主板常用场效应管参数.doc

主板常用场效应管参数器件型号用途及参数2SK3225-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018m3353- ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14m3354-S3354-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8m3355-ZJN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8m3366-ZN-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21m3367-ZN-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9m3377-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40m3385-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28m3386-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25m3900-ZPN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8m3901-ZKN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13m3902-ZKN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21m3943-ZPN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5m738-ZN-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=0.25MTD10N05AN通道，功率场效应管50V，10A，1.8W，Ron=0.110N05E10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.110N08E10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.123055AN通道，功率场效应管60V，8A，1.8W，Ron=1.53055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=1.53055E3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=0.153055EL3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=0.183N08LN通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=0.65N055N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.45N065N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.45N08LN通道，功率场效应管60V，5A，1.75W，Ron=0.3SUB40N06-25LN通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=0.02245N03-13LN通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=0.01345N05-20LN通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=0.01860N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=0.01870N03-09BPN通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=0.00970N03-09PN通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=0.0970N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=0.0170N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=0.01475N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=0.0475N03-07N通道，场效应管30V，75A，120W，30/120ns，Ron=0.00775N04-05LN通道，场效应管40V，75A，250W，30/260ns，Ron=0.005575N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=0.00675N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=0.00775N08-07LN通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=0.007575N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=0.00875N06-12LN通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=0.01275N08-09LN通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，Ron=0.00975N08-10N通道，场效应管75V，75A，187W，40/120ns，Ron=0.0185N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=0.00385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=0.00685N03-04PN通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=0.004385N03-07PN通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=0.00785N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=0.003585N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=0.00485N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=0.005285N08-08N通道，场效应管75V，85A，250W，30/75ns，Ron=0.00885N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=0.010509N03N通道，场效应管Vds=25v Id=50A注：1、在CPU供电处的MOS管要求功率比较大，而且导通电阻比较小，可以选择09N03、85N03、06N03等功率较大的MOS管；2、在显卡供电、内存供电处的MOS管要求不是很高，功率不要太低就行，可以采用60N