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模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。2、 在N型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_饱和_区、_放大_区、_截止_区。5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管_，另一类称为_ 绝缘栅场效应管_。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为_反向接法_或_反向偏置_。7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 _，在电路中可以起_整流_和_检波_等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为_NPN_型和_PNP_型两种，它们的符号分别为_和_。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的_漂移_运动。10、硅二极管的死区电压约为_0.5_V，锗二极管的死区电压约为_0.1_V。11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的_1+_倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量_小_。12、场效应管实现放大作用的重要参数是_跨导_。13、PN结具有_单向导电_特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是_集电结_和_发射结_。15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_正向_偏置，集电路_反向_偏置。16、场效应管是_电压_控制型元件，而双极型三极管是_电流_控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置_。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极_、_发射极_和_基极_。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正_向电压；（2）集电结外加_反_向电压。22、N型半导体可用_正_离子和等量的_负电子_来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变_窄_。24、二极管的两个电极分别称为_阳_极和_阴_极，二极管的符号是_。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_左_移，输出特性曲线会 上 _移，而且输出特性曲线之间的间隔将_增大_。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是_温度_。27、P型半导体可用_负_离子和等量的_空穴_来简化表示。28、主要半导体材料是_硅_和_锗_；两种载流子是_空穴_和_电子_；两种杂质半导体是_P型_和_N型_。 29、二极管外加 正 向电压导通，外加 反 向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数会 变大 _，会 增加 _，导通电压会 变小 _ 。31、双极型三极管有两种载流子导电，即_多数载流子_和_少数载流子_导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即_多数载流子_导电。32、N型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是_空穴_。33、某晶体管的极限参数，。若它的工作电压，则工作电流不得超过_15_；若工作电压，则工作电流不得超过_100_；若工作电流，则工作电压不得超过_30_。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为=9V， =6.2V， =6V，则该三极管是_PNP_型三极管，A为_集电_极，B为_基_极，C为_发射_极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_恒流_区、_可变电阻_区、_夹断_区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_本征半导体_。38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是_发射区_、_基区_和_集电区_。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。A0 B死区电压 C反向击穿电压 D正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。A少子 B多子 C杂质离子 D空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。A截止 B放大 C饱和 D损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。A前者反偏、后者也反偏 B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏 D前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。A多子 B少子 C自由电子 D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为（A）（A）。A > B < C = D 7、对二极管正向电阻和反向电阻的要求是（ C ）A、都大 B、都小 C很小，很大 D大，小8、稳压二极管动态电阻（ B ），稳压性能愈好。A愈大 B 愈小 C为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。A 放大 B 截止 C 饱和 D 无法确定10结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A、D ）A自给偏压电路 B外加偏压电路 C无须偏置电路D栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。A温度 B掺杂工艺 C杂质浓度 D晶体管缺陷12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。A电荷 B电压 C电流13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。A大于 B小于 C等于 D变宽 E变窄 F不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。A左移，下移 B右移，上移 C左移，上移 D右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。A变窄 B基本不变 C变宽 D.先变窄，后变宽16、 在25ºC时，某二极管的死区电压Uth0.5V，反向饱和电流Is0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。A Uth0.575V，Is0.05pA B Uth0.575V，Is0.2pAC Uth0.475V，Is0.05pA D Uth0.475V，Is0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。A测试各极间电阻 B测试各极间、对地电压C测试各极电流 三、判断题1、 三极管在工作频率大于最高工作频率时会损坏。 （ ）2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）5、有人测得晶体管在=0.6V时，=5，因此认为在此工作点上的大约为。 （ ）6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ ）7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（ ）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ ）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（ ）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（ ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ）15、有人测试晶体管的，方法是通过测得晶体管的，推算出 。 （ ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V电极(e或b或c)ebccbeNPN或PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）管子类型NPNPNPNPNPNP各电极电位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2状态cbda3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分） （a）（b）答案：（a）D正偏导通I=2RI=6.2V（b）D仅偏截止I=0=0=10V4、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V， 求Uo为多少？（共3分）答：=9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。D导通，6、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9分）都不能放大电压信号（a） （b） （c）输入交流短路无直流基极偏压 输入交流短路7、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少？（共8分） （a） （b） （c） （d）8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出UO=？ （a）D导通 （b）D截止 （c）导通截止 （d）先导通截止 =0V =-3V- 22 -第二章 放大电路原理一、填空题1、BJT放大电路的三种基本组态中，_共集_组态带负载能力强，_共基_组态频率响应好，_共射_组态有倒相作用，_共集_组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_之和_。3、BJT放大电路的三种组态是_共射_、_共基_、_共集_。4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是_温度变化_。5、三极管_共集_组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。6、放大电路最常用的基本分析方法，就是_图解法_和_微变等效电路法_。7、共集电极放大电路又称为_射极输出器或射随器_。8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即_阻容耦合_、_直接耦合_、_变压器耦合_。9、放大电路的三种基本组态中，_共射_组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，_共集_只具有电流放大能力，_共基_组态只具有电压放大能力。10、放大的本质首先是实现_能量_的控制；所谓放大作用，其放大的对象是_变化量_。11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受_温度_的影响而发生波动，导致放大电路的_静态工作点_不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为_零点漂移_。二、选择题1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（ D ）。AQ点过高会产生饱和失真 BQ点过低会产生截止失真C导致Q点不稳定的主要原因是温度变化 DQ点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是_B_电路。A 共发射极 B 共集电极 C共基极 D不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（ D ） 。A.共射电路 B.共集电路 C.共源电路 D.共基电路4、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（ B ）。A输入电阻大 B输入电阻小 C输出电阻大 D 输出电阻小 5、多极放大电路的增益是（ B ）、输入电阻是（ A ）、输出电阻是（ C ）。A由第一级确定 B.由各级共同确定 C.由末级电路确定6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻的输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C ）A10K B2K C 1K D 0.5K7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（ A ）。A环境温度变化引起参数变化 B放大倍数太大C晶体管的噪声太大 D外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选）（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C ）。（2）要求能放大直流信号，可选用（B ）。（3）要求能放大高频交流信号，可选用（A,B ）。（4）要求电路的温漂小，可选用（A,C ）。（5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（C ）。A阻容耦合 B直接耦合 C变压器耦合9、用微变等效电路法分析放大电路（ B ）A只能分析静态工作点 B.只能分析动态参数C既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（ B ）； 既能放大电流，又能放大电压的电路是（ C ）。A 共基放大电路 B共集放大电路 C共射放大电路11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况,选择正确答案填入空格（1）减小时，输入电阻 _B_。（2）增大时，输出电阻 _A_。（3）信号源内阻增大时，输入电阻_C_。（4）信号源远内阻减小时，电压放大倍数 _A_。（5）负载电阻增大时，电压放大倍数_A_；（6）负载电阻减小时，输出电阻Ro _C_; (7) 若Rb减小，则静态的将_A_，将_B_电压放大倍数 将_A_。(8)若换一个值较小的晶体管，则静态的将_C_。(9) 增大时， 将_A_。(10) 增大时，将_B_。(11) 增大时，将_C_。(12) 增大时，将_C_。A.增大 B.减小 C.不变12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图：输出电压波形出现了顶部削平的失真，则：（1）这种失真是_B_ A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真。 （2）为了消除这种失真，应_D_ A减小集电极电阻 B.改换小的管子 C.增大基极偏置电阻Rb D减小基极偏置电阻Rb, E.减小电源电压。13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：电压波形出现了顶部削平的失真:则(1) 这种失真是_A_ A.饱和失真 B.截止失真 C 交越失真 D 频率失真。（2）为了消除这种失真，应_A，B，C_ A减小集电极电阻 B.改换小的管子 C增大基极偏置电阻Rb D.减小基极偏置电阻Rb E.减小电源电压。14、如下图，选择正确答案填空（1） 要使静态工作电流减小，则应_A_ 。（2）在适当范围内增大，则| _B_， _A_， _C_。（3) 在适当范围内增大，则| _C_， _C_， _C_。 (4) 从输出端开路，到接上，静态工作点将_C_， _B_，（设静态工作点偏低） (5) 减小时，直流负载线斜率_C_。(6)减小时，直流负载线斜率_A_。 A.增大 B.减小 C.不变(7) 若=10V, =4，=6，=3.3，=2，、足够大，设则: Vi=0，管压降大约是_B_ （A 4V B 4.7V C 7V D 5V) 使管子由50改为100，则|是 _A_ （A.约为原来的2倍 B.约为原来的 C.基本不变 D 约为原来的4倍） 保持=50不变，将由3.3改为6.6，则| _C_ 。（A 约为原来的2倍 B 约为原来的 C 基本不变 D 约为原来的4倍 E 约为原来的）15、两级放大电路=-40，=-50，若输入电压,则输出电压为_C_ A-200mV B.-250mV C.10V D.100V三、判断题1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的，不能正常放大的画×）。 × ×2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。 放大 截止 饱和 放大 3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分） (a) 放大 (b) 截止4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“”，“×”表示。每图3分，共12分） (a) × (b) × (c) × （d） × (e) × (f) 5、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（6分） (a) (b) × (c) ×6、如下图，判断是否正确：（1）=/（+）（ × ）（2） =/+(1+) （ × ）（3） =/ （ ）（4） =/ （ × ）（5） = （ ）（6） = - （ × ）（7） = （ × ）（8） = - （ ）7、判断下列说法是否正确，对的画，错误的画× (1) 晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（×） (2) 在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。（ ×）(3) 在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍。（ ）(4) 对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。（× ）(5) 共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不能用来实现功率放大。（× ）(6) 共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。（ ）(7) 共集放大电路可放大电压，但不能放大电流。（× ）(8) 共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压。（ ×）四 分析题1、试指出下图中电路的错误，并画出正确的电路（图中晶体管类型不允许改变）有三个错误：（1）：电源极性错（2）：极性错（3）：位置接错2、 分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路，要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。有三个错（1）位置接错（2）位置接错（3）位置接错3、 分析下图能否对的正弦电压进行线性放大，如不能指出错在哪里，并进行改正，要求不增减元件，且电压放大倍数绝对值要大于1，无直流成分。答：不能正常放大。 错误有：（1）位置接错。 （2）位置接错。 （3）、极性接反。 （4）若要，则不能从射极输出。= , 且无直流成分。4、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共集）若晶体管都工作在放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。均为共基组态。波形有错。（a）图波形应与波形相同。（b）图波形应无直流分量五、计算题1、在下图的放大电路中,设三极管的=30，=0.7V，= 1,=10,=1.3,=5,=12V。（1）试估算静态时的、；（5分）（2）设电容、和均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数；（5分）（3）估算放大电路的输入电阻和输出电阻；（5分）（4）如果去掉旁路电容，写出此时放大电路的中频电压放大倍数和输入电阻和输出电阻的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）（1） （2）(3)(4)断开，有电流串联负反馈，（下降），增加，不变；2、（20分）图示电路中，已知UBEQ=0.7V，=100，=374，RB1=5 k，RB2=15 k，RE=2.3 k，RC=RL=3 k，VCC=12V。（1）估算电路的静态工作点UBQ、ICQ、UCEQ（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数、 输入电阻Ri、输出电阻Ro（3）若信号源内阻为RS=1k时，求 的数值。（1） （2）图略 （3）3、如下图，足够大，（1）画出直流通路和微变等效电路（6分）。（2）设，求静态工作点、（4分）（3）求、，设=30，=194（6分）（4）、忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值（4分）（总共20分）解:（1）图略（2）（3）（4）不饱和失真 不截止失真 最大不是真输出电压峰值 4、如图所示电路中，已知三极管T为硅管 =337,UBEQ=0.7V,=50；Rb1=51K , Rb2=15K , RE=1K, Rc=2K,RL=2K,VCC=12V。(共18分) 试求： （1）静态工作点Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？ （2）电压放大倍数AU？输入电阻Ri? 输出电阻Ro?解：（1）（2）5、电路如下图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ0.7V。利用图解法分别求出RL和RL3k时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom。（共15分）解：6.根据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。（共15分）（1）图解法静态工作点Q（、）。（设=40uA,=50）（6分）（2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数、（设=340，=60）（9分）解: 相交Q点，得(2)7、如下图，足够大，（1）画出直流通路和微变等效电路（4分）。（2）求静态工作点、。（4分）（3）求输入、输出电阻、及电压放大倍数各自的表达式。（4分）（总共12分） (1)略（2）（3）=/ R=R/R=-=+(1+)=+8电路如下图所示，晶体管的100， rbb=100， =0.7V。（共20分）（1）画直流通路和微变等效电路。（6分）（2）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；（9分）（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（5分）(2) =2V =1mA=12-1(5+1.3)=5.7v=100+(1+100)=2.7k=-=-7.64=/+(1+)=3.66k=5k(3) Ce开路，Au下降，Ri上升，不变9 如图所示的放大电路（10分）（1）写出输出，输出时，电路的电压放大倍数、的表达式。（2）根据输入波形，当时，画出、的波形。10. 如下图，的=10ms, 的=100，=，试估算：（1）的值；(2) ；（3） 。(C1到C4足够大）11. 如下图，求（1）接在A(断开）时，（2）接在B点时的，设=，=100，并求这时的，。C足够大。（1）=（2）12. 如下图：（1） 推导出饱和条件（与电路参数关系式）（2） 若=120K，=100，=0.7V,试问电路工作在什么状态(放大，饱和，截止）（3) 应如何改变电路参数，使之脱离上述工作状态？(1)NPN管发射结正偏，要使集电结也正偏，必须,即得为饱和条件。（2）此时电路工作在饱和状态。（3）为了脱离饱和状态，有三个方法：，不变，不变，不变，换管子使