[电子设计精品论文] 光电检测传感器性能测试演示实验台的研究

摘要随着现代信息技术的发展,光子以其独特的优点,具有极快的响应速度,极大的频宽,信息容量和极高的信息效率推动信息科学技术的发展,具有越来越大的竞争力光子技术与微电子技术结合相互交叉、相互渗透与补充已经成为信息科学技术的主体之一，光子和微电子是现代信息产业的基础和核心，光电信息产业已成为世界上发达国家的主导产业。美国政府已将光子学与光子技术列为国家发展的重点，认为该领域“在国家安全与经济竞争方面有深远的意义和潜力”，并肯定“通信和计算机研究与发展的未来世界属于光子学领域”。本论文通过对常用光电检测传G5875G3132G5627G14033测G16809G9448G12046G4466G20576G2500的研究G17839一G8505展G5332G1114对常G16280光电检测G3132G1226的研究。在本G12699论文G1025G1861G1363用G1114G3247G12193光电G3132G1226，通过对G11840G1226电G17347的G16855G16809，G6496G6581G1114G17837G1972G12193G3132G1226的光电特G5627，并通过G16855G16809一G1135G4579G12255G5219，对G17837G1135G3132G1226G17839G15904检测，G1186G13792G1114G16311其G5049G1328特点。在G17731G1226方面，用G1114AVRG13007列的MEGA8代G7379G1114传G13491的8051G2345G10267机，G4593G16809G1114G8731G13546和CG16833G16340的G13546G12255，深G2063G3332体G1262G2052G1016G12193G16833G16340在G993G2528G2345G10267机G1025的G1328用。关键字光电信号变换光电检测技术光辐射检测非接触测量MEGA8ABSTRACTWITHTHEDEVELOPMENTOFMODERNINFORMATIONTECHNOLOGY,PHOTONHASITSUNIQUEADVANTAGE,SUCHASFASTRESPONSESPEED,ULTRAWIDEBAND,INFORMATIONCAPACITYANDHIGHINFORMATIONEFFICIENCY,SOITLARGELYPROMOTESTHEDEVELOPMENTOFINFORMATIONSCIENCEANDTECHNOLOGY,ANDITISMORECOMPETITIVEINTHEFUTURETHECOMBINATION,PENETRATIONANDSUPPLEMENTOFPHOTONTECHNOLOGYANDMICROELECTRONICTECHNOLOGYHASBECOMEONEOFTHEMAINBODIESOFINFORMATIONSCIENCEANDTECHNOLOGY,THEFOUNDATIONANDKERNELOFMODERNINFORMATIONINDUSTRYPHOTOELECTRONICSINDUSTRYHASBECOMETHELEADINGINDUSTRYOFDEVELOPEDCOUNTRIESINTHEWORLDUSGOVERNMENTHASLISTEDTHEPHOTONSANDPHOTONTECHNOLOGYINTOTHEIMPORTANTFIELDOFCOUNTRYDEVELOPMENT,ITHASPOINTEDOUTTHAT“ITHASTHELONGLASTINGIMPORTANCEANDPOTENTIALINTHESTATESAFETYANDECONOMICCOMPETITION”,EMPHASIZEDTHAT“THEFUTUREWORLDOFTHERESEARCHANDDEVELOPMENTOFCOMMUNICATIONSANDCOMPUTERSWILLBEINTHEPHOTONFIELD”THISTHESISFURTHERRESEARCHESINTOTHERESEARCHOFCOMMONPHOTODETECTORTHROUGH“THERESEARCHOFTHEDEMOPLATFORMFORCAPABILITYTESTINGOFCOMMONPHOTODETECTOR”INTHISTHESIS,WEDEALSWITHFOURPHOTOELECTRONICDEVICESWEHAVECOMMANDEDTHECHARACTEROFTHESEDEVICESANDTESTTHESEDEVICESBYDEBUGGINGSOMEPROGRAMS,BYTHISWAYWELEARNTHEWORKINGFEATURESOFTHEMINTHESOFTWAREFIELD,WEUSEMEGA8TOSUBSTITUTETHETRADITIONAL8051MICROCHIPS,ANDTRYINGTHEASSEMBLELANGUAGEANDCLANGUAGETOPROGRAMWEDEEPLYEXPERIENCETHEFUNCTIONOFTHETWOLANGUAGESINDIFFERENTMICROCHIPSKEYWORDPHOTOELECTRICSIGNALISALTERNATED，PHOTOELECTRIC，DETECTIOTECHNOLOGY，THEDETECTIONOFRAYRADIATION，NOTCONTACTMEASURE，MEGA8I目录第一章绪论1G20G17G20G5353G16340G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G20G3G20G17G21光电检测技术的现代发展G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G21G3G20G17G22论文研究G11458的和G1881容G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G21G3第二章光电检测器件3G21G17G20G2334导体光电导G3132G1226G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G22G3G21G17G21G2334导体结G3423光电G3132G1226G708光G1251G3132G1226G709G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G20G19G3第三章新型单片机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第四章常用光电检测传感器性能测试演示实验台的研究光电置入密码锁的设计23G23G17G20G17731G1226G16786计方G8873G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G21G22G3G23G17G21G11840G1226G16786计方G8873G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G21G23G3G23G17G22光电G13634G1849G4506G11733G19157的G5647体G16786计G3G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G17G3G21G24G3总结31致谢G19181G16835G701未定义G1082G12626。参考文献321第一章绪论11引言现代信息技术G2265G2559信息G18331G19610、信息传G17767和信息G3800G10714G12573G1881容。信息G18331G19610G726G12879G1296于G1166的G5875G4460G13007G13491，G17139G17143G14731G5483G2419G3999的信息，主G16213G11013G2520G12879传G5875G3132G4448成。传G5875G3132是将G2520G12879G2419G3999信息G15999测G6523的G19762电G10301G10714量G17728G6454成与之对应的G7143于G3800G10714的电信G2507G17767G1998的G16025G13634。在G1166的一G10995G1025，G14731G5483信息量最大的G5875G4460是眼睛，通过光G14731G5483的信息占G5647信息量的80左右。G2528样，在G2520G12879传G5875G3132G1025，光电传G5875G3132以大容量、G19762接触、在线和主动G14731取信息G13792脱颖G13792G1998，可G4466现纳米级高精度和光子级弱信G2507测量，满足现代社G1262对信息G14731取的G16213求。现代光电信息G3800G10714重点G2265括如下方面G1881容G726信息传G17767G726G12879G1296于G1166的神经G13007G13491，G17139G17143信息的传送，属通讯领域。传G13491的通讯分有线电线和无线电磁波G1016G12193，然G13792，G17837G12193通讯方G5347已满足G993G1114现代大信息传G17767的G16213求。于是，大容量和高带宽的光通讯就诞G10995G1114，有线光通讯光缆正在G7379代电缆通讯，无线光通信也正在研制和发展G1025，信息G3800G10714G726G12879G1296于G1166的大脑G13007G13491G17139G17143对信息的G13520合G3800G10714显然G11013电子计算机G4448成。然G13792，尽管电子计算机G3800G10714速度在G993断提高，但还是满足G993G1114G1166们的G16213求，于是，计算机网络就诞G10995G1114，G1166们借助于光通信技术的发展，利用信息高速公G17347光网的多G2500计算机来G5483G2052或G3800G10714信息。为G1114G17839一G8505满足G1166们对大信息G3800G10714的G16213求光计算机也正在研制G1025。G1186上G17860分析可知，现代信息技术的主体是光子技术与微电子技术，G13792光子技术与微电子技术结合，它们相互交叉、相互渗透与补充，就形成G1114光电信息技术，光电信息技术的主G16213G1881容是电光信息G17728G6454和光电信息的G17728G6454及其应用，是现代信息技术的基础和核心。212光电检测技术的现代发展光电信息技术是光子技术与微电子技术的结合，是现代信息技术的核心，广泛应用于G2520G15904G2520业。我国政府十分重视光电子技术和产业的发展已将它列G1849国民经济优先发展的领域，把光电子产业列为国家重点发展计划，继1986年3月王大珩G12573G3247位专家倡导的“863计划”之后，在此基础上G5332G3999G1114“973计划”，G17837G1016个高科技计划的重点是光电子产业。据国家G13491计资料显G12046，受信息化、数字化、网络化浪潮的推动，G1025国的光电信息市场和产业也呈现G1998高速增长态势，成为拉动整个国民经济增长的第一支柱G15904业。1999年底全国范围G1881建成G1114“八横八纵”的光缆网。武汉、广东和长春G12573G3332提G1998G1114建G16786G1025国光谷的G16280划。本世纪是光的年代，因此深G1849研究光电技术并应用于现代G5049业与国防事业之G1025，势在必G15904。13论文研究目的和内容本论文通过对常用光电检测传G5875G3132G5627G14033测G16809G9448G12046G4466G20576G2500的研究G17839一G8505展G5332G1114对常G16280光电检测G3132G1226的研究。G3论文研究G11458的在于G6496G6581G2520G12193光电G3132G1226的特G5627及G1363用方G8873，G1114G16311现代智G14033化G3132G1226在光电信息G3800G10714G1025的应用。G1186G13792G17839一G8505G6496G6581基于G4466G20576G2500的G13007G13491G11840G1226G16786计和G16855G16809以及G17731G1226的G13546G12255。培养在G16855G16809过G12255G1025发现G19181G16835并排除G6937G19568的G14033力。G3论文的G1881容主G16213是G11013于光电G13634G1849G5347智G14033G4506G11733G19157G1363用G1114光G6947电G19471，光电G5332G1863，G13430G3818对管G12573光电传G5875G3132，利用其对光的G6947G5875特G5627，G4466现光电信息G13634G1849。G2528G7114利用G5627G14033G2343越的G7044G3423的G2345G10267机G80G72G74G68G27的G1025断G9316G17839G15904有效的结合，G4466现对G4506G11733的G13634G1849。G3G33第二章光电检测器件21半导体光电导器件光电信息G17728G6454是光电信息技术的核心G1881容，正是G11013于G2520G12879光电信息G17728G6454G3132G1226的发G7138和G5627G14033的G993断G6925G2904，G6177导G14280G1114现代光电信息技术的G17817G10479发展。光电信息G17728G6454G2419G10714，主G16213有以下G3247G12193G7261G3818光电效应。在G1849G4568光G14033量G1328用下，G7588G1135G10301体G1881的电子G17932G1998G10301体G15932面，G2533G3818发G4568电子，用此G2419G10714制成的光电信息G17728G6454G3132G1226有光电G1505增管、G11507G12366光电管、充G8680光电管G12573。2光电导效应。在G1849G4568光线的G1328用下，G2334导体G7460料G1025的电子受G2052G14033量大于或G12573于G12117带宽度的光子的G9620发，将G11013G1227带越过G12117带G17303G17813G2052导带，G1186G13792G1363导带G1025电子G8999度G2164大，G7460料的电G19471率G1955G4579。基于G17837G12193G2419G10714的光电信息G17728G6454G3132G1226有光G6947电G19471G12573。3光G1251效应。在G1849G4568光G14033量G1328用下G14033G1363G10301体产G10995一定方G2533的电动势。以PN结为G1375，G11013于光线G10043G4568PN结G13792产G10995的电子和G12366G12360，在G1881电场G1328用下分G2047G12239G2533N和PG2318，G1186G13792对G3818形成光G10995电动势。基于该效应制成的光电信息G17728G6454G3132G1226有光电G8756、光G6947G1120极管、光G6947G989极管G12573。4光电G9921效应。光G10043G5353G17227G7460料G9213度发G10995G2476化G13792产G10995电G8981，如G9921G18334电、G17432G19229G8754CMTG12573，G17837G12879G3132G1226G12228为G9921电G6518测G3132。一、光敏电阻光G6947电G19471利用光电导效应制成。G5415G1849G4568光子G1363电子G11013G1227带G17303G2331G2052导带G7114，导带G1025的电G19471和G1227带G1025的G12366G12360G1120G13785G3355G2454与导电，因此电G19471显G14891G1955G4579，G12228为光G6947电G19471。G17837G12193本G5461光电导效应可用来检测可G16277光和G17829G13430G3818G17764G4568。如G7536G1849G4568光子G1186G7446G17148G14033级G17303G2331G2052导带G19762本G5461光电导，G18039G1052NG3423G7460料的电导率增大。与此相G1296的，G5415光子G14033量G1363电子G11013G1227带G17303G2331G2052PG3423主4G14033级，G1186G13792G1363G1227带G1025G11053有可G12239动的交G12360G7114，PG3423G7460料就G1262G1998现G19762本G5461光电导。光G6947电G19471与其它G2334导体光电G3132G1226相G8616有以下特点G7261光G16901响应相G5415宽。G7693据G993G2528的光电导G7460料，光G6947电G19471的G9801G6947域可在G13055G3818光G2318，可G16277光G2318，也可在G13430G3818G2318和远G13430G3818G2318。2G6164测的光G5390范围宽，G2375可对G5390光响应，也可对弱光响应。3无极G5627之分，G1363用方G1427，成本G1314，G4563G2641长。4G9801G6947度高G5049G1328电G8981大，可达数G8639安。光G6947电G19471的G2419G10714是G2334导体的光电导效应，G2494有G14033量G708HG709大于G7460料G12117带宽度G708EGG709的光子，G6177G14033G1363G7460料产G10995光电导效应。G8611一G12193G2334导体或G13489G13548体G18129有一定的光电导效应，但G2494有其G1025一G18108分G7460料经过特G8542G3800G10714，G6542G17839G17878G5415G7446G17148，G6177有G7138显的光电导效应。光G6947电G19471的结G7512是在一G3371光电导体G1016G12483G2164上电极，G17160在G11840G17148G10639G10839、G1125G8609、高频G10955或其它G13489G13548G7460料基G7507上，G1016G12483接有电极G5353线，G4565G16025在带有G12395G2487的G18341属或G3621料G3818G3783G1881。光G6947面G1328成G15515形，电极G1328成G7815G10378是因为G17837样G7094可以G1457G16789有G17751大的受光G15932面，也可以G1955G4579电极之G19400G17329G12175，G1186G13792G7094可G1955G4579极G19400电子G9205越G7114G19400，也有利于提高G9801G6947度。A121A2A0A3A4A5A6A15G20光敏电阻的特性G3G7081G709光电导G9801G6947度GSG6365G9801G6947度定义G708响应量与G17767G1849量之G8616G709，可G5483PGGSE211PGG726光电导，G2345位为G16211门子SG7081G709。EG726G10043度，G2345位为勒克斯G708LXG709。GSG2345位为G16211门子/勒克斯G708LXSG709或WSM2。G7082G709光电特G5627光电G8981与G10043度的G1863G13007G12228为光电特G5627。光G6947电G19471光电特G5627如下G726PGISEUGA212PIG726光电G8981EG726G10043度G726电压指数GSG726光电导G9801G6947度U光G6947电G19471G1016G12483G6164G2164的电压与G7460料和G1849G4568光G5390弱有G1863，对于硫化G19229光电导体，在弱光G10043下1，在G5390光G10043下05，一般051。与光电导体和电极G7460料之G19400的接触有G1863，欧姆接触G71141，G19762欧姆接触G71141112。6A722A8A9A10A11A12A13A14A15A11A13A16A17A18A19G11013图可G16277，硫化G19229光G6947电G19471在弱光G10043下，PI与E具有良好的线G5627G1863G13007，在G5390光G10043下则为G19762线G5627G1863G13007，其它光G6947电G19471也有G12879G1296的G5627G17148。如G7536电压指数1，在弱光G10043下有PGISEU213G7083G709光G16901特G5627光G16901特G5627多用相对G9801G6947度与波长的G1863G13007曲线G15932G12046。G1186G17837G12193曲线G1025可以直接看G1998G9801G6947范围、峰值波长位G13634和G2520波长下G9801G6947度的相对G1863G13007。A2023A21A22A23A11A24A25A12A15A26A27A11A12A13A14A15A11A28A16A17A18A1971A8A9A10A29A302A8A9A10A31A303A32A9A10A31A304A8A9A10A33A32A9A10A34A35A31A30A2024A21A36A37A24A25A12A15A26A27A11A12A13A14A15A11A28A16A17A18A19G11013图可G16277，硫化G19229G2345晶、硫化G19229与硒化G19229混合多晶，硫化G19229多晶、硒化G19229多晶G12573G1972G12193光G6947电G19471的光G16901特G5627曲线覆盖G1114整个可G16277光G2318，峰值波长在515600UM之G19400。G7084G709G9213度特G5627光G6947电G19471的G9213度特G5627很复G7446，在一定的G10043度下，亮电G19471的G9213度G13007数有正有G17139，21112RRRTTA2141R、2R分G2047为与G9213度1T、2T相对应的亮电G19471。G9213度对光G16901响应也有影响。一般说，光G16901特G5627主G16213决定于G7460料，G7460料的G12117带宽度越窄则对长波越G6947G5875，但G12117带很窄G7114，G2334导体G1025G9921G9620发也G1262G1363自G11013载G8981子G8999度增G2164，G1363复合G2164快，G9801G6947度降G1314。因此，G18331取冷却G9801G6947面的办G8873来提高G9801G6947度往往是很有效的。8A2025A8A9A38A11A12A13A14A21A39A40A41A42A43A44A45A11A28A25A12A46A15A47A9G7085G709频率特G5627。光G6947电G19471是依靠G19762平衡载G8981子效应G5049G1328的，G19762平衡载G8981子的产G10995与复合G18129有一个G7114G19400过G12255，G17837个G7114G19400过G12255在一定G12255度上影响G1114光G6947电G19471对G2476化光G10043的响应。光G6947电G19471G18331用交G2476光G10043G7114，其G17767G1998将随G1849G4568光频率的增G2164G13792G1955G4579。A2026A26A27A11A12A13A14A15A48A49A16A17A18A191A322A8A9A103A8A9A504A8A9A38G7086G709G1251安特G5627在一定的光G10043下，G2164G2052光G6947电G19471G1016G12483的电压与G8981过光G6947电G19471的亮电9G8981之G19400的G1863G13007G12228为光G6947电G19471的G1251安特G5627，常用曲线G15932G12046。图G1025的虚线为额定功耗线。G1363用光G6947电G19471G7114，应G993G1363电G19471的G4466际功耗超过额定值。G1186图上来说，就是G993G14033G1363静态G5049G1328点居于虚线以G1881的G2318域。G6365G17837一G16213求，在G16786计G17139载电G19471G7114，应G993G1363G17139载线与额定功耗线相交。011RTGLGTG1AQB,0LREMNE0EEMAXP0,ENUIA2027A51A52A53A54A55A56A57A58A59A60A612光敏电阻的使用光G6947电G19471的重G16213特点是，光G16901响应范围宽，测光范围宽，G9801G6947度高，无极G5627之分。但G11013于G7460料G993G2528，在G5627G14033上差G2047G17751大。G1363用G1025应注意G7261G709G5415用于G8181拟量测量G7114，因光G10043指数与光G10043G5390弱有G1863，G2494有在弱光G10043下光电G8981与G1849G4568G17764G4568通量成线G5627G1863G13007。2G709用于光度量测G16809仪G3132G7114，必须对光G16901特G5627曲线G17839G15904修正，G1457G16789其与G1166眼的光G16901光视效率曲线符合。3G709光G6947电G19471的光G16901特G5627与G9213度有G1863，G9213度G1314G7114，G9801G6947范围和峰值波长G18129G2533长波方G2533G12239动，可G18331取冷却G9801G6947面的办G8873来提高光G6947电G19471在长波G2318的G9801G6947度。4G709光G6947电G19471的G9213度特G5627很复G7446，电G19471G9213度G13007数有正有G17139，一般说，光G6947电G19471G993G17878于在高G9213下G1363用，G9213度高G7114G17767G1998将G7138显G1955G4579，甚至无G17767G1998。5G709光G6947电G19471频带宽度G18129G8616G17751窄，在室G9213下G2494有少数品G12193G14033超过101000HZ，G13792且光电增益与带宽之积为一常量，如G16213求带宽G17751宽，必须以牺牲G9801G6947度为代G1227。6G709G16786计G17139载电G19471G7114，应考虑G2052光G6947电G19471的额定功耗，G17139载电G19471值G993G14033很G4579。22半导体结型光电器件（光伏器件）利用G2334导体PN结光G1251效应制成的G3132G1226G12228为光G1251G3132G1226，也G12228结G3423光电G3132G1226。G17837G12879G3132G1226品G12193很多，其G1025G2265括G2520G12193光电G8756、光电G1120极管、光电晶体管、光电场效应管、PIN管、雪崩光电G1120极管、光可G6523硅、阵列G5347光电G3132G1226、象限G5347光电G3132G1226、位G13634G6947G5875G6518测G3132G708PSDG709、光电耦合G3132G1226G12573。一、G2334导体发光G1120极管发光是一G12193G14033量G17728G6454现象。G5415G13007G13491受G2052G3818界G9620发后，G1186稳定的G1314G14033态G17303G17813G2052G993稳定的高G14033态，在G13007G13491G11013G993稳定的高G14033态重G7044回G2052稳定的G1314G14033态G7114，如G7536其多余的G14033量以光的形G5347G17764G4568G1998来，就产G10995发光现象。G2334导体发光G1120极管利用注G1849PN结的少数载G8981子与多数载G8981子复合发光，是一G12193直接把电G14033G17728G6454成光G14033的固体发光G3132G1226。1G2334导体发光G1120极管的结G7512和G2419G10714发光G1120极管LIGHTEMITTINGDIODE，LED，是利用正G2533偏G13634PN结G1025电子与G12366G12360的G17764G4568复合发光的，是自发G17764G4568发光，G993需G16213G17751高的注G1849电G8981产G10995粒子数反G17728分布，也G993需G16213光学谐振腔，发G4568的是G19762相干光。11A6228LEDA63A64A62发光G1120极管的核心G18108分是G11013PG3423G2334导体和NG3423G2334导体组成的晶G10267，在PG3423G2334导体和NG3423G2334导体之G19400有一个过G9205层，G12228PN结。在G2334导体G7460料的PN结G1025，注G1849的少数载G8981子与多数载G8981子复合G7114G1262把多余的G14033量以光的形G5347G18334放G1998来，G1186G13792把电G14033直接G17728G6454为光G14033。PN结G2164反G2533电压，少数载G8981子难以注G1849，G6937G993发光。G17837G12193利用注G1849G5347电G14280发光G2419G10714制G1328的G1120极管叫发光G1120极管，通G12228LED。G5415它G3800于正G2533G5049G1328G10378态G7114G708G2375G1016G12483G2164上正G2533电压G709，电G8981G1186LED阳极G8981G2533阴极G7114，G2334导体晶体就发G1998G1186G13055G3818G2052G13430G3818G993G2528颜色的光线，光的G5390弱与电G8981有G1863。2LED光G9316的特点1LEDG17764G4568光为G19762相干光，光G16901G17751宽，发散角大。2LED的发光颜色G19762常丰富，通过选用G993G2528的G7460料，可以G4466现G2520G12193发光颜色。如G18331用GAPG726ZNO或GAAAPG7460料的G13430色LED，GAAAPG7460料的橙色、黄色LED，以及GAN蓝色LEDG12573。G13792且通过G13430、绿、蓝G989G2419色的组合，可以G4466现全色化。123LED的辉度高。随着G2520G12193颜色LED辉度的G17817速提高，G2375G1363在日光下，G11013LED发G1998的光也G14033视认。正是基于G17837一优势，在室G3818用信息G7507、广告牌、道G17347通G15904G10378况告G12046牌G12573方面的应用正G17817速扩大。4LED的G2345元体积G4579。在其他显G12046G3132G1226G993G14033G1363用的极G4579的范围G1881也可G1363用，再G2164上G1314电压、G1314电G8981驱动的特点，G1328为电子仪G3132G16786备、家用电G3132的指G12046灯、信G2507灯的G1363用范围还G1262G17839一G8505扩大。5G4563G2641长，基本上G993需G16213维修。可G1328为G3332G7507、马G17347、广场G3332面的信G2507光G9316，是一个G7044的应用领域。3发光G1120极管的主G16213特G5627G7081G709G1251安特G5627A6229A65A51A66A67A68A56A57A58A59A60A61通过发光G1120极管的电G8981与G2164G2052G1120极管G1016G12483电压之G19400的G1863G13007，G12228为发光G1120极管的G1251安特G5627。图G1025，UT为G5332启电压。UUTG7114，G1120极管导通发光。UUTG7114，G1120极管G6142G8502G993发光。UT的大G4579与G7460料、G5049G14414G12573因G13044有G1863。一般GAAS管的UTG13434为13VG727GAP管的UTG13434为2VG727GAASP管的UTG13434为16VG727GAALAS管的UTG13434为155V。G7082G709发光亮度发光G1120极管的发光亮度，基本上是正G8616于电G8981G4506度的，一般管的发光亮度G18129与电G8981G4506度成正G8616G1375，亮度正G8616于电G8981G4506度G17837G12193G5627G17148，对于G18331用G14045G1926驱动的方G5347是很有利的，它可以在平G3355电G8981与直G8981电G8981相G12573的G5785况下，G14731G5483很高的亮度。G7083G709G9213度特G562713A62210A65A51A53A69A70A71A72A55A73A74A60A61G9213度对PN结的复合发光是有影响的，在偏G13634电压G993G2476的G5785况下，结G9213G2331高G2052一定G12255度后，电G8981将G2476G4579，发光亮度G1955弱，电G8981与G9213度的G1863G13007大G14280如上图G6164G12046。G7084G709G7114G19400响应G17837G18336说的G7114G19400响应，是指发光G1120极管启亮与G10072G9793G7114的G7114G19400G5322G17843。发光G1120极管的响应G7114G19400很G11713，一般G2494有G1972纳G12198至G1972十纳G12198。G5415利用G14045G1926电G8981G2447驱动发光G1120极管G7114，应考虑G2052G14045G1926宽度、G12366度G8616与响应G7114G19400的G1863G13007。G7085G709G4563G2641发光G1120极管的G4563G2641G18129很长，在电G8981G4506度J12CMA的G5785况下，可达H610以上。G993过，电G8981G4506度对G1120极管的G4563G2641是有影响的，电G8981G4506度大G7114，发光亮度高，G4563G2641就G1262很快G13565G11713。二、光电耦合器1光电耦合G3132的G2419G10714光电耦合G3132是一G12193把电子信G2507G17728G6454成为光学信G2507，然后G2460回复电子信G2507的G2334导体G3132G1226。G5415电G8981G12239G2533电耦合G3132的G17767G1849面G708如下图G709，光学信G2507G11013发光G1120极管G17767G1998。G17767G1998面的光学G5875应G3132G4531G16285之，G2528G7114电G8981G12239动。14A75211A76A77A78A79A80A81A82A83A84A75212A76A77A78A792光电耦合G3132的应用1G709、光电耦合G3132用于电平G17728G6454。2G709、光电耦合G3132用于G17935G17765门电G17347。3G709、光电耦合G3132G17227G19560G12175G1328用。G11013于光电耦合的G6251干G6212G5627G8616晶体管好，因此，用光电耦合G3132组成的G17935G17765电G17347G16213G8616晶体管可靠G5483多。三、光电开关1、G5049G1328G2419G10714光电G5332G1863G708光电传G5875G3132G709是光电接G17829G5332G1863的G12628G12228，它是利用G15999检测G10301对光G7475的G17986G6389或反G4568，G11013G2528G8505回G17347选通电G17347，G1186G13792检测G10301体有无的。G10301体G993限于G18341属，G6164有G14033反G4568光线的G10301体G3355可G15999检测。光电G5332G1863将G17767G1849电G8981在发G4568G3132上G17728G6454为光信G2507G4568G1998，接G6922G3132再G7693据接G6922G2052的光线的G5390弱15或有无对G11458G7643G10301体G17839G15904G6518测。多数光电G5332G1863选用的是波长接G17829可G16277光的G13430G3818线光波G3423。2、光电G5332G1863的分G12879G13430G3818线属于一G12193电磁G4568线，其特G5627G12573G2528于无线电或XG4568线。G1166眼可G16277的光波是380NM780NM，发G4568波长为780NM1MM的长G4568线G12228为G13430G3818线，G9005G8755G11477G8946G3848G2451光电G5332G1863G2390G10995产的G13430G3818线光电G5332G1863优先G1363用的是接G17829可G16277光波长的G17829G13430G3818线。G13430G3818线光电G5332G1863G708光电传G5875G3132G709属于光电接G17829G5332G1863的G12628G12228，它是利用G15999检测G10301体对G13430G3818光G7475的G17986光或反G4568，G11013G2528G8505回G1