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  • 1993-03-18 颁布
  • 1993-08-01 实施
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GB/T 14119-1993半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范(可供认证用)_第1页
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DDG621.382：681.327.28L56中华人民共和国国家标准GB/T14119-93半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供认证用）1993-03-18发布1993-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器CB/T14119-93日详细规空白Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供认证用）本规范规定了编制半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器(以下简称器件)详细规范的基本原则。本规范是半导体集成电路一系列空白详细规范中的一个,它应与GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12750《半导体集成电路分规范(不包括混合电路)》一起使用。要求的资料空白详细规范首页1～[9J各栏应填写与下列各项相对应的内容。详细规范的识别C11发布详细规范的国家标准化机构名称12详细规范的IECQ编号。【3】总规范和分规范编号及版本号。【4详细规范的国家编号，发布日期及国家标准体系需要的资料器件的识别C5主要的功能和型号。L6】典型结构(材料、主要工艺)和封装如果器件有多种派生产品，应当给出相互之间的差别。例如,以对照表的形式列出各自性能的特点详细规范应给出包括下述内容的简要说明·工艺(TTL、ECL等);·结构(字×位)；·输出电路的类型(例如三态…·)：·主要功能。【7]外形图、引出端识别、标志和(或)外形有关的参考文件。181质量评定类别(按GB4589.1第2.6条)。L9参考数据【本规范中，方括号所列内容仅供指导编写详细规范使用，不必在详细规范中列出。[本规范中,电特性或额定值表格中的"X"表示在详细规范中必

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