工艺技术_超大规模集成电路的可制造性设计

】 、 、 I _ I 工 摭求 M i c r o s c o pe， M e a s u r e m e n t ， M i c r o f a br i c a t i o n E qu i pm e n t 超大规模集成 电路 的可制造性设计 郭琦，李惠军 ( 山东大学孟竞微 电子研发 中心 ，济南2 5 0 1 0 0 ) 摘 要 ： 以 S y n o p s y s推 出 的 T CA D 软 件 T S UP R EM I V和 Me d i c i为 蓝 本 ，结 合 1 0 0 n I T 1 栅 长 P MOS F E T的可制造性联机仿真与优化 实例 ，阐述 了超大规模 集成 电路 DF M 阶段 所进行的工艺 级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。 关键词 ：超大规模 集成电路 ；深亚微米 ；可制造性设计 中图分类号 ：T N 4 0 2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1 6 7 1 - 4 7 7 6 ( 2 0 0 5 )0 9 0 4 3 5 0 5 De s i g n f o r M a nu f a e t ur a bi l i t y o f VLS I G U O Q i ，L I H u i - j u n ( Me n g y o o Mic r o e l e c t r o n i c s Re s e a r c h a n d D e v e m e n t C e n t r e ，S h a n d o n g U n i v e r s i t y ，J i n a 2 5 0 1 0 0 ，C h i n a ) Ab s t r a c t ：Wi t h t h e S y n o p s y s T CA D d e s i g n t o o l s i n c l u d i n g T S UP REM I V a n d Me d i c i ，t h e p r o c e s s a n d d e v i c e s i mu l a t i o n a r e i nt r o d uc e d b y e x t r a c t i ng a n d c o mp a r i n g t he c h a r a c t e r i s t i c s o f t h e 1 0 0 n m g a t e l e n g t h PM OSFET t r a n s i s t o r s wi t h di f f e r e n t p r o c e s s c o nd i t i o ns a n d pa r a me t er s Ke y w o r d s ：v e r y l a r g e s c a l e i n t e g r a t e d c i r c u i t( V L S I ) ；d e e p s u b m i c r o n ( D S M)；d e s i g n f o r m a n u f a c t u r a b i l i t y( D F M) 1 引 言 当代 E D A工 程设 计范 畴 ，涉及 到 V L S I 前端 ( 系统级描 述及综 合仿 真 、验证 等 )设 计和 后端 ( 布局布线及版图优化)设计 阶段 ，而最受芯片 晶 圆代工厂商所关注 的是 I C T C A D设 计阶段 ，即基 于 I c工艺级 、器件物理特性级仿真与优化层次 的 D F M。S y n o p s y s 公 司与 P h o t r o n i c s 公司 已就合作开 发基于掩模综合优化层次下 的 D F M解决方案及可 制造性设计规则 ( D F M me a s u r e )达成共识 。Me n t o r 公司正在整合其可制造性设计分析 ( D F M一 要 的 。 为了得到高性能的集成化器件 ，需要合理地选 择 和调整晶圆加工过程 的工艺参数及器件的纵 、横 结构参数 ，即工艺级参数优化和器件级特性优化 。 这也是 I C可制造性设计的主要工作。实际内容即 为将工艺级仿真和器件特性级模拟联动实现 。将工 艺级仿真所得到的器件 内部杂质分布和器件的几何 尺寸导人器件特性模拟器 ，针对特定工艺条件 、工 艺参数提取相应的器件性能参数 。对 I C可制造性 设计的描述 ，如图 1 所示。 An a 1 y z e ) 计划 - 。 工 次 和 导 体 孽 絮 件物理特1L tL 驭 17 的计算机仿 真在 I C设计业 界被 称 之为 底层设 计 。底 层设 计 在 S O C ( s y s t e m o n t h e c h i p )系统芯片晶圆代工 阶段是极为重 _ = 云 i 型 亘 墨 垦 坌 鱼 _ _ 一结 构 几 何 尺 寸 器件掩模信息 器 件 特 性 模 拟 - 器 件 特 性 器件工作条件 图 1 工 艺级 与器件 特性级 可制造性设计 流程示 意 收稿 日期 ：2 0 0 5 0 2 1 7 勿 S e p t e m b e r 2 0 0 5 i l 微 纳电 子技 术 2 0 0 5 年第9 期 维普资讯 I I 工 M i c r o s c o pe， M e a s u r e me n t ， M i c r o f a b r i c a t i on E qu i pm e n t 图 1中表 示 出基 于优化 对象 所 涵盖 的工 艺环境 条件 、光掩模数据信息 ，输入工艺模拟器。工艺仿 真所得到的剖面分信息及纵 、横结构参数信息将导 入器件特性模拟系统 ，施加偏置条件 ，即可模拟出 有源 条件 下 的器件 特性 。 I C可 制 造性 设 计 阶段 是 I C底 层设 计 的 中心 内 容 。S y n o p s y s 公 司推 出的 I C可 制 造 性 设 计 的 主 导 软件有 ：工艺级仿真软件 T S U P R E M I V和器件物理 特性模 拟 软件 Me d i c i 。 2 I C工艺级仿真工具 所谓工艺级模拟是在设定工艺步骤、工艺参数 和器件 结构 的条 件 下 ，模 拟 和生成 各工 艺 环节 器件 内部结构的动态变化 、各层结构的纵 、横结构参数 和杂质 剖 面分布 数据 。所 有这 些 ，均反 映 出工 艺步 骤的设计 、工艺参数和工艺条件的优化状态，是上 线 前 的工艺 级设 计和 在线评 估工 艺 水平 所不 可 缺少 的 。 工 艺级仿真 软件 T S U P R E M IV为二 维工 艺仿 真 软 件 ，T S U P RE M IV 仿 真 系 统 的 基 本 功 能 为 ：模拟 I C制造过程中的常规高温扩散掺杂 ；低 温离子注入掺杂过程 ；氧化物 、硅化物及 氮化物 等 电 介 质 的 淀 积 与 制 备 ；外 延 生 长 及 各 类 介 质层 的刻蚀等工序。T S U P R E M IV仿真系统可用来评估 和优化传统的工艺技 术方法 ，例如构造 和优化局 域 氧 化 隔 离( L O C O S ) 的在 线 条 件 ；浅 沟 槽 隔 离 ( S T I )的最 佳 环 境 。 特别 是 V L S I 浅 结 和 轻 掺 杂 离 子注入条件的仿真 ，T S U P RE M IV仿真系统 的作用 不 可替代 ，用户可 基于 系统 进行 不 同注入 剂量 、 注 入 能 量 、注 入 角 度 、 晶 片旋 转 度 和 掩 蔽 层 下 的 注 入 投 影 射 程 、 注入 损 伤 、沟 道 效 应 等 的 仿 真 。 这 是 极 为 复杂 、极 为 费 时且 耗 资 的 ，通 过 仿 真 则 可极快地( 几乎是零费用 )获得极 为精确的优 化 结果 。使用工艺级 仿真软件 T S U P R E M IV还 可用 来研究杂质在半导体 内部的扩散及迁移行 为 ，如 瞬 时 增 强 扩 散( T E D) 行 为 ； 氧 化 增 强 扩 散 ( O E D)效 应 ；注入 界 面 由 于掺 杂 剂 间 隙结 团和 陷 阱 效 应 所 造 成 的 杂 质 注 入 剂 量 的 损 耗 等 复 杂 的 实 验 。重 要 的是 ，T S U P R E M IV 还可 以模 拟 和测 定器 件在特定工艺条件下 的若干 电特性参数 ，如 表征 杂质界面分布行为的参数薄层 电阻 ；反映 MO S结 构沟道 电场行为的参数阈值 电压 ；用于评估 MO S 界面结构质量水平 的 C 特性 曲线 等。工 艺级仿 真 软 件 T S U P R E M IV 设 置 了 与 二 维 器 件 物 理 特性 模 拟 系 统 Me d i c i 、 三 维 器 件 物 理 特 性 模 拟 系 统 D a v i n c i 和 MI N I MO S 一 5 ，T C AD一体 化仿真及优 化 平 台 T a u r u s Wo r k B e n c h等 系统 的数 据接 口。 工 艺 级 模 拟 是 I C可 制 造 性 设 计 的 基 础 阶 段 ， 也 是可 制造性 设 计 的重要 环 节 。随后 进行 的器件 级 物理特性仿真也是依据工艺级模拟的数据 。 3 I C器件 物理特 性级模拟工具 器件级物理特性仿真是在给出器件结构 、器件 物理层结构和相应掺杂分布状态的情况下 ，基于上 述综合数据 ，经器件物理特性模拟器求解相关的基 本方程 ，即人们所熟知的泊松方程 、连续性方程和 电流 密度 方程 。 二维泊松( P o i s s o n )方程建立起半导体 内部 电 势 与 电荷 密度 间 的关 系 。 sV = 一 q ( P 一 1 1 + A 一 A ) 一 p s ( 1 ) 式 中， V 在此 为二 维拉普 拉斯 算符 ， V = + 。展 开得 到 d s( + ( + 怫 一 ) ( 2 ) 式 中 ，s为 介 电 常 数 ，s = s s 。 ，s 为 相 对 介 电 常 数 ，s 。 为 真 空 介 电 常 数 ； 表 示 本 征 费 米 势 ，即 ；n和 P分 别 为 电子 及 空 穴 浓 度 ； 和 表示施主及受主杂质浓度 ；q ( P 一 1 1 + N , 一 N T , )表示体 内电荷 密 度 ；p 表 示 表 面 电荷 密 度 ，p 有 时也 可 以用 来描 述 绝缘 介质 材料 表 面处 的 固定 电荷或 表示 不 同介 质 交 界处 的 界 面态( 界 面 电 荷 和界 面 陷 阱 ) 密度 。 电流连续性方 程是考虑外加 电场作用 的情况 下，半导体内部载流子 的扩散行为 。显然 ，当外加 电场 为 零 时 ，电流连 续 性 方 程则 退 化 为扩 散 方 程 ， 电子及 空 穴 的电流 连续 性 方程 为 = 一 = ( ， n ， p) ( 3 ) a q a a e _ = 一 y p - G= G q , p J ( 4 ) 微纳电 子技 术 2 0 0 5 年第9 期 雹 匡 s e p t e m b e r 2 0 0 5 维普资讯 I 1 工 羹 M i c r o s c o p e， Me a s ur e me n t ， M i c r o f a b r i c a t i on E q ui p m e n t 求解上式可得器件内部结构中静电势 、电子浓 度 、空 穴浓 度与 空 间及 时间 的关 系 ，并在 此基 础上 获 得不 同偏 压 条件 和不 同时 间条 件下 器件 的伏 安 特 性 和各 种器 件参 数 。 电流 密 度 方 程 依 据 波 尔 兹 曼( B o h z ma n n )传 输 理论 ，建 立起 电子 及 空穴 载流 子浓 度 与准 费米 势 间的关 系 为 = 一 q n 9 n + D n ( 5) = 一 q + Dp Vp ( 6) 二维器件物理特性仿 真系统 Me d i c i 具有下 述 主要功 能 ： ( 1 )模 拟并 生 成虚拟 的 器件 电学 、热 学 和光学 特 性 ； ( 2 )用 于确 定器 件 的静 态和 瞬态 端 电流 以及端 电压参 数 ，并 可提取 ， - 特 性 曲线 ； ( 3 )模拟出器件 内部的电势势能 、内建电场强 度 、载 流子 浓度 及分 布 、电流密 度 、载流 子 的复合 率和产生率等参数及某些参数 间的定量关系 ； ( 4 )用 于器 件特 性 的优 化设计 以确定 最佳 的器 件 结构 参数 ，甚 至 涉及 到相应 的工艺 级 因素 ； ( 5 )通 过器 件 内部物 理 特性 的模 拟 ，可虚 拟 出 诸如热载流子效应等小尺寸效应的形成机制，模拟 出抑制某 些 效应 的工 艺方 案 ； ( 6 )通 过 器 件 物 理 特 性 仿 真 系统 Me d i c i 可 以 分析器件 内部的击穿机制等若干极端条件下的效应 机理 。 Me d i c i 仿真系统设置要与二维工艺级仿真系统 T S U P R E M 1 V、三 维工 艺级 仿 真 系统 T a u r u s P r o c e s s 及 T a u r u s - Wo r k B e n c h等 系统 的数据 接 口。 4 工艺及器 件物理特性可制造性设计 举 例 使 用 T S UP RE M IV 和 Me d i c i完 成 栅 长 为 1 0 0 n m 的 P MO S F E T工 艺 和 器 件 物 理 特 性 一 体 化 仿真。该项命题的关键点之一是得到超浅的源漏延 伸区，采用离子注入与向外扩散结合的方法 来 获得 超浅 源漏 延伸 区 。用这 种 方法 获得 的浅 结 ，杂 质能 够完 全激 活且 几乎 没有 注入 损 伤 。采用 这种 方 法 获得超 浅 源漏 延伸 区 的步骤 如下 ： ( 1 )淀积氧化层 ； ( 2 )低 能量 离子 注入 ； ( 3 )快 速热 退火( R T A) 。快 速 热退 火过 程 中 ， 注入进氧化层中的离子作为扩散源 向体 内推移形成 浅结 。 以 T S U P R E M IV实现 p 浅结 制作过程 的仿真 ， 由仿真结果来评估加工步骤的优劣。在硅衬底上淀 积 厚 度 为 6 n m 的 氧化 层 ；然后 进 行 低 能 硼离 子 注 入 ，注 入 剂 量 为 1 E l 4 c m之 ，注 入 能 量 为 1 1 k e V； 随 后 ，进行 快速 退火 。硼 浓度 分 布 的变 化 如 图 2所 示 。p 浅 结 的薄 层 电 阻和 载 流 子 浓 度 数 据 见 表 1 。 从 图 2和表 1中可 以看 出 ，随着退 火 时 间和退火 温 度 的增 加 ，硅 中的硼 浓度 也 明显增 加 ，导致 了更 深 的结深和更高的电导率。因此 ，要用这种方法得到 合适 的结深和 电导率 ，需要作好热 预算 ，选择合 适 的氧 化 层 厚 度 。采 用 这 种 方 法 ，本 文 所 模 拟 的 1 0 0 n m 栅 长 的 P MO S F E T源 漏 延 伸 区 结 深 可 达 到 2 1 2 0 1 9 1 8 0 o o 0 0 2 0 0 4 00 6 00 8 结 深 m ( a )退 火温度 为 1 0 2 5时 ，不 同退火时问的浓度一 结深关系曲线 21 2 0 1 9 1 8 0o o 002 0 0 4 006 0 0 8 结 深 m ( b )退 火时间为 2 0 S 时 ，不 同退火温度的浓度一 结深关系曲线 图 2 T S U P RE M一 1V生成的硼 注入 、退火后 的一维分布 曲线 吻 S e p t e m b e r 2 0 0 5 微纳电 子 技 术 2 0 0 5 年第9 期 维普资讯 0 0 2- 0 0 4 m 。 M i c r o s c o p e Me a s ur e me n t ， M i c r o f a b r i c a t i on E qu i pme n t 表 1 由 T SU PR E M4提 取的 p 浅 结 的薄层 电阻和 b 一 退火温度为 1 0 2 5 退火 时间为 2 0 S 退火时间 薄层 电阻 一 退火温度 薄层 电阻 一 ( k 1 2 口 ) E 1 3 e m- 2 ( k 1 2 口 ) E1 3 e m - 2 8 2 0 4 7 6 7 9 7 5 2 2 2 70 8 2 0 1 7 4 8 1 4 1 O o o 1 9 8 76 6 6 0 1 48 8 6 2 1 0 2 5 1 7 4 8 1 4 1 2 O 1 3 5 8 8 2 1 0 5 0 1 5 8 8 5 3 考 虑 到要模 拟 离子 注入 与 向外 扩 散相 结合 的方 法来制作超浅的源漏延伸区 ，所以采用如下的工艺 顺 序 ： ( 1 )n阱 注入及 R T A激 活 ； ( 2 )浅 沟槽 隔离 ； ( 3 )沟道调节 注入( S b 5 7 E 1 2 c m- 2 2 0 0 k e V) ； ( 4 )栅 氧化层 生 长及 多 晶硅淀 积 ； ( 5 )刻蚀 栅 图形 ，氧化 多 晶硅栅 ； ( 6 )淀积 氮 化层 并反 刻 ，形成 氮化 层侧 墙 ； ( 7 )源 漏 注 入( B 1 El 5 c m- 2 5 k e V)及 R T A 激 活 ： ( 8 )去除氮化层侧墙 ； ( 9 )源漏 延伸 区注 入 ( B 1 El 4 c m 一 2 ， 1 1 k e V) ； ( 1 0 )Ha l o注 入( P 9 8 5 E1 2 c m一 2 2 5 k e Y 3 0 。 t i h q u a d - r o t a t e d) ； ( 1 1 )R T A激 活 ； ( 1 2 )淀 积 B P S G，刻 蚀 引 线 孔 ，蒸 铝 ，反 刻 铝 电极 。 器 件 物 理 特 性 模 拟 所 需 的器 件结 构 信 息 均 由 T S U P R E M I V生 成 ，实 验 编组 安 排 如下 ：上 述 条件 模 拟 出 的器 件 记 为 P 0 ；将 沟 道 注 入 剂 量 分 别 增 大 和减小 1 0 模拟出的器件分别记为 P 和 I ) 2 ；将源 漏 注 入 剂 量 分 别 增 大 和 减 小 1 0 模 拟 出 的 器 件 分 别 记 为 和 P 4 ；将 源 漏延 伸 区 注入 剂 量 分 别 增 大 和减 小 1 0 所模 拟 出 的器 件 分 别 记 为 I ) 5 和 P 6 ；将 H a l o ( 环绕 )注入 剂量 分别增 大 和减 小 1 0 所模 拟 出 的器 件 分别 记 为 P 7 和 I ) 8 。对 应 各 组 实 验 ，提 取 相对 应 的 器 件开 态 电 流 ，关 态 电流 及 阈 值 电 压 等参数 。 由于所模 拟 的 P MO S F E T的栅 长为 1 0 0 n m，需 要考虑各种短沟道效应 ，因此使用 M e d i c i 进行 器 件特性模拟时 ，选用流体 力学( h y d r o d y n a mi c )模 型 。 它 由 泊 松( P o i s s o n )方 程 、载 流 子 连 续 性 方 程 、电流密 度方 程 、动量 平衡 方 程及 能量 平衡 方 程 组成 ，能够反映载流子的非本地输运现象，包括载 流子加热及其相关的现象 ，如速度过冲效应等 。 由 me d i c i 提 取器 件 P 0 P 8 的开 态 电流 ，关 态 电流 及 ，比较数据如表 2所示 。其 中， 定 义 为 V = d s = 一 1 V 时 的 ， d 电流 ； 定 义 为 = O V， V 出 = 一 1 V 的 ， d 电流 。A x = ( 。 ) 。 ， 。 表示 原 始 数 据 ； 表 示实 验数 据 。 表 2 Me d i c i 所 提 取 出的 ， 及 的 比较 数 据 D E V I C E ， 棚( ) ( ) m ( ) P， -2 - 3 1 -8 - 3 3 0 3 4 P 2 1 5 3 1 6 6 7 - 0 -3 7 07 7 1 66 7 -0 - 2 3 一 1 5 4 -8 - 3 3 O 2 P 5 6 9 2 3 3 - 3 - 0 7 9 - 7- 3 8 - 33 3 1 0 2 P - 69 2 -3 3 3 1 5 6 6 1 5 41 7 1 6 2 由 表 2可 见 ，源 漏 延 伸 区 注 入 剂 量 和 Ha l o ( 环绕 )注 入剂 量 的变 化 对 器 件 物 理特 性 的影 响较 大 。源 漏 延 伸 区注 入 剂量 的变化 分 别 为 I ) 5 和 I ) 6 实 验组 ；H a l o注入剂 量 的变化 分别 为 P 7 和 I ) 8 实 验组 。 因此 ，管 芯 制造工 艺 过程 中应 密 切关 注源 漏延 伸 区 的注 入和 Ha l o杂 质注 入这 两道 工序 的条件控 制 。 5 结束语 本 工 作 以 T C A D 系 列 软 件 T S U P R E M I V和 Me d i c i 的联 动 仿真 ，完 成 了 1 0 0 n m栅 长 P MO S F E T 的可 制造性 联 机仿 真及 关键 工艺 参 数 和器件 特性 参 数 的提 取 。 以此 为例 阐述 了 V L S I 可 制造 性 设 计 阶 段 所进 行 的工艺 级 、器 件物 理 特性 级优 化及 工艺 参 数 的提取过程 ，说明 I C可制造性设计的灵活性及 重 要性 。 参 考文 献 ： 1 S Y N O P S Y S T S U P R E M- 4 U s e r s Ma n u a l K2 0 0 3 微纳电 子 技术 2 0 0 5 年 第9 期 E 量 锄 s e p t e m b e r 2 0 0 5 维普资讯 M i c r o s c o pe M e a s u r e m e n t M i c r o f a b r i c a t i o n E q u i p m e n t ， ， 2 S Y N O P S Y S Me d i c i U s e r s Ma n u a l K2 0 0 3 3 S C HMI T Z J ， V A N G E S T E L M，S T OL K P A，e t o 1 U l t r a s h al l o w j u n c t i o n f o r ma t i o n b y o u t d i f f u s i o n f r o m i mp l a n t e d o x i d e AP r o c I E D M T e c h D i g C 1 9 9 8 1 0 0 9 - 1 0 1 2 4 CA MP B E L L S A T h e s c i e n c e a n d e n g i n e e ri n g o f mi c r o e l e c t r o n i c f a b ri c a t i o n M E n g l a n d ： O x f o r d U n i v e r s i t y P r e s s ， 2 o 01 5 S AN T I E S T E B A N R S ，AB E L N G C，B E AT T Y T E，e t o 1 E ff e c t o f t i l t a n gl e v a ri a t i o n s i n a h al o i m p l a n t o n V t h v alu e s f 0 r O 1 4 一 m C MO S d e v i c e s J I E E E T r a n s S e mi c o n d u c t Ma n u f a c t ， 2 0 0 3， 1 6： 6 5 3 6 5 5 6 L E E K，MUR T HY C，R E N G AR A J A N R，e t o 1 S i m u l t a n e o u s o p t i mi z a t i o n o f s h o r t c h a n n e l e f f e c t s a n d j u n c t i o n c a p a c i t a n c e i n P MOS F E T u s i a g l a r g e - a n gle -t i l t - i mp l a n t a t i o n o f n i t r o g e n ( L A T I N) J I E E E E l e c t r o n D e v i c e L e t t ，2 0 0 2 ，2 3 ：5 4 7 5 4 9 作者简介 ： 郭琦 ( 1 9 8 1 一 ) ，女 ，山东济南人 ，山东大学 信息科学 与工 程学 院、山东大 学盂竞微 电子研 发 中心 在读硕 士研究 生 ，研读方 向为超大规模集成电路 S O C芯片的一体化设计、仿真与优化； 李惠军 ( 1 9 5 2 一) ， 男 ，山东潍坊人，山东大学信息科学与 工程学 院教授 ，硕士研究 生导师 ，主要研 究方 向为超大 规模集成 电路制造工 艺技术的研究 ，超大规模 集成 电路 S OC芯 片的一体化 设 计 、仿 真与优化 ，曾获 山东省教 委和 山东省科 委科技进 步一 等 奖 、二等奖 ，山东 省优秀教 学成果 一等奖 、二等 奖 ，主编 或编著 著作 三部 。 e 石 分e石 分e 石 穹 石 分e 石 多 石 窜 石 寄 石 穹 ( 上接第 4 1 0页) 抛物两步模型或双曲两步模型 的关键参数 ，松弛时 间越大，两者间的区别就越 明显。 ( 3 )多层薄膜结构在短脉冲激光加热过程 中， 不仅电子和晶格之间存在强烈的非平衡热行为，而 且在不同薄膜界面上 晶格温度也具有极大的温差 。 这些都是多层薄膜结构微器件发生过早破坏的主要 因素，合理利用预测和控制这些因素可以有效避免 微器件的破坏 。 ( 4 )根据数值预测的温度分布，发现薄膜材料 对热能在时间和空间上的分布起主要作用。如果材 料的电子或晶格热容较大，就可有效降低电子和晶 格温度的尖峰值 ，削弱非平衡热行为。若前一层薄 膜的电子一 声子耦合因子较大 ，就可以减缓 电子所吸 收的辐射热能向以后各层 的扩散。因此合理利用材 料的这些特性就可实现对微器件某些薄层 的保护。 参考文献 ： 1 A L N I MR M A，HA D D AD O M，A R P AC I V S T h e rma l b e h a v i o rs o f me t al fi l m s ：A h y p e r b o l i c t w o s t e p mo d e l J H e a t a n d Ma s s T r a n s f e r ，1 9 9 9 ，3 5 ( 6 ) ：4 5 9 4 6 4 2 A L N I MR M A，AR P AC I V S P i c o s e c o n d t h e rma l p u l s e s i n t h i n me t al fi l m s J J Ap p l P h y s ，1 9 9 9，8 5 ( 5 ) ：2 5 1 7 2 5 21 3 1 AL N I MR M A，MA S OU D S H e a t t r a n s f e r m e c h a n i s ms d u ri n g l ase r h e a t i n g o f t h i n m e t al fi l ms J I n t J T h e rmo p h y s ， 1 9 9 7 ，1 8( 5) ：1 2 5 7 1 2 6 8 4 A L N I MR M K，A R P A C I V S The t h e r m a l b e h a v i o r o f t h i n m e t al fi l m s i n t h e h y p e r b o l i c t w o s t e p mo d e l J I n t J He a t Mass T r a n s f e r ，2 0 0 0 ，4 3 ( 1 1 ) ：2 0 2 1 2 0 2 8 E 5 3 AL NI MR M AAL KAM MARP ACI VHe a t t r a n s f e r me c h a n i s ms d u rin g s h o r t p u l s e l ase r h e a t i n g o f t wo 1 a y e r 么 锄 S e p t e mb e r 2 0 0 5 c o mp o s i t e t h i n fi l ms J He a t a n d Ma s s T r a n s f e r ，2 0 0 2 ，3 8 ( 7 ，8 ) ：6 0 9 6 1 4 6 Q I U T Q，T I E N C L F e mt o s e c o n d l a s e r h e a t i n g o f m u l t i l a y e r me t als I a n aly s i s J I n t J H e a t a n d Ma s s T r a n s f e r ， 1 9 9 4 ， 3 7 ( 1 7 ) ：2 7 8 9 - 2 7 9 7 7 Q I U T Q，T I E N C L F e mt o s e c o n d l a s e r h e a t i n g o f m u l t i l a y e r me t al s I I E x p e r i m e n t s J I n t J He a t a n d Ma s s T r ans f e