SJT10078-1991电子元器件详细规范半导体集成电路CT54107／CT74107型双主从J-K触发器(有清除端).pdf

L - i 中华人民共和国电子工业行业标准 S J / T 1 0 0 4 2 1 0 0 4 8 -9 1 S J / T 1 0 0 7 8. 1 0 0 8 6 -9 1 电子元器件详细规范 半导体集成电路T T L电路 ( 一 ) 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8 发布1 9 9 1 一 0 7 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中华 人 民 共 和 国电 子工 业 行 业标 准 电子元器件详细规范 半导体集成电路C T 5 4 1 0 7 / C T 7 4 1 0 7 型 双主从 J 一K触发器( 有清除端) S J / T 1 0 0 7 8 -9 1 De t a il s p e c i f i c a t i o n f o r e l e c t r o n i c c o mp o n e n t s S e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d c i r c u i t C T 5 4 1 0 7 / C T 7 4 1 0 7 d u a l ,1 一K f l i p - f l o p w i t h c l e a r 本规范规定了半导体集成电路 C T 5 4 1 0 7 / C T7 4 1 0 7型双主从J -K触发器( 有清除端) 质 量评定的全部内容。 本标准符合G B 4 5 8 9 . 1 ( 半导体器件分立器件和集成电路总规范 和GB / T 1 2 7 5 0 ( 半导 体集成电路分规范( 不包括混合电路) 的要求 中华人民共和国机械电子工业部 1 9 9 1 - 0 4 - 0 8 批准1 9 9 1 - 0 7 - 0 1 实施 一1 0 3 一 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 S J / T 1 0 0 7 8 -9 1 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质t的依据: G B 4 5 8 9 . 1 半导体器件分立器件和 集成电路总规范 G B / T 1 2 7 5 0 半导体集成电路分规范 ( 不包括馄合电路) S J / T 1 0 0 7 8 -9 1 C T 5 4 1 0 7 / C T 7 4 1 0 7 型双主从J - K触发器( 有清除 端) 详细规范 订货资料: 见本规范第 7 章。 机械说明 简要说 明 外形依据: G B 7 0 9 2 半导体集成电 路外形尺寸 . 外形 图: GB 7 0 9 2 D型5 . 3 条及 5 . 3 . 1 条 J型5 . 4条及 5 . 4 . 1条 P型5 . 5 条及 5 . 5 . 1 条 F型5 . 1 条及 5 . 1 . 1 条 双极型触发器 半导体材料: 硅 封装: 空封、 非空封 逻辑图、 功能表: 见本规范第 1 1章。 品种 : 引出端排列 : u I Q I Q I K 2 Q 2 Q G N D v氏 I Ru 1 C P 2 K 2 R. 2 C P 2 月 状 一 0 - 7 00C ( C) 一 5 5 - -1 2 5 C ( M ) 陶瓷直插( D) CT5 4 1 0 7 M D 黑瓷直插( J )C T7 4 1 0 7 C J CT5 41 0 7 MJ 塑料直播( P )CT7 4 1 0 7 CP 多层陶瓷扁平( F ) CT5 4 1 0 7 M F 引出端符号名称见本规范第 1 1 . 4 条 . 标志: 按G B 4 5 8 9 . 1 第 2 . 5条及本 规范第 6 章。 质卫评定类别 1 A , .B , ，C 1 0 4 S J / T 1 0 0 7 8 -9 1 极限值( 绝对最大颇定值) 若无其他规定， 适用于全工作温度范围。 条 款 号参数符号 、数值 单位 最小最大 4 . 1 工作环境温度 5 4 T. mn 一 5 51 2 5 7 407 0 4 . 2 贮存温度T . , 一 6 51 5 0 4 . 3 电探电压 v 7v 4 . 4 输入电压 v ,5 . 5v 4 . 5 多发射极晶体管 输入端间的电压 v5 . 5v 电工作条件和电特性 电特性的检验要求见本规范第8章。 电工作条件 若无其他规定， 适用于全工作温度范围。 条 款 号 l 参数 l 符号 数值 单位 最小最大 5 . 1 . 1电溉电压 5 4 v , 4 . 55 . 5 v 4 . 7 55 . 2 57 4 5 . 1 . 2输入高电平电压 v ,2v 5 . 1 . 3 翰入低电平电压v, 0 . 8v 5 . 1 . 4输出高电平电流l o x - 4 0 0 P A 5 . 1 . 5输出低电平电流I . . 1 6mA 电特性 若无其他规定， 适用于全工作温度范围。 1 05 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 s ,1 / T 1 0 0 7 8 -9 1 t 最大 单 位试 验 5 . 2 . 1 输出高电平电压 V +-最小V ,- - 2 V V . = 0 - 8 V I o = 一 8 0 0 1, A V . .2 . 4A 3 一 0 . 4A 3 A 3 A 3 5.2.10 1iBlaiimCc= kSpF R,_= 400 一 n , m AA3 m 人A 3 M HzA4 A 4 1 1 - i; 1 ) V -为最小或最大 按本规范第 5 . 1 . 1 条. 6标志 器件上的标 志示例 : 1 06 S .1 / T 1 0 0 7 8 -9 1 弓 ，出 二 。* * 一 丁 二x 9 1 6 C T7 41 0 C P 田 A .型号 r最评 定 类别 制 选单 位商标 检验批识 别代 码 若受器件尺寸限制时. 允许将“ 检验批识别代码” 、 “ 质量评定类别” 标在器件背面。 订货资料 若无其他规定， 订购器件至少需要下列资料 8 . 产品型号; b . 详细规范编号; C . 质量评定类别; d . 其 他。 试验条件和检验要求 抽样要求: 根据 采用的质量评定类别， 参照G B / T 1 2 7 5 0 第， 章 的有关规定。 A组检验的抽样要求 分组 皿类 丁A Q l A QL - 一一 厂一 l _ _ _ _ _ _1 _ 【类 一一 A O L 一 打 -一 一- 一 卜 - 一 一 皿 0 . 1, _ _ _ _ _ l . 0 _ _ _ 兰_ _ A3 aS 4 A 3 bS4 一 一 一 一 一 一 1 . 0 1一一 一 一 . 1S 4 i A4 卜一 一- 一一一一 一 一 S 41 . U 1 0 7 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 S J / T1 0 0 7 8 一9 1 B组、 C组和 D组检验的抽样要求 分组 LTPI ) l 类 ，类 ABC B 1l 51 5l 51 5 C 12 02 02 02 0 C Z b1 51 51 51 5 C 31 51 51 51 5 B4C4l 0l 01 01 0 B SC S1 01 0l 01 0 C62 02 O2 O2 0 C71 51 51 5 1 5 J BSCS1 O571 O C91 557l 5 一 C l l 一 2 0 ) 2 0一 “砚 二 2 O B2 12 0 一一一一籩eses 1 O 一 1 5 C 2 3 一 2 O i 1 O l 2 O C 2 42 01 01 52 0 1 8l 0571 0 A组 逐批 全部试验均为非破坏性的( 见G B45朋 1 第 3 . 66 条) 检 验 或 试 验引 用 标 准 条件 若无其他规定， Tan lb 二2 5 ( 见G B4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条夕 Al分组 外 部 目 检 GB 4 5 8 9 ， 1 第4 . 2 . 1 . 1 条 AZ 分组 2 5 下的功能验证 1|1|下|1! 按本规范 5 . 21条、 5 . 2 . 2 条和 1 1 . 3 条 按本规范 5 . 2 . 1 条、 5 . 2 . 2 条和 n. 3 条 A3 分组 25下的静态特性GB3 4 3 9 半导体集 1 按本规范52 . 1条至 528条和 一 成电路 r ll、电路测 试方法的基本原理 按本规范 5 . 2 . 1 条至 5 . 2 . 8条 一1 0 8 一 S J / T 1 0 0 7 8 - 9 1 A 组逐批( 续 ) 检 验 或 试 验引 用 标准 条件 若无其他规定、 7 . m 6 = 2 5 C ( 见G B 4 . 8 9 . 1第4 . 1条) 斗 检验要求 规 范 值 m b 按 本 规 范 4 . 1条 双 定 的 最大值.条件 同A3分组同 A 3分 组 一八最 寸一1，! Tamb #v* a一一一Afzm 最 小 值 。条 件 : 同 A3 分 组 同 A3分 组 A 4分组 2 5 下的动态特性 G B 3 4 3 9 按本规范5 . 2 . 9 条和 5 . 2 . 1 0 条 按本规范 5 . 2 . 9 条 和 5 . 2 . 1 0条 B组 逐批 标有( D) 的试验是破坏性的( 见 G B 4 5 8 9 . 1 第 3 . 6 . 6 条) 检 验 或 试 验引 用 标 条件 他规定 T , m b = 2 5 C 4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条) 检验要求 规 范 值 月 一一 - 一 一一 一一 B 1分 组 尺 寸 G B 4 5 8 9 . 1第4 . 2 . 2条 及 附 录 B 一 巨 竺 立 B 4 分组 可捍 性 GB 4 5 9 0 半导体集成电路 机械和气候试验方法N 按 2 . 5 . 6 条 第 2 . 5 条 卜1十十 B 5 分组 温度快速变化 a空封器件 随后进行: 电铡t 密封: 细检漏 粗 检 漏 b . 非空封和环氧 封的空封器件 随后进行 外部目检 GB 4 5 9 0第 3 . 1 条 同人2 , A 3分组 GB 4 5 9 0第3 . 1 1 条或3 GB 4 5 9 0 第 3 . 1 3条 I G B 4590 第 3.1 条 温 度 按 本 规 a g 、2 一 分 同人2和A3 分组 C R RL分组就B 4 , B 5 , B 8 和 B 2 1 分组提供计数检查结果. C组周期 标有( D ) 的试验是破坏性的( 见GB 4 5 8 9 . 1 第3 . 6 . 6 条) 检 验 或 试 验引 用 标 准 条件 若无其他规定， 7 . . b -2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条) 检验要求 规 范 值 一 一 iG B 4 5 8 9 . 第 “ 2. 2 条 一及 附 录 B 一一 l 、 按本规范第 1 章 C 2 b 分组 最高和最低工作 温度下的动态特性 一 G B 3 4 3 8 温度按本规范第4 . 1条 同A4 分组 规范值为A4 分组滚大 值的 1 . 5倍， .小值的 0 . 8倍 C 3分组 引线强度 拉力( D ) 弯 曲 (D )一 GB 4 5 3 0 半导体集成电 路机械和气候试验方法 第2 . 1 条、 2 . 2 条 外加力的值按 2 . 1 条表1 一 外 加 力 的 值 #3t 2 . 2 2 z & 2 按 2 . 1 . 5 条 无损伤 1 1 0 S J / T 1 0 0 7 8 -9 1 C组周期 ( 续) 检 验 或 试 验引 用 标 准 条件 若无其他规定. T . . b =2 5 ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条) 检验要求 规范 值 C 4分组 耐焊接热( D) 最后测t ( 同A3 分组) G B 4 5 9 0第2 . 6条按方法 1 ( 2 6 0 0枪焊) 同 A3 分 组同 A3 分 组 C S分组， ， 温度快速交化( D ) ( 非空封和环氧 封的空封器件) 随后进行 外部目检 称态湿热 G B 4 5 9 0第3 . 1条 T 二一6 5 1 : T ， 二1 5 0 C 循环次数: 5 0 0次I二5 mi n G B 4 5 8 9 . 1 第 4 . 2 . 1 . 1 条 G B 4 5 9 0第3 . 7条 同 A1 分 组 严 格 度 A C 8分组 电耐久性( 1 0 0 0 6 ) 最后测盆 ( 同B 8分组) GB 4 5 9 0第4 . 7条 同 B S分组同 B S 分 组 C g 分组 高温贮存 最后测童 ( 同B 8分组) 0 1 1 分组 标 志 耐 久 性 G B 4 5 9 0第3 . 3条温度按了 。 g ( m n x ) 时间: 1 0 0 0 1 1 同 B 8 分 组 GB 4 5 9 0第4 . 3 条按 G B 4 5 9 0第4 . 3 . 2条 一I I I 一 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 s J / T 1 0 0 7 8 -9 1 C组周期 ( 续) 检 验或 试 验引 用 标 准 条件 若无其他规定， T a m b = 2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 . 1 条) 俭验要求 规范 值 C2 3分组 抗溶性( D) ( 非空封器件) G B 4 5 9 0第4 . 4条按G B 4 5 9 0第4 . 4 . 2 条按 G B 4 5 9 0第4 . 4 . 2 条 C 2 4分组 易嫩性( D ( 非空封器件) GB 4 5 9 0第4 . 1条按G B 4 5 9 0 ， 第 4 . 1 . 2 条按GB 4 5 9 0第4 . 1 . 2 . 条 C R R L分组就 C 2 b , C 3 -.C 4 , C5 , C 6 , C 7 , C 8 , C 9 , C1 1 , C2 3 和C 2 4分组提供计数检查结果。 注: 1 )连续三次通过后， 周期可放宽为一年一次. 9 D组 D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行， 其后每年进行一次 检 验 或试 验 引 用 标 准 条件 若无其他规定， T a m b = 2 5 C ( 见G B 4 5 8 9 . 1第4 . 1条) 检验要求 规范值 D 8 分组 电耐久性( D 最 后 测 It ( 同B 8 分组) GB 45 9 0 第 4 . 7 条 t 类: 2 0 0 0 1, ，类: 3 0 0 0 1, 其他同B 8 分组 同 B 8 分 组 同B 8分组 附加资料 1 静态特性的测量 静态特性的测量按GB 3 4 3 9 半导体集成电路T T L电路测试方法的基本原理 。 2 动态特性的测量 2 . 1 动态特性的测量按G B 3 4 3 9 , nU内U 月月1010 1 1 2 S J / T 1 0 0 7 8 - 9 1 1 0 - 2 . 2负载线路 4 0 0 0 接被 侧泊 出端 I S O F 1 0 . 3 电耐久性试验线路 V. 二3 V f o =I O O k Hz f, 二5 0 k Hz V二二5 V R* 一4 0 0 i l 枯 型号说明 ， 逻辑 符号 二 1c 1 C P i 1