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EL测试仪培训,EL缺陷图片分析,目录,EL测试仪应用介绍,EL测试仪原理及结构介绍,EL（electroluminescence）：电致发光电致发光(英文electroluminescent)，又可称电场发光，简称EL，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。根据发光原理分为本证电致发光和注入式电致发光，半导体发光二极管（LED）就是使用注入式电致发光。,外加电压V,由于晶硅电池片具有PN结结构，接入正向偏压V后，本身平衡的载流子在电场作用下移动，少数载流子在导带低向价带顶发生跃迁，激发出能量为Eg的光子。对于Si，该方式发光的波长为：,波长=hc/Eg=1110nm,EL测试仪原理及结构介绍,在掺杂的晶体Si中存在施主、受主能级，其他杂志能级，缺陷能级等，注入的非平衡载流子也可在上述能级间复合发光，因为上述能级间能量小于Eg，因此辐射的光波长大于1110nm。,Si电子注入发光光谱,右侧1300-1700nm间也存在发光光谱，该光谱主要为缺陷能级复合的发光光谱。,EL测试仪原理及结构介绍,电致发光的亮度正比于总的非平衡少数载流子数量，正比于少子扩散长度，正比于电流密度。,EL亮度与少子扩散长度的关系,EL测试仪原理及结构介绍,电致发光（EL）缺陷检测仪结构,当太阳能电池加正向偏压时，可以将其看作一个发光效率很低的发光二级管,EL测试仪应用介绍,EL缺陷测试仪在正向偏压下，可检测如下太阳能电池、组件缺陷：,在反向偏压下，可以检测电池片中因各种缺陷所造成的漏电，可通过不同电压值下漏电大小并结合图片发现漏电区域及严重程度。,EL缺陷图片分析,正常电池片测试图片亮度较高，亮度较均匀。,正常电池片,EL缺陷图片分析,隐裂片,EL缺陷图片分析,材料缺陷,EL缺陷图片分析,烧结炉带网纹,EL缺陷图片分析,断栅,EL缺陷图片分析,边缘过刻,EL缺陷图片分析,晶界、暗纹,EL缺陷图片分析,边缘漏电,EL缺陷图片分析,划痕,EL测试仪与Correscan对比,温度对EL测试的影响,本征缺陷（晶格缺陷、晶界等）的EL图像对温度较敏感，而非本征缺陷（断栅、裂纹等）导致的
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