电子电路基础A

1、 第一部分第一部分 半导体基础导学半导体基础导学一、半导体材料的特点。一、半导体材料的特点。 1.1.当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 2.2.往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显增强。力明显增强。二、本征半导体二、本征半导体 载流子特点：本征半导体中存在数量载流子特点：本征半导体中存在数量相等相等的两种载流的两种载流子，即子，即自由电子自由电子和和空穴空穴。 温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导电能力越强。电能力越强。温

2、度是影响半导体性能的重要外部因素温度是影响半导体性能的重要外部因素，这，这是半导体的一大特点。是半导体的一大特点。三、杂质半导体三、杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加某种载流子浓度大大增加。p 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。n 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子

3、半导体）。也称为（电子半导体）。自由电子称为自由电子称为多数载流子多数载流子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载少数载流子流子（少子少子）。）。p 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。 四四. n型半导体和型半导体和 p型半导体载流子特点型半导体载流子特点 五五. pn. pn结单向导电性及应用结单向导电性及应用 1.pn1.pn结单向导电性结单向导电性2.pn2.pn结单向导电性的应用结单向导电性的应用二极管：死区电压二极管：死区电压=0 .5v，正向压降，正向压降 0.7v(硅二极管硅二极管) 理想二极管：死区电压理想二极管：死区电压=0 ，正向压降，正向

4、压降=0 六六.三极管工作区域三极管工作区域 三极管工作状态的偏置条件三极管工作状态的偏置条件 放大区：要求发射结正偏，集电结反偏。放大区：要求发射结正偏，集电结反偏。 截止区：发射结和集电结均为反向偏置。截止区：发射结和集电结均为反向偏置。 饱和区：发射结正偏、集电结正偏。饱和区：发射结正偏、集电结正偏。 七七. 判断三极管管型判断三极管管型例题：半导体基础例题：半导体基础一、半导体材料的特点。一、半导体材料的特点。 1.在纯净半导体中掺入在纯净半导体中掺入 ，就会使半导体的导电性能增强。，就会使半导体的导电性能增强。(杂杂质）质） 2.环境温度升高时，半导体材料的导电能力会环境温度升高时，

5、半导体材料的导电能力会 。（。（增强增强/减减弱）弱） 3.当半导体材料受光照射时，其导电能力会当半导体材料受光照射时，其导电能力会 。（。（增强增强/减弱）减弱）二、本征半导体二、本征半导体 1.本征半导体的载流子是本征半导体的载流子是 。电子和空穴电子和空穴 2.当本征半导体温度升高时，电子和空穴数目都当本征半导体温度升高时，电子和空穴数目都 。增大增大 3.在温度升高时，本征半导体中载流子的数量在温度升高时，本征半导体中载流子的数量将将 。增大增大三、杂质半导体三、杂质半导体 1 1在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） a a晶体缺陷晶体缺

6、陷 b b温度温度 c c杂质浓度杂质浓度 d d掺杂工艺掺杂工艺 2. 2. 在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入3 3价元素就成为（价元素就成为（ ）型半导）型半导体。体。 a. pa. p型半导体型半导体 b.nb.n型半导体型半导体 c.pnc.pn结结 d.d.纯净半导体纯净半导体 3. 3. 在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入5 5价元素就成为（价元素就成为（ ）型半导）型半导体。体。 a. p型半导体型半导体 b.n型半导体型半导体 c.pn结结 d.纯净半导体纯净半导体 四四. n型半导体和型半导体和 p型半导体型半导体 1、电子为多数载流子的杂质半导体称为、电子为多数载流子

7、的杂质半导体称为 n型型 半导体。半导体。 2、自由电子为、自由电子为n型半导体的型半导体的 多数多数 载流子。载流子。 3、n型半导体多数载流子浓度取决于型半导体多数载流子浓度取决于 掺杂浓度掺杂浓度 。 4、p型半导体的多数载流子为型半导体的多数载流子为 空穴空穴 。 5 、空穴为多数载流子的杂质半导体称为、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 p型型 半导体。半导体。 6、p型半导体多数载流子浓度取决于型半导体多数载流子浓度取决于掺杂浓度掺杂浓度 。 五五. pn. pn结单向导电性及应用结单向导电性及应用 1.pn1.pn结单向导电性结单向导电性1. 1. 当当pnpn结外加正向电压时，内

8、外电场方向（结外加正向电压时，内外电场方向（ ）。）。a.a.相反相反 b.b.相同相同 c. c. 不确定不确定2. 2. 当当pnpn结外加反向电压时，内外电场方向（结外加反向电压时，内外电场方向（ ）。）。 a.a.相反相反 b.b.相同相同 c. c. 不确定不确定3. pn3. pn结具有（结具有（ ）导电特性。）导电特性。 a.a.双向双向 b.b.单向单向 c. c. 不确定不确定|vi |0.7v时， d1、d2中有一个导通，所以vo =0.7v vi 0.7v时， vi -0.7v时两种情况 d1d2r+_+_例例1vovid2d10.7v-0.7vvovi2.pn2.pn结

9、单向导电性的应用结单向导电性的应用|vi |2.7v时， d1、d2中导通，所以vo =2.7v0.7v-0.7vvovi例例2|vi |1.4v时， 有一支路导通，所以vo =1.4v0.7v-0.7vvovi例例3 六六.三极管工作区域三极管工作区域 pnppnp晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 a au uc cuue euub b b. u b. ub buuc cuue e c. uc. uc cuub buue e d. ud. ub buue euuc c npnnpn晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三电极电位关系为

10、 a au uc cuue euub b b. u b. ub buuc cuue e c. u c. uc cuub buue e d. ud. ue euub buuc c 1. 1. 测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )( ) a. a. 放大状态放大状态 b.b.截止状态截止状态 c.c.饱和状态饱和状态 d.d.击穿状态击穿状态 2. 2. 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )( ) a. a. 放大状态放大状态 b.b.截止状态截止状态 c.c

11、.饱和状态饱和状态 d.d.击穿状态击穿状态 3. 3. 测得测得npnnpn型三极管三个电极的电位分别为型三极管三个电极的电位分别为uc=3.3vuc=3.3v，ub=3.7vub=3.7v，ue=3vue=3v，则该管工作在（，则该管工作在（ ） a. a. 放大区放大区 b. b. 截止区截止区 c. c. 饱和区饱和区 d. d. 击穿区击穿区 七七. 判断三极管管型判断三极管管型 pnppnp晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 a au uc cuue euub b b. u b. ub buuc cuue e c. uc. uc cuub bu

12、ue e d. ud. ub buue euuc c npnnpn晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 a au uc cuue euub b b. u b. ub buuc cuue e c. u c. uc cuub buue e d. ud. ue euub buuc c 1.1.在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8v2.8v、3.5v3.5v、6v6v，则这只三极管属于（，则这只三极管属于（ ） a. a. 硅硅pnppnp型型 b.b.硅硅npnnpn型型 c.c.锗锗pnppnp型型 d. d. 锗锗npnnpn型型 2. 2. 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6v6v、11.8v11.8v、12v12v，则这只三极管属于（，则这只三极管属于（ ） a. a. 硅硅npnnpn型型 b