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文档简介
.pdms玻璃杂合芯片快速制作方法详解( 初稿 )前言本文以实战制作高度15 80m的通道为例, 详细介绍的 pdms 玻璃杂合芯片的快速制作方法。注意:进入芯片加工间需穿实验服,进行芯片制作时需带上无粉乳胶手套。目录一、快速制作 su-8 阳模步骤:1. 硅 片 清 洗 2基片加热除湿3倒胶匀胶4su-8 基片前烘5su-8 基片曝光6su-8 基片后烘7 显 影 8坚模二、制作 pdms玻璃杂合芯片步骤 1制备 pdms预聚体2. 除去 pdms预聚体中的气泡3. 倒胶及 pdms预聚体固化4. 揭模,切边,打孔5. 键合6. 粘蓄液池 ( 可选)三、pdms 玻璃杂合芯片制作中其他相关细节详解一、快速制作 su-8 阳模步骤 : 一、硅片清洗1丙酮清洗目的:去除或软化硅片表面有机物操作:带上一次性pe手套。硅片用玻璃棒隔开,将丙酮倒入烧杯,液面高于硅片顶端所在平面2cm 左右,然后放入超声机,超声40 分钟左右(对于旧硅片,可以升温超声, 时间也可适当延长) ;丙酮清洗后,将丙酮小心倒入装丙酮的空瓶,标明“回收”。2、浓硫酸清洗目的:去除硅片表面的无机物和有机物操作:带上乳胶手套,再带上一次性ep手套,穿实验服。丙酮清洗过的硅片, 先用自来水多涮洗几次, 较彻底地去除残余丙酮, 避;.免硫酸和丙酮反应;然后将双氧水倒入烧杯至目标体积的1/4 。然后将烧杯移至合成间的通风厨, 小心缓慢将浓硫酸倒入烧杯至目标体积,之后在烧杯上盖上一个玻璃培养皿以减少酸雾的挥发。3 个小时后 ,浓硫酸与双氧水反应基本结束, 将烧杯移至超声机 (注意作上浓硫酸的标记以避免别人误伤)超声 30min 左右,即可将浓硫酸回收。硫酸回收,一定要倒入装硫酸的瓶子, 若没有,可用装过乙醇或丙酮的瓶子,但一定要多用自来水多清洗几次,以避免硫酸与之反应,发生安全事故。将硫酸倒出时,注意 倾倒角度,避免烧杯内的硅片和玻璃棒滑落。(此步相对较危险,一定要注意安全。)3. 去离子水清洗 ( 18.2 )目的:清除浓硫酸和硅片表面一些残余小颗粒操作:带上一次性pe手套。将倒出硫酸后的硅片,先用去离子水清洗两遍,再用去离子水超声5 遍, 每遍 20min。二基片加热除湿(1) 目的:基片加热除湿有利于增加基片和su-8 阳模之间的粘附力(2) 仪器工具:热平板:加温氮气枪:吹去基片表面水份和灰尘镊子:夹持基片玻璃培养皿(3) 步骤描述:从烧杯中取出硅片,用氮气枪吹干表面,然后放在热平板上加热除湿。此步使用程序一,即 150 加热 1h 后降至常温。此步估计为 2 小时完成 。程序step1:目标温度 150。step2:目标温度 28,降温速度 450 /h 。安全注意: 热平板温度较高, 不要将手碰到热平板以免将手烫伤2倒胶匀胶(1) 目的:在基片上铺上一层目标厚度的su-8 胶(2) 仪器工具:kw型匀胶机:匀胶su-8胶瓶滴管:用于停止胶的流出 氮气枪:吹去基片表面灰尘镊子:夹持基片(3) 步骤描述:当基片冷却后,取su-8 胶瓶向基片中心倒胶12 ml ,用滴管止倒。将su-8 胶瓶盖好后收入柜子中。 将带有 su-8 的基片放到匀胶机的载物台上, 让胶的中心位于载物台圆的中心,静置3min 左右,让胶先自然辅开, 。打开电源开关,按“控制”键,打开真空泵开关,然后按“吸片”键和“启动”键。匀胶分为初匀和终匀,初匀的作用是将胶铺到整块基片上,终匀的作用 是获取铺有目标厚度su-8。初匀的速度和时间由“档转速”和“速匀胶时间”控制,终匀的速度和时间由“档转速”和“速匀胶时间”控制。通常情况下,初匀两次即可将胶铺满整块基片,终匀的时间为60 s。程序可以如下设置:step1:档转速: 600 rpm速匀胶时间: 18 s档转速: 2100 rpm速匀胶时间: 0 s step2:档转速: 800 rpm速匀胶时间: 18 s档转速: 2100 rpm速匀胶时间: 60 s(此转速大概对应30um厚度的阳模)匀胶结束后,先后按上“吸片”和“控制”键,然后关闭真空泵开关和匀胶机开关。将基片从载物台上取下。三 su-8 基片前烘( 注意区分胶是哪一种,时间温度不一样)(1) 目的:除去 su-8中的溶剂(2) 仪器工具:热平板:加温镊子玻璃培养皿(3) 步骤匀胶结束后,如果热平板温度已经降至 30或以下,将 su-8 基片放到热平板上启动程序开始前烘。如果热平板温度还没有降至 30,则须等温度降低后再放上热平板前烘。使用程序二。热平板温度设置如下程序: 程序step1:目标温度 28,升温速度 120 /h ,保持时间 1h; step2:目标温度 65,升温速度 120 /h ,保持时间 15min; step3:目标温度 95,升温速度 120 /h ,保持时间 2h; step4:目标温度 28,降温速度 120 /h ,保持时间 1min。从启动前烘程序到前烘结束用,所用时间约为4.5h 。(4) 提前准备步骤:在前烘期间打开光刻机电源开关,打开光刻机汞灯开关,进行预热。一 般汞灯打开 10min 以后,汞灯光谱达到稳定才可以曝光。将要光刻的掩模取出,用氮气枪轻轻吹掉掩模表面的灰尘。将光刻机掩模架上的方块石英玻璃取下,用擦镜纸的光面轻擦其表面的不干净处,擦干净后, 用氮气枪吹到石英玻璃表面的纤维和灰尘。 将掩模的打印面朝下置于光刻机掩模架上, 掩模架上有三个圆柱点用于掩模定位。 然后将石英玻璃块放到掩模上, 同样用上面的圆柱点定位将掩模压平。 将橡胶圈垫片放到石英玻璃块上, 按上两边的固定架,将整个石英玻璃块压紧,并且固定牢固。调整光刻机载物台,使其处于水平:水平移动载物台,使其中心对光刻机掩模架的右边沿, 调升载物台, 使载物台和光刻机掩模架紧密接触。水平移动载物台, 使其右半圆对光刻机掩模架的右边沿,调升载物台使载物台和光刻机掩模架紧密接触。反复几次即可调平载物台。设定曝光时间: 曝光时间控制器“ m”后面数字表示 “分”,“ s”后面表示“秒”每个数位下面的两个按钮用于增加或者减少每一位的时间。设定曝光时间为 60s 后,按复位键确定已经修改的时间。四 su-8 基片曝光( 掩膜图形正面朝下 )(1) 目的:将掩模图形转移到基片上的su-8 薄层中去。(2) 仪器工具:光刻机:曝光2xz 型系列直联旋片式真空泵:连在光刻机的气体通路上,用于吸基片和掩模。掩 模 氮气枪(3) 步骤:打开光刻机汞灯开关,进行预热。一般汞灯打开10 分钟以后,汞灯灯光达到稳定才可曝光。将要光刻的掩模取出,用氮气枪轻轻吹掉掩模表面的灰尘。将光刻机掩模架上的方块石英玻璃取下,用擦镜纸的光面轻擦 其表面的不干净处,擦干净后,用氮气枪吹到石英玻璃表面的纤维和灰尘。然后将石英玻璃块放到掩模上,同样用上面的圆柱点定位将掩模压平。将 橡胶圈垫片放到石英玻璃块上,按上两边的固定架,将整个石英玻璃块压 紧,并且固定牢固。按上掩膜开关的按钮让其变亮。设定曝光时间: 曝光时间控制器 “m”表示“分”,此时它后面的数据表示秒,即 x 分 xx秒;“s”表示“秒”,即 x秒。每个数位下面的两个按钮用于增加或者减少每一位的时间。设定曝光时间为 70s 后,按复位键确定已经修改的时间。将光刻机载物台移至目标位置,使左下角的小灯变亮;将放置硅片的托 盘移降至最低; 打开光刻机卤素灯, 在载物台上出现绿色光点, 然后将掩膜板推至托盘上方, 调节光刻机的焦距使目镜视野中出现清晰的图形,将掩膜中心调至视野中心,然后将掩膜移至托盘上方的右边。待 su-8 基片冷却后,将基片放到光刻机载物台上。调整基片在载物台上的位置,使基片和掩模图形对准。将真空泵气体通路调整到光刻机一路,打开真空泵,按下吸片。将掩模架移 回载物台上, 锁上掩模架开关。 左手扶住载物台, 右手调整载物台使载物台上升至和掩模紧密接触,再将载物台下方的小旋钮的“0”刻度顺时针旋至“ 3”,使掩膜与硅片贴合的更加紧密。按下“真空曝光”按钮,实验者迅速走开,以躲避紫外光对眼睛和皮肤的伤害。听到“咔嚓”声音后,表明曝光完毕。降低载物台,打开掩模架开关,移开掩膜架, 按“吸片” 按钮,关闭真空泵, 取下玻片, 准备后烘。 取下掩模收藏好, 待下次使用。关闭汞灯开关,待10min 之后关闭光刻机开关。安全:光刻机曝光使用的是紫外a 段,对人的眼睛和皮肤有一定伤害,不要直视曝光。曝光时,最好走到入口处背对曝光位置。五 su-8 基片后烘(1) 目的:促进 su-8曝光处的交联反应(2) 仪器工具:热平板:加热镊子(3) 步骤:曝光结束后,将su-8 基片放到热平板上启动程序开始前烘。程序:step1 :目标温度 65,升温速度 120 /h ,保持时间 15min step2 :目标温度 95,升温速度 120 /h ,保持时间 40min。step3 :目标温度 30,降温速度 120 /h ,保持时间 1min。从后烘开始到后烘完成用时约为100 分钟现象解释:a. 后烘过程中热平板升至95后 1min 内图形即会显现出来。如果图形没有显现出来说明曝光不足,应该延长曝光时间。b. 热平板加温过程中,达到目标温度进入保持温度阶段时,温度超过目标温度属于正常现象,这是由于加温速度过快导致,对后烘没有影响,不用处理。六显影(1) 目的:洗掉基片上没有曝光的su-8,让图形完全显现出来(2) 仪器工具:通风橱滴管两个玻璃培养皿镊 子 滤 纸 废液缸pgmea最强 二丙醇最弱异丙醇 终止反应.(3) 步骤:后烘完毕后将基片取下。 在一个玻璃培养皿内倒入4mm高左右的 pgmea用于泡硅片, 在另一个玻璃培养皿内倒入4mm高左右的 pgme(a高度根据硅片上的图 形决定,如果图形比较靠近硅片的边沿,则此高度需要小些)用于“滚车轮”,;左手拿硅片竖立在后面的玻璃培养皿内,右手旋转硅片,让硅片边沿的胶泡在pgmea中,这一步用来去除硅片边沿较厚的su8胶,称之为“滚车轮” 。然后将硅片放至 第一个玻璃皿内浸泡, 有胶的面朝上, 轻轻摇晃玻璃皿, 使 pgmea充分浸泡 su8胶,观察图形,待泡至图形若影若现时,即用镊子夹起硅片,用pgmea 冲洗残余的 su8至“流沙”消失,此时马上用异丙醇冲洗残余的pgme,a此时如 果有白色出现说明该处显影没有完成,应继续显影, 直至白色消失。 然后在硅片背面放至一张滤纸以吸走多余的显影液,用氮气枪轻轻吹干表面的液体 (一定要小心轻轻吹,避免吹动阳模甚至将硅片吹至地上),准备后烘。安全: pgmea对人体具有毒性,显影应该在通风橱中完成,且显影完后应尽快将废液拿到分生,稀释后小心倒至水槽,且同时打开水龙头冲洗。实验完毕,物品归位,清洗器皿七坚模(1) 目的:增加 su-8 阳模和玻璃基片之间的粘附力(2) 仪器工具:热平板(3) 步骤:显影结束后,将su-8 阳模放到热平板上启动程序开始坚模。程序:step1 :目标温度 135,升温速度 120/h ,保持时间 2h。step2 :目标温度 30,降温速度 120 /h ,保持时间 1min。当su-8阳模温度降到室温后, 将其收藏到培养皿中以便制作pdms芯片使用。此过程需要 3h 左右。二、制作 pdms玻璃杂合芯片步骤1. 制备 pdms预聚体(1) 目的:将 pdms单体和 pdms固化剂混合成为 pdms预聚体(2) 仪器工具:电子天平剪刀一次性塑料杯滴管 2 个pdms单体 pdms固化剂(3) 步骤:将一次性塑料杯放到电子天平上,打开电子天平,清零,小心从pdms单体瓶中倒入 pdms至杯中,接近目标量时,应提前将瓶口抬高,减慢倾倒速度,最 后小心倒入直至目标量。 记下天平显示 pdms的质量,将该质量除以 10 即得所需 pdms固化剂的质量。将天平归零。用一支新滴管从固化剂瓶中,吸取滴加到塑料杯中,直到天平示数达到所需质量。用滴管搅拌混合pdms预聚体 ( 即 pdms单体和固化剂的混合物 ) ,直到其呈现为唾沫状。搅拌时要注意杯边壁上的预聚体,使其完全混合均匀。2. 除去 pdms预聚体中的气泡(1) 目的:除去 pdms中气泡,防止将气泡固化入pdms中。(2) 仪器工具:真空干燥器真空泵吸耳球(3) 步骤:将装有 pdms预聚体的塑料杯放入真空干燥器中, 上旋钮的切口对准干燥器 上的管口。将气路打到真空干燥器一路, 打开真空泵抽气, 当气泡高度升至pdms 量的两倍左右时 (别溢出杯子),关闭真空泵; 连通真空泵的抽气口和外界大气, 防止倒吸;等待1min,再抽一次。然后放置20min 左右,直到杯中气泡几本消失,即可取出杯子。拿出塑料杯后可用吸耳球将预聚体表面气泡吹破。3. 倒胶及固化(1) 仪器工具:电子天平滴管(2) 步骤:将少量 pdms倒入一次性培养皿中, 在匀胶机上用 600rpm 的低速将胶辅匀(一定要确认培养皿被吸紧后再开启匀胶机),然后将加工有阳模的硅片放至培 养皿内,可用几个小的回收的pdms小块将硅片卡在中央,也可用回收的pdms填在没有图形的地方以节约pdm。s将培养皿放在天平上,倒入pdms至目标高度,记下此用量,可以作为以后所需pdms量的参考。静置半小时左右,使气泡完全消除,将之放至65真空干燥箱,加热3 小 时 左 右 。4揭模,切边,打孔(1) 仪器工具:体式显微镜手术刀:用于 pdms切边打孔器或磨好的针头(2) 步骤:切胶:带上乳胶手套,用手术刀按照图形上的边切胶,小心取出对应的pdms小块,有图形面朝上放在培养皿内。打孔:选择合适大小的打孔器或针头,将pdms模放在体式显微镜下,移动pdms模让要打孔的通道端点进入视场。打孔器口对准端点,垂直下压打孔器或针头, 然后拔出。用镊子或者平头针或氮气枪推出孔所在位置的pdm。s清洁芯片表面:用乙醇、超纯水、氮气冲洗芯片表面除去表面杂质。5. 键合(1) 仪器工具:真空干燥箱.(2) 步骤氮气枪培养皿镊子带上乳胶手套。将清洗干净的载玻片(与硅片的清洗方式相同,一次可洗多个),用氮气枪将其表面吹干净,然后放热平板上,100 1h除湿。除湿吹干灰尘后,将玻片和 pdms一些放置玻璃培养皿中。将原来和真空泵相连的光刻机抽气软管取下, 换上与氧等离子体机连接的软管。将装有pdms模和基片的玻璃培养皿,放入等离子清洗器中, 注意要有微通道的面朝上。将等离子清洗器的进气阀门关闭,使腔体与外界空气隔离。打开真空泵,打开等离子清洗器电源,将清洗时间调至 2min 以上,清洗强度调至最大,等待起辉(腔内放出紫色光芒,即为起辉),起辉后立即将清洗强度调至800v,氧气进气速度调至小于800ml/min(逆时针小心旋动旋钮)。从起辉开始,用计时 2min 倒计时。时间到后,立即将清洗强度调至0v,关闭氧气(顺时针小心旋动旋钮) ,稍微打开进气阀,少量进气后关闭真空泵。开大进气阀至负压为0,打开气腔门,取出培养皿。
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