GB/T 4023-2015半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

ICS3108010

K46..

中华人民共和国国家标准

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

代替:

GB/T4023—1997

半导体器件分立器件和集成电路

第2部分整流二极管

:

Semiconductordevices—Discretedevicesandintegratedcircuits—

Part2Rectifierdiodes

:

(IEC60747-2:2000,IDT)

2015-12-31发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

目次

前言

…………………………Ⅶ

引言

…………………………Ⅸ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

一般术语

3.1……………1

额定值和特性的术语电压

3.2:…………2

额定值和特性的术语电流

3.3:…………3

额定值和特性的术语耗散功率

3.4:……………………4

额定值和特性的术语其他特性

3.5:……………………5

文字符号

4…………………7

概述

4.1…………………7

补充的通用下标

4.2……………………7

电流电压和功率

4.2.1、………………8

电参数

4.2.2…………………………8

文字符号表

4.3…………………………8

电压参见图图

4.3.1(4、5)…………8

电流参见图

4.3.2(6)…………………9

功率

4.3.3……………10

开关

4.3.4……………10

基本额定值和特性

5………………………10

概述

5.1…………………10

适用范围

5.1.1………………………10

额定方法

5.1.2………………………10

推荐温度

5.1.3………………………10

额定条件

5.2……………11

环境额定的整流二极管

5.2.1………………………11

管壳额定的整流二极管

5.2.2………………………11

电压和电流的额定值极限值

5.3()……………………11

反向不重复峰值电压V

5.3.1(RSM)…………………11

反向重复峰值电压V

5.3.2(RRM)……………………11

Ⅰ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

反向工作峰值电压V

5.3.3(RWM)……………………11

反向直流电压V适用时

5.3.4(R)()…………………11

正向平均电流I

5.3.5(F(AV))………………………11

正向重复峰值电流I适用时特别适用于快开关二极管

5.3.6(FRM)()()…………11

正向过载电流I

5.3.7((OV))…………12

正向浪涌电流I

5.3.8(FSM)…………12

正向直流电流I

5.3.9(F)……………12

管壳不破裂峰值电流I

5.3.10(RSMC)………………13

频率额定值极限值

5.4()………………13

耗散功率额定值极限值

5.5()…………13

反向浪涌耗散功率雪崩整流二极管和可控雪崩整流二极管的

5.5.1()…………13

反向重复峰值耗散功率可控雪崩整流二极管的

5.5.2()…………13

反向平均耗散功率可控雪崩整流二极管的

5.5.3()………………13

温度额定值极限值

5.6()………………13

冷却流体的温度或基准点的温度对于环境额定的或管壳额定的整流二极管

5.6.1()…………13

贮存温度T

5.6.2(stg)………………13

等效结温T适用时

5.6.3(j)()………………………13

电特性

5.7………………13

正向特性适用时

5.7.1()……………13

正向电压在热平衡条件下

5.7.2()…………………14

击穿电压V雪崩整流二极管的用于不重复的情况

5.7.3((BR))(,)………………14

反向重复峰值电流I

5.7.4(RRM)……………………14

总耗散功率P

5.7.5(tot)……………14

一个正弦半波正向电流脉冲的最大总能量适用时特别适用于快开关二极管

5.7.6()()………14

恢复电荷Q适用时见图

5.7.7(r)(),9……………15

反向恢复峰值电流i适用时见图

5.7.8(RM)(),9…………………15

反向恢复时间t适用时见图

5.7.9(rr)(),9………15

正向恢复时间适用时

5.7.10()……………………15

正向恢复峰值电压V适用时

5.7.11(FRM)()………15

反向恢复软度因子F适用时

5.7.12()[](RRS)()…………………16

热特性适用时

5.8()……………………16

机械特性和其他数据

5.9………………16

应用数据

5.10…………………………16

稳态运行包括过载

5.10.1()………………………16

瞬态条件

5.10.2……………………17

型式试验和常规试验的要求整流二极管的标志

6,……………………17

型式试验

6.1……………17

Ⅱ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

常规试验

6.2……………17

测量和试验方法

6.3……………………18

整流二极管的标志

6.4…………………18

测量和试验方法

7…………………………18

电特性的测量方法

7.1…………………18

一般注意事项

7.1.1…………………18

正向电压

7.1.2………………………18

雪崩和可控雪崩整流二极管的击穿电压V

7.1.3((BR))……………20

反向电流

7.1.4………………………21

恢复电荷和反向恢复时间Qt

7.1.5(r,rr)…………24

正向恢复时间和正向恢复峰值电压tV

7.1.6(fr,FRM)……………27

热特性的测量方法

7.2…………………28

基准点温度

7.2.1……………………28

热阻与瞬态热阻抗

7.2.2……………28

额定值极限值的检验方法

7.3()………………………30

正向浪涌电流I

7.3.1(FSM)…………30

反向不重复峰值电压V

7.3.2(RSM)…………………32

雪崩和可控雪崩整流二极管的反向峰值功率重复或不重复的PP

7.3.3()(RRM,RSM)…………32

管壳不破裂峰值电流

7.3.4…………36

电耐久性试验

7.4………………………38

耐久性试验表

7.4.1…………………38

耐久性试验条件

7.4.2………………38

接收试验的失效判据和判定失效的特性

7.4.3……………………38

可靠性试验的判定失效的特性和失效判据

7.4.4…………………38

试验失误时的程序

7.4.5……………38

循环负载试验

7.4.6…………………38

附录资料性附录随时间变化负载温升的计算

A()……………………40

图正向恢复期间的电压波形

1……………5

图反向恢复期间的电流波形

2……………6

图恢复电荷

3………………7

图反向电压额定值

4………………………8

图正向特性

5………………9

图正向电流额定值

6………………………9

图正向重复峰值电流I示例

7(FRM)……………………12

图一个正弦半波电流脉冲的最大总能量与正向电流值和脉冲持续时间的关系

8

Ⅲ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

参变量以焦尔为单位的脉冲能量

(:)………………14

图恢复电荷Q反向恢复峰值电流i反向恢复时间t理想特性曲线

9r,RM,rr()………15

图正向电压的测试电路直流法

10()……………………19

图正向电压的测试电路示波器法

11()…………………19

图正向电压的测试电路脉冲法

12()……………………19

图正向平均电压的测试电路

13…………20

图击穿电压的测试电路

14………………21

图反向电流的测试电路直流法

15()……………………21

图反向电流的测试电路示波器法

16()…………………22

图反向峰值电流的测试电路

17…………22

图反向峰值电流的测试电路电流加热法

18()…………23

图Q和t的测试电路正弦半波法

19rrr()………………24

图通过二极管的电流波形正弦半波法

20D()…………24

图Q和t的测试电路矩形波法

21rrr()…………………25

图通过二极管的电流波形矩形波法

22D()……………26

图t和V的测试电路

23frFRM………………27

图测量t和V的电流和电压波形

24frFRM………………27

图热阻的测试电路

25……………………29

图瞬态热阻抗的测试电路

26……………30

图浪涌电流的测试电路

27………………31

图反向不重复峰值电压的测试电路

28…………………32

图雪崩和可控雪崩整流二极管的反向峰值功率的测试电路反向电流三角波法

29()………………33

图反向电流波形三角波法

30()…………33

图雪崩和可控雪崩整流二极管的反向峰值功率的测试电路反向电流正弦波法

31()………………34

图反向电流波形正弦波法

32()…………34

图雪崩和可控雪崩整流二极管的反向峰值功率的测试电路反向电流矩形波法

33()………………35

图反向电流波形矩形波法

34()…………35

图反向功率P与击穿电压的关系

35RSM………………36

图管壳不破裂峰值电流的测试电路

36…………………37

图通过受试器件的反向电流i波形

37R………………37

图热循环负载试验的电路和波形

38……………………38

图非矩形脉冲的阶梯形近似

A.1………………………40

图半导体器件内产生耗散功率P持续时间为t的矩形脉冲

A.2、1…………………40

图瞬态热阻抗Zt与时间的关系

A.3th()………………41

图三个矩形脉冲单序列

A.4……………41

图相同脉冲的周期序列

A.5……………42

图每组两个不同脉冲的周期序列

A.6…………………43

Ⅳ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

表整流二极管的型式试验和常规试验的最少试验项目

1……………17

表耐久性试验后接收时判定失效的特性

2,……………39

表耐久性试验条件

3……………………39

表几种典型负载时等效结温升的计算公式

A.1………45

Ⅴ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

前言

半导体器件分立器件系列国家标准的预计结构如下

《》:

第部分总则

———1:;

第部分整流二极管

———2:;

第部分信号包括开关和调整二极管

———3:();

第部分微波器件

———4:;

第部分微波二极管和晶体管微波场效应晶体管详细规范

———4-1:;

第部分光电子器件总则

———5-1:;

第部分光电子器件基本额定值和特性

———5-2:;

第部分光电子器件测试方法

———5-3:;

第部分光电子器件半导体激光器

———5-4:;

第部分光电子器件光电耦合器

———5-5:;

第部分晶闸管

———6:;

第部分双极型晶体管

———7:;

第部分场效应晶体管

———8:;

第部分绝缘栅双极晶体管

———9:;

第部分分立器件和集成电路总规范

———10:;

第部分分立器件分规范

———11:;

第部分半导体传感器总则和分类

———14-1:;

第部分半导体传感器霍尔元件

———14-2:;

第部分半导体传感器压力传感器

———14-3:;

第部分半导体传感器半导体加速度计

———14-4:;

第部分半导体传感器结半导体温度传感器

———14-5:PN;

第部分绝缘功率半导体器件

———15:;

第部分微波集成电路放大器

———16-1:;

第部分微波集成电路频率预计数器

———16-2:;

第部分微波集成电路频率转换器

———16-3:;

第部分微波集成电路开关

———16-4:;

第部分基本绝缘和加强绝缘的磁性和电容性耦合

———17:。

本部分为半导体器件分立器件系列国家标准的第部分

《》2。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

GB/T4023—1997《2:》。

本部分与相比主要变化如下

GB/T4023—1997:

编写规则和采用标准的版本与其一致性程度不同是按

———IEC、:GB/T4023—1997GB/T1.1—

等效采用和年年的两个修订件本部分是按

1993,IEC747-2:19831992、1993;GB/T1.1—

和等同采用

2009GB/T20000.2—2009,IEC60747-2:2000。

内容结构编排不同采用篇章节条项编号引言属正文并编章条

———:GB/T4023—1997()、、、,“”

号本部分采用章条项编号引言在正文前单独为一页不编章条号

;、、,“”,。

增加了管壳不破裂峰值电流的文字符号I并将其对应的管壳不破裂I2t中的I2t

———“”“RSMC”,“”

Ⅶ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

改为I2t同时将管壳不破裂I2t由耗散功率术语条移至电流术语条

RC,“RC”。

增加了反向恢复软度因子术语定义文字符号及其特性值的条件

———“()[]”、、。

增加了正向恢复峰值电压特性值的条件

———“”。

文字符号章增加了开关特性的文字符号个和电流的文字符号个III

———114(FAV、FRMS、RM、

I删除了I

RSMC),R(AV)。

增加了型式试验和常规试验的要求整流二极管的标志一章内容

———“、”。

删除了反向重复峰值电压的另一名称最高反向重复电压及相关的注

———“”“”“”。

删除了附录瞬态热阻抗测试方法快速测试方法

———B“()”。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件分立器件和集成电路第部分

IEC60747-2:2000《2:

整流二极管英文版

》()。

本部分做了下列编辑性修改和勘误

:

增加了前言删除了标准的前言

———“”,IEC“”;

的本部分本出版物和本国际标准均改为本部分

———“IEC60747”“”“”“”;

根据标准条文中的实际引用情况增加了电工术语半导体器件和集

———,GB/T2900.66—2004《

成电路作为规范性引用文件

》;

将用于电流电压的修饰词连续直流改为直流

———、“()”“”;

将表示温度的文字符号T和θ两种字母统一为T表示温度的文字符号下标

———“”“”“”,amb、case、

分别改为

vj、refa、c、j、r;

用小数点代替作为小数点的逗号

———“.”“,”;

对公式统一编号

———;

将正向不重复浪涌电流统一为正向浪涌电流与第章中一致

———“()”“”,3;

将中反向重复峰值电流的文字符号I勘误为I

———5.7.4“”RMRRM;

删除系中下一层次的孤条的编号相应的内容直接归入

———5.8.1(5.8),5.8;

将式中符号t的释文较高频率的重复率勘误为较高频率的重复率的倒数

———(A.29)2“”“”。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位西安电力电子技术研究所国营第八七三厂湖北台基半导体股份有限公司株洲

:、、、

南车时代电气股份有限公司电力电子事业部浙江硅都电力电子有限公司

、。

本部分主要起草人