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EM78P153S 8-Bit Microcontroller with OTP ROM Product Specification DOC. VERSION 1.4 ELAN MICROELECTRONICS CORP. December 2003 Trademark Acknowledgments: IBM is a registered trademark and PS/2 is a trademark of IBM. Windows is a trademark of Microsoft Corporation. ELAN and ELAN logo are trademarks of ELAN Microelectronics Corporation. Copyright 2005 by ELAN Microelectronics Corporation All Rights Reserved Printed in Taiwan The contents of this specification are subject to change without further notice. ELAN Microelectronics assumes no responsibility concerning the accuracy, adequacy, or completeness of this specification. ELAN Microelectronics makes no commitment to update, or to keep current the information and material contained in this specification. Such information and material may change to conform to each confirmed order. 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ELAN MICROELECTRONICS CORPORATION Headquarters: No. 12, Innovation Road 1 Hsinchu Science Park Hsinchu, Taiwan 30077 Tel: +886 3 563-9977 Fax: +886 3 563-9966 .tw Hong Kong: Elan (HK) Microelectronics Corporation, Ltd. Rm. 1005B, 10/F Empire Centre 68 Mody Road, Tsimshatsui Kowloon , HONG KONG Tel: +852 2723-3376 Fax: +852 2723-7780 elanhk .hk USA: Elan Information Technology Group 1821 Saratoga Ave., Suite 250 Saratoga, CA 95070 USA Tel: +1 408 366-8223 Fax: +1 408 366-8220 Europe: Elan Microelectronics Corp. (Europe) Siewerdtstrasse 105 8050 Zurich, SWITZERLAND Tel: +41 43 299-4060 Fax: +41 43 299-4079 http:/www.elan- Shenzhen: Elan Microelectronics Shenzhen, Ltd. SSMEC Bldg., 3F, Gaoxin S. 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Version Revision Description Date 1.1 Initial version 1.2 Change Initialized Register Values, Internal RC Drift Rate, DC and AC Electrical Characteristic 05/02/2003 1.3 Change Power on reset content 06/25/2003 1.4 Add the Device Characteristic at section 6.3 12/31/2003 EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 1 (This specification is subject to change without further notice) 1 一般描述一般描述 EM78P153S是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1024*13 bit 的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有15位选项位可满足用户要求，其中的保 护位可用来防止程序被读出。 由于有OTP-ROM，EM78P153S提供给用户一个方的开发和检验他们的程序的环境。 而且，程序代码可用ELAN编程器写入芯片。 2 性能特点性能特点 ? 14个引线封装：EM78P153S ? 工作电压范围：2.3V5.5V ? 适用温范围：0 70 ? 工作频范围（基于2个Clock）： 晶振模式：DC-20MHZ at 5V,DC-8MHZ at 3V,DC-4MHZ at 2.3V ERC模式：DC-4MHZ at 5V,DC-4MHZ at 3V,DC-4MHZ at 2.3V ? 低功耗： * 在5V/4MHz时低于1.5mA * 在3V/32KHz时为15uA * 在休眠模式时为1uA ? 1024x13位片内ROM ? 内置4个校准IRC振荡器(8MHz ,4MHz ,1MHz ,455KHz ) ? 振荡器起振时间预分频系数可编程 ? 一个安全位（代码寄存器中）保护程序被读出 ? 一个结构寄存器满足用户要求 ? 32x8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ? 2组双向I/O端口 ? 5级用于子程序嵌套的堆栈 ? 8位实时计时/计数器（TCC），其信号源、触发边沿可编程选择，溢出时产生中断 ? 节能模式（SLEEP模式） ? 三种可用的中断： * TCC溢出中断 * 输入引脚变化中断（从休眠模式唤醒） EM78P153S OTP ROM 2 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) * 外部中断 ? 可编程自由运看门狗定时器（WDT） ? 7个可编程上I/O引脚 ? 7个可编程极开 I/O引脚 ? 6个可编程下I/O引脚 ? 每个指周期为两个时钟周期：99.9%的指为单周期指 ? 封装类型：14脚SOP、DIP 14管脚DIP 300mil：EM78P153SP 14管脚SOP 150mil：EM78P153SN ? 系统高低频的变化点是400KHZ 3 管脚分配管脚分配 1 2 3 4 5 8 9 10 EM78P153S 6 7 11 12 13 14P50 P67 P66 Vdd P65/OSCI P64/OSCO P63/RST P51 P52 P53 Vss P60/INT P61 P62/TCC 图1 管脚分配 表1 管脚说明 Symbol Pin No. Type Function Vdd 4 - 电源提供. P65/OSCI 5 I/O * 一般I/O 脚. * 外部时钟信号输入. * 晶振的输入脚. * 内部上和级开 * 脚的状态改变时从睡眠模式唤醒. P64/OSCO 6 I/O *一般I/O 脚 *外部时钟信号输入. *晶振的输入脚. * 内部上和级开 EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 3 (This specification is subject to change without further notice) Symbol Pin No. Type Function * 脚的状态改变时从睡眠模式唤醒 P63/RESET 7 I * 如果被设置为/reset且保持在逻辑低，系统将会复位 *脚的状态改变时从睡眠模式唤醒 * 正常模式下，/reset脚上的电压能大于vdd * 定义为/reset时具有内部上功能 * P63只能是输入脚 P62/TCC 8 I/O *一般I/O 脚 *内部上/级开/内部下 *脚的状态改变时从睡眠模式唤醒 * 外部定时/计数输入 P61 9 I/O *一般I/O 脚. *内部上/级开/内部下. *脚的状态改变时从睡眠模式唤醒. * 编程模式下为施密特触发器输入 P60/INT 10 I/O *一般I/O 脚. *内部上/级开/内部下. *脚的状态改变时从睡眠模式唤醒. *编程模式下为施密特触发器输入. * 低电平触发的外部中断脚. P66, P67 2, 3 I/O *一般I/O 脚. *内部上/级开 *脚的状态改变时从睡眠模式唤醒. P50P53 1,1413 I/O *一般I/O 脚. *内部下 P53 12 I/O *一般I/O 脚. VSS 11 - *地. EM78P153S OTP ROM 4 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) 4 功能描述功能描述 Interrupt Controller ROM Instruction Register Instruction Decoder R2 ALU Stack ACC R3 R4 Oscillator/Timing Control WDT timer Prescaler R1(TCC) RAM DATA & CONTROL BUS OSCI OSCO /RESET TCC/INT I/O PORT 6 IOC6 R6 Built-in OSC P60 P61 P62/TCC P63/REST P64/OSCO P65/OSCI P66 P67 I/O PORT 5 IOC5 R6 P50 P51 P52 P53 图2 功能块图 4.1 操作寄存器操作寄存器 4.1.1 R0（间接地址寄存器）（间接地址寄存器） R0并非实际存在的寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何以R0作为指针的 指实际上是对R4指定的RAM寄存器进操作 4.1.2 R1（计时（计时/计数器）计数器） 由TCC引脚上的信号边沿或指周期触发产生加1操作（CONT-4TE位定义） 和其他寄存器一样可读可写 靠清PAB（CONT-3）定义 如果清PAB位（CONT-3），预分频器分配给TCC 当TCC寄存器被写入一个值时，预分频器的值会被清0 4.1.3 R2（编程计数器）与堆栈（编程计数器）与堆栈 R2和硬件堆栈有10位元宽。图3描述其结构 产生1024x13bits片内OTP ROM地址以获取对应程式指代码。每个程序页为1024字长 EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 5 (This specification is subject to change without further notice) 复位后R2的所有位均清“0 “JMP指直接装载R2低10位。因此，“JMP指跳转范围为一个程序页面内 “CALL指加载PC的低10位，然后PC+1进入堆栈。因此，子程序的入口地址限在 同一程序页面内 “RET（“RETL K，“RETI）指将栈顶数据装入PC “ADD R2,A允许“A的值加到当前PC，但同时PC的第9、10比特位被清0 “MOV R2,A允许将寄存器“A的值装入PC的低8位，但同时PC的第9、10比特位 被清0 任何对R2的内容进直接修改的指（如：“ADD R2,A，“MOV R2,A，“BC R2,6）将引起PC的第9、10比特位（A8、A9）被清0。因此，产生的跳转限于同 一页面的前256个地址 改变R2内容的指需要2个指周期，除此之外，所有的指均只需1个指周期 PC (A9 A0) Stack Level 1 Stack Level 3 Stack Level 2 Stack Level 4 Stack Level 5 On-chip Program Memory 000H 3FFH 008HInterrupt Vector User Memory Space Reset Vector 图3 程序计数器结构 Address R PAGE registers IOC PAGE registers 00 R0 Reserve 01 R1 (TCC) CONT (Control Register) 02 R2 (PC) Reserve 03 R3 (Status) Reserve 04 R4 (RSR) Reserve 05 R5 (Port5) IOC5 (I/O Port Control Register) 06 R6 (Port6) IOC6 (I/O Port Control Register) 07 Reserve Reserve EM78P153S OTP ROM 6 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) Address R PAGE registers IOC PAGE registers 08 Reserve Reserve 09 Reserve Reserve 0A Reserve Reserve 0B Reserve IOCB(Pull-down Register) 0C Reserve IOCC(Open-drain Control) 0D Reserve IOCD (Pull-high Control Register) 0E Reserve IOCE(WDT Control Register) 0F RF (Interrupt Status) IOCF(Interrupt Mask Register) 10 2F General Registers 图4数据存储器的配置 4.1.4 R3（状态寄存器）（状态寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 RST GP1 GP0 T P Z DC C Bit0（C） 进位标志位 Bit1（DC） 辅助进位标志 Bit2（Z） 标志位 算术或逻辑操作结果为时置为“1 Bit3（P） 低功耗位 在上电或执指 “WDTC时置为1，执指“SLEP时置为0 Bit4（T） 时间溢出位 执指“SLEP和“WDTC或上电时置1，WDT时间溢出时置0 Bit56（GP01） 通用读/写位。 Bit7（RST） 复位类型位 是由引脚变化从休眠状态唤醒，该位置1 其余复位类型该位清0 EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 7 (This specification is subject to change without further notice) 4.1.5 R4（RAM 选择寄存器）选择寄存器） Bit05在间接寻址方式中用于选择RAM寄存器（地址：0006，0F2F） Bit67通用读写位 数据存储器配置见图4 4.1.6 R5R6（端口（端口5端口端口6） R5和R6是I/O寄存器 只有R5的低4位可用 R5的高4位设置为0 P63只能置为输入 4.1.7 RF（中断状态寄存器）（中断状态寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 - - - - - EXIF ICIF TCIF “1表示有中断请求，“0表示没有。 Bit0（TCIF） TCC溢出中断标志。TCC溢出置1，软件清0 Bit1（ICIF） P6口输入变化中断标志。P6口输入变化置1，软件清0 Bit2（EXIF） 外部中断标志。由/INT引脚上的下沿置1，软件清0 Bit37 未使用。 RF可软件清0，但可置1 IOCF是中断屏蔽寄存器 注意读RF的结果是RF和IOCF相与的结果 4.1.8 R10R2F 所有这些是8位元通用寄存器 4.2 特殊寄存器组特殊寄存器组 4.2.1 A（加法器）（加法器） 内部数据传输，或者指操作数保持 它可以被寻址 4.2.2 CONT（控制寄存器）（控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 - INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0 EM78P153S OTP ROM 8 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) Bit0（PSR0）Bit2（PSR2） TCC/WDT预分频器位。 PSR2 PSR1 PSR0 TCC Rate WDT Rate 0 0 0 1:2 1:1 0 0 1 1:4 1:2 0 1 0 1:8 1:4 0 1 1 1:16 1:8 1 0 0 1:32 1:16 1 0 1 1:64 1:32 1 1 0 1:128 1:64 1:256 1:128 Bit3（PAB） 预分频器分配位 0：TCC 1：WDT Bit4（TE） TCC信号边沿选择位 0：TCC引脚信号发生由低到高变化加1 1：TCC引脚信号发生由高到低变化加1 Bit5（TS） TCC信号源选择位 0：内部指周期时钟 1：外部输入信号（此时P62/TCC置为输入） Bit6（INT） 中断使能标志位 0：由DISI指或硬件中断屏蔽 1：由ENI/RETI指使能中断 Bit7 未使用 CONT寄存器可读可写 4.2.3 IOC5IOC6（I/O端口控制寄存器）端口控制寄存器） “1定义对应I/O引脚为高阻状态，“0定义其为输出 IOC5仅低4位可以定义 IOC5和IOC6寄存器可读可写 4.2.4 IOCB（下控制寄存器）（下控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 - /PD6 /PD5 /PD4 - /PD2 /PD1 /PD0 EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 9 (This specification is subject to change without further notice) Bit0（/PD0） P50管脚的下使能控制位 0：内部下使能 1：内部下禁止 Bit1（/PD1） P51管脚的下使能控制位 Bit2（/PD2） P52管脚的下使能控制位 Bit3 未使用。 Bit4（/PD4） P60管脚的下使能控制位 Bit5（/PD5） P61管脚的下使能控制位 Bit6（/PD6） P62管脚的下使能控制位 Bit7 未使用 IOCB寄存器是可读可写的 4.2.5 IOCC（极开控制寄存器）（极开控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 OD7 OD6 OD5 OD4 - OD2 OD1 OD0 Bit0（OD0） P60管脚的极开使能控制位 0：极开输出禁止 1：极开输出使能 Bit1（OD1） P61管脚的极开使能控制位 Bit2（OD2） P62管脚的极开使能控制位 Bit3 未使用 Bit4（OD4） P64管脚的极开使能控制位 Bit5（OD5） P65管脚的极开使能控制位 Bit6（OD6） P66管脚的极开使能控制位 Bit7（OD7） P67管脚的极开使能控制位 IOCC寄存器是可读可写的。 4.2.6 IOCD（上控制寄存器）（上控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 /PH7 /PH6 /PH5 /PH4 - /PH2 /PH1 /PH0 EM78P153S OTP ROM 10 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) Bit0（/PH0） P60管脚的上使能控制位 0：内部上使能 1：内部上禁止 Bit1（/PH1） P61管脚的上使能控制位 Bit2（/PH2） P62管脚的上使能控制位 Bit3 未使用。 Bit4（/PH4） P64管脚的上使能控制位 Bit5（/PH5） P65管脚的上使能控制位 Bit6（/PH6） P66管脚的上使能控制位 Bit7（/PH7） P67管脚的上使能控制位 IOCD寄存器是可读可写的 4.2.7 IOCE（WDT控制寄存器）控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 WDTE EIS - - - - - - Bit7（WDTE） 看门狗定时器的使能控制位 0：WDT禁止 1：WDT使能 WDTE是可读可写的。 Bit6（EIS） P60管脚（/INT）功能控制位 0：P60，双向I/O管脚 1：/INT，外部中断管脚。在这种情况下，P60的I/O控制位（IOC6的Bit0）必 须设置为“1 当EIS为“0时，/INT通道被屏蔽 。为“1时，/INT管脚的状态可以由P6端口读取 （R6）。参考图7 EIS是可读可写的 Bit05 未使用 4.2.8 IOCF（中断屏蔽寄存器）（中断屏蔽寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 - - - - - EXIE ICIE TCIE EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 11 (This specification is subject to change without further notice) Bit0（TCIE） TCIF中断使能位。 0：TCIF中断禁止 1：TCIF中断使能 Bit1（ICIE） ICIF中断使能位 0：ICIF中断禁止 1：ICIF中断使能 Bit2（EXIE） EXIF中断使能位 0：EXIF中断禁止 1：EXIF中断使能 Bit37 未使用 IOCF寄存器是可读可写的 4.3 TCC/WDT & 预分频器预分频器 有一个8位计数器可以作为TCC或WDT的预分频器。在同一时刻它只能提供给其中一 方，这由CONT寄存器的PAB位决定。PSR0PSR2位确定分配系数。分配给TCC， 则每次写TCC均将预分频器将被清0。分配给WDT使用， WDT和预分频器均在执指 “WDTC和“SLEP时清0。图5描述TCC/WDT的电图。 R1（TCC）是8位的定时/计数器。TCC时钟源可以是内部时钟或者外部时钟（由TCC引 脚输入，触发沿可选择）。如果是内部时钟，每个指周期TCC加1（无预分频器）。 参考图5，CLK=Fosc/2或者CLK=Fosc/4取决于CODE的操作位CLK。如果CLK位为 “0，则CLK=Fosc/2，如果CLK位为“1，则CLK=Fosc/4。如果TCC的信号源来自 于外部时钟输入，TCC管脚的下沿或上升沿触发时TCC加1。 看门狗定时器是一个自由运的片内RC振荡器 。 当振荡驱动器关闭时 （如在休眠模式下） WDT还将保持运。在正常操作或者休眠模式时，WDT溢出时将引起芯片复位 （WDT 使能）。在正常工作时，WDT可由软件设置IOCE0的WDTE位来使能或禁止。在没有预 分频器情况下，WDT溢出时间约为18ms1（默认值）。 4.4 I/O端口端口 I/O寄存器组，包括端口5和端口6，是双向三态I/O端口。P6口除P63外可由软件 设置为内部上或极开输出。P6口具有输入状态变化中断（或唤醒）功能。P5052 和P6062可由软件设置为下。除P63外，各I/O引脚由I/O控制寄存器 （IOC5IOC6） 定义为“输入或“输出。I/O寄存器组和I/O控制寄存器组可读写。I/O接口电如 图6、7、8。 1注意：Vdd=5V，起振时间=16.5ms30% Vdd=3V，起振时间=18ms30% EM78P153S OTP ROM 12 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) Data Bus TCC Pin Data Bus TCC Pin CLK(Fosc/2 or Fosc/4) 0 1 M U X M U X 1 0 SYNC 2 cycles TCC(R1) TETS PAB TCC Overflow Interrupt PAB PAB 0 1 M U X WDT WDTE (in IOCE)MUX WDT Time Out 8-bit Counter 8-to-1 MUX PSR0PSR2 01 CLK(Fosc/2 or Fosc/4) 0 1 M U X M U X 1 0 SYNC 2 cycles TCC(R1) TETS PAB TCC Overflow Interrupt PAB PAB 0 1 M U X WDT WDTE (in IOCE)MUX WDT Time Out 8-bit Counter 8-to-1 MUX PSR0PSR2 01 图5 TCC和WDT的模块图 PCWR PCRD PDWR PDRD IOD 0 1 M U X PORTQ Q _ D D Q Q _ CLK P R C L CLK P R C L *图中未显示下 图6 端口5的I/O端口和I/O控制寄存器的电 EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 13 (This specification is subject to change without further notice) PCRD IOD PCW R PDW R PDRD Bit 6 of IOCE PORT T10 M U X 0 1 CLK CLK CLK CLK P P P P R R R R C L L L L C C C Q Q Q Q Q Q Q Q D D D D _ _ _ _ *图中未显示上（下）、极开 图7 P60(/INT)的I/O端口和I/O控制寄存器电 PCWR PDWR PDRD TIN IOD PORT 0 1 M U X CLK CLK CLK P P P L L L R R R C C C D D D Q Q Q Q Q Q _ _ _ *图中未显示上（下）、极开 图8 P60P67的I/O端口和I/O控制寄存器电 EM78P153S OTP ROM 14 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) /SLEP Interrupt ENI Instruction DISI Instruction Interrupt (Wake-up from SLEEP) Next Instruction (Wake-up from SLEEP) CLK CLK CLK Q Q Q Q Q Q _ _ _ D D D P P P L L L R R R C C C ICIF P60 P61 P62 P63 P64 P65 P66 P67 ICIE 图9 输入变换中断唤醒的端口6的I/O框图 表2 P6口输入改变引起唤醒中断的用法 Port 6 输入状态变化唤醒输入状态变化唤醒/中断的用法中断的用法 (I) Port 6输入状态变化唤醒 (II) Port 6输入状态变化中断 (a) SLEEP前 1. 读 I/O Port 6 (MOV R6,R6) 1. 关闭 WDT 2. 执 “ENI“指 2. 读 I/O Port 6 (MOV R6,R6) 3. 使能 (Set IOCF.1) 3. 执 “ENI“ or “DISI“指 4. Port 6 变化 (中断) 4. 使能中断(Set IOCF.1) 中断向 (008H) 5. 执“SLEP“ 指 (b) 唤醒后 1. “ENI“ 中断向(008H) 2. “DISI“ 下一条指 4.5 复位和唤醒复位和唤醒 4.5.1 复位复位 复位由下面情况引起： （1）上电复位 （2）/RESET引脚输入为“低 （3）WDT溢出（如果使能） EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 15 (This specification is subject to change without further notice) 参见图10， 检测到复位后，系统将保持复位状态18ms2（振荡器起振时间）。一旦 RESET发生，单片机系统处于如下状态： 振荡器起振，或继续振荡。 程序计数器（R2）清0 所有的I/O引脚定义为输入模式（高阻状态）。 WDT和预分频器清0 上电时，R3高3位清0 CONT寄存器除第6位（INT标志）外，全置为1 IOCB寄存器全置为“1 IOCC寄存器清0 IOCD寄存器全置为“1 IOCE寄存器第7位置为1，第4、6位清0 RF、IOCF寄存器的Bit02清0 执“SLEP指可以转到休眠模式（低能耗模式）。进入休眠模式时，WDT（使 能）清0，但继续运。单片机可被如下情况唤醒： （1）/RESET引脚上输入的外部复位信号 （2）WDT溢出（使能） （3）P6的输入状态改变（如果设置有效） 前面两种情况将引起EM78P153S复位。R3的T、P标志位可以用来确定复位 （唤醒） 源。 第三种情况下唤醒后程序继续执，由全局中断（执“ENI或“DISI）来决定程 序是否转入中断处程序。如果在SLEP之前执ENI，指将在唤醒后从地址008H处 开始执。如果在SLEP之前执DISI，指将在唤醒后从SLEP的下一地址开始继续执 。 进入休眠模式之前，第2、3两种情况只有一种可被使用，即 a 如果休眠前P6输入唤醒使能，则WDT应由软件禁止，然而，代码选择寄存器中WDT 仍为使能，因此，EM78P153S只能被第1或第3种情况唤醒。 b如果WDT使能，则P6输入唤醒应禁止。因此，EM78P153S只能被第1或第2种情况唤 醒。参考中断的相关部分。 如果P6口输入变化中断被用于唤醒单片机（第a种情况），则如下指应在SLEP指前 执： MOV A,xxxx1110b ；选择WDT预分频，分频值必须设为超过1：1 CONTW 2注意：Vdd=5V，起振时间=16.5ms30% Vdd=3V，起振时间=18ms30% EM78P153S OTP ROM 16 Product Specification (V1.4) 12.31.2003 (This specification is subject to change without further notice) WDTC ；清除WDT和预分频器 MOV A,0xxxxxxxb ；WDT禁止 IOW RE MOV R6,R6 ；读端口6 MOV A,00000x1xb ；使能P6的输入变化中断 IOW RF ENI(或DISI) ；使能（或禁止）全局中断 SLEP ；进入休眠 注意： 1、从休眠模式唤醒后，WDT将自动使能。从休眠模式唤醒后，应根据需要由软件定义 WDT的使能或关闭 2. 为避免P6口输入状态改变发生中断进入中断向或用于唤醒MCU时有复位发生， WDT分频器的比必须大于.1：1 表3 寄存器组的初始值汇总表 Address Name Reset Type Bit 7Bit 6Bit 5Bit 4Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 Bit Name X X X X C53 C52 C51 C50 Power-On 0 0 0 0 1 1 1 1 /RESET and WDT 0 0 0 0 1 1 1 1 N/A IOC5 Wake-Up from Pin Change 0 0 0 0 P P P P Bit Name C67C66C65C64C63 C62 C61 C60 Power-On 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 N/A IOC6 Wake-Up from Pin Change P P P P P P P P Bit Name X X X X P53 P52 P51 P50 Power-On 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT P P P P P P P P 0x05 P5 Wake-Up from Pin Change P P P P P P P P Bit Name P67P66P65P64P63 P62 P61 P60 Power-On 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT P P P P P P P P 0x06 P6 Wake-Up from Pin Change P P P P P P P P Bit Name X INTTSTEPAB PSR 2 PSR 1 PSR 0 N/A CONT Power-On 1 0 1 1 1 1 1 1 EM78P153S OTP ROM Product Specification (V1.4) 12. 31.2003 17 (This specification is subject to change without further notice) Address Name Reset Type Bit 7Bit 6Bit 5Bit 4Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 /RESET and WDT 1 0 1 1 1 1 1 1 Wake-Up from Pin Change P 0 P P P P P P Bit Name - - - - - - - - Power-On U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P 0x00 R0(IAR) Wake-Up from Pin Change P P P P P P P P Bit Name - - - - - - - - Power-On 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 0x01 R1(TC C) Wake-Up from Pin Change P P P P P P P P Bit Name - - - - - - - - Power-On 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 0x02 R2(PC) Wake-Up from Pin Change P P P P N P P P Bit Name RSTGP1GP0T P Z DC C Power-On 0 0 0 1 1 U U U /RESET and WDT 0 0 0 t t P P P 0x03 R3(SR) Wake-Up from Pin Change 1 P P t t P P P Bit Name GP1GP0- - - - - - Power-On U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P 0x04 R4(RS R) Wake-Up from Pin Change P P P P P P P P Bit Name X X X X X EXI F ICIF TCI F Power-On 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 0x0F RF(ISR ) Wake-Up from Pin Change 0 0 0 0 0 P N P Bit Name X /PD 6 /PD 5 /PD 4