• 废止
  • 已被废除、停止使用，并不再更新
  • 1984-03-28 颁布
  • 1985-03-01 实施
©正版授权
GB/T 4298-1984半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法_第1页
GB/T 4298-1984半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法_第2页
GB/T 4298-1984半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法_第3页
免费预览已结束，剩余17页可下载查看

下载本文档

文档简介

UDC669.782:543.06:621.315.592中华人民共和国国家标准GB4298-84半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法Theactivationanalysismethodforthedeterminationoflimpuritiesinsemiconductorelementalrsiliconmaterials1984-03-28发布1985-03-01实施家标佳局批准

中华人民共和国国家标准半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB4298-84中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：63787337、637874471984年10月第一版20106年7月电子版制作书号：15169·1-2627版权专有浸权必究举报电话：（010）68533533

中华人民共和国国家标准UDC669.782半导体硅材料中杂质元素的：543.06:621.315.592活化分析方法GB4298-84Theactivationanalysismethodforthedeterminationofelementalimpuritiesinsemiconductorsiliconmaterials本标准适用于单晶硅、多晶硅中金属杂质元素和非金属杂质元素含量的测定。本标准包括杂质元素（十六个）的反应堆中子活化仪器分析方法、铜和砷的反应堆中子活化放射化分离分析方法、磷的反应堆中子活化放射化分离分析方法、氧的粒子活化仪器分析方法和碳的尔子活化仪器分析方法。第一篇杂质元素（十六个）的反应堆中子活化仪器分析方法适用范围本篇方法适用于单晶硅、多晶硅中十六个杂质元素的测定。测定范围：航量大于1×10ppmi镍量大于2×10-ppm，铁量大于1×10-2ppm，钴量大于2×10-ppm，铜量大于5×10-5ppmi锌量大于5×10"ppm，家量大于9×10°ppm，砷址大于6×10-ppm；银量大于6×10-ppmi第量大于2×10-ppm，钢量大于1×10ppm；销量大于3×10-ppm，担世大于3×10ppm;鸽量大于7×10ppm；金量大于6×10ppm；铬量大于1×10“ppm。原理硅材料经反应堆中子辐照后，硅基体和待测元素「镇除外，镍经（"，p）反应】均经（"，？）反应生成放射性核素（见表1）。冷却适当时间，待“Si衰变后（"Si的半衰期为2.62h)，用y谱仪测量各生成核的特征》射线的强度，进行各元素的定量分析。在测定铜量时，要扣除“Na和天然本底在511keV峰中的贡献。·本适用范围由正文中所给下限实验条件（取样最、辐照和测

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论