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文档简介

1、(完整)光催化原理(完整)光催化原理 编辑整理：尊敬的读者朋友们：这里是精品文档编辑中心，本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的，发布之前我们对文中内容进行仔细校对，但是难免会有疏漏的地方，但是任然希望（(完整)光催化原理）的内容能够给您的工作和学习带来便利。同时也真诚的希望收到您的建议和反馈，这将是我们进步的源泉，前进的动力。本文可编辑可修改，如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅，最后祝您生活愉快 业绩进步，以下为(完整)光催化原理的全部内容。光催化原理半导体光催化剂大多是n型半导体材料（当前以为tio2使用最广泛）都具有区别于金属或绝缘物质的特别的能带结构,即在价带(valence

2、band，vb)和导带(conductionband，cb)之间存在一个禁带（forbiddenband,bandgap)。由于半导体的光吸收阈值与带隙具有式k=1240/eg（ev）的关系,因此常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都在紫外区域.当光子能量高于半导体吸收阈值的光照射半导体时，半导体的价带电子发生带间跃迁，即从价带跃迁到导带,从而产生光生电子(e-）和空穴(h+)。空穴具有强氧化性，能够与吸附在微粒表面的物质发生反应（a）。电子和空穴通过电场力的作用或扩散的方式运动迁移,迁移到半导体表面的空穴通常被oh-和h2o俘获，生成ho，ho是一种氧化能力很强的自由基，几乎无选择地氧化多种有

3、机物，是光催化氧化的主要活性物质，而迁移到半导体表面的电子通常被吸附在微粒表面的电子受体o2俘获， 生成o2-.、hoo等一系列自由基，它们能够参与多个氧化还原过程(b)，一般采用电子自旋捕捉技术（esr）、荧光光度法(fl）、紫外可见光度法（uv）等进行跟踪检测.tio2+ h h+ + e- h+ + h2o ads oh h+ + hoads- oh o2 + e- o2-。hooh2o2 ohh+ + organics products oh + organics products（a） (b)mechanism of the photocatalytic reaction under uv light irradiation同时，电子和空穴也能够在催化剂粒子内部（途径b)或表面（途径a)发生复合并以热量的方式将激发能释放。电子和空穴的复合过程会降低光催化反应的量子效率,对光催化反应十分不利。因此，光催化反应的量子效率取决于载流子的复合几率，载流子复合过程则主要取决于两个因素:一为载流子在催化剂内部或

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