写的只读存储器EEPROM,即用特定的电信号对其进行在线擦除、改写操作，因此很方便。特点是写入时电压要求较高（12V以上）、速度较慢。, 可擦除只读存储器EPROM, 可编程只读存储器PROM,（2）ROM的分类及特点 掩膜只读存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类, 闪速存储器（Flash Memory）,特点是在不加的情况下可以长期保存数据，又具有非易失性，还可以在线进行快速擦写与重写，兼有EPROM和SRAM的优点。, 可电改写的只读存储器EEPROM, 可擦除只读存储器EPROM, 可编程只读存储器PROM,（2）ROM的分类及特点 掩膜只读存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类,呈现金字塔形结构，越往上存储器件的速度越快，CPU的访问频度越高；同时价格也越高，系统拥有量越小。,第四章 半导体存储器,第一节 概述,微型计算机系统中的存储器分级组成,寄存器位于塔顶端，数量有限、存取速度最快。向下依次是Cache、主存储器、辅助存储器。位于塔底的存储设备，其容量最大，价格最低，速度最慢。,第四章 半导体存储器,第一节 概述,微型计算机系统中的存储器分级组成,第四章 半导体存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类,三、半导体存储器的指标,半导体存储器的指标：可靠性、功耗、价格、电源种类、芯片的容量和存取速度等等。,(一) 容量,存储器的容量是指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。,存储器容量表示方法：单元数 X 数据线位数,例如：Intel 2114容量为1k 4位/片,第四章 半导体存储器,第一节 概述,一、存储器的分类,二、半导体存储器的分类,三、半导体存储器的指标,(一) 容量,(二) 存取速度,存取速度由存取时间衡量。从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间。,第四章 半导体存储器,第一节 概述,第二节 随机读写存储器（RAM）,静态RAM(SRAM)：存储单元使用双稳态触发器，可带电信息可长期保存。 动态RAM(DRAM): 使用电容作存储元件，需要刷新电路。集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。,RAM 按功能可分为 静态、动态两类,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,一、半导体存储器的一般结构,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,一、半导体存储器的一般结构,1、存储体（m*n结构存储矩阵，其中每个小方框代表一个基本存储电路）,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,一、半导体存储器的一般结构,2、地址缓冲器 用来存放CPU访问存储单元的地址。 3、译码驱动电路 将地址总线输入的地址码转换成与它对应的译码输出线上的高电平或低电平，以表示选中了某一单元。 译码原理：,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,一、半导体存储器的一般结构,4、读/写电路 完成对被选中单元中的各位的读/写操作 5、数据缓冲器 暂时存放被读/写的数据，以协调CPU与存储器或I/O接口的速度差异。 6、控制逻辑 接收来自CPU的启动、片选、读/写及清楚控制信号，经综合处理后，发出一组时序信号来控制读/写操作。,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,二、随机读写存储器 1、静态存储器-SRAM 基本存储电路：,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,二、随机读写存储器 1、静态存储器-SRAM 特点： 1）存取速度快，常用于作为高速缓冲存储器（cache） 2）可读写，失电后信息丢失 3）集成度小（单片存储容量小），功耗大 典型芯片： 6116（2K*8位） 62128(16K*8位) 6224(8K*8位) 62256(32K*8位),第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,二、随机读写存储器 1、静态存储器-SRAM SRAM内部结构：,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,二、随机读写存储器 1、静态存储器-SRAM SRAM6264芯片的引脚：,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,二、随机读写存储器 2、动态存储器-DRAM 存储电路：,第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,二、随机读写存储器 2、动态存储器-DRAM 特点： 1）由于采用对电容的充放电，存放信息，较SRAM存取速度慢 2）可读写，失电后信息丢失 3）功耗小，集成度高，单片存储容量大 4）需要配备刷新电路（2ms） 典型芯片: 2164(64K*1位) 51C256(256K*1位) HM5116100(16M*1位),第四章 半导体存储器,第二节 随机读写存储器（RAM）,二、随机读写存储器 2、动态存储器-DRAM 特点： 1）由于采用对电容的充放电，存放信息，较SRAM存取速度慢 2）可读写，失电后信息丢失 3）功耗小，集成度高，单片存储容量大 4）需要配备刷新