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文档简介
第一章,第二章双极晶体管和基本放大电路,作业:练习:2-1,2-4,2-7,2-8,2-102-12,2-14,2-17,2-24,2-25,2,第2章双极晶体管和基本放大电路,2.1双极晶体管,2.2晶体管放大电路性能指标和工作原理,2.3晶体管放大电路图形分析方法,2.4等效电路分析,2.5其他基本放大电路,2.6组合放大单元电路。3。本章的重点和难点。本章描述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习以下章节的基础。重点介绍了:双极晶体管的特点、放大的概念、放大电路的主要指标参数、基本放大电路和放大电路的分析方法。包括共发射极、共集电极和共基极放大电路的组成、工作原理、静态和动态分析。难度:关于放大、动态和静态、等效电路概念的建立;判断电路是否可以放大;各种基本放大电路的性能分析等。然而,上述问题对学好这门课非常重要。双极晶体管的结构和类型如下:在同一硅片上制作三个掺杂区。这三个区域分别称为发射极区、基极区和集电极区。2.1双极晶体管。引出的三个电极分别是发射极E、基极B和集电极C。基极区和集电极区形成集电极结,发射极区和基极区形成发射极结。三个区域,两个交叉点,三个极点。5,2.1双极晶体管,6,2.1双极晶体管,根据不同的掺杂方式,7被分为NPN型和PNP型,NPN型,其特征在于基极区薄,掺杂浓度低,发射极区掺杂浓度高,集电极结面积大,箭头方向代表发射极结PN结指向,8,PNP类型,箭头方向表示发射极结PN结指向,9,1。两个PN结没有外加电压,电流控制功能在2.1.2晶体管中(以NPN型为例)。载体运动处于动态平衡,净电流为零。2.发射极结加直流电压,集电极结加反向电压。10、Ib、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、和、Ee、Rb、IEP、IBN、ICBO、ICN、IEN、11、1。发射极区将电子注入基极区,而电子区中的多电子通过电子结扩散到基极区,形成扩散电流IEN。同时,基区中的多光子空穴向E区扩散,形成扩散电流IEP。两者的实际方向是相同的,所以发射极电流IE=IENIEPIEN。2。电子在基区的扩散和复合。在电子注入到硼区后,由于薄的基区和低杂质浓度,很少电子在硼区重新结合(形成电流IBN),大部分电子仍然扩散到碳区。收集极收集电子。4 .收集极的反向电流,由于收集极结施加的反向电压及其大面积,到达C结边界的电子在电场的作用下穿过C结到达C区,记录为ICN=IEN-IBN。C结加上反向电压,C和B区的平衡少数载流子形成反向电流,这被记录为ICBO,并且数量可以忽略不计。13,集成电路,VCC,VBB,RC,RB,晶体管的电流分布,IEP:基极区扩散到发射极区形成的空穴电流。IEN:由发射极区扩散到基极区形成的电子流。IBN:基区复合运动形成的海流。ICN:晶体管的电流分布,ICN:由自由电子(非平衡少数载流子)形成的电流,它从发射极区扩散到基极区,而不是重新结合漂移到集电极区。ICBO:它是通过平衡集电极区和基极区中少数载流子的漂移运动而形成的电流。它也是发射极开路时b-c之间的反向饱和电流。伊本、IEP、ICBO、IEN、ICN、15,发射区发射的电子总数(相当于IE),其中绝大部分被收集区收
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