二极管特征及运用

1、常用的IN4001 4007型锗二极管的额定正向工作电流为1AIN4001二极管反向耐压为 50V，IN4007反向耐压为1000V第一部分，用2表示为二极管（A锗N型，B锗P型，C硅N型，D硅P型，P普通管,W稳压管，Z整流管，L整流堆，N阻尼管，U光电管）发光二极管的正负极可从 引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负应用1、整流利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的 交流电变换成单一方向的 脉冲直流电。2、开关二极管在正向电压 作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关； 在反向电 压作用下，电阻很大，处于 截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以 组成各种逻辑电路

2、。3、限幅二极管正向导通后，它的 正向压降基本保持不变（硅管为 0.7V，锗管为0.3V ）。禾U用 这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4、续流在开关电源的电感中和 继电器等感性负载中起续流作用。5、检波在收音机中起检波作用。6、变容使用于电视机的高频头中。7、显示用于VCD、DVD、计算器等 显示器上。&稳压稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管， 稳压二极管工作在反向击穿状态。 在二极管 的制造工艺上，使它有低压击穿特性。 稳压二极管的 反向击穿电压 恒定，在稳压电路中串入 限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。9

3、、触发触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。部分常用二极管参数05Z6.2Y硅稳压二二极管Vz=66.35V,Pzm=500mW,05Z7.5Y硅稳压二二极管Vz=7.347.70V,Pzm=500mW,05Z13X硅稳压二二极管Vz=12.413.1V,Pzm=500mW,05Z15Y硅稳压二1极管Vz=14.415.15V,Pzm=500mW,05Z18Y硅稳压二1极管Vz=17.5518.45V,Pzm=500mW,1N4001硅整流二极管50V,1A,(lr=5uA,Vf=1V,lfs=50A)

4、1N4002硅整流二极管100V,1A,1N4003硅整流二极管200V,1A,1N4004硅整流二极管400V,1A,1N4005硅整流二极管600V,1A,1N4006硅整流二极管800V,1A,1N4007硅整流二极管1000V,1A,1N4148二极管75V,4PF,lr=25 nA,Vf=1V,1N5391硅整流二极管50V,1.5A,(lr=10uA,Vf=1.4V,lfs=50A)1N5392硅整流二极管 100V,1.5A,1N5393硅整流二极管 200V,1.5A,1N5394硅整流二极管 300V,1.5A,1N5395硅整流二极管 400V,1.5A,1N5396硅整流

5、二极管 500V,1.5A,1N5397硅整流二极管 600V,1.5A,1N5398硅整流二极管 800V,1.5A,1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A,1N5400硅整流二极管50V,3A,(lr=5uA,Vf=1V,lfs=150A)1N5401硅整流二极管 100V,3A,1N5402硅整流二极管 200V,3A,1N5403硅整流二极管 300V,3A,1N5404硅整流二极管 400V,3A,1N5405硅整流二极管 500V,3A,1N5406硅整流二极管 600V,3A,1N5407硅整流二极管 800V,3A,1N5408硅整流二极管 1000V,3A,1S155

6、3硅开关二极管 70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,1S1554硅开关二极管 55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,1S1555硅开关二极管 35V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,w 1uA,Vf w 0.8V ,1S2076 硅开关二极管 35V,150mA,250mW,8 nS,3PF,450ma,lrw 1.8PF,1S2076A 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8 nS,3PF,450ma,60V,Ir w 1uA,Vf w 0.8V , w 1.8PF,1S2471硅开关二极管80V,Irw0.5uA,Vfw1.2

7、V,w2PF,1S2471B 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3 nS,3PF,450ma,1S2471V 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4 nS,2PF,400ma,1S2472硅开关二极管50V,Irw0.5uA,Vfw1.2V,w2PF,1S2473硅开关二极管35V,Irw0.5uA,Vfw1.2V,w3PF,1S2473H 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4 nS,3PF,450ma, 2AN1 二极管 5A,f=100KHz2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4 nS,3PF,450ma,2CK10170V,150mA

8、,250mW,8 nS,3PF,450ma,硅开天二极吕2CK10235V,150mA,250mW,8 nS,3PF,450ma,硅开天二极吕2CK10320V,100mA,2PF,100ma,硅开天二极吕2CK10435V,100mA,10 nS,2PF,225ma,硅开天二极吕2CK10535V,100mA,4 nS,2PF,225ma,硅开天二极吕2CK10675V,100mA,4 nS,2PF,100ma,硅开天二极吕2CK10790V,130mA,300mW,4 nS,2PF,400ma,硅开天二极吕2CK10870V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,硅开天二极吕2C

9、K10935V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,硅开天二极吕2CK110硅开关二极管90V,150mA,250mW,3 nS,3PF,450ma,2CK111 硅开关二极管 55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,2CK150 硅开关二极管15V,Ir<25nA,Vf< 1.2V, <2PF,2CK161 硅开关二极管15V,Ir<25nA,Vf< 1.2V, <2PF,2CK4148硅开关二极管75V,lrw25n A,Vf=1V,4PF,2CK207635V,Irw1uA,Vfw 0.8V ,w 1.8PF,硅开天二极吕2

10、CK2076A60V,Irw 1uA,Vfw 0.8V ,w 1.8PF,硅开天二极吕2CK247180V,Irw0.5uA,Vfw 1.2V,w 2PF,硅开天二极吕2CK247250V,Irw0.5uA,Vfw 1.2V,w 2PF,硅开天二极吕2CK2473硅开关二极管35V,Irw0.5uA,Vfw 1.2V,w 3PF,2CN1A 硅二极管 400V,1A,f=100KH z,2CN1B 硅二极管 100V,1A,f=100KH z,2CN3 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3D 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3E 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2C

11、N3F 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3G 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3H 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3I 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3K 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN4D 硅二极管 V,1.5A,f=100KH z,2CN5D 硅二极管 V,1.5A,f=100KH z,2CN6 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CP1553 硅二极管 lr < 0.5uA,Vf < 1.4V , < 3.5PF,2CP1554 硅二极管 lr < 0.5uA,Vf< 1.4V , <

12、;3.5PF,2CP1555 硅二极管 lr < 0.5uA,Vf < 1.4V ,W3.5PF2CW1硅稳压二】极管Vz=7.08.8V,Pzm=280mW,2CW2硅稳压二】极管Vz=8.59.5V,Pzm=280mW,2CW3硅稳压二】极管Vz=9.210.5V,Pzm=280mW,2CW4硅稳压二】极管Vz=10.011.8V,Pzm=280mW,2CW5硅稳压二】极管Vz=11.512.5V,Pzm=280mW,2CW5硅稳压二】极管Vz=12.214V,Pzm=280mW,2CW9硅稳压二】极管Vz=1.02.8V,Pzm=250mW,2CW10硅稳压一二极管Vz=2.

13、53.5V,Pzm=250mW,2CW11硅稳压一二极管Vz=3.24.5V,Pzm=250mW,2CW12硅稳压一二极管Vz=4.05.8V,Pzm=250mW,2CW13硅稳压一二极管Vz=5.56.5V,Pzm=250mW,参数符号及其意义CT-势垒电容Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cj n- 结电容变化Cs-管壳电容或圭寸装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之 比CTC-电容温度系数Cvn标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流

14、）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在 额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正 向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向 最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大 正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii-发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF（ov）-正向过载电流IL-光电流或稳

15、流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR （ In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；

16、整流管在正弦 半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻 性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR_反向总瞬时电流ir-反向恢复电流lo

17、p-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比Q-优值（品质因素）S辰-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率|PB-承受脉冲烧毁功率PFT （AV）-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连

18、续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF( r)-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V,正向电流相应增加 I,则/ 称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)-串联电阻Rth-热阻R(th)ja-结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r令-衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟时间tf-下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数入p-发光峰值波长儿-光谱半宽度n-单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值 击穿电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降（正向 峰值电压）VF-正向压降（正向 直流电压）/F-正向压降差VDR