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文档简介

硅材料检测技术1 填空1. 冷热探笔法测太阳能电池导电类型。2. 在冷热二端之间建立电场,电场的方向冷热。3. 电阻率公式: =US/IL(二) =CU23/I(四)4. 太阳能电池片样品二端电压的变化量与半导体中非平衡载流子浓度成正比关系。5. 刃型位错的柏格斯矢量与位错线垂直,而螺型位错的柏格斯矢量平行。6. 半导体硅是金刚石结构,立方晶系。7. O半峰宽32cm1,C半峰宽6cm1。8. 纯水(去离子水)即去掉阴阳离子和有机物等杂质的水。2 名词解释1 载流子的扩散系数D(cm2/s)2 测试要满足的小注入条件:无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足的小注入条件。注入比的定义是p/no1%就符合小注入条件。3 电化学腐蚀:金属或半导体材料于高温(1200C)在腐蚀气体中所受到的腐蚀。4 Sirtl腐蚀液: 可显示(111)面缺陷,广泛应用。腐蚀时间1015min。1储备液(33%CrO3水溶液)1HF; Dash腐蚀液:可腐蚀各个晶面,随位错线深入到晶体中会出现深的腐蚀坑,减少冰醋酸量可使腐蚀加快。腐蚀时间116小时。1HF、3HNO3、812HAC。5 微缺陷浅坑与位错蚀坑的区别:前者呈浅的平底坑,显微镜下呈白亮的芯,而后者呈深的尖底坑,显微镜下呈黑三角形。6 半峰宽:在吸收系数与波数关系曲线上,取1/2max为半峰高,在半峰高处吸收峰的宽度波数值。7 离子交换树脂:一种包含离子交换团的的树脂,可选择性交换水中阴离子或阳离子;8 水回收率:产品水流量除以整个的给水流量。如果考虑到浓水返回前置RO,回收率一般为99%,如果浓水被排放,回收率可为9095%。3. 解答题1 四探针法:用针距约为1mm的四根探针同时压在样品平整表面上,利用恒流源给外面二根探针通以电流,然后在中间二根探针上用电位差计或其它高输入阻抗的电压表测量电压降,再根据电阻率公式计算样品的电阻率=CU23/I,一般情况下=U23。2 解理面:矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂,并且能裂出光滑平面的性质称为解理,这些平面称为解理面。解理面一般平行于面间距最大,面网密度最大的晶面,因为面间距大,面间的引力小,这样就造成解理面一般的晶面指数较低,如Si的解理面为(111)。3 光图定向的基本原理:硅单晶面经过研磨、择优腐蚀后,表面会出现许许多多的小腐蚀坑。当一束平行光入射到这些小坑上,反射回来的光会在光屏上成像。这种光像具有与腐蚀坑相应的宏观对称性。根据反射光像的对称性和光图中心的偏离角,可以确定晶体生长方向和晶体的晶向偏离角度。4 红外吸收法原理:通过研究分子振动的能级来推断分子结构。利用物质中的分子对红外辐射的吸收,得到与分子结构相应的红外光谱图,从而鉴定分子结构的方法称为红外吸收光谱法。5 离子交换法制备纯水的原理:利用离子的不断交换与树脂的不断再生的反复进行来制取纯水。原水流过离子交换树脂时,水中的阴、阳离子会与树脂的H+和OH-离子交换而被吸附到树脂上,若阴、阳离子树脂比例适当,则树脂中等量的H+和OH-离子进入水中,完全结合成水,这一过程直至树脂失效。然后经过树脂的再生处理,恢复树脂的交换能力,进行再交换,如此往复制取纯水。4. 计算题1 已知四探针的探针间距为S1=1.002mm,S2=1.000mmm,S3=1.001mm,请计算该探针的探针系数C。解:由公式1-16可得:C=21/

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