计算机组成原理PPT电子教案课件-第4章存储系统.ppt

第4章 存储系统,4.1 存储器概述 4.1.1 存储器的分类 1. 按存储介质分类 (1) 半导体存储器 (2) 磁存储器 (3) 激光存储器 2. 按存取方式分类 (1) 随机存储器 (2) 顺序存储器 3. 按读/写功能分类 (1) 只读存储器 (2) 读/写存储器,半导体存储器 磁表面存储器 随机存储器 顺序存储器 只读存储器(rom) 随机读写存储器(ram) 非永久记忆的存储器 永久性记忆的存储器 主存储器 辅助存储器 高速缓冲存储器 控制存储器,按存储介质分 按存取方式分 按读写功能分 按信息的可保存性分 按在计算机系统中的作用分,4.1.2 存储系统的分级结构,图4.1 多级存储器结构,4.2 主存储器,4.2.1 概述 1. 基本概念 存储位是存储器中记忆信息的最小单位。 一个存储器单元若能存放在一个机器字，则称为字存储单元； 若能存放一个字节，则称为字节存储单元。 每个存储单元有一个编号，称为地址。 因此，有字地址和字节地址之分。,2. 主存储器的技术指标,存储容量 一个存储器中可容纳的存储单元的总数称为该存储器的存储容量。 存取时间 从存储器接收到读/写命令到从存储器中读出或写入信息所经历的时间。存取时间又称为存储器访问时间。 存储周期 连续两次访问存储器所需要的最小时间间隔。存储周期略大于存取时间。 存储器带宽 单位时间内存储器存取的信息量。,3. 主存空间 主存的存储空间简称主存空间。主存空间一般包含可读/写存储空间和只读存储空间。,4.2.2 随机存取存储器,mos存储器分为: 静态mos存储器 动态mos存储器 静态mos存储器常简记为sram 动态mos存储器常简记为dram。,1. 静态mos存储器(sram),(1) sram的组成,图4.2 sram结构图,1) 存储体 存储体是存储器的记忆部件，由大量存储位排列成矩阵构成，存储体又称为存储矩阵。,图4.3 六管存储位电路,写操作,读操作,图4.4 6464存储矩阵,图4.5 4k4位存储体示意图,2) 地址译码器,单译码方式 通常采用一个地址译码器进行译码。这种方式中每条选择线直接选中一个存储单元，这种方式下选择线的数目与存储单元的数目是相等的，它适合于容量较小的存储器。 双译码方式 双译码方式(见图4.2)将地址分作两个部分，用两个译码器分别对它们进行译码。 x向译码称为行译码，y向译码称为列译码。 只有x向和y向同时选中的存储位才真正获得工作条件，才能进行读/写操作。,3) 驱动器 4) i/o电路 5) 控制电路,(2) sram的操作过程,写操作,读操作,(3) sram芯片举例,图4.6 2114引脚图,图4.7 2114逻辑结构图,2. 动态mos存储器(dram),(1) 动态mos单管存储位,图4.9 动态单管存储位电路,(2) dram芯片举例,图4.10 2116引脚,图4.11 2116芯片内部逻辑结构,表4.1 2116引脚说明,图4.12 2116局部电路图,(3) dram的刷新,(4) 刷新控制线路,图4.14 刷新控制电路逻辑框图,4.2.3 只读存储器,随机存取存储器(ram)可进行读/写两种操作，只读存储器(rom)只能进行读操作。 rom中的信息是预先固化或写入的。它向cpu提供固定的信息。 rom的组织结构大体与ram的相同，也由存储矩阵，地址译码驱动器，i/o缓冲等部件组成。 它的最大特点是当电源断开时，所记忆的信息不会丢失，通电后仍然保持着原来所记忆的信息状态。,1. rom存储信息的原理和组成,(1) rom存储位,图4.15 rom存储位,(2) rom的组成,图4.16 161位rom结构,2. 不同类型的mrom,(1) 掩膜型只读存储器(mrom) (2) 可编程只读存储器(prom) (3) 可擦除可编码程只读存储器(eprom),图4.17 eprom存储位,3. eprom芯片举例,图4.18 eprom芯片,表4.2 2716的工作方式,4.2.4 主存储器与cpu的连接,1. 主存与cpu的连接,主存与cpu间必须完成地址、控制信号和数据3类信号线的连接。 (1) 地址线及其连接 (2) 数据线及其连接 (3) 控制信号,2. 主存空间的组成,(1) 字长的扩充,图4.19 用2k2位芯片组成2k8位存储器,图4.20 芯片表示的主存空间,(2) 字数的扩充,图4.21 8k8位芯片组成328位存储器,图4.21中各芯片在存储器中的地址范围,4.2.5 几种新型存储器,1. novram novram是一种非易失性随机存储器 所谓“非易失性”指关掉电源后，存储器中的记忆的信息不会丢失。 典型的产品为带有锂电池保护的静态novram。它是一种厚膜集成电路，将sram、微型电池、电源检测和切换开关封装在一个芯片中，因此，其厚度比普通sram要大一些，而引脚与普通sram芯片兼容，由于采用了cmos工艺，novram芯片中的数据可保存10年以上。 novram的写数据时间短，适合存放实时采集的重要数据。,2. flash memory flash memory是一种快速擦写的存储器，通常称为闪速存储器，是一种非易失性存储器。 flash memory的存储位是在coms单晶体管eprom存储位的基础上制造的，不同的是eprom可通过紫外线擦除，而flash memory采用电擦除方式，并且具有多编程次数的特点。 特别是它具有的集成度高、抗振动、高可靠性和价格低的特点，使得用它组成大容量存储装置代替小型磁盘存储器成为现实。 flash memory的工作方式有读工作方式、编程工作方式、擦除工作方式等。 信息写入后flash memory通常工作在读方式，需要完成编程和擦除工作时采用改写命令(或称指令)寄存器方法改变工作方式，去实现擦除或编程功能。,4.2.6 高速主存储器,提高主存速度以匹配cpu的速度可采用如下措施和方法： 采用新材料、新技术制作的存储器，以缩短存储器的 存取时间或存取周期； 增加存储器字长，让一个存储单元存放多个字，这样 就可在一个存取周期内存取多个字； 采用双端口存储器，使存储器可并行操作； 将主存划分为多个模块，使多个模块并行工作。 后两种方法是从存储器的结构着手来提高存储器的速度的，下面分别讨论。,1. 双端口存储器,图4.22 双端口存储器示意图,2. 多模块存储器,多模块存储器的设计思想是: 将存储器分成多个模块，每个模块都能独立工作，对存储器访问时能轮流访问多个模块，并使多个模块并行工作，在一个存取周期内从存储器中取出多条指令，以提高机器运行的速度。,(1) 交叉编址方式 在理想的情况下，程序和数据块都是在主存中连续存放的,(2) 多模块存储器基本结构 为了使每个模块都能独立工作，每个模块必须配置自己的读/写控制电路、地址寄存器和数据寄存器。,图4.24 多模块交叉访问存储器基本结构,图4.25 4模块存取示意图,对于4个模块的存储器，cpu分时轮流访问4个存储模块，并且每经过1/4存储周期就访问一个模块。 对每个模块仍需一个存储周期才能完成读/写操作,4.3 高速缓冲存储器,cache(高速缓冲存储器)具有高速度、小容量的特点，在主存容量以百兆字节为单位的情况下，cache容量只有几百千字节，但速度比主存快得多。 从功能上看，它是主存的缓冲存储器，它由双极型存储器或高速的sram组成，为追求高速度，包括比较、管理在内的全部功能都由硬件实现，这些控制、管理对程序员来说是透明的。 随着半导体器体集成度的提高，有的cache已集成于cpu中，从而能组成两级和两级以上的cache系统。,4.3.1 cache的基本原理,图4.26 cache结构原理图,主存与cache的快存之间是以数据块为单位交换数据的，一个块由若干字组成，块的大小是固定的。 图4.26中，管理逻辑部件始终管理着cache的使用情况； 相联存储器用来存放已调入cache数据块的地址等，相联存储器是一种按内容访问的存储器，能比较总线上的地址和自身存放的地址(数据块的地址)； 快存是储部件。它存放的信息是主存中信息的副本，并且只能容纳一部分主存空间的信息。 cache与主存合称为内存。 当cpu访问的内存地址给出后，该地址先与相联存储器中存放的地址比较，判定要访问的字是否在cache中，若在cache中，则访问cache，称为命中；若不在cache中，则访问主存，称为未命中。,4.3.2 相联存储器与命中率,图4.27 相联存储器存储位,图4.28 相联存储器结构,1. 相联存储器,图4.29 块地址与块内地址,图4.30 块地址比较命中示意图,2. 命中率 在程序执行期间，设cpu访问cache的总次数为nc，访问主存的总次数为nm，h定义为命中率，则有：,命中率越接近1越好，命中率与程序的结构、cache的容量、组织方式、块的大小和替换策略有关,cache/主存系统的平均访问时间 :,式中，tc在表示命中时的cache访问时间；tm表示未命中时的主存访问时间。,4.3.3 主存与cache的地址映射,cache容量小，所保存的内容只是主存内容的一个子集。cache与主存以块为单位交换信息，因此，必须应用某种方法把主存的块定位到cache中，这称为地址映射。 映射的含义是确定位置的对应关系，并用硬件实现。这样，当cpu访问内存时，在命中的情况下，它所给出的主存地址会自动变换成cache的地址。 地址的映射方式有直接映射方式、全相联映射方式和组相联映射方式等，下面分别介绍。,1. 直接映射方式,图4.29 块地址与块内地址,以图4.29所示的假设为例，主存32k字分成2048块，每块16个字；cache 4k字分成256块，每块16个字。采用直接映射方式需要将主存的32k字分成8个区，每区256块，每块16个字。这样其地址可表示如下：,在直接映射方式中，只能将主存某个区的第i块存放到cache的第i块中，即某时间cache的第i块，只能存放主存某一个区的第i块，而不能是其它块。图4.31所示的为直接映射方式的示意图，图中区号即区地址。,图4.31 直接映射示意图,2. 全相联映射方式,全相联映射方式只需要将主存分成若干块，仍以图4.29所示的为例，主存分作2048块，每块16个字。全相联映射方式中，主存的任何一块可定位于cache的任意一块中。这种方式灵活，不受限制。,(a) 全相联方式地址映射示意图,(b) 全相联映射地址变换 图4.32 全相联映射的cache组织,3. 组相联映射方式,组相联映射方式是将主存分成若干区，每一区包括若干组，每一组包含若干块；将cache也分成若干组，每组若干块。组之间用直接映射方式，组内的块采用全相联映射方式。以图4.26所示主存和cache的容量为例，主存和cache的地址可表示如下：,这种映射方式采用的是直接映射方式和全相联映射方式相结合的方式,(a) 组相联地址映射示意图,(b) 组相联地址映射地址变换 图4.33 组相联地址映射cache组织,4.3.4 替换策略与写操作策略,1. 替换策略 当一个新的主存数据块要拷贝到cache中，而cache中允许存放此块的空间被其它的主存块占满时，就要进行替换，即将新的主存块替换原来的主存块。 替换哪一块是与cache的组织方式密切相关的。 对直接映射的cache来说，因一个主存块只有一个特定的cache块可存放，只要把新的主存块替换掉特定的cache块即可。 对全相联和组相联来说，新的主存块可替换的cache块较多，如何选定一个cache块替换，就涉及到替换的策略(算法)，用硬件实现的常用算法有下面三种。,(1) 最不经常使用(lfu)算法 lfu算法确定近一段时间内被访问次数最少的cache块被替换(淘汰)。为此，每个cache块设置一个计数器，cache被访问时，被访问的cache块计数器增1。新块调入后计数器都从零开始计数。当需要替换时对各计数器的计数值进行比较，计数值最小的块被替换。这种算法计数周期为两次替换之间的时间，因此，不能准确反映近期被访问的情况。 (2) 近期最少使用(lru)算法 lru算法确定近期内长久未被访问过的cache块被替换。为此，每个cache块也设一个计数器，cache命中一次，命中的相应块的计数器清0，其它各块计数器增1。当需要替换时，比较各计数器的计数，计数值大的cache块被替换。这种算法保护了刚拷贝到cache中的块，可使cache有较高的命中率。 (3) 随机替换 随机替换实际上不要什么算法，新主存块可随机地替换cache中允许替换块中的一块。这种策略的优点是容易实现，速度也比前两种快；缺点是随意替换的块可能马上又要使用，会使命中率和效率降低。,2. 写操作策略,(1) 全写法 当写操作命中时，数据既要写入cache，又要写入内存。这就保证了cache的内容与主存的一致。 当写操作未命中时，仅对主存进行写操作。 此时修改过的主存块是否调入cache有两种选择方式： 一种方法是取主存块到cache， 另一种方法是不取主存块送cache。,(2) 写回法 当写操作命中时，数据当前只写入cache，而不写入主存。在此块被淘汰时才写回主存。 要实现这种方法，每个cache块都必须配置一个修改位，以反映此块中内容被修改过否。当此块被淘汰时，根据修改位的状态，决定该块内容是写回主存还是简单弃去。 写操作未命中时，先将相应主存块调入cache，然后数据写入cache。写主存的操作统一在此cache块被淘汰时再进行。这种方式写cache和主存异步进行，可显著减少写主存的次数 (3) 写一次法 写一次法是前两种方法的结合。写命中与写未命中的处理方法与写回法基本相同，只是第一次写命中时要同时写入主存。此法常用于多级cache组织。,4.4 外 存 储 器,4.4.1 磁表面存储器原理,1. 磁记录读/写原理,图4.34 磁头在磁表面存储信息原理图,2. 记录方式,图4.35 磁记录方式,4.4.2 硬盘存储器,1. 硬盘存储器的读/写过程 2. 硬盘存储器的基本结构,图4.36 硬盘驱动器组成结构图,(1) 盘片 (2) 磁头 (3) 主轴和主轴电机 (4) 磁头寻道与磁道跟踪系统,目前用户所使用的硬盘主要是温彻斯特磁盘，简称温盘。温盘的主要特点是如下。 把磁头、小车、导轨、主轴和盘片等封装在一个腔体内，制成一个整体组件，称为hda (head disk assembly)。 这种结构的最大优点是，盘片和磁头之间没有互换要求，每个磁头只读出它自己写入的信息，磁头不再需要做径向和偏斜等调整，有利于提高磁道密度。 另外，整体封装有利于防尘，磁头的浮动高度大大降低，提高了位密度和可靠性。 采用了质量轻、浮力小的磁头。采取了接触起停方式，又称为css方式(contact start stop)。这种方式下，启动和停机时，磁头是降落在盘面上的。盘面上有一个起停区，停机时，磁头降落在起停区内。盘片起动旋转时，轻质磁头在盘面上滑行，当盘片由低速过渡到正常速度时，磁头浮起。从而精简了过去磁头退出盘面和进入盘面的一套机构。 由于采用了接触起停的方式，磁头与盘面有摩擦。为了延长使用寿命，除了在主轴电机上装有制动机构，缩短停机摩擦过程外，盘面上还涂有一层润滑剂以减少摩擦。,3. 硬盘存储器的数据信息分布,图4.37 扇区示意图,4. 硬盘存储器的技术指标,硬盘存储器的主要指标包括存储密度、存储容量、存取时间及数据传输率。,存储密度 存储密度分道密度、位密度和面密度等。 道密度是沿磁盘半径方向单位长度上的磁道数，单位为道/in。 位密度是磁道单位长度上能记录的二进制代码位数，单位为位/in。 面密度是位密度和道密度的乘积，单位为位/in2。,存储容量 一个硬盘存储器所能存储的字节总数，称为硬盘存储器的存储容量。,平均存取时间 存取时间是指从发出读/写命令后，到开始从盘片表面读出或写入信息所需要的时间。 这段时间由两个数值所决定： 一个是将磁头定位至所要求的磁道上所需的时间，称为定位时间或寻道时间； 另一个是寻道完成后至磁道上需要访问的信息到达磁头下的时间，称为等待时间 平均存取时间等于平均寻道时间与平均等待时间之和。,数据传输率 数据传输率是指存储器在单位时间内向主机传送数据的字节数，数据传输率与存储设备和主机接口逻辑有关。 假设磁盘旋转速度为n，每条磁道容量为n个字节，则数据传输率dr=nn(b/s)，也可以写成dr=dv(b/s)，其中d为位密度，v为磁盘旋转的线速度,例4.1 磁盘组有6片磁盘，每片有两个记录面，最上和最下两个面不用。存储区域内径22cm，外径33cm，道密度为40道/cm，内层位密度400位/cm，转速2400 r/min。问： (1) 共有多少柱面? (2) 盘组总存储容量是多少? (3) 数据传输率为多少? 解 (1) 有效存储区域=(33-22)/2cm=5.5cm。因为道密度=40道/cm，所以40道/cm5.5cm=220道，即220个圆柱面。,(2) 内层磁道周长为 2r=23.1411cm=69.08cm，因此， 每道信息量=400位/cm69.08cm =27632位=3454字节 每面信息量=3454字节220=759880字节 盘组总容量=759880字节10=7598800字节 (3) 磁盘数据传输率dr=rn。其中，n为每条磁道容量，n=3454字节；n为磁盘转速，n=2400r/60 s=40 r/s。 因此， dr=nn=403454字节=13816字节/s,4.4.3 磁带存储器,在所有磁存储介质中，磁带是单位存储信息成本最低、容量最大的存储介质，常用来做数据备份。 整个磁带机的组成包括：磁头、磁带及基本的硬件结构 1. 磁带机的工作原理 一般磁带机的主要组成部分有走带机构，带盘驱动机构，磁带缓冲机构，读/写装置和自动装、卸带机构等。 磁带上的数字信息是以数据块的形式记录的，每次读/写完毕，磁头必须停在两个数据块之间的间隔区，以保证下一个读/写操作的正确性。,2. 磁带机技术 根据磁带的读/写工作原理，可将磁带机所采用的技术分为： (1) 螺旋扫描技术 磁带机以螺旋扫描方式读/写磁带上数据。该技术与录像机基本相似，磁带缠绕磁鼓的大部分，并水平低速前进，而磁鼓在磁带读/写过程中反向高速旋转，安装在磁鼓表面的磁头在旋转过程中完成数据的读/写工作。 (2) 线性记录技术(数据流技术) 线性记录技术读/写磁带数据的工作方式，与录音机工作方式基本相同。向磁带写数据或从磁带读数据时，磁头静止不动，磁带以平行磁头的方向高速掠过。 (3) lto技术(linear tape-open technology) lto技术采用线性螺旋技术，极大地提高单磁带的数据备份量,3. 磁带和磁带机的分类,磁带机的种类很多，根据前面所讲的读/写工作原理，磁带机总体上分为三大类：螺旋扫描磁带机、数据流磁带机、lto磁带机。,4.4.4 光盘存储器,光盘存储系统的主要部件是光盘机，光盘机由光盘和光盘驱动器组成。光盘由基片、记录介质层和保护层等多层材料制成，其中记录介质材料是数据存储的关键材料。 光盘存储器的基本原理是利用聚焦成极小的激光束照射介质，使介质产生变异，实现信息的记录；反过来，通过对介质变异而形成两种不同状态的检测，识别出这些光学性质的变化，将所记录的信息读出。 1. 光盘的分类 按读/写性质来分，光盘分为只读型光盘、一次写入光盘、重写型光盘三类。,(1) 只读型光盘(cd-rom) 这类光盘所存储的内容是由光盘制造商、系统开发商或软件出版商预先完成的并在生产过程中一次性压制到盘片上的，记录的内容只能读出，不能修改。这类光盘包括cd、ld、cd-rom、cd-i、video-cd和dvd-rom等。 (2) 一次型光盘(cd-r) 用户可以在这种光盘上记录信息，但记录信息会使介质的物理特性发生永久性变化，因此只能写一次。写后的信息不能再改变，只能读。典型产品是cd-r。用户可在专用的cd-r刻录机上向空白的cd-r写入数据。 (3) 重写型光盘(cd-rw) 用户可对这类光盘进行随机写入、擦除或重写信息。比较典型的产品有两种。 相变盘(pc)。 磁光盘(mo)。,2. cd-rom (1) cd-rom存储原理,(a) 盘片膜层活动 (b) cd-rom 图4.39 cd-rom存储原理,(2) cd-rom驱动器的分类 按外型来分，可分为: 外置式和内置式两类。 按速度分，可分为: 单倍速机(150kb/s)、双倍速机、4倍速机、6倍速机、8倍速机、40倍速机、50倍速机等。 按接口形式分，可分为: scsi接口、ide接口、usb接口。,(3) cd-rom盘片数据分布 cd-rom共有3种类型的光道: cd-da光道，用于存储声音数据； cd-rom mode 1，用于存储计算机数据； cd-rom mode 2，用于存储声音数据、静态图像或电视图像数据。 cd-rom标准使用了一部分用户数据当作错误校正码，也就是增加了一层错误检测和错误校正，使cd盘的误码率下降到1012以下。,cd-rom的环形空间分为以下3个主要的区域，如图:,图4.40 cd-rom数据分布剖面图,图4.41 cd-rom数据分布逻辑结构图,(4) cd-rom扇区数据结构 信息记录的轨迹称为光道。光道上划分出一个个扇区，它是光盘的最小可寻址单位。扇区的结构如图4.42所示,图4.42 光盘扇区结构,例4.2 cd rom光盘的外缘有5mm宽的范围因记录数据困难，一般不使用，故标准的播放时间为60min。计算mode1和mode2情况下光盘存储容量是多少? 解 : 扇区总数=606075=270000(扇区) mode1存放计算机程序和数据，其存储容量为: (2700002048/1024/1024)mb=527mb mode2存放声音、图像等多媒体数据，其存储容量为: (2700002336/1024/1024)mb=601mb,3. 一次性写多次读光盘(cd-r) 4. 相变光盘 5. 磁光盘 6. dvd,4.5 虚拟存储器,虚拟存储器是将主存和辅存由硬件及操作系统统一控制和管理而形成的存储体系。 它形成的庞大存储空间，使用户编程时不受主存容量限制，也不需要考虑放在什么位置，编好的程序由操作系统装入辅存。 程序运行时，硬件机构和操作系统中的存储管理软件会将程序一块块自动调入主存让cpu执行，尽管存储体系的容量很大，但cpu只能执行调入主存的程序。,虚拟存储器的辅存空间可以为用户可编程时使用。这样cpu执行程序时所生成的地址是虚拟地址，又称为逻辑地址。 虚拟地址经过转换后形成实际地址，又称为物理地址即主存地址，cpu根据物理地址访问主存才能得到要处理的信息。 虚拟地址对应的存储空间称为虚拟空间(或逻辑空间)，它是程序员能使用的空间。物理地址对应的空间是主存空间。 虚拟空间是cpu可访问的空间，程序执行时少量程序在主存，其它的程序在辅存。当程序访问的信息在主存中时，只需将cpu给出的虚拟地址转换成物理地址访问主存即可；当访问的信息不在主存时，则应将其从辅存调入主存并建立地址映射关系，然后形成物理地址，访问主存才能得到cpu所需要的信息。 根据采用的地址映射方法不同，虚拟存储器的管理分为: 段式 页式 段页式管理,4.5.1 页式虚拟存储器 页式虚拟存储器是以页为基本单位进行管理的虚拟存储器。页式虚拟存储器将物理空间和虚拟空间划分成大小相同的页。一个页为2的整数幂个字(例如，4kb)。 因此，物理地址分为两个字段： 高位字段为物理页号 低位字段为页内地址。 程序中的逻辑地址可由基号、逻辑页号和页内地址组成。 基号是操作系统给每个程序产生的地址段附加的地址字段，用作区别不同程序的地址空间。 页式管理设置了页表，每个页表项包含主存页号、装入位等。,图4.43 页式虚拟存储器地址变换过程,4.5.2 段式虚拟存储器,把主存按段分配的存储管理方式称为段式管理方式，采用段式管理的虚拟存储器称为段式虚拟存储器。 在段式管理系统中，操作系统给每个运行的程序分配一个或几个段，程序运行时只能访问与段对应的主存空间 虚拟存储器中允许一个段映射到主存的任何位置，为了把虚拟地址变换成物理地址，系统中需要设置段表指明程序的各段在主存中的位置，每个段表项包含段基址、装入位和段长。 段可大可小。 段起址是该段在主存中的起始地址，指向段中的第一个字；装入位仍表示该段装入主存与否，段长表示该段占用了多少主存空间，它可用来检查访问地址是否越界。 段表中还可以设访问方式字段，如段只能读、可写和只能执行等，以提供对段保护的依据。,图4.44 段式虚拟存储器地址变换,4.5.3 段页式虚拟存储器,段页式管理的虚拟存储器称段页式虚拟存储器，段页式管理是段式管理和页式管理的结合。 在这种管理方式下，把程序按逻辑功能分段以后，再把每段分成固定大小的页。 段的大小通常是页的整数倍，数据调入、调出主存以页为单位进行。 每道程序由若干段组成，每段又由若干页组成， 这样虚拟地址应包括基号、段号、页号、页内地址4个字段。 段页式管理方式为大多数计算机所采用。,图4.45 段页式虚拟存储器地址变换,4.6 存 储 保 护,4.6.1 存储区域保护 对于不是虚拟存储