会员注册 | 登录 | 微信快捷登录 支付宝快捷登录 QQ登录 微博登录 | 帮助中心 人人文库renrendoc.com美如初恋!
站内搜索 百度文库

热门搜索: 直缝焊接机 矿井提升机 循环球式转向器图纸 机器人手爪发展史 管道机器人dwg 动平衡试验台设计

物理学论文-ZnO纳米半导体材料制备 .doc物理学论文-ZnO纳米半导体材料制备 .doc -- 2 元

宽屏显示 收藏 分享

页面加载中... ... 广告 0 秒后退出

资源预览需要最新版本的Flash Player支持。
您尚未安装或版本过低,建议您

物理学论文ZnO纳米半导体材料制备摘要文章阐述了一些制备ZnO纳米半导体材料的常用技术,如模板制备法、物理气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机化合物气相沉积,并分析了各种方法的优缺点。关键词ZnO模板制备法PVDPLD金属有机化合物气相沉积随着科学和商业的飞速发展,人们对纳米半导体材料有了更加深入的认识,对其在光学器件和电学器件方面的应用产生了浓厚的兴趣。最初人们在研究ZnSe和GaN等短波长纳米半导体材料方面取得了一定的进展,GaN制备蓝绿光LED的技术已经相当成熟。但是,由于ZnSe稳定性较差,一直使之无法商品化生产。在长期的对宽带半导体材料的科学研究中,人们发现ZnO半导体纳米材料具有更多的优点。ZnO是一种新型的宽禁带半导体氧化物材料,室温下能带宽度为3.37eV,略低于GaN的3.39eV,其激子束缚能(60meV)远大于GaN(25meV)的激子束缚能。由于纳米ZnO在紫外波段有较强的激子跃迁发光特性,所以在短波长光子学器件领域有较广的应用前景。此外,ZnO纳米半导体材料还可沉积在除Si以外的多种衬底上,如玻璃、Al2O3、GaAs等,并在0.42μm的波长范围内透明,对器件相关电路的单片集成有很大帮助,在光电集成器件中具有很大的潜力。本文阐述了近年来ZnO纳米半导体材料的制备技术,并对这些技术的优缺点进行了分析。ZnO是一种应用较广的半导体材料,在很多光学器件和电学器件中有很广泛的应用,由此也产生了多种纳米半导体器件的制备方法,主要有以下几种1模板制备法模板制备法是一种用化学方法进行纳米材料制备的方法,被广泛地用来合成各种各样的纳米棒、纳米线、纳米管等。此种方法使分散的纳米粒子在已做好的纳米模板中成核和生长,因此,纳米模板的尺寸和形状决定了纳米产物的外部特征。科学家们已经利用孔径为40nm和20nm左右的多孔氧化铝模板得到了高度有序的ZnO纳米线。郑华均等人用电化学阳极氧化化学溶蚀技术制备出了一种新型铝基纳米点阵模板,此模板由无数纳米凹点和凸点构成,并在此模板上沉积出ZnO纳米薄膜。此外,李长全、傅敏恭等人以十二烷基硫酸钠为模板制备出ZnO纳米管。该方法优点较容易控制纳米产物的尺寸、形状。缺点需要模板有较高的质量。2物理气相沉积(PVD)物理气相沉积可以用来制备一维ZnO纳米线和二维ZnO纳米薄膜,原理是通过对含Zn材料进行溅射、蒸发或电离等过程,产生Zn粒子并与反应气体中的O反应,生成ZnO化合物,在衬底表面沉积。物理气象沉积技术已经演化出三种不同的方法,它们是真空蒸发法,真空溅射法和离子镀,离子镀是目前应用较广的。离子镀是人们在实践中获得的一种新技术,将真空蒸发法和溅射法结合起来,在高真空环境中加热材料使之汽化后通入氢气,在基体相对于材料间加负高压,产生辉光放电,通过电场作用使大量被电离的材料的正离子射向负高压的衬底,进行沉积。张琦锋、孙晖等人用气相沉积方法已经制备出了一维ZnO纳米半导体材料。优点所得到的纳米产物纯度高,污染小薄膜厚度易于控制材料不受限制。但是这种方法对真空度要求较高。3脉冲激光沉积PulsedLaserDeposition脉冲激光沉积也称PLD,常用于纳米薄膜的制备。其工作原理就是用特定波长和功率的激光脉冲聚焦光束,溅射真空状态下特定气压中的加热靶材,激光束与靶材相互作用而产生的粒子团喷射到衬底表面,通过控制气流速度控制材料在衬底表面的沉积速度。牛海军等人用一种新颖的垂直靶向脉冲激光沉积VTPLD方法,在常温常压空气环境下,在玻璃基底上得到ZnO纳米薄膜。该方法优点制备的薄膜物质比例与靶材相同实验控制条件较少,易于控制衬底温度要求较低。缺点薄膜杂志较多单纯溅射产生的粒子团密度不易控制,因此无法大面积生长均匀的薄膜。4分子束外延MolecularBeamEpitaxy分子束外延MBE技术可以制备高质量薄膜。MBE技术可以在特定超高真空条件下较为精确的控制分子束强度,把分子束入射到被加热的基片上,可使分子或原子按晶体排列一层层地长在基片上形成薄膜。分子束外延设备主要包括超高真空系统、分子束源、样品架、四极质谱计QMS和反射式高能电子衍射装置RHEED。周映雪等人利用分子束外延MBE和氧等离子体源辅助MBE方法分别在三种不同衬底硅100、砷化镓100和蓝宝石0001上先制备合适的缓冲层,然后在缓冲层上得到外延生长的ZnO薄膜。该方法优点生长速度极慢,每秒1~10薄膜可控性较强外延生长所需温度较低。缺点真空环境要求较高无法大量生产。目前常用于生长高质量的ZnO薄膜分子束外延有两种一种是等离子增强,另一种是激光,两种方法均已生长出高质量的ZnO薄膜。5金属有机化合物气相沉积MetalOrganicChemicalVaporDeposition金属有机化合物气相沉积MOCVD是一种利用有机金属在加热衬底上的热分解反应进行气相外延生长薄膜的方法。反应室是MOCVD的核心部分,它对外延层厚度、组分均匀性、异质结界面梯度、本底杂质浓度以及产量有极大的影响。按反应室形状的不同,可分为水平式反应室和立式反应室,同时根据反应室的压力又可分为常压MOCVD和低压MOCVD。刘成有利用MOCVD方法制备出高质量的ZnO薄膜。在一定衬底温度及压强下,制备出ZnO纳米管。该方法优点是薄膜可控性较强适合大批量生产。其缺点有需精确控制传输气体有毒性。但目前不仅利用MOCVD法已生长出较高质量的ZnO薄膜,而且还获得了MgZnO三元系薄膜。除上述纳米材料的常用制备技术,还有很多其他方法。随着科技的发展和高质量纳米产品的需求,人们对纳米半导体材料的研究会更加深入,对其生长机理理解的更为透彻,随之纳米半导体材料制备技术将不断地发展和完善。高质量纳米半导体产品会不断出现,并被广泛的应用于人们的生活中。参考文献1谢自力,张荣,修向前,等.GaN纳米线材料的特性和制备技术J.纳米技术与精密工程,2004,23187192.2张利宁,李清山,潘志峰.模板合成法制备ZnO纳米线的研究J.量子电子学报,2006,4.3李长全,傅敏恭.十二烷基硫酸钠为模板制备ZnO纳米管新方法的研究J.无机化学学报,2006,9.4张琦锋,孙晖,潘光虎,等.维纳米结构氧化锌材料的气相沉积制备及生长特性研究J.真空科学与技术学报,2006,261.5牛海军,樊丽权,李晨明,等.垂直靶向脉冲激光沉积制备ZnO纳米薄膜J.光电子激光2007,183.6周映雪,俞根才,吴志浩,等.ZnO薄膜的分子束外延生长及性能J.发光学报,2004,3.7刘成有.MOCVD法生长ZnO纳米管及光学性能评价J.通化师范学院学报,2007,284.8鞠振刚,张吉英,蒋大勇.MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器J.发光学报,2008,5865868.
编号:201312171152412055    大小:10.81KB    格式:DOC    上传时间:2013-12-17
  【编辑】
2
关 键 词:
行业资料 农林牧渔 精品文档 物理学论
温馨提示:
1: 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
2: 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
3.本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 人人文库网仅提供交流平台,并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
  人人文库网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
0条评论

还可以输入200字符

暂无评论,赶快抢占沙发吧。

当前资源信息

4.0
 
(2人评价)
浏览:3次
docin上传于2013-12-17

官方联系方式

客服手机:13961746681   
2:不支持迅雷下载,请使用浏览器下载   
3:不支持QQ浏览器下载,请用其他浏览器   
4:下载后的文档和图纸-无水印   
5:文档经过压缩,下载后原文更清晰   

相关资源

相关资源

相关搜索

行业资料   农林牧渔   精品文档   物理学论  
关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 友情链接 - 网站客服客服 - 联系我们
copyright@ 2015-2017 人人文库网网站版权所有
苏ICP备12009002号-5