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文档简介
纳米粒子与材料制备化学,Chapter1纳米材料的製造方法,回顧-纳米材料的定義,纳米材料可簡單定義為尺寸小於100nm的一種或多種的晶粒或顆粒所組成的材料,依其型態可區分為等軸(粉體)、層狀(薄膜)及絲纖狀(纖維或管)等(圖1)。因其特殊之表面及體積效應,近年來已引起國際間廣泛的研究興趣。特別是在材料的電、熱、磁以及光學等性質上產生了重要的影響,也為材料的應用領域科學開拓了一嶄新的機會。,圖1.纳米材料廣義區分之型態(a)纳米粉體,(b)纳米結構薄膜,(c)纳米碳管,回顧-纳米科技的研究內容,1.創造和製備優異性能的纳米材料2.設計、製備各種纳米器件和裝置3.探測和分析纳米區域的性質和現象,回顧-纳米科技研究什麽問題?,生物科學技術、資訊科學技術、纳米科學技術是二十一世紀科學技術發展的主流。生物科學技術中對基因的認識,産生了生物基因控制、轉移技術,可以治療頑疾,甚至創造出自然界不存在的生物;資訊科學技術可促使人類進行遠距視訊會議、處理業務等,幾乎完全以往的生活方式。,回顧-纳米科學技術的主要問題。,1.原子、分子的微觀世界和傳統宏觀世界兩者之間過渡區內的新現象和新規律2.探測纳米長度內物理、化學生物資訊的新原理和新方法,新概念和新理論,纳米粒子的製備,纳米粒子的製備,可分為物理方法和化學方法。物理方法:1.氣相冷凝法2.物理粉碎法3.機械球磨法化學方法1.氣相沈積法2.沈澱法3.水熱合成法4.溶膠凝膠法5.微乳液法6.電化學法,物理方法,1.氣相冷凝法真空冷凝法(PVD):用真空蒸發、加熱、高頻感應等方法使原料氣化或形成等粒子體,然後驟冷。其特點純度高、結晶組織好、粒度可控制,但技術設備要求高。,物理方法,2.物理粉碎法物理粉碎法:通過機械粉碎、電火花爆炸等方法得到纳米粒子。其特點操作簡單、成本低,但產品純度低,顆粒分布不均勻。,物理方法,3.機械球磨法機械球磨法(Milling):採用球磨方法,控制適當的條件得到純元素、合金或複合材料的纳米粒子。其特點操作簡單、成本低,但產品純度低,顆粒分布不均勻。,化學方法,1.氣相沈積法氣相沉積法(CVD):利用金屬化合物蒸氣的化學反應合成纳米材料。其特點產品純度高,粒度分布窄。,2.沉澱法沉澱法(Precipitation):把沉澱劑加入到鹽溶液中反應後,將沉澱熱處理得到纳米材料。其特點簡單易行,但純度低,顆粒半徑大,適合制備氧化物。,化學方法,3.水熱合成法水熱合成法(Hydro-thermal):高溫高壓下在水溶液或蒸汽等流體中合成,再經分離和熱處理得纳米粒子。其特點純度高,分散性好、粒度易控制。,化學方法,4.溶膠凝膠法溶膠凝膠法(sol-gel):金屬化合物經溶液、溶膠、凝膠而固化,再經低溫熱處理而生成纳米粒子。其特點反應物種多,產物顆粒均一,過程易控制。,化學方法,5.微乳液法微乳液法:兩種互不相溶的溶劑在表面活性劑的作用下形成乳液,在微泡中經成核、聚結、團聚、熱處理后得纳米粒子,其特點粒子的單分散和界面性好。,化學方法,6.電化學法電化學法(Electrochemical):電化學法包括水溶液和熔融鹽系統,此法可製得一般方法不能製備或很難製備的高純金屬或合金微粒。,化學方法,纳米合成技術,纳米材料的相關研究及合成方法非常的多,各領域人士莫不爭相提出新途徑的纳米合成技術,因此欲整理出清楚的合成系統十分的困難。過去常依合成過程中是否產生化學反應的變化,區分為物理及化學法兩大類而說明,如今來看似乎過於侷限在纳米粉體的製造上,相較於目前材料開發上百花爭鳴的景象,實見其狹隘性;另也有學者根據其反應物的狀態,區分為氣相法、液相法以及物理粉碎法、火花放電法等,纳米合成技術,一.氣相法1物理氣相沉積法(1)電阻式加熱法(2)電漿加熱法(3)電弧放電法(Arcdischarge)(4)雷射蒸發法(5)高週波感應加熱(6)電子束加熱(7)濺射法(Sputtering)2化學氣相沉積法(1)催化劑化學氣相沉積法(CatalyticChemicalVaporDeposition;CCVD)(2)微波電漿觸媒輔助電子迴旋共振化學氣相沉積法(ECR-CVD)(3)火焰合成法(Flamesynthesis)二.液相法1沉澱法2溶膠-凝膠法3噴霧法4水熱法三.物理粉碎法四.火花放電法五.有機二次元纳米材料,氣相法,簡介氣相合成技術之發展可追溯至六O年代,為目前最主要之合成技術。其基本原理是利用氣相中的原子或分子處在過飽和狀態時,將會導致成核析出為固相或液相。如在氣相中進行均質成核時控制其冷卻速率,則可漸成長為純金屬、陶瓷或複合材料之纳米粉體;若在固態基板上緩慢冷卻來成核-成長,則可長成薄膜、鬚晶或碳管等纳米級材料。,氣相法,物理氣相沉積法-電阻式加熱法電阻式加熱氣相法裝置,此為實驗室內常用的合成設備。利用電源供應器加熱真空腔內之鎢船(Tungstenboat),鎢船內之材料在真空或惰性氣氛下開始被蒸發成為氣體,此時會如圖4般蒸發,有如一縷輕煙,順著通入的載流氣體(carriergas)往充滿液態氮的冷凝井(coldtrap)方向流動。當蒸氣到達此一低溫區域時,隨即因過飽和而開始成核析出,並成長為粉體,停留在冷凝井表面上。此方法適於合成高熔點金屬或金屬間化合物以及陶瓷等纳米粉體。圖3的設備也可用作化學氣相合成法。如:在鎢船中置入鈦金屬,當鈦被蒸發成氣體時,若通入氧氣當載流氣體或在氧氣氣氛下,則生成二氧化鈦纳米粉體。,氣相法,物理氣相沉積法-電漿加熱法傳統的電漿法,係以蒸發原料為陰極,在與陽極電極棒之間施加直流電壓,並於惰性氣體中放電,原料即從熔化的陰極表面上蒸發,隨後在冷卻銅筒內,析出並沉積為纳米材料。目前常用者為電漿噴柱法,方法是把蒸發的金屬材料放置在水冷銅坩堝上,在斜上方之電漿槍間,先對直流電壓施加高週波使流過電漿槍內的Ar、He等惰性氣體電離而起弧,再調節反應室中的載送氣體流量,可決定蒸氣壓並導引其至冷卻收集器上形成纳米粒子。表1是常用的參數。圖5為電漿噴柱法設備簡圖,圖6則為工研院材料所利用此原理製造的TiO2纳米粉體,氣相法,物理氣相沉積法-電弧放電法(Arcdischarge)電弧放電法係利用電弧放電所產生的高溫(約4000K),將原料氣化以沉積為纳米材料的方法。代表性的例子為西元1991年Iijima(10)等人首先利用電弧放電法合成出纳米碳管。圖7則為電弧放電裝置示意圖。在不鏽鋼製的真空室內,使用直徑6mm的石墨碳棒為陰極與直徑9mm的碳棒當陽極,兩極的間距可調整。研究指出,本製程中影響碳管品質最重要的因素為氦氣的壓力。1992年Ebbesen等人(13)發現500torr的氦氣壓力會比20torr時有更高的纳米碳管產率,而過高的電流會使碳管燒結在一起,故操作時應控制在可產生穩定電弧下的最低操作電流。通常,反應腔之陰極石墨棒上所沉積的纳米碳管,可觀察到非晶質(amorphous)碳、石墨微粒及煤灰等雜質,因而常需後續的純化處理。圖8為工研院材料所產製的纳米碳管,圖8為工研院材料所產製的纳米碳管,氣相法,物理氣相沉積法-雷射蒸發法雷射蒸發法主要原理與電弧法相似,最大的不同乃是以高能雷射取代電弧放電的功能。圖9即為雷射蒸發法合成纳米碳管裝置的示意圖。此法中,是將含有金屬觸媒(如:鈷、鎳等)的石墨靶材,放置在約1英寸的石英玻璃管中,再將此管放置於高溫反應爐中。於1200充滿惰性氣氛(如:500torr氬氣)的環境下,以高能脈衝雷射(如:NdYAGLaser)對焦石墨靶材而使其表面的碳材蒸發。隨著爐管中高溫區域惰性氣體的快速流動,蒸發的碳隨即被帶往爐體外末端的圓錐型水冷銅上沉積,沉積物再經萃取精鍊後可得纳米碳管通常,此法所得的纳米碳管直徑分佈在5-20nm,管長可達10um以上。較一般Arc法所合成的纳米碳管純度高、雜質少;最大的優點在於可產製大於70%以上的單層纳米碳管。,氣相法,物理氣相沉積法-高週波感應加熱1970年代初便已開發出來用作高性能磁帶用纳米粉體的製造。其特色是(1).進行蒸發的溶液溫度可保持一定(2).溶液內的合金成份均勻性良好(3).能以安定的輸出,運轉長時間(4).可大量工業化生產。,氣相法,物理氣相沉積法-電子束加熱電子束加熱法目前主要用於高熔點物質的纳米粉體的製造上。1973年Iwama等人即以此法製造了Bi、Sn、Ag、Mn、Cu、Mg、Fe、Fe-Co、Ni、Al、Zr等超微粒子(16)。以Cu為例,50V/5mA電子束的功率,於66Pa的Ar氣中,其1分鐘可得50mg的微粉。在N2或NH3氣氛中,蒸發Ti則可得到10nm的TiN立方晶纳米粉體。而Al在NH3中蒸發則可得到AlN粉體,但在N2氣中則無法生成。這樣的製程實則屬於化學氣相沉積的範圍。,氣相法,物理氣相沉積法-濺射法(Sputtering)此法普遍用於半導體製程化合物薄膜的形成。其原理為陽極Ar氣中輝光放電所產生的離子衝擊陰極靶材表面時,使靶材原子飛出,在真空中氣相成核-成長為纳米級顆粒進而於基材上沉積為纳米薄膜的方法。此方法蒸發靶材原子的過程,不像上述氣相沉積法需將靶材加熱並熔解。另目前也採用電弧或電漿的方式衝擊濺鍍靶材使其表面熔化而原子濺鍍出來以生成纳米粒子。濺射法製造纳米粒子的優點有:(1).不需熔融用坩堝,可避免污染(2).濺鍍靶材可為各種材料(3).可形成纳米薄膜(4).能通入反應性氣體形成化合物纳米材料(5).能同時使用多種靶材材料而生成纳米複合材料。,氣相法,化學氣相沉積法-催化劑化學氣相沉積法(CatalyticChemicalVaporDeposition;CCVD)圖10為其裝置示意圖。首先,將乙炔(或甲烷等)為主的碳氫化合物氣體通過一置有催化劑的高溫石英爐管,這些氣體因受高溫金屬催化劑的作用將產生裂解,因而生成碳原子且吸附在金屬顆粒的晶面上。而因晶面上溫度或濃度梯度的關係致使碳原子往其內部進行擴散,使得過飽和之碳持續在金屬顆粒的某結晶面上析出,進而堆積-成長成中空的纳米級碳管。圖11為纳米碳管成長機制的示意圖。獲得之碳管直徑約在25130nm間,碳長可達60um以上。此法改善了電弧放電法中碳管短、低產率及較高製造成本的缺點,氣相法,化學氣相沉積法-微波電漿觸媒輔助電子迴旋共振化學氣相沉積法(ECR-CVD)微波電漿觸媒輔助電子迴旋共振化學氣相沉積法(ECR-CVD)利用CH4及H2為反應氣源,成功地合成大面積(4吋直徑)且具定向性的纳米碳管。使用的觸媒材料包括Fe、Ni、Co顆粒及CoSix膜和Ni膜等。沉積生成的纳米結構材料包括:纳米碳管、藤蔓狀碳管、海草狀纳米碳片、花瓣狀纳米碳片及碳膜等。製程之關鍵因素包括:觸媒的種類及其施加方式、基材的偏壓和溫度、沉積的時間以及反應氣體中氫氣的含量等。而生成的纳米碳管直徑與觸媒顆粒的大小則有密切的關係,直徑一般可在20.80nm左右;管長則與沈積時間有關,約在1.3m間;管數密度由觸媒濃度及施加方式所控制,其每平方公分的管數最高可近一億根(108tubes/cm2),且是垂直於基板成長,長度也相當一致。,圖12(a)及(b)為本製程成長之典型纳米碳管的SEM影像;圖12(c)及(d)則為典型海草狀纳米碳片的SEM影像;圖12(e)及(f)則分別為以鈷及鎳觸媒顆粒成長的纳米碳管TEM影像。在場效電子發射特性方面,目前此製程最佳者為以Co觸媒成長的纳米碳管,此碳管在5.3V/m電場下,場效發射電流密度可達32mA/cm2,臨限電場Eth為4.2V/m遠低於目前鉬或鎢(50100V/m)等傳統場發射材料,另也優於鑽石材料(840V/m),氣相法,化學氣相沉積法-火焰合成法(Flamesynthesis)此法乃利用氫氧焰或乙炔氧焰等對系統供應的金屬化合物蒸氣加熱,並與其產生化學反應而生成纳米微粒,一般可合成粒徑100nm以下的氧化物纳米粉體。例如:從SiCl4中合成SiO2,從AlCl3中生成Al2O3,從TiCl4中合成TiO2等。此製程由於火焰溫度遠高於這些氧化物的熔點,且在熔融狀態下蒸氣壓小,因此這些由熔融態生成的纳米粒子多為接近真圓的球狀體。SotirisE.Pratsinis尤善於利用此法製造TiO2(18)。近年來,此製程也普遍應用於纳米碳管的研製中,RandallL.VanderWal是其中成果豐碩者,已成功利用金屬觸媒(Co、Cu、Ni)的方式生成多層纳米碳管(MWNT)(19)及利用擴散式火焰法生成單層纳米碳管(SWNT)(20)。,液相法,液相法是於液相中合成纳米材料,又稱為濕化學法、溶液法等。為製備各式纳米粉體的有效方法。所製得的粉體粒度分布較窄、形貌完整、成分較易精確控制,但合成的粉體往往形成嚴重的團聚,故皆須採取一定形式的後處理(如:解聚、球磨等)以符合實驗設計的需求。但產能及價格方面是商業化尚須克服的問題。此法為量產纳米陶瓷粉體的重要技術,目前由於液相法技術的突破,使新高性能纳米複合材料的製造漸能符合商業化成本的需求。主要可分為沉澱法、溶膠-凝膠法(Sol-Gel)、噴霧熱分解法(Spraypyrolysis)與水熱合成法等。,液相法,沉澱法沉澱法是在金屬鹽溶液中加入適當的沉澱劑使與金屬鹽發生化學反應,以生成難溶性的反應物,進而於溶液中沉澱下來,或再經乾燥、煆燒等處理以生成纳米粉體的方法。,溶膠-凝膠法是將醇鹽溶解於有機溶劑中,再加入蒸餾水使醇鹽進行水解、縮合反應形成溶膠,而後隨著水的蒸發轉變為凝膠,再於低溫中乾燥得到疏鬆的乾凝膠,或進行高溫煆燒處理以得到纳米粉體或薄膜的方法。優點是所製得的粉體粒徑小、純度高且化學均勻性良好;缺點則為前趨體(precursor)原料價格高、有機溶劑有毒性以及高溫熱處理下會使顆粒快速團聚等。圖13為工研院材料所利用此法做成TiO2溶液加上水熱法製程加以乾燥後所製得的TiO2纳米粉體,液相法,溶膠-凝膠法(Sol-Gel),溶膠-凝膠法(Sol-Gel)合成方法概念圖,液相法,噴霧法(Spraypyrolysis)噴霧法是將金屬鹽溶液以霧狀噴入高溫氣氛中,此時引起溶液的蒸發或金屬鹽的熱分解或水解的反應,因過飽和現象而析出固體的方法。分為噴霧乾燥、噴霧熱分解、噴霧培燒、噴霧水解法等。此法因需要高溫,對設備和操作的要求較高,優點是製得的粉體分散性佳。,噴霧熱分解法(26)為例說明:如圖14(a)所示,噴霧熱分解法是一連續性操作的製程,首先將具熱分解性的先趨物(如Ti(O-iC3H7)4)溶質與溶劑(如酒精)液體,藉由噴霧技術(如超音波霧化)將溶液分散成氣相中可懸浮的霧滴,再將霧滴與載流氣體(如氮氣)一起送入加熱區中進行乾燥。此時,霧滴中的溶劑蒸發形成以先趨物為主的懸浮物微粒,再進入高溫分解區使先趨物達到熱分解溫度,形成微粒與氣相的副產物,最後再藉氣-固分離系統予以收集分離。因製程參數(如:先趨物的物化性質、噴嘴的設計、氣體種類、霧滴在高溫區的運動等)的不同,可合成不同產物的形貌,如圖14(b)。,水熱法水熱法是指在一密封的壓力容器中,以水作為溶劑,製備纳米材料的一種方法。一般而言,在常溫-常壓環境中不易氧化的物質,會因水熱法中高溫-高壓的環境而進行快速的氧化反應。例如:金屬鐵和空氣中的水氧化反應非常緩慢,但如果在98MPa、400的水熱條件下進行1小時反應則可完全氧化,得到微細的磁鐵礦粉體。,水熱法製備的粉體一般具有:粒徑小、分佈均勻、顆粒團聚輕及可連續生產、原料便宜、易得到適合化學計量比的纳米氧化物粉體之優點。且無須進行高溫煆燒處理,可避免晶粒的長大及引入雜質、缺陷等困擾,其所製得的粉體一般具有高的燒結活性。如:水熱法製備的ZrO2纳米粉體,粒徑可達15nm,形成的球狀或短柱狀粉體於13501400溫度燒結下,理論密度可達98.5%。此製程中又可分為水熱氧化、水熱沉澱、水熱晶化、水熱分解法以及新近發展的微波水熱法、超臨界水熱合成法等,皆為製備纳米氧化物陶瓷粉體的熱門方法。,3.物理粉碎法包括:超音波粉碎、火花法、爆裂法等,常用的方法則為機械合金法(Mechanicalalloying)。此法主要係將原料粉體和磨球一起放入攪拌桶內,利用高能量球磨機械力的方式,將較粗大的粉體施以塑性變形,經由不斷地焊合、破裂、再焊合等過程而達到合金化的目的且漸擊碎成細粉而將粉體微細化。研究顯示只要增進球磨運動的模式(如:滾動+振動、自轉+公轉或攪動(attritionmill)等方式)以及球磨的時間夠長,包括純金屬、合金、介金屬、甚至原本不互溶的合金等,皆能以此方式獲得纳米晶粒大小的微細粉體。此法也可利用媒體攪拌粉碎的方式,將粉體導入一高速氣流,利用氣流對粉體加強壓縮力及摩擦力,或加入表面活性物質(如:三乙醇胺)等助磨劑,以抑制球磨時產生的聚合反應,達到粒子微細化的目的,4.火花放電法火花放電的工作原理是把金屬電極插入氣體、液體等絕緣體中,增加電壓至一定值時,短時間內會放出大能量,此過程從電暈放電至電弧放電的過程稱為火花放電。其瞬時放出的大能量除出現高溫外,並可產生巨大的機械能,將電極本身及被加工物切削成微粒。圖15即是火花放電製作氧化鋁粉體裝置的示意圖。在水槽底下放入鋁金屬顆粒,利用鋁顆粒間的火花放電形成Al(OH)3泥漿,再將此泥漿乾燥進行煆燒處理,即可製得細微的氧化鋁粉體。此方面的研究正積極於台北科技大學及大同大學中展開。,5有機二次元纳米材料近來開發的纳米級複合層狀材料包括alignedhyperpolarizable分子/高分子材料、magneticallyactive陽離子及quantum-confined半導體、導電性高分子及高分子電極等,因其具備某些特殊的性質乃成為一些產業的新寵。如:積體電子、太陽能、光學等元件以及資訊傳輸和儲存元件等,或者是先進電池的電極材料等。通常此類材料的合成方法主要有:(1).Langmuir-Blodgett(LB)monolayertransfermethod(2).Self-assembledmutilayers(SAMs)buildingmethod(3).intercalationmethod(4).Exfoliationmethod等(28)。其中自組裝(Self-assembly)製程隨著材料化學理論及其製程的蓬勃發展,也在纳米元件製備上展露了無窮的潛力。,三、功能纳米结构的化学控制合成与组装,纳米结构指的是以纳米尺度的物质单元为基础,按一定规律构筑或营造一种新的体系,它包括一维、二维、三维体系。这些物质单元包括纳米微粒、稳定的团簇、纳米管、纳米棒、纳米丝以及纳米尺寸的孔洞等。构筑纳米结构的过程就是我们通常所说的纳米结构的组装。,纳米结构体系特性与意义,从基础研究的角度来说,纳米结构出现的新现象、新规律有利于人们进一步建立新原理,这为构筑纳米材料体系的理论框架奠定基础从性能与应用的角度来看,由于纳米结构既具有纳米微粒的特征,又存在由纳米结构组合引起的新的效应,如量子耦合效应和协同效应等。所以纳米结构实际上综合了物质本征特性、纳米尺度效应、组合引起的新功能等多项效应,可能具有一般纳米材料所不具备的特殊性能。其次,这种纳米结构体系很容易通过外场(电、磁、光)实现对其性能的控制,这就是功能纳米电子器件的设计基础,1.5功能纳米结构基元的化学控制合成,纳米结构的合成是一个糅合了传统物理、化学方法与多种新兴手段的综合性领域。主要的控制方向可以归入以下两类(1)控制纳米簇的粒径、组成与形貌,包括气溶胶、粉体、半导体量子点和其它纳米成份。(2)控制复合材料中各纳米组分的界面和分布。,需解决的问题,关键是要控制纳米结构基元的成核过程和生长过程。纳米结构的化学稳定性、热稳定性和时间稳定性。在保证材料的各种性能不变的情况下,低成本、大规模的实现纳米结构材料的控制合成与组装。,一般合成方法,纳米粒子构造纳米链构造纳米线、纳米纤维或纳米管构造纳米带,纳米粒子一般合成方法,1、气相合成法新晶型材料最初的发展是建立在低于大气压的惰性气体环境下蒸发、浓缩(成核生长)得到的纳米粒子的基础上的。包括爆炸法、等离子法、激光剥蚀、化学气相沉积、喷雾高温分解、通电加热蒸发法,等离子喷雾法等方法。气相合成通常是一种效率很低的方法,而目前连续生产工艺受成批处理知识的限制。,通过凝胶化、沉淀法和水热、溶剂热处理可以制备纳米粒子。添加掺杂剂或热处理能控制半导体、金属或金属氧化物纳米粒子的粒径分布。而应用反胶团、共聚物或混合聚合物层高分子阵列、多孔玻璃、粒子包覆等工艺的可以更好的控制量子禁阻的半导体纳米粒子的大小和稳定性。,2、湿化学合成法,溶胶凝胶法还不能用于纳米粒子经济的大规模生产。其他相关的问题则涉及溶胶凝胶法中前驱物的费用和溶剂的循环利用。但总的来说,溶胶凝胶法在商业化大规模生产前景诱人。,气相法和溶胶凝胶法都可以制备粒径范围在110纳米之间、有一致晶体结构,单分散度很高的纳米粒子。典型的粒径变化范围在20左右;但是,为了使量子效应的增长能够测量,必须将这一变化范围减小到5以下。,其它方法,别的纳米粒子合成工艺还包括声化学法、空穴法、微乳液法和高能球磨法等。,声化学,声化学中,声学空穴现象会在局部生成一个瞬时存在、有极高温度梯度和压力的高温区。这种温度和压力的突然变化有助于声化学前驱物(比如某些有机金属溶液)的破坏和纳米粒子的形成。这项技术可以生产大量有工业用途的材料。,空穴法,在水力空穴中,溶胶凝胶溶液中气泡的生成和释放可以制备纳米粒子。在超临界干燥器内迅速加压、然后空穴干扰和高温加热,溶胶凝胶溶液被混合。喷出的水力泡沫将会帮助纳米粒子的成核、生长和中止。调节空穴室内的压力和溶液保留时间可以控制粒子粒径。,微乳液法,微乳液法可以合成金属、半导体、硅、硫酸钡、磁性和超导纳米粒子。加入表面活性剂控制很低的表面张力,不需剧烈的机械搅拌就可以自发地形成这类微乳液。这项工艺可以用简单便宜的设备大规模制备纳米粒子,高能球磨法,唯一一种由上到下制备纳米粒子的方法,可以用于磁性、催化、结构纳米粒子的合成。但球磨过程中有污染,对环境有害。使用碳化硅化合物和惰性气体或高真空过程,可以把污染减到接受的程度。高能球磨法共同的缺点是所制得的粉这种方法生产的粉体体表面积小、粒径分散度大、部分处于无定型态。所以在压制成纳米结构材料前需要进行部分重结晶。,实现均分散的方法,合成中最具挑战性的问题之一是控制合成粒径分布很窄,不需要用离心沉淀或迁移分类进行粒径选择的单分散纳米粒子。气相合成既严格控制了成核过程,又避免了因为扩散与扰动或者产物收集与后处理时导致的团聚,因此是控制粒径单分散方面的最佳方法之一。,在液体悬浮液中收集纳米粒子可以保证所得纳米粉体对团聚、烧结、组成变化的稳定性。通过加入极性溶剂可以保证半导体粒子液体悬浮液的稳定性。表面活性剂分子也可以用于稳定金属或半导体的纳米粒子。,图1通过控制表面活性剂的种类与用量控制合成的不同形貌单分散CdSe纳米晶。,(PengX.G.,etal.Nature,2000,404,59),构造纳米链,纳米粒子的链状聚集体可以看作类似于高分子的单元,初始颗粒由几百到几千个分子组成。因此,这些链状聚集体可以看作“重”量子线。纳米粒子链状聚集体作为磁性材料、强化橡胶和混凝土中的添加剂已经被广泛地研究。通过控制初始粒子的粒径和单分散性、晶型结构和形貌、聚集长度、界面性质、物质纯度,可以改变聚集体的机械性质、光学性质和电子运输性质。,这些链状聚集体可由上述除高能球磨法外所有合成方法制得的纳米粒子团聚而得。基于纳米粒子的磁学性质和电学性质,可以用外加磁场或电场来控制聚集体的分形维度。,图2Ag链状聚集体及纳米线链,(Y.Dengetal.Chem.Mater.Inpress.)(Y.Dengetal.Chem.Phys.Lett.367(2003)512515),热处理,构造纳米线、纳米纤维或纳米管,膜模板工艺是制备纳米纤维或纳米管的一个有效的方法。膜被用作导电高分子、金属、半导体和其它用来制备纳米纤维或纳米管的材料进行化学或电化学沉积的模板。由于膜上的纳米槽大小十分均匀,所以用膜模板工艺合成可以精确控制纳米纤维或纳米管的粒径和长径比。这大大有助于对光学数据的解释和将这些纤维或管制成二维纳米结构材料,单晶半导体纳米纤维还可以在催化剂的作用下由金属有机气相取向附生和激光剥蚀蒸汽液相固相工艺制备。这些粒径范围3到15纳米的一维结构的合成为光电子器件应用(例如发光PN节)提供了重要的技术支持。,碳基纳米管可以用作构造碳化物和氧化物纳米管、线的模板。,(KyotaniT.etal.Adv.Mater.2002,14,1216),图3NiO纳米线,二硫化钨纳米管金属铋纳米管,(Y.D.Lietal.Adv.Mater.2003,15,445),合成了WS2、MoS2、金属铋的纳米管。,层状卷曲成管机制,溶剂热方法,同轴电缆结构纳米线,图5LaOH与NiOH纳米线,构造纳米带,“纳米带”是迄今唯一被发现具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构,而且具有比碳纳米管更独特和优越的结构和物理性能。半导体氧化物带状结构可以使科学家用单根氧化物纳米带做成纳米级的气相和液相传感器,或纳米级的光电元件。成功合成了氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构。,图6半导体ZnO纳米带,“纳米带”的横截面是一个窄矩型结构,带宽为30至300纳米,厚5至10纳米,而长度可达几毫米。,(WangZ.L.,etal.Science,2001,291,1947),1.6功能纳米结构的组装,纳米材料研究大致可划分为三个阶段。第一阶段(1990年以前)主要是研究纳米材料合成方法和材料性能研究。研究的对象一般局限在单一材料和单相材料。第二阶段(1994年前)利用纳米材料的奇特物理、化学和力学性能,设计纳米复合材料。第三阶段(从1994年到现在)功能纳米结构的组装,这是纳米材料领域的最前沿阵地。,纳米结构组装体系大致分为两类:1、人工纳米结构组装体系;2、纳米结构自组装体系和分子自组装体系。,人工组装,人工纳米结构组装体系是按人类的意志,利用物理和化学的方法,人工地将纳米尺度的物质单元组装、排列构成一维、二维和三维纳米结构体系。,装配工具是近年来才发展起来的扫描探针显微镜(ScanningProbeMicroscopes)SPM等仪器。总体上来说,人工纳米结构组装尽管已经取得了一些成果,但因为仪器所限,大规模、高效率、低成本的直接组装方法仍远未实现。,纳米结构的自组装体系,是指通过弱的和较小方向性的非共价键,如氢键、范德瓦耳斯键和弱的离子键协同作用把原子、离子或分子连接在一起构筑成一个纳米结构或纳米结构的花样(pattern)。,自组装体系的形成
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