毕业设计（论文）-Tb在BaTiO3中的固溶和介电、绝缘性质的研究.doc

吉林化工学院毕业论文tb在batio3中的固溶和介电、绝缘性质的研究study on solid solution and dielectric and insulating properties of tb in batio3学生学号： 06820114 学生姓名： 专业班级： 应用物理0601 指导教师： 职 称： 教授 起止日期： 2009.9.252010.6.13 吉 林 化 工 学 院jilin institute of chemical technology吉林化工学院毕业论文摘 要以钛酸钡基固溶体为主晶相的铁电陶瓷，具有较高的介电常数，良好的铁电、压电、耐压和绝缘性能。通过研究发现，陶瓷电容器具有高介电常数、低介电损耗、低等效电阻以及低等效电感等优势，尤其是钛酸钡(batio3)中介电性能的发现引起众多研究者的关注,并对多种氧化物分别掺杂后体系的介电及结构性能进行了研究。 batio3体系中不同位置上取代离子的尺寸及类型对电容器介质的介电性能具有举足轻重的影响。因为铽离子半径居中，有+3、+4两种价位，可以对钛酸钡进行双位掺杂，且目前国际上尚无这方面的研究，所以本文主要研究了掺杂七氧化四铽（tb4o7） 对batio3体系介电性能的影响，开发新的陶瓷电容器材料。本论文的主要内容包括：1. 采用固相反应法的冷压陶瓷处理技术，以分析纯的碳酸钡、钛酸钡、二氧化钛、七氧化四铽为原料，按照一定的的化学配比，制备一系列铽掺杂钛酸钡陶瓷材料。2. 利用xrd，ir，介电测试系统等测试分析技术对陶瓷材料的结构、微结构、介电温谱等进行分析。关键词: 铽掺杂钛酸钡；xrd；ir；x7r；微结构；介电温谱abstractbarium titanate dielectric ceramics containing batio3 solid solutions as major crystal phase have high dielectric constant, good ferroelectric, piezoelectric, oltage-resistant, insulation, capabilities. through the study, we can found that ceramic capacitors have many advantages such as high dielectric constant, low dielectric loss, low equivalent resistance and low equivalent inductance, especially the finding of dielectric property in barium titanate (batio3) caused the attention of many researchers. they have studied the structure and dielectric properties of the system which is doped with many oxides respectively.the size and type of ions which replace in different. because the ionic radius of tb is placed in the middle, tb has two valences,+3,+4, which determine that it can be dibit doped, and the research of this aspect has not been studied in the international, so this paper mainly studies the influence of dielectric system which is caused by tb4o7 dopped in batio3,develop new ceramic capacitor materials.the main work is as follows：1. using solid state reaction of the cold pressed ceramics processing technology to the fenxi chun barium carbonate, titanium dioxide, tb4o7 as raw material, in accordance with certain chemical ratio, prepared by high insulation, high dielectric rate of a series of tb-doped batio3 ceramics.2. using xrd, ir, dielectric test systems analysis techniques to test the structure of ceramic materials, the solution of the micro-structure (phase composition, grain size, grain - maung), dielectric temperature spectrum, and so were analyzed. key words: tb-doped batio3; xrd; ir; x7r; micro-structure;dielectric temperature spectrum 23目 录摘 要iabstractii目 录iii第1章 绪论11.1 引言11.2 钛酸钡的结构21.3 钛酸钡陶瓷的介电性能31.4 钛酸钡陶瓷的掺杂改性31.5 国内外研究现状41.6 本课题研究的目的和意义41.7本课题研究的内容、方法和工艺路线41.7.1 主要研究内容41.7.2 主要研究方法（实验设计）41.7.3 主要技术路线51.7.4 预期结果5第2章 铽钛酸钡陶瓷的制备62.1实验原料62.2 实验仪器62.3 实验过程62.4 陶瓷样品镀电极8第3章 样品测试与分析93.1 物理性质测试与分析93.1.1 密度测试93.1.2 收缩率测定93.2 xrd光谱测试93.2.1 测试条件103.2.2 测试结果103.2.3 结构分析133.3 ir测试与分析173.4 介电性能测试183.4.1 实验仪器及测试条件183.4.2 实验一陶瓷样品的介电测试193.4.3 实验二陶瓷样品的介电测试203.4.4 结果对比21结 论22参考文献23致 谢24tb在batio3中的固溶和介电、绝缘性质的研究第1章 绪论1.1 引言人们常把材料、能源、信息并列为现代科技的三大支柱，而材料又是其他两者的物质基础。由此可见，材料科学的作用和意义是不言而喻的。随着科学技术的进步，新兴技术对材料的开发提出了各种高性能的要求，先进陶瓷材料正是因其在很多情况下能满足这些要求而得到发展，并受到广泛的关注。陶瓷是微晶的集合体。先进陶瓷是新型无机非金属材料，也称新型陶瓷、高性能陶瓷、高技术陶瓷和精细陶瓷等。先进陶瓷材料与传统陶瓷材料的差别主要体现在以下几个方面：（1）原材料的不同。传统陶瓷以天然矿物，如粘土、石英和长石等不加处理直接使用；而现代陶瓷则使用经人工合成的高质量的粉体作起始材料。（2）结构的不同。由于原料的不同导致传统陶瓷材料中化学和相组成的复杂多样，杂质成份和杂质相较多而不易控制，显微结构粗劣而不够均匀，多气孔；先进陶瓷则一般化学和相组成较简单明晰，纯度高，即使是复相材料，也是人为调控设计添加的，所以先进陶瓷材料的显微结构一般均匀而细密。（3）制备工艺的不同。传统陶瓷用的矿物经混合可直接用于湿法成型，如泥料的塑性成型和浆料的注浆成型，材料的烧结温度较低，一般为900 到1400 1-4，烧成后一般不需加工；而先进陶瓷用高纯度粉体一般添加的有机添加剂才能适合于干法或湿法成型，材料的烧结温度较高，根据材料的不同从1200 到2200 ，烧成后一般尚需加工。（4）性能上的不同。由于以上各点的不同，导致传统陶瓷和先进陶瓷材料性能的极大差异，后者不仅在性能上远优于前者，而且先进陶瓷材料还发掘出传统陶瓷材料所没有的性能和用途。传统陶瓷材料一般限于日用和建筑使用，而先进陶瓷，具有优良的物理力学性能，高强、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高抗热震，而且在热、光、声、电、磁、化学、生物等方面具有卓越的功能，某些性能远远超过现代优质合金和高分子材料，因而登上新材料革命的主角地位，可以在工业各个领域，如石油、化工、钢铁、电子、纺织和汽车等行业中，以及在很多的尖端技术领域如航天、核工业和军事工业中有着广泛的应用价值和潜力。先进陶瓷从其用途上来看，又可分为结构陶瓷和功能陶瓷两大类。功能陶瓷是指那些利用其电、磁、声、光、热等直接效应和耦合效应所提供的一种或多种性质来实现某种使用功能的先进陶瓷。功能陶瓷的特点是品种多、产量大、单价低、应用广、功能全、技术高、发展快。功能陶瓷中一类“电子信息陶瓷”是一类重要的无机功能材料，一般是泛指用于电子工业和电子技术的陶瓷料。作为无机非金属材料重要组成部分的功能陶瓷，电子陶瓷已经逐步成为高技术发展的关键材料，随着现代电子信息技术、新能源技术以及军用技术的发展，功能陶瓷的战略地位愈发重要，开发功能陶瓷己引起世界各工业先进国家的高度重视。它涉及材料学、物理学、化学、电子学等多个学科的交叉领域。bati03是典型的钙钛矿结构材料，以batio3基固溶体5为主晶相的陶瓷是无铅陶瓷介质的代表性材料，具有较高的介电常数、良好的铁电、压电、耐电压和绝缘性能，是制造电容器的重要材料之一，在电子学、热学、光学等领域得到了广泛的应用，为新型无铅陶瓷介质材料的研发提供了广阔的前景。我们相信，钛酸钡系列电子陶瓷在电子工业中的巨大的应用价值和学术价值会促使人们不断进入这一领域，为材料科学带来了新的机会和挑战。可以预言，钛酸钡陶瓷必将在众多高科技领域得到广泛应用。1.2 钛酸钡的结构batio3是典型的钙钛矿型铁电体6-9。ba位于原胞的8个顶角上，o位于6个晶面的中心(面心)，而ti位于原胞的中心(体心)。对于钙钛矿型(abo3)结构来说，其形成条件：ra+rb = t( rb+ro )图1-1 钛酸钡立方相结构图a b o(c)(b)(a)ba ti o其中ra 、rb 和ro分别为a位(如ba)、b位(如ti)及o位离子的离子半径，t为容限因数，其值在0.77-1.1。只要离子半径匹配，原子价使整体成中性，a、b离子不一定要同batio3那样，分别为+2价和+4价，而也可以是+l价、+3价和+6价等。在钛酸钡的晶体中，ti所占空间还有空隙，因而ti可以偏离中心的位置移动，这时o亦随之产生相对的位移，在这种情况下，由于两电荷的中心不重叠，因而产生了自发偶极电矩。此外，这种位移还将使晶格发生畸变，使沿ti位移方向(极化方向，亦即c轴方向)略有所伸长，而与其垂直的方向上略有缩短。在120 以上为正交晶系，在此温度以下则转变为c轴比a轴略长的四方晶系，而在常温下，c/a的值约为1.01，这种晶格畸变正是batio3的电致伸缩效应的原因。120 的晶胞变态点称为居里点，在居里点以下，会沿c轴的正方向或负方向发生自发极化。1.3 钛酸钡陶瓷的介电性能纯钛酸钡陶瓷的介电常数在室温时约1400；而在居里点(120)附近，介电常数增加很快，可高达 60001000010 。室温下r随温度变化比较平坦，这可以用来制造小体积大容量的陶瓷电容器 11,12 。所以，对钛酸钡的介电性能的研究一直受到人们的关注，并且想通过各种途径，如掺杂，达到“移峰”和“压峰”的作用，进一步提高电容器的性能。1.4 钛酸钡陶瓷的掺杂改性做为典型的钙钛矿abo3结构的batio3晶体具有很高的介电常数。纯batio3陶瓷室温时的介电常数约1600左右；而在居里点（125 ）附近，介电常数增加很快，可达到600010000。由于batio3陶瓷室温下随温度变化比较平坦，这可以用来制造小体积大容量的陶瓷电容器。随着电子设备的元器件向高密度化、高集成化、微型化发展，纯钛酸钡远远达不到人们的使用要求，因此人们必须提高钛酸钡的室温介电常数。从20世纪六七十年代起人们便开始了对钛酸钡进行了多种掺杂改性的研究，国内外对此都有大量的报道11。在实际应用以及制造中人们需要调整居里点以及居里点处介电常数的峰值问题。对钛酸钡的掺杂取代分为等价取代、非等价取代和稀土掺杂取代。目前，各国科学工作者多采用作为现代工业维他命的稀土充当掺杂物对钛酸钡结构进行修改以优化其介电性能，研究表明：镧系的14种元素，作为“现代化学工业维他命”，当它们的离子被并入钛酸钡晶格中时，可以大大降低钛酸钡的介电损耗、温度系数和晶粒尺寸10-13，大尺寸镧系离子一般占据a位(如ba)，小尺寸镧系离子一般占据b位(如ti)，并产生氧空位14。 稀土元素的掺杂，使batio3 陶瓷满足x7r或x8r特性，可以应用于高压高介电陶瓷电容器中15。因此，镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改以提高钛酸钡陶瓷的介电物性在高介电材料基础研究与应用领域成为当前国际上的一个热点16,17。1.5 国内外研究现状国内对高介电材料的研究起步较晚，但目前比较活跃。国外对该材料的研究报道要比我国早几十年，基础性质及规律性的研究已经结束。然而，尚未系统地采用国产原料研究铽（tb）在batio3中的价位变化以及位替代对介电响应规律的影响。这是一项急需解决的研究课题，有利于新型高介电材料的开发。然而，在高技术产品的开发中，所采用原料（如纯度、晶粒尺寸、杂质等）不同，所获得的材料物性存在差异。在本项工作中，采用国产原料进行大量的基础研究和数据准备，是未来在学术和技术上进行比较研究的基础。1.6 本课题研究的目的和意义1、 新的电子整机系统、家用电器、通信设备、工业自动化等不断出现，为电容器发展提供了新的市场机遇。 2、该研究的目的是系统地研究国产原料中铽（tb）在batio3中的价位变化以及位置取代和介电响应的规律性，为新型的高介电环境友好型材料的制备和应用作好前期技术储备，在未来学术和技术上进行研究是一项迫在眉睫的任务。3、学习冷压陶瓷技术制备单相高介电陶瓷的方法，以及各种材料评价的测试分析技术，掌握基本技能，培养独立实验和科研能力。4、把我国丰产矿物质和具有广阔市场的高介电领域相结合，开发环境友好的高端高介电材料，为在未来电子工业中的产品化和开拓市场做好前期应用基础学术研究以及技术和数据储备。1.7本课题研究的内容、方法和工艺路线1.7.1 主要研究内容1、采用固相反应法的冷压陶瓷处理技术制备(ba1-x/4tbx/4)(ti1-3x/4tb3x/4)o3、(ba1-x/2tbx/2)(ti1-x/2tbx/2)o3系列单相陶瓷； 2、测试分析材料的介电性质和材料的结构、微结构之间的联系。1.7.2 主要研究方法（实验设计）1、以baco3、batio3和过渡金属氧化物tio2、tb4o7试剂级粉末为原料，采用冷压陶瓷技术合成特钛酸钡陶瓷材料；2、结构分析：运用x射线衍射（xrd）粉末衍射技术分析相纯度，运用ms modeling软件计算晶格常数；3、采用介电测试分析仪进行介电测试和介电性能评价；4、探讨宏观介电性质与微观结构和其他物性之间的联系。1.7.3 主要技术路线1、冷压陶瓷合成技术 包括研磨、低温培烧、再研磨、压片和陶瓷化烧结；2、陶瓷处理技术 - 陶瓷表面抛光技术；3、电极喷镀技术 - 制备陶瓷电容器的电极。1.7.4 预期结果（1）开发出(ba1-x/4tbx/4)(ti1-3x/4tb3x/4)o3、(ba1-x/2tbx/2)(ti1-x/2tbx/2)o3系列单相陶瓷材料；（2）获得材料的微观结构、介电特性等数据。第2章 铽钛酸钡陶瓷的制备2.1实验原料实验中所需要的主要药品、化学试剂等来源情况（名称、分子量、产地等）：碳酸钡（baco3）（上海帝阳化工有限公司；分析纯99.9 %）；钛酸钡（batio3）（上海帝阳化工有限公司；分析纯99.9 %）；二氧化钛（tio2）（上海帝阳化工有限公司；分析纯99.9 %）；七氧化四铽（tb4o7）（上海帝阳化工有限公司；分析纯99.9 %）；pva有机粘合剂（吉林化工学院材料科学与工程研究中心）。2.2 实验仪器（01）电子分析天平，型号：ar-1140，美国奥豪斯ohaus；（02）箱式电阻炉，型号：sx2-5-12箱式电阻炉，武汉亚华电炉有限公司；（03）压机，型号：yq30/41液压机，南通锻压设备有限公司；（04）智能型高温电阻炉，型号：sx2-12-16，武汉亚华电炉有限公司；（05）研磨抛光机，型号：unipol-820，沈阳科晶设备制造有限公司；（06）调温焊锡炉，型号：fd-161，台湾奋斗工具有限公司；（07）离子溅射仪，型号：sbc-12，中科仪；（08）显微镜，型号：4xb，沈阳科晶设备制造有限公司；（09）红外光谱仪，型号：specprum one，perkinelmer公司；（10）x射线衍射仪，型号：d8 advance，德国；（11）原子力显微镜，型号：cspm5000，中国本原纳米仪器公司；（12）介电测试系统，型号：m126096，哈尔滨工业大学研制。2.3 实验过程本实验制备铽钛酸钡陶瓷的方法：碳酸钡、钛酸钡、二氧化钛、七氧化四铽按照一定的摩尔比通过氧化物固相反应法合成。配料研磨煅烧二次研磨加粘合剂样品抛光处理高温陶瓷化烧结成型图2-1 制备铽钛酸钡陶瓷的工艺图实验工艺方法如图2-1所示，实验包括配料、陶瓷化烧结及陶瓷样品的基本处理。1、配料：用电子分析天平将baco3(99. 9 %) 、batio3(99. 9 %) 、tio2 ( 99.9 %) 和tb4o7(99. 9 %) 粉末按计算好的化学计量配比称量，称量误差要控制在万分之五范围内。2、研磨：将称量好的原料进行研磨，研磨时采用玛瑙研钵，每个样品研磨30 min。研磨开始前，要对样品进行简单混合，然后再对样品进行充分的研磨，保证样品混合均匀。3、预烧结：利用箱式电阻炉，升温时间为3小时，达到1100 ，保温5 h。使用的电炉为武汉亚华电炉有限公司生产的sx2-5-12箱式电阻炉，该电炉发热原理为电阻丝加热，温度曲线如图2-2所示。图2-2 sx2-5-12 电炉的温度曲线（）（min）4、二次研磨：将煅烧后的样品再次进行研磨，研磨时仍采用玛瑙研钵，每个样品研磨时间20 min。5、加黏合剂：为了满足成型要求，坯料中一般要加入粘合剂。使用的粘合剂为pva有机粘合剂，粘合剂用量根据不同样品的特点酌量添加。该过程在玛瑙研钵中进行，不断研磨，使胶与样品混合均匀。6、压片成型：压片成型使用yq30/41液压机压片，压力为200mpa，压力持续时间120 s，压片模具内径约为12.00 mm。样品在压片后，用600 #与1000 #砂纸打磨，去掉由于磨具而产生的黑边。压片成型后，对每个样品的直径、厚度、质量测量，用于后面的计算。7、高温陶瓷化煅烧：高温陶瓷化烧结使用的是智能型高温电阻炉，升温至1400 ，保温12 h，降温采用自然降温。高温陶瓷化煅烧使用的电路为武汉亚华电炉有限公司生产的sx2-12-16箱式电阻炉，该电炉发热原理为硅钼棒加热。恒温结束后使电炉自然降温。高温陶瓷化烧结后，样品形成陶瓷。2.4 陶瓷样品镀电极用小型离子溅射仪将抛光处理后的陶瓷坯体双面各镀金两分钟，在镀金区域均匀涂抹银膏，制作成未封装的平行板电容器，用于测量铽钛酸钡高介电陶瓷材料的介电性能。第3章 样品测试与分析3.1 物理性质测试与分析3.1.1 密度测试tb掺杂系列钛酸钡陶瓷粉末经过压片成型后，测量其密度（1）。然后进行陶瓷化烧结，并测量其烧结后的密度（2）。通过对xrd数据的分析可以计算出晶胞的体积，从而计算出样品的理论密度（）。样品烧结前密度1与烧结后密度2、烧结后密度2与理论密度百分比如表3-1所示。表3-1 样品密度数据样品名称1(g/cm3)2(g/cm3)(g/cm3)2/1/2tbs33.714.946.0881.25%75.10%tbs43.654.696.1176.76%77.83%tbs53.634.816.1278.59%75.47%tbs63.754.676.1376.18%80.30%tby53.755.476.0989.82%68.56%tbn53.85.516.0890.63%68.97%3.1.2 收缩率测定表3-2 铽钛酸钡陶瓷的径向收缩率和体收缩率随实验条件的变化样品名称径向收缩率体收缩率tbs310%27%tbs48%24%tbs510%26%tbs68%23%tby524%41%tbn513%33%从表3-2 中可以看出，铽掺杂碳酸钡陶瓷的径向收缩率在8%到10%之间，体收缩率在23%到27%之间；铽掺杂钛酸钡陶瓷的径向收缩率在13%到24%之间，体收缩率在33%到41%之间。3.2 xrd光谱测试通过对制备的陶瓷样品的xrd光谱分析，可以准确的了解陶瓷样品的晶体结果，以及计算晶体晶胞的晶格常数。本实验采用德国生产的d8 advance x射线衍射仪对所得陶瓷粉体进行物相分析。3.2.1 测试条件x射线源：cu k辐射；波长：cu k1（= 1.540526 ），cu k2（= 1.54439 ）；温度：25 ；2范围：10-120；步宽：0.02；扫描速率：4/min。3.2.2 测试结果图3-1是铽钛酸钡6种陶瓷样品粉体xrd图谱对比图。自下往上依次为tbs3，tbs4, tbs5, tbs6, tby5,tbn5。图3-1 铽钛酸钡6种不同掺杂陶瓷粉体xrd图谱（cu k1，=1.540526 ）图3-2(a)-(f)是在条件为（1400 12h）下制备的铽钛酸钡陶瓷，经过xrd测试分析后所得的衍射角和峰强度谱图。基于materials studio modeling软件的处理，除去cu k2的贡献，使用sma4win软件，对样品特征衍射峰45进行拟合，经过观察，45特征峰为双峰结构，是四方结构的特征峰，与计算结果一致。其中45峰值为其特征峰。图3-2（a） tbs3陶瓷粉体xrd图谱及特征峰（cu k1，=1.540526 ）图3-2 (b) tbs4陶瓷粉体xrd图谱及特征峰（cu k1，=1.540526 ）图3-2 (c) tbs5陶瓷粉体xrd图谱及特征峰（cu k1，=1.540526 ）图3-2 (d) tbs6陶瓷粉体xrd图谱及特征峰（cu k1，=1.540526 ）图3-2 (e) tby5陶瓷粉体xrd图谱及特征峰（cu k1，=1.540526 ）图3-2 (f) tbn5陶瓷粉体xrd图谱及特征峰（cu k1，=1.540526 ）3.2.3 结构分析x射线衍射（x-ray diffraction xrd）技术是鉴定物质晶相、研究晶体结构快速而有效的一种测试方法。当x射线射入晶体试样时，会产生向各个方向散射的x射线，其中只有符合布拉格方程2dsin= n的方向上才能产生衍射。每种晶体都有自己特有的晶格结构，所以发生衍射的角度和强度各不相同，用记录仪记录样品发生衍射的角度和强度，即可绘出x射线图谱，结合x射线的标准jcpds卡片，即可进行物相和结构分析。此外，根据x射线衍射线的线形及宽化程度可以测定多晶试样中晶粒大小，应力和应变，还可以根据晶面间距和晶体结构计算晶格常数。在结构分析过程中，用到以下软件：1、materials studio modeling（accelry，inc.）软件；2、sma4win软件；3、记事本软件；4、office excel软件。对陶瓷样品的粉末做xrd图谱测试，对得到的图谱利用materials studio modeling计算软件处理，处理中除去来自cu k2（= 1.54439 ）的贡献，自动计算衍射背底后，除去衍射背底，将得到的图谱平滑处理，得到精确计算晶体结构的最终数据。然后利用sma4wine软件，对谱图中出现的衍射峰，进行gaussian拟合，精确测量峰的位置与强度，利用拟合得到的峰位置与强度，再次利用ms modeling软件计算，最终可以确定陶瓷样品的晶体结果与晶格常数等结果。同时，利用ms modeling得到的峰位置以及x射线衍射的波长，利用布拉格方程：2dsin = ，可以计算晶面间距。表3-3是通过ms modeling计算软件得到的计算结果。在1400保温12 h的条件下，铽钛酸钡六种陶瓷tbs3、tbs4、tbs5、tbs6、tby5、tbn5均为四方钙钛矿结构。表3-3samplesystemabcvtbs3tetragonal3.99823.99824.0304590909064.436.08tbs4tetragonal3.995313.995314.0350290909064.416.11tbs5tetragonal3.996813.996814.0350890909064.466.12tbs6tetragonal4.00084.00084.0366990909064.616.13tby5tetragonal3.998683.998684.0335390909064.496.09tbn5tetragonal4.001034.001034.0371790909064.636.08表3-4至表3-9是tb掺杂系列陶瓷样品的粉体xrd计算数据。dobs和dcal 分别表示除去cu k2射线的影响和背底后所观察到的和计算的平面间距，i/i0表示相对强度，（hkl）是米勒指数。基于materials studio modeling软件的处理，由表中数据45和65特征峰为双峰，可以看出铽钛酸钡为四方结构。表3-4 tbs3晶体米勒指数、对应角度、晶面间距和峰强度比值数据(hkl)2-obs2-cal2()d-obs()i/i0-obs00122.08322.0439.47497.4911110022.21122.2239.247104.651210131.48631.4927.704883.8910011031.65131.6227.56213.272411138.85438.8822.465270.43100244.96344.9419.426106.441220045.31745.3319.275177.762010250.65150.6917.25637.247420150.9550.9517.15654.105611255.99355.9915.621136.251521156.22956.2415.556150.331720265.72965.7413.32892.981122066.05266.0513.26325.584321270.35370.3312.46220.133210374.32774.3411.80429.67331075.05375.0811.69242.787511378.70978.7211.1578.6036131179.36779.3611.06615.766222283.39483.4210.5431.755421391.5691.559.61838.831431291.95791.959.57726.159332192.18492.189.55427.0643表3-5 tbs4晶体米勒指数、对应角度、晶面间距和峰强度比值数据(hkl)2-obs2-cal2()d-obs()i/i0-obs00122.08422.0739.47376.2811010022.23422.2539.20782.9981110131.51431.5427.679751.8210011031.78531.8627.44426.639411138.88238.8322.449201.22700245.04745.0219.39102.051420045.36645.3519.254112.081510250.6550.6517.25734.041520151.04351.0317.12514.408211256.09156.0815.594145.791921156.30456.2915.53656.517820265.57165.5713.3615.988222065.79265.8213.31566.625910374.34674.3511.80117.254231075.09575.1311.68531.192411378.72678.7411.15519.842331179.42479.4111.05817.723222283.46883.4710.53121.467321391.59191.599.61529.336431292.013929.57220.16332192.27992.259.54525.143300122.08422.0739.47376.28110表3-6 tbs5晶体米勒指数、对应角度、晶面间距和峰强度比值数据( hkl)2-obs2-cal2()d-obs()i/i0-obs00122.10822.11439.43115.6471510022.23222.24439.2132.1228410131.48131.47427.708773.92710011031.62131.56827.586178.2532311138.83138.8822.478204.6462600245.09845.10919.368129.2411720045.36145.38719.25653.715710250.76350.78817.21821.7745320150.89450.85117.17415.5267211255.83155.85415.66652.5339721156.08756.09215.595163.412120265.57565.53213.35963.3668822065.71765.713.3331.8687421270.31170.29512.46916.648230070.62470.64412.41517.155210374.33374.34911.80312.6871230175.03775.01611.69433.1723411378.73578.72711.1538.34804131179.36479.38211.06615.2392222283.43383.44310.53622.5189321391.57491.5689.61734.4501431291.96891.979.57616.7038232192.24392.2129.54827.97494表3-7 tbs6晶体米勒指数、对应角度、晶面间距和峰强度比值数据( hkl)2-obs2-cal2()d-obs()i/i0-obs00122.10822.11439.43118.8121910022.23222.24439.21105.2911710131.48131.47427.708189.4343011031.62131.56827.586627.67610011138.83138.8822.478151.532400245.09845.10919.368124.9242020045.36145.38719.25657.0987910250.76350.78817.21835.0143620150.89450.85117.17422.7505411255.83155.85415.666147.1712321156.08756.09215.59565.52171020265.57565.53213.35963.60771022065.71765.713.3316.7921321270.31170.29512.46915.927310374.33374.34911.80323.016430175.03775.01611.69457.5918911378.73578.72711.15314.9496231179.36479.38211.0664.46506122283.43383.44310.53639.8926621391.57491.5689.61734.6972631291.96891.979.57641.3498732192.24392.2129.54847.304925表3-8 tby5晶体米勒指数、对应角度、晶面间距和峰强度比值数据( hkl)2-obs2-cal2()d-obs()i/i0-obs00121.99722.00439.62982.9159910022.21722.21339.23794.87851010131.49231.47727.698951.51810011031.64331.61727.567469.6344911138.85838.86522.463357.5693800244.92544.90819.44288.5799920045.3345.32119.269246.1422610250.64450.65217.25931.1335321050.99751.02917.1455.852611255.95655.95715.632130.2821421156.2256.22115.559269.2912820265.69165.70813.335116.0871222066.02466.02913.26968.3119710374.35374.37511.824.3041330175.00374.98211.780.7856811378.77978.74811.14712.5724131179.35579.34411.06831.3777322283.40683.42410.53945.7885521391.5591.5249.61953.9393631291.90491.9169.58348.2705532192.13492.1519.55956.10636表3-9 tbn5晶体米勒指数、对应角度、晶面间距和峰强度比值数据( hkl)2-obs2-cal2()d-obs()i/i0-obs00122.00621.99939.61278.7994810022.19822.239.27145.1811510131.45331.45327.733970.05310011031.60131.59827.603513.4945311138.83938.83722.474356.5623700244.8844.86519.46193.27651020045.28945.29319.287252.6122610250.60450.60717.27235.4551420150.94850.917.15649.42825210 50.99711255.91955.90915.642135.5241421156.1856.18215.57294.523020265.65265.65313.343122.381322065.99165.98513.27661.5677621270.23770.23712.48214.32621 70.405 10374.374.311.80938.5248431074.97875.00611.70367.4365731179.379.28611.07542.0538422283.3683.35310.54548.