- 现行
- 正在执行有效
- 2018-09-17 颁布
- 2019-01-01 实施
![GB/T 4937.12-2018半导体器件机械和气候试验方法第12部分:扫频振动_第1页](http://file4.renrendoc.com/view/6542e982bc3209a1147c7c2210394cef/6542e982bc3209a1147c7c2210394cef1.gif)
![GB/T 4937.12-2018半导体器件机械和气候试验方法第12部分:扫频振动_第2页](http://file4.renrendoc.com/view/6542e982bc3209a1147c7c2210394cef/6542e982bc3209a1147c7c2210394cef2.gif)
![GB/T 4937.12-2018半导体器件机械和气候试验方法第12部分:扫频振动_第3页](http://file4.renrendoc.com/view/6542e982bc3209a1147c7c2210394cef/6542e982bc3209a1147c7c2210394cef3.gif)
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文档简介
ICS3108001
L40..
中华人民共和国国家标准
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
半导体器件机械和气候试验方法
第12部分扫频振动
:
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—
Part12Vibrationvariablefreuenc
:,qy
(IEC60749-12:2002,IDT)
2018-09-17发布2019-01-01实施
国家市场监督管理总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
前言
半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成
GB/T4937《》:
第部分总则
———1:;
第部分低气压
———2:;
第部分外部目检
———3:;
第部分强加速稳态湿热试验
———4:(HAST);
第部分稳态温湿度偏置寿命试验
———5:;
第部分高温贮存
———6:;
第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析
———7:;
第部分密封
———8:;
第部分标志耐久性
———9:;
第部分机械冲击
———10:;
第部分快速温度变化双液槽法
———11:;
第部分扫频振动
———12:;
第部分盐雾
———13:;
第部分引出端强度引线牢固性
———14:();
第部分通孔安装器件的耐焊接热
———15:;
第部分粒子碰撞噪声检测
———16:(PIND);
第部分中子辐照
———17:;
第部分电离辐射总剂量
———18:();
第部分芯片剪切强度
———19:;
第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响
———20:;
第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输
———20-1:、、;
第部分可焊性
———21:;
第部分键合强度
———22:;
第部分高温工作寿命
———23:;
第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验
———24:(HSAT);
第部分温度循环
———25:;
第部分静电放电敏感度试验人体模型
———26:(ESD)(HBM);
第部分静电放电敏感度试验机械模型
———27:(ESD)(MM);
第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级
———28:(ESD)(CDM);
第部分闩锁试验
———29:;
第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
———30:;
第部分塑封器件的易燃性内部引起的
———31:();
第部分塑封器件的易燃性外部引起的
———32:();
第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮
———33:;
第部分功率循环
———34:;
第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查
———35:;
第部分恒定加速度
———36:;
Ⅰ
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
第部分采用加速度计的板级跌落试验方法
———37:;
第部分半导体存储器件的软错误试验方法
———38:;
第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量
———39:;
第部分采用张力仪的板级跌落试验方法
———40:;
第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法
———41:;
第部分温度和湿度贮存
———42:;
第部分集成电路可靠性鉴定方案指南
———43:(IC);
第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法
———44:。
本部分为的第部分
GB/T493712。
本部分按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分
IEC60749-12:2002《12:
扫频振动
》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口
(SAC/TC78)。
本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所
:。
本部分主要起草人迟雷彭浩岳振鹏李树杰崔波高金环裴选张艳杰
:、、、、、、、。
Ⅱ
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
半导体器件机械和气候试验方法
第12部分扫频振动
:
1范围
的本部分的目的是测定在规定频率范围内振动对器件的影响本试验是破坏性试
GB/T4937,。
验通常用于有空腔的器件
,。
本试验与基本一致但鉴于半导体器件的特殊要求采用本部分的条款
GB/T2423.10—2008,,。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
电工电子产品环境试验第部分试验方法试验振动正弦
GB/T2423.10—20082:Fc:()
(IEC60068-2-6:1995,IDT)
3试验设备
本试验所需设备包括能在规定条件下进行扫频振动的振动装置以及试验后进行测量所必需的光
,
学和电气设备
。
4试验程序
样品应刚性地安装在振动台上引出端和电缆也应安全固定以避免引入额外的引线共振应使样
,,。
品做简谐振动其振幅两倍幅值为峰峰值或其峰值加速度为2取较小者振动频
,1.5mm(-),200m/s,。
率在范围内近似对数变化从再回到的整个频率范围的振
20Hz~2000Hz。20Hz~2000Hz20Hz
动时间不应少于在XY和Z个方向上各进行次这样的循环共次
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