GBT6619-1995硅片弯曲度测试方法

中华人民共和国国家标准CA/T6619一1995硅片弯曲度测试方法代替GB6619A6TESTMETHODSFORBOWOFSILICONSLICES第一篇方法A一一接触式测试方法1主题内容与适用范围本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片以下简称硅片弯曲度的接触式测量方法本标准适用于测量直径大于50MM,厚度为2001000FM的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用丁测量其他半导体圆片弯曲度。2方法原理将硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一个基准平面，用低压力位移指示器测量硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度。3测量仪器I1基准环基准环是由基座、3个支撑球、3个定位柱组成的专用器具，如图所示。国家技术监督局1995一04一18批准1995一1201实施CA/T6619一1995探头停放泣盈一IK州一接地线插孔F1片定位线3个直径为7工,MM的硬丈质合金球LK2001477,，、其中心距离的直位为丁3个尼龙减震器以120排“其中距离的百RY为，摄子柑的迸退1A59兰012IU36M230110115内日NU才01月八川们刀伪0仑G1片SAS76夕111IM1JLRIMM一U45GSS593CSIISFL112783707一图基准环311基座是由温度系数小于6X10S/的金属材料制成。基座外径比被测硅片直径大508MM左右，基座厚度大于19MM。基座底面应光滑，平整度应小于。26PM3123个支撑球由碳化钨或其他硬质合金制成，等间距分别置于基座的一定圆周仁，高度误差应小于10PM,表面光滑，粗糙度应小于025PM1133个定位柱由硬质塑料制成，位于3个支撑球对应的位置上，用以保证被测硅片中心与3个支点的几何卜L相重合，偏差小于10MM。定位柱对硅片不能有任何作用力32位移指示器321位移指示器应能上、下垂直调节，并指示出硅片中心点与基准面之间的距离322指示器指针应处于基准环中心，移动方向垂直于基准平面，偏差小于10323指针头部呈半球状，球体半径在1020MM之间324指针头部对被测硅片的压力应不大于。3N325位移指示器分辨率为1TEM33读数仪表读取位移数值的电动仪表，显示有效数字3位以上，单位为RCM4试样41试样表面应清洁、干燥CS/T6619一199542C参考面的硅片，测量前在硅片边缘应做出标记5测量程序51根据硅片试样的直径大小，选用或调节基准环的3个支点距硅片边缘3MN,O52将硅片试样的正面或规定面朝上，放入基准环中。521硅片试样如有参考面，应使参考面与基准环仁的标线平行52，2无参考面的硅片试样测量时在认定位置做出标记。53移动基准环，使硅片试样中心处在指示器指针之下54调节位移指示器，使硅片试样的正反两面都在测量量程之内55测量硅片试样中心所在位置，以读数仪表上读取数值，并记作F56顺时针转动硅片试样每转90测量一次，从读数仪表上读取数值，分别记作F2,FF5了翻转硅片试样，反面朝上放入基准环中，重复52,53,55各条测量步骤，读取测量数俏，记作B，并考虑数值的正负符号。58逆时针转动硅片试样每转动90,，对应于FI,FF的值，测量出相应的BBB,之侦。6测量结果计算61式中按照公式计算硅片弯曲度D_IF一B以一花下一几弯曲度,PMI二1,2,3,4一硅片正面测量数值，FAM一硅片反面测量数值，FMF召62取DD_D3,D,4个数值中的最大值作为该硅片的弯曲度。了梢密度本方法单实验室标准偏差为士30PMRISA8试验报告试验报告应包括下列内容A硅片试样批号、规格B测量仪R名称和型号C测量结果D本标准编号E测量单位及测量者F测量日期第二篇方法B一一非接触式测试方法9主题内容与适用范围本标准规定了硅片弯曲度的非接触式测量方法CB/16619一1995本标准的适用范围同第一篇方法八第1章10方法原理将硅片置于基准环的3个支点卜,3支点形成一个基准平面，月1只无接触的测量探L，测址硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度11测量仪器11门基准环同第一篇方法A第3飞条112测量仪测量仪由测量探头、显示器、花岗岩平台三部分组成112门测量探头是一对无接触位移传感器，上、下探头处在同一轴线上，能够上、下垂直调节，轴线与基准平面的法线之问的夹角应小于20,侮只探头能独立地测量与硅片最近表而的距离，探头分辨率优于025FPM们22显示器具有将测量探头输出的讯号进行数字处理，计算、存储功能，并用数字显示出探头与硅片表面的距离。1123花岗岩平台是一块结构细密、表面光滑的石板，面积大于305MMX355MM测量区表面平整度小F025FPM，并装有限制基准环移动范围的限位器113厚度校准片测量仪应备有的附件，用以校正测量仪12试样同第一篇方法A第4142条。13测量程序13门仪器校正131，根据硅片试样直径和厚度的大小，选用相应规格的基准环和厚度标准片标准片与硅片试样的厚度之差小于50VM1312将选好的基准环置于花岗岩平台上的限位器处，放入厚度标准片，使基准环中心对准测星探头13门，3将测量仪拨到“设定”位置，调整测量探头使其在有效测量范围内。再把测量仪拨到“测星”位置，转动“厚度调节”旋钮，使显示值达到标准片的厚度值1314取出厚度标准片132测量132门从测量仪上取出上探头，只使用下探头测量1322将硅片试样正面向上放入基准环，使硅片的主参考A或标记与基准环上的标线平行132,3移动基准环，使F探头对准硅片试样中心位置1324显示器复位。1325测量下探头至硅片下表面的距离，读取数值，记作F,1326顺时针转动硅片，每转900测量一次从读数仪表读取数值，并分别记作FF和11327翻转硅片试样，反而朝上，放入基雕环中，重复523525各条测址步骤，读取44里数值，记作B，并考虑数值的止负符号132E逆时针转动硅片试样，每转90，对应FF,F,之值，测壁出B_13,和13,之佰GB/T6619一199514测量结果计算同第一篇方法A第6162条15精密度本方法的精密度是经5个实验室巡回测试确定的，测试硅片试样共25片，硅片直径为762MM100M和125MM3种规格，精