杭电计组实验 存储器设计实验

1、 杭电计组实验-存储器设计实验 作者： 日期： 2 实验报告 成绩： 年 5 月 5 日 2018 姓名 阳光男 学号 16041321 班级 16052317 计算机组成原理与系统结构 计算机科学与技术课程名称专业 试验 指导老任课老机位号张翔老师 张翔老师 默认 师师实验名实验序实验五 存储器设计实验5 称号 实验设实验时实验地个人电脑、Nexys3开发211 2018/5/12 1教 备号点 间板一、实验程序源代存储器顶层电路代码module top_RAM_B(Mem_Addr,C,Mem_Write,Clk,LED);input 7:2Mem_Addr;/开关input Mem_Wr

2、ite,Clk;/cl为按C，读写使能信号为按C为读为input 1:0C;/选择写入数读操作时选择显示字为开output reg 7:0LED;wire 31:0M_R_Data;/存在存储器里3位读出数reg 31:0M_W_Data;/寄存在暂存器3位写入数RAM_B test_ram (.clka(Clk), /输入时钟信.wea(Mem_Write), /输入读写信.addra(Mem_Addr7:2), /输位地址信.dina(M_W_Data), /写3位数.douta(M_R_Data) /读3位数);always(*)beginLED=0;/初始M_W_Data=0;/初始

3、1 if(!Mem_Write)/读操作 begin case(C) 位2b00:LED=M_R_Data7:0;/读出数据的0-7 位2b01:LED=M_R_Data15:8;/读出数据的8-15 位读出数据的16-23 2b10:LED=M_R_Data23:16;/ 位读出数据的 24-31 2b11:LED=M_R_Data31:24;/endcase end else begin case(C) 2b00:M_W_Data=32h0055_7523;/写入第一个数据 写入第二个数2b01:M_W_Data=32h1234_5678;/写入第三个数2b10:M_W_Data=32h8

4、765_4321;/写入第四个数2b11:M_W_Data=32hffff_ffff;/endcaseendendendmodule测试代码module test;/ Inputsreg clka;reg 0:0 wea;reg 5:0 addra;reg 31:0 dina;/ Outputswire 31:0 douta;/ Instantiate the Unit Under Test (UUT) 2 RAM_B uut ( .clka(clka), .wea(wea), .addra(addra), .dina(dina), .douta(douta) ); initial begin

5、 / Initialize Inputs clka = 0; wea = 0; addra = 0; dina = 0;/ Wait 100 ns for global reset to finish#100;/ Add stimulus hereclka = 1;wea = 0;addra = 6b000001;dina = 32h0000_0003;#100;clka = 0;wea = 0;addra = 6b000001;dina = 32h0000_0607;#100;clka = 1;wea = 1;addra = 6b000001; 3 dina = 32hFFFF_FFFF;

6、#100; clka = 0; wea = 1; addra = 6b000001; dina = 32hFFFF_FFFF; end endmodule 二、仿真波形 三、电路图4 顶层电路模块 顶层电路内部结构： 四、引脚配置（约束文件NET Clk LOC = C9;NET LED4 LOC = M11;NET LED3 LOC = V15;NET LED2 LOC = U15;NET LED1 LOC = V16;NET LED0 LOC = U16;NET Mem_Addr7 LOC = U8;NET Mem_Addr6 LOC = N8;NET Mem_Addr5 LOC = M8

7、;NET Mem_Addr4 LOC = V9;NET Mem_Addr2 LOC = T10; 5 NET Mem_Write LOC = C4; NET Mem_Addr3 LOC = T9; NET C1 LOC = T5; NET C0 LOC = V8; NET LED7 LOC = T11; NET LED5 LOC = N11; NET LED6 LOC = R11; 五、思考与探索 读操作实验结果记录表(1) 读出数据 写入新数据 存储器地址 初始化数据 读出数据 32h0055_752332h0055_752332b00000000000000005b000000 32b 32h0055_752b00000130000000 000000032h0055_752332h0055_752 000000032h0055_752330000000b00000232h0055_75232h0055_7520000000 00000003b000003332h0055_75232h0055_75200000003b00000430000000 32h0055_75232h0055_752 3000000030000000b0000053