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文档简介

ICS29045H82巧昌中华人民共和国国家标准GB/T129652005代替GB/T129651996硅单晶切割片和研磨片MONOCRYSTALLINESILICONASCUTSLICESANDLAPPEDSLICES20050919发布20060401实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会OF,IIIGB/T129652005月U吕本标准的指标参照了国外有关标准见参考文献,结合我国硅材料的实际生产和使用情况,并考虑国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状进行修订而成的。本标准代替GB/T1296519960本标准与GB/T129651996相比,有如下变动增加了150MM,200MM的切割片和研磨片的相关内容根据近年来国内硅单晶的发展情况,并参照国际标准的相关内容修改了125MM切割片和研磨片的标准增加了“术语”一一删除了原标准中的635MM的产品参数一项一一在切割片和研磨片厚度中增加了注1,由供需双方根据需要制定厚度要求一一对150MM的切割片和研磨片规定了两种主副参考面的位置,即与主参考面成1800和1350两种对200MM切割片和研磨片规定了两种由切口的和有参考面的仅有主参考面而无副参考面,表征参考面尺寸采用主参考面直径增加了对倒角后边缘轮廓的要求本标准应与GB/T12962,GB/T12964配套使用。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。本标准由北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所负责起草。本标准主要起草人孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翟富义本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准所代替标准的历次版本发布情况为GB/T129651991GB/T129651996GB/T129652005硅单晶切割片和研磨片1范围本标准规定了硅单晶切割片和研磨片简称硅片的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉1悬浮区熔和中子嫂变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件,或进一步加工成抛光片2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注年代的引用文件,其随后所有的修改单不包括勘误的内容或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注年代的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T155。非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/丁28281计数抽样检验程序第一部分按接收质量限AQL检索的逐批检验抽样计划GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T662。硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12962硅单晶GB/T12964硅单晶抛光片GB/T13387电子材料晶片参考面长度测试方法GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法GB/T1414。硅片直径测量方法所有部分GB/T14844半导体材料牌号表示方法YS/T26硅片边缘轮廓检验方法3术语下列术语适用于本标准。31主参考面直径PRIMARYFLATDIAMETER从主参考面的中心沿着垂直主参考面的直径,通过硅片达对面的边缘周边处的直线长度。参见GB/T1296432硅片切口NOTCHONASILICONWAFER在硅片上加工的具有规定形状和尺寸的凹槽。参见GB/T12964。切口由平行规定的低指数晶向并通过切口中心的直径来确定。该直径又称取向基准轴。33合格质F区FQAFIXEDQUALITYAREA标称边缘除去X后,所限定的硅抛光片表面的中心区域,该区域内各参数的值均应符合规定值。GB/T1296520054产品分类41分类硅片按导电类型分为N型,P型两种类型,按硅单晶生长方法分为直拉CZ和悬浮区熔FZ和中子擅变掺杂三种规格。42牌号硅片的牌号表示按GB/T14844规定。43规格431硅片按直径分为0508MM,0762MM,0100MM,0125MM,0150MM和丸00MM六种规格。432非标准直径要求由供需双方协商提供。5技术要求51物理性能参数硅片的导电类型、掺杂剂、电阻率及径向电阻率变化、少数载流子寿命、氧、碳含量应符合GB/T12962的规定52几何参数521硅片的几何参数应符合表1的规定。522切割片、研磨片所有参数规格在表1中没有列出的,按供需双方协商提供。表1硅片几何尺寸参数要求产品名称硅片直径/MM508762100125150200直径允许偏差/MM士04士05士05士03士03士02切割片硅片厚度中心点/JAM260妻220340400500600厚度允许偏差/P士15士15士15士15士15士15总厚度变化加M不大于101010101010翘曲度WARP/P不大于253040405050崩边MM不大于050808080808研磨片硅片厚度中心点/P180180200250300500厚度允许偏差/PM士10士10士10士15士15士15总厚度变化丁TV/P不大于355555翘曲度WARP/PM不大于253040405050崩边MM不大于未倒角050808080808倒角03主参考面长度/MM160士20225士25325土25425士25575士25575士25副参考面长度/MM80士20115士15180士20275士25375士25无切口深度/MM10000角度/90_7主参考面直径/MM19550士020注0200MM硅片的基准标记分为有切口的和有参考面的两种,有参考面的用主参考面直径来表征GB/T12965200553晶体完整性硅片的晶体完整性应符合GB/T12962的规定。54表面取向541硅片的表面取向为100或1110542硅片表面取向的偏离为正晶向。士050偏晶向111硅抛光片有主参考面的,硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最邻近的方向偏25“士0400士0500有切口的,硅片表面法线沿垂直于切口基准轴的平面向最邻近的方向偏250士040。士0500543硅片是否制作参考面,由用户决定。544硅片主、副参考面取向位置和长度应符合表2及表1的规定。55基准标记551毛150MM硅片参考面取向及位置应符合表2的规定。表2硅片主副参考面位置或或导电类型表面取向主参考面副参考面P111110士10无N111110士10与主参考面成450士50P100110士10与主参考面成90“士50N100110士10与主参考面成1800士50镇“125MM硅片135。士50150MM硅片注对于111的硅片,可允许等效110的面是110,010和I01晶面对于100硅片,可允许等效110的面是010,011,OIL和OII晶面5520200MM硅片分有切口的和有参考面的硅片两种,均无副参考面切口和主参考面位置应符合表3要求,可分别参见GB/T129640表3切口及主考面位里切口基准轴取向110士10主参考面位置110士10注对111的硅片,可允许等效110的面是1I0,01I和I01晶面。对于100硅片,可允许等效110的面是OLI,011,OIL和01I晶面。56表面质F561硅片崩边的径向延伸应符合表1的规定。每个崩边的周长不大于2MM,每片崩边总数不能多于3个,每批硅片中崩边硅片数不得超过总片数的3000562硅片不允许有裂纹、缺口。563硅片经清洗干燥后,表面应洁净、无色斑、无沾污。GB/T129652005564硅切割片不得有明显切割刀痕。565硅研磨片表面应无划道、无刀痕。57边缘轮廓硅片经边缘倒角,倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26的规定,特殊要求可由供需双方协商确定。6试验方法616263646566676869610611612613614硅片导电类型测量按GB/T1550进行。硅片电阻率测量按GB/T6616进行。硅片径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。硅片晶向的测量按GB/T1555进行。硅片参考面长度测量按GB/T13387进行。硅片主参考面晶向测量按GB/T13388进行。硅片主参考面直径测量由供需双方商定的方法进行。硅片切口尺寸的测量由供需双方协商确定。硅片晶体完整性检验按GB/T1554进行。硅片直径测量按GB/T14140进行。硅片厚度和总厚度变化的测量按GB/T6618进行。硅片翘曲度测量按GB/T6620进行。硅片边缘轮廓检验方法按YS/T26进行。硅片表面质量检验按GB/T6624进行。7检验规则71检查和验收711产品应由供方技术质量监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质量保证书。712需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若检验结果与本标准或订货合同的规定不符时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。72组批硅片以批的形式提交验收,每批应由同一牌号,相同规格的硅片组成。73检验项目每批硅片抽检的项目有导电类型,晶向,晶向偏离,电阻率范围,径向电阻率变化,厚度,总厚度变化,翘曲度,表面质量,直径,主、副参考面位置和长度或切口尺寸及主参考面直径。74抽检741每批产品如属非破坏性测量的项目,检测按GB/T28281一般检查水平II,正常检查一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定的抽样方案进行。742如属破坏性测量的项目,检测按GB/T28281特殊检查水平S2,正常检查一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定的抽样方案进行。75检验结果的判定751导电类型、晶向检验若有一片不合格,则该批产品为不合格。其他检验项目的合格质量水平AQI见表4,GB/T129652005表4检测项目及合格质F水平序号检验项目合格质量水平AQL1电阻率范围10Z径向电阻率变化103晶向偏离104厚度偏差105总厚度变化106翘曲度107直径及直径偏差108切口尺寸109参考面位置1010参考面长度或直径2511表面质量崩边10沾污15划伤,亮点20裂纹、缺口10刀痕10色斑10累计25752抽检不合格的产品,供方可对不合格项进行全数检验,除去不合格品后,合格品可以重新组批。8标志、包装、运输和贮存81硅片用相应规格的盒子包装,每个片盒应贴有产品标签。标签内容至少应包括产品名称牌号,规格,片数,批号及日期,片盒再装人一定规格的外包装箱,采取防震、防潮、防污染措施。82包装箱内应有装箱单,外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识,并标明A需方名称,地点B产品名称,牌号C产品件数D供方名称。83每批产品应有质量证明书,写明A供方名称B产品名称及规格、牌号C产品批号D产品片数盒数E各项参数检验结果和检验部门的印记F本标准编号9出厂日期。84产品在运输过程中

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