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一、填空题：（每小题分）晶闸管，英文为 ，简称，中文旧称 ，全称为晶体闸流管。晶闸管有三个 结，其内部可等效看成两个 。由四层 交替叠成的晶闸管，其A、G、K三个引出极为 。普通晶闸管的开通时间在 左右，关断时间约在 。5开关二极管可分为正向导通、反向阻断、 和 四种状态。MR876是 公司生产的额定电流为 的快恢复功率二极管。功率MOSFET，是一种 控制器件，名称为 。IPM，它将IGBT芯片、 与保护、嵌位等电路封装在一个模块内，并称作为 IGBT模块。9GTO器件的名称为 ，英文名为 。10用于高频且电压、电流也比较大的电力电子电路中，对于达林顿GTR、功率MOSFET、IGBT等全控型器件，首选 ，其次分别为 。11SIT名为 管，是一种靠场效应引起元件中 消失或形成的器件。12SIT的三个极为 ，在电路中的开关作用相当于 触点。13Choppter作为直流斩波器，通过 作用，将直流电压变为 。14型号为的 晶闸管，有 四种方式，其中第三种尽量不用。15PIC是一种 电路，是具有逻辑、控制、 和传感、检测、自诊断等功能的电力电子芯片。16IEGT是 的派生器件，目前产品水平为4500V、1000A，可代替 用于高压大容量领域。17SITH为静电感应晶闸管，多为常“ ”型器件，当门极加 时，管子关断。18MCT是MOS控制晶闸管，当门极相对于 极加 脉冲电压时，会使MCT管子导通，反之关断。19SSS是一种固态开关，一种以 为基础构成的 组件。20脉宽调制技术简称 ，是通过调节 来控制输出电压的一种控制技术。21单结晶体管又称为 管 ，当Ue增大到p 时，管子进入负阻状态。22SPWM名为 调制，其波形是一系列等幅不等宽的、且其脉冲宽度正比于 的矩形波。23UPS就是 装置，当交流输入电源（市电）发生异常或断电时，它还能够 。24a 的起算点，对三相整流来说，是在 点；而对单相整流是在 wt = 。25额定电流为200A的快速晶闸管，型号为 ，晶闸管电流有效值为 。26PUT，即型门极晶闸管，它既具有 的功能，又可作为 来使用。27对单相电路，控制角与导通角之间具有 的关系，a 的移项范围为 。28三相桥式相控整流电路，电阻负载，其Rd上的电压ud波形为三相 电压波形正半周的 线。29三相桥式半控整流电路 40的输出波形，为 波头和 波头。30图形符号如的器件，名为 管，它是将 制作在同一管芯上。31如题图所示的器件，是 ，它的三个极分别为 。32用于交流电动机变频调速的变频器，实际上都是（）器，用字母简称则为 。33多相多重斩波电路所谓的“相数”和“重数”，分别是指从 端和 端看进去的不同相位的斩波回路数。34在选用晶闸管的额定电压U T n时，应比工作中加在管子上的实际最大瞬时电压UTM大 ，以公式表示则为 。35.晶闸管的“额定电流”，指的是 ，额定电流的晶闸管，它的额定有效电流为 安培。36晶闸管的电流过载能力极小，选用时考虑 倍的电流裕量，流过管子的最大有效电流为安培时，应选用标称额定电流为 的晶闸管。37使用IGBT时，提供的正偏压在 为最佳，负偏压一般取 合适。38所谓IGBT的“转移特性”，是指 与 之间关系曲线。39通常建议GTO的强脉冲正触发电流Ig1值，为铭牌正向触发电流Ig的 倍，负门极电压脉冲宽度 。40IGBT是以 为主导元件、以 为驱动元件的新型复合器件，具有耐压高、电流大、速度快等优点。41变流装置的过流信号控制晶闸管触发脉冲快速后移至a 90 区域，迫使故障电流迅速下降，使该装置工作在 状态，此法通常称为“ ”。二、单项选择题（每小题2分）1某单相桥式全控整流电路，U2220V，选用晶闸管时，额定电压应取（ ）。a700 b1500 c220 d4002晶闸管阳极与阴极之间的正向电阻，应在（ ）。a数百千欧以上 b千欧左右 c20kW左右 d100kW以下3单相全波整流电路，晶闸管承受的正反向最大电压为（ ）。 a2U2 bU2 c2U2 dU25在晶闸管关断时，管子电压波形会出现毛刺，此反向尖峰过电压值可达工作电压峰值的（ ）倍。a2 3 b c10 20 d100 6 描述IGBT集电极电流IC与集射电压UCE之间关系的曲线，称为（）特性。a输出特性 b伏安特性 c转移特性 da与b7对于三相全控桥式整流电路，在1# 管触发前，“”号管应刚被触发过，1# 管触发后，它将和号管构成回路，题中的“”和“”分别为（ ）。a， b， c， d，8当三相全控桥的号触发板发出脉冲时，它还通过本板的“”线，“通知”“”号板的“”线端，让该板此时补发一个脉冲。题中的“、”分别为（ ）。a X，3，Y bY，3，Y cX，5，X dY，3，X对于三相全控桥式整流电路、大电感负载，触发器为锯齿波管，同步信号电压uS相对于主电压的相位，应当（）。a同相位 b相差180 c滞后60 d领先6010 三相全控桥式整流电路，整流变压器连接为y9（），触发电路为管锯齿波移项，同步变压器TS的钟点数与接法应为（）。ay9 bYy12 cDy3 dYy511三相半波相控整流电路，整流变压器为（）接法，采用晶体管的正弦波同步触发电路，则同步变压器TS的钟点数与接法应选（）。aDy bDy7 cDy5 dDy1112三相半控桥大电感负载，整流变压器连接为d（），触发电路采用正弦波同步移项，其同步变压器TS的钟点数与接法应选（）。aDy11 bd cDy5 dd13接线方法采用如题图所示的基极条件下，查找手册中GTR的集电极击穿电压，应该看（）栏。aBUCBO bBUCEO cBUCES d BUCES14 在题图示的几种接线方法中，那一种基极回路下的集电极击穿电压最高：（）。a. b. c. d.15 在题图示的几种接线方法中，那一种基极回路下的集电极击穿电压最低：()。a. b. c. d.16在题图所示的GTR伏安特性中，那一种符合手册里BUCEX 的基极条件：（）bcdaICUCECCUUCoCCUUCe17有关的“锁定”效应，以下讲法错误的是（）。 a由于其内部存在的寄生晶闸管所造成 b有静态锁定和动态锁定两种形式c 因IC过大而引起的，称为“动态锁定” d 锁定时，栅极失控，应避免发生18题图所示的三相同步变压器，其接法和钟cab点数为：（）。 aDy3 bDy5cDd1 dDy1119题图所示的三相整流变压器接法，如触发电路为正cab弦波移相，配用同步变压器的钟点数与接法为：（）。 aDy9 bycDy1 d Dy3 20关于集成电路，以下讲法错误的是：（ ）。 aKC04为移相触发器 b1#、15#脚分别输出正、负相脉冲c内部原理与分立元件正弦波同步触发一样 d用于单相或三相整流触发21对教科书35图-25的电路，以下理解错误的是：（）。 a主电路为单相全控桥、电阻负载b每个半波，起触发作用的是第一个ug脉冲cRe调大时，控制角a会变大 d稳压管并上电容会造成各半周的a不一致22对于“二次击穿”问题，下述讲法错误的是（）。 a它是影响GTR可靠工作的重要因素b第一次没有击穿，后来第二次才发生击穿现象，就是“二次击穿”cIGBT没有“二次击穿”问题d在SOA区工作的管子不会发生二次击穿23在晶闸管串联使用的问题上，下述观点中错误的是：（）。 a两个管子串联，则两管耐压之和即为总耐压b均压电阻能防止静态不均压 c动态均压通常在管子两端并电容d阻容吸收也能起动态均压作用24并联使用晶闸管时，以下几点考虑中错误的为：（）。 a选用特性比较一致的管子，不要用强触发 b与管子串联的电阻，可作为均流电阻 c管子串电抗，能起到动态均流效果 d非不得已，最好不用管子并联的做法25全控型器件IGBT及达林顿GTR、MOSFET在使用上，应注意以下情况：（ ）。 a它们都有二次击穿现象 bIGBT与GTR有锁定现象cMOSFET不会静电击穿 dIGBT有静电击穿和锁定现象，但没有“二次击穿”26IGBT与达林顿GTR、功率MOSFET相比较，在高压化、高速化和大电流化上，特点为：（ ）。 aIGBT都容易做到 bMOSFET易于高压化、大电流化c达林顿GTR易于高速化 dIGBT难于做到大电流化27在研究电力电子器件的开关特性时，开通特性的数据测试如下规定：（ ）为有效。a输入80、输出100 b输入50、输出50 c输入10、输出90 d输入60、输出10028在研究电力电子器件的开关特性时，关断部分的数据测试有如下规定：（ ）为有效。a输入50、输出50 b输入90、输出10c输入70、输出30 d输入60、输出10029可以验证，有关单相正弦波（SPWM）逆变电源，以下看法有一不正确：（ ）。a被调制的载波，须是频率较高的三角波 b已调信号是脉冲列c必须以正弦基波作为调制电压 d它属于无源逆变30关于“单极性”、“双极性”SPWM ，概念不对的是：（ ）。 a“单极性”的输出脉冲，在各半周内皆为一个极性 b“双极性”的载波对称于横轴 cM取01，N 取自然数 d 输出为等幅不等宽的，基波为正弦波的脉冲列31型号为IRGPC40M的IGBT 管，集电极电压和集电极电流分别为：（ ）。 a1200，31b1200，50 c1000，25 d600，4032.型号为IRGPH40M的IGBT 管，通态压降和功耗分别为：（ ）。a2.0，160 b3.4，160 c3.3，400 d3.0，20033型号为MG25N2S1的IGBT 管，集电极电压和集电极电流分别为：（ ）。a1000，25 b1200，50 c600，40 d1200，3134型号为2MBI50N-120的IGBT 管，栅射电压和集电极电压分别为。（ ）。a20，600 b 20，1000 c 20，500 d20，120035集成触发器KC09，并非是：（ ）。a用于单相或三相全控桥式装置 b它是KC04的改进型，可互换c只用于相控整流，不用于逆变V d其电源电压为 DC 1536集成触发器KC04，其最大输出能力和脉冲幅值为：（ ）。 a100A，13mV b100mA，13Vc100Mw，13mV d100mA，13mV37Single-phase Controlled Rectification Circuit，即为：（ ）电路。a三相可控整流 b单相桥式整流c单相可控变流 d单相相控整流38在单相相控整流的几种电路中，关于它们的整流电压输出，误解的为：（ ）。a同种形式电路，不管负载如何，计算公式一样 bd不含谐波c在90范围内，a愈大，输出电压愈小 dud为缺角的半波或全波波形39本书中，ITSM表示：（ ）。 a晶闸管允许的浪涌电压 b晶闸管允许的最大电流 c晶闸管允许的浪涌电流 d晶闸管反向不重复平均电流40电阻负载下单相正弦半波波形，在 a = 90 时，其波形系数为：（ ）。 a1.11 b2.22 c1.57 d1.7341目前市场上供应一种“瞬态电压抑制器”，当其两端受到瞬时高压时，能以1012s的速度从高阻变为低阻，吸收高达数千瓦的浪涌，它的简称为：（ ）。 aSST bTVS cSTV dSTY三、判断题（每小题分）晶闸管整流装置的三相同步变压器，其二次侧不允许采用星形接法。（ ）2三相半波相控整流电阻负载，在a=40时，输出的ud波形不是连续波形。（ ）3根据经验,晶闸管额定电流在500安培时, 阻容吸收电路选择电容1mF，电阻5kW。（ ）4根据经验，选择0.2微法电容和40欧姆电阻，配合额定电流50A的晶闸管作为阻容吸收比较合适。（ ）5变压器双数钟点数不是一、二次不同接法。（ ）6晶闸管的阳极与阴极之间的电阻小于几百千欧，此管已坏。（ ）7晶闸管的门极与阴极之间为PN结，门极与阴极间的电阻通常为几十到几百欧；正反向阻值相差很小。（ ）8晶闸管是一种功率四层半导体器件，是电力电子器件，也是电压控制器件。（ ）9SPWM的载波，必须是频率高于调制电压正弦基波的三角波。（ ）10正弦波脉宽调制的调制度一般小于1，而频率比必大于1。（ ）四、计算与简答题（共10分）择书中“思考题与习题”一题，如P79 1、2、4、5 ，P42 例题21、P48例题22、P52例题23、P59 例题24等的简答及计算。P72 触发电路同步电压相位的确定。六、绘图题（1525分）1设绘实用实验接线图，主电路为三相半波相控整流电路，锯齿波触发，整流变压器TR接法为Dyn11（/y0-11），Ts同步变压接法Dyn5（D0/y0-6），US取30V，电机串电抗负载。2设绘三相半控桥式相控整流电路的接线图。3设绘三相全控桥式相控整流电路的接线图。11+aM+30V +15V -15V 0g1k1g2k2g3k3 1CF 2CF 3CF 4CF 5CF 6CFg4k4g5k5g6k6-a+bL2-b+c380V220V-cusA us(-C) usB usC us(-A) us(-B) T R D/yO-11A2B2C2A1B1C1380V50HzL1L2L3N380V220V380V220V30V电力电子技术答案与评分一、填空题（每小题分）Thyristor，可控硅，晶体管半导体，阳极、门极、阴极 6ms，几十到几百微秒 开通过程，关断过程 美国MOTOROLA，50A 单极型电压，功率场效应晶体管 驱动电路，智能化功率 门极可关断晶闸管，Gate Turn off Thyristor10，MOSFET和GTR11静电感应晶体，导电沟道12源极、门极、漏极，常闭13电力电子开关，可调直流电压 14双向，15功率集成，驱动、保护 16， 17常闭，负电压18阳，负 19双向晶闸管，无触