模拟电子技术 第10章半导体存储器

主编李中发于2005年1月，电子技术，第10章半导体存储器，掌握学习点理解只读存储器的基本工作原理用只读存储器进行逻辑设计的方法随机访问存储器的基本工作原理理解存储器容量扩展的方法，10.1只读存储器10.2随机访问存储器，第10 PROM :只能重写一次。 PS :可以改写多次。 存储器的分类，RAM :工作中可以读出(取出)信息，也可以随时写入(放入)信息，但是关闭电源后保存的信息就没有了。 ROM :工作中只能从那里读取信息，不能写入信息，即使切断电源该信息也保持着。 如果将10.1.1ROM的结构、存储容量=字线的数字线数=NM (位)、10.1.2ROM的工作原理、二极管与门阵列、二极管或门阵列、电路图与上表结合，则在连接有二极管的十字路口为1，最后为二极管存储器单元存在的1还是存在的0完全取决于只读存储器的存储需要，在设计和制造时完全确定，不能变更，此外，在保存信息后，即使关闭电源，保存的信息也不会消失。 因此，只读存储器也被称为固定存储器。 存储内容、ROM的阵列图、连接晶体管的交叉点为1，终端晶体管的交叉点为0。 另外，连接了场效应晶体管的交叉点存在1，最后连接了场效应晶体管的交叉点存在0。EPROM的存储器单元、10.1.3ROM的应用、1、ROM实现组合逻辑函数，示例ROM实现以下逻辑函数组。 选择解(1)列真值表、(2)适当的ROM，参照真值表描绘逻辑函数的数组图。 另外，以ROM作为函数运算表，构成了能通过ROM实现函数y=x2的运算表电路。 举例来说，如果x的可取范围为0到15的正整数，则对应的是四位二进制正整数且用B=B3B2B1B0表示。 根据y=x2可计算出的y的最大值可以由152=225表示，并且可以由8位二进制Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 由此，列出了Y=B2，即y=x2的真值表。 另外，真值表、阵列图、3、ROM是字符发生电路，在ROM中存储字符z、10.2随机存取存储器，RAM是将多个基本寄存器组合而构成的大规模集成电路。 RAM内的各寄存器被称为字，寄存器内的各位被称为存储单元。 寄存器的个数(字数)和寄存器内的存储单元的个数(位数)的积称为RAM的容量。 根据RAM的寄存器位数，RAM有多字1位和多字多位两种结构形式。 在多字1位结构中，每个寄存器只具有1位。 举例来说，具有10241位容量的RAM为具有1024位寄存器的RAM。 在多位结构中，每个寄存器具有多个比特容量(例如，2564比特)的RAM，即，具有256个4比特寄存器的RAM。 此外，10.2.1RAM的配置、具有多个寄存器的矩阵确定访问哪个字单元、芯片将工作、确定选定单元是读还是写、数据的读取和写入信道，而电容2564RAM的存储器矩阵确定存储器单元1024个存储单元排列在32行32列的矩阵，每行选择线选择1行，每列选择线选择1个字列，位于Y1=1、X2=1、X2和Y1的交叉处的字单元能够进行读出和写入，但剩馀的字单元不被选择、 地址解码器由行解码器和列解码器组成。 行、列解码器的输出是行、列选择线，由这些线共同决定要选择的地址单元。 在2564RAM内存矩阵中，256字需要8位地址代码A7A0。 其中高位3比特A7A5用于列解码输入，低位5比特A4A0用于行解码输入。 如果A7A0=00100010，则Y1=1、X2=1，X2和Y1相交的单元格被选择。，00010，001，统合2kB8位RAM6116，写入控制端子，芯片选择端子，输出使能端子，10.2.2RAM容量的扩展，位扩展，地址线，读/写线和芯片选择线相对应地并联连接， 将作为字的各位线通过输入输出(I/O