“传感器与检测技术”(5-13章)练习题.doc

“传感器与检测技术”（513章）练习题班级： 学号： 姓名：一、填空题1、根据工作原理电感式传感器可分为（ ）、（ ）、（ ）。2、由单线圈变隙式电感传感器的基本特性可知，其测量范围与（ ）及（ ）相矛盾。3、闭磁路变隙式电感传感器主要由（ ）、（ ）及铁芯组成。4、闭磁路变隙式电感传感器工作时，衔铁与被测物体连接。当被测物体移动时，引起磁路中气隙（ ）发生相对变化，从而导致（ ）、（ ）及（ ）的变化。5、螺线管式差动变压器式传感器从理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压应为零，而实际上差动变压器输出电压不为零，我们把这个不为零的电压称为（ ）电压。利用差动变压器测量位移时，如果要求区别位移方向（或正负）可采用（ ）、（ ）电路。6、电容式传感器是将被测物理量的变化转换成（ ）的一种传感器，电容式传感器的测量电路有（ ）电路、（ ）电路、（ ）电路以及（ ）电路等。7、工业和计量部门常用的热电阻，我国统一设计的定型产品是（ ）热电阻和（ ）热电阻。8、铜热电阻在一些测量精度要求不高且温度（ ）的场合，用来测量（ ）范围的温度。9、热电阻在电桥测量电路中的接法有：（ ）制、（ ）制和（ ）制。10、采用热电阻作为测量元件是将（ ）的测量转换为（ ）的测量。11、热电偶中热电势的大小仅与（ ）的性质、（ ）有关，而与热电极尺寸、形状及温度分布无关。12、按热电偶本身结构划分，有（ ）热电偶、铠装热电偶、（ ） 热电偶。13、压电式传感器的工作原理是基于某些（ ）材料的压电效应。14、用石英晶体制作的压电式传感器中，晶面上产生的（ ）与作用在晶面上的压强成正比，而与晶片（ ）和面积无关。15、压电陶瓷是人工制造的多晶体，是由无数细微的电畴组成。经过（ ）的压电陶瓷才具有压电效应。16、沿着压电陶瓷极化方向加力时，其（ ）发生变化，引起垂直于极化方向的平面上（ ）的变化而产生压电效应。17、压电式传感器具有体积小、结构简单等优点，但不能测量（ ）的被测量。18、压电式传感器中，为了克服力传递函数中的（ ）性，几乎所有的压电式传感器都加（ ）。这样才能测量拉力和拉压交变力及扭矩。19、霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受（ ）的作用发生（ ）的结果。20、霍尔元件是N型半导体制成扁平长方体，扁平边缘的两对侧面各引出一对电极。一对叫（ ）电极用于引人（ ）；另一对叫（ ）电极，用于引出（ ）。21、磁电式传感器是利用（ ）原理，将（ ）转换成感应电动势信号输出。22、磁电式传感器结构上基本分成两部分：一是磁路系统，通常用（ ）产生恒磁场；二是（ ）。23、变磁通磁电式传感器，通常将齿轮的齿（槽）作为（ ）磁路的一部分。当齿轮转动时，引起磁路中（ ），线圈感应电动势输出。24、磁电式传感器有温度误差，通常用（ ）分路进行补偿。25、有一直线光栅，每毫米刻线数为50，主光栅与指示光栅的夹角q =1.8。该直线光栅的栅距为（ ）莫尔条纹的宽度为（ ）。26、一个n位二进制码盘能分辨的角度为（ ），一个6位二进制码盘，其最小分辨的角度（ ）。 二、选择题1、变气隙式自感传感器，当街铁移动靠近铁芯时，铁芯上的线圈电感量（ ）。A.增加 B.减小C.不变 D.无规律2、某自感式传感器线圈的匝数为N，磁路的磁阻为Rm，则其自感为（ ）。A.N/Rm B.N2/RmC.Rm/N D.N2/R2m3、差动变压器传感器的配用测量电路主要有（ ）。A.差动相敏检波电路 B.差动整流电路 C.直流电桥 D.差动电桥4、差动变压器属于（ ）。A.物性式传感器 B.结构式传感器C.电阻式传感器 D.电感式传感器5、下列不是电感式传感器的是（ ）。A.变磁阻式自感传感器 B.电涡流式传感器 C.变压器式互感传感器 D.霍尔式传感器6、下列传感器中不能做成差动结构的是（ ）。 A.电阻应变式 B.电感式 C.电容式 D.电涡流式7、半导体应变片具有( )等优点。 A.灵敏度高 B.温度稳定性好 C.可靠性高 D.接口电路复杂8、测量范围大的电容式位移传感器的类型为（ ）。 A变极板面积型 B变极距型 C变介质型 D容栅型9、用电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（ ）。A.变间隙式 B.变面积式C.变介电常数式 D.空气介质变间隙式10、当变极距式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的（ ）。 A灵敏度增加 B灵敏度减小 C非统性误差增加 D非线性误差减小11、电容式传感器通常用来测量（ ）。A.交流电流 B.电场强度 C.重量 D.位移12、目前我国使用的铂热电阻的测量范围是（ ）。 A200850 B50850 C200150 D20065013、我国目前使用的铜热电阻，其测量范围是（ ）。 A200150 B0150 C50150D5065014、目前，我国生产的铂热电阻，其初始电阻值为（ ）。 A10 B50 C100 D4015、我国生产的铜热电阻，其初始电阻为（ ）。 A50 B100 C10 D4016、用热电阻测温时，热电阻在电桥中采用三线制接法的目的是（ ）。 A接线方便 B减小引线电阻变化产生的测量误差 C减小桥路中其它电阻对热电阻的影响 D减小桥路中电源对热电阻的影响17、通常用热电阻测量（ ）。 A电阻 B扭矩 C温度 D流量18、一个热电偶产生的热电势为EO，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）。 A增加 B减小 C增加或减小不能确定 D不变19、热电偶中热电势由（ ）组成。 A感应电势 B温差电势 C接触电势 D切割电势20、热电偶中产生热电势的条件分别为（ ）。 A两热电极材料相同 B两热电板材料不同 C两热电极的两端点温度不同 D两热电极的两端点温度相同21、实用热电偶的热电极材料中，用的较多的是（ ）。 A纯金属 B非金属 C半导体 D合金22、利用热电偶测温时，只有在（ ）条件下才能进行。 A分别保持热电偶两端温度恒定 B保持热电偶两端温差恒定 C保持热电偶冷端温度恒定 D保持热电偶热端温度恒定23、工程（工业）中，热电偶冷端处理方法有（ ）。 A热电势修正法 B冷端温度修正法 C0恒温法D冷端延长法24、热电偶的冷端处理中，冷端延长法是（ ）。 A将冷端引到低温，且变化较小的地点 B使冷端温度恒为零 C补偿由于冷端温度变化引起热电垫的变化 D使冷端保持某一恒定温度25、热电偶可以测量（ ）。 A压力 B电压 C温度 D热电势26、压电式传感器目前多用于测量（ ）。 A静态的力或压力 B动态的力或压力 C速度 D加速度27、压电石英晶体表面上产生的电荷密度与（ ）。 A晶体厚度成反比 B晶体面积成正比 C作用在晶片上的压力成正比 D剩余极化强度成正比28、压电陶瓷传感器与压电石英晶体传感器的比较是（ ）。 A前者比后者灵敏度高得多 B后者比前者灵敏度高得多 C前者比后者性能稳定性高得多 D后者比前者性能稳定性高得多29、霍尔效应中，霍尔电势与（ ）。 A激磁电流成正比B激磁电流成反比 C磁感应强度成正比D磁感应强度成反比30、霍尔效应中，霍尔电势与（ ）。 A霍尔常数成正比 B霍尔常数成反比 C霍尔元件的厚度成正比 D霍尔元件的厚度成反比31、制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。 A半导体材料的霍尔常数比金属的大 B半导体中电子迁移率比空穴高 C半导体材料的电子迁移率比较大 DN型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件32、莫尔条纹对被测位移量所起的作用是（ ）。A.调制B.放大C.细分D.降噪三.选择合适的传感器进行工程检测中的位移量、温度量、磁场量、振动量的测量。电阻应变