反相器设计前仿与后仿流程

1、目录前端电路设计与仿真 2第一节双反相器的前端设计流程 21、画双反相器的visio 原理图 22、编写.sp文件2第二节后端电路设计 4一、开启linux 系统 42、然后桌面右键重新打开Terminal 6双反相器的后端设计流程 7一、schematic 电路图绘制 7二、版图设计 21画版图一些技巧： 30三、后端验证和提取 31第三节后端仿真 37其它知识 40前端电路设计与仿真第一节双反相器的前端设计流程1、画双反相器的visio原理图VDd臼M2HIM3outVDdT_M M0 in -J-faI向1图1.1其中双反相器的输入为in输出为out, fa为内部节点。电源电压Vdd=1

2、.8V,MOS 管用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名称为pch和nch,在 Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v）。2、编写.sp文件新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下：dnakinv - iiLi 4-女荐国I dMiD持式® Itu?事助M卜小皿皿匕JB犁的其随-U Lb ' F :I J J pu-hgjnuptataXrl llll- L' I I,-subcki dualLnu Lm out qndhq .a In g44 u4d 口5 | -1*91H

3、l fri :ln ynt gnri rich 1-11 IkiAD-1.VHhP 13 .VR>iF 13i FD-I .Hlr TH PX-I.Hf Hd nrH-1.*irH-rH nr-l.rt2 QUK. fa 1 udd pLh I - 1d tn “NJ 仙，3的FD-a.M-M PS-2.iit-iK nnd-«.3K m>5-«>37£m out F> E qnd nth 1-帕Bn，睚X科-1.PB“-忖 FUH木片-酹nrd-1 ,MWW 时斫中法第融. LT.TH以下是加触后信号ITTT - bdn in «

4、; p«l-se(i 1：B 1m ms tn写 73 4ns|i 3 vdd » 1 .*«n gnrl riv tl duK 下是 Mji(阂百句aoptlQn p”t ,trjn .Ans.-M金£U尸。CrM AUgpDMr Inq pNlJ Fr««餐二-Hfjsui'r tr-Mi qrlsr TRIOvein)UftL-l.flAlhsrise-1 TRRnuCtlUHL-I.*rjr-1 iwsurt tr M Qf 11* THICWd的UhL-fl.fll-lns* TAROUftL-i.*IKkisfal

5、l-1-nd.lib 'F:Program Filessynopsysrf018.l' TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*这里选择TT工艺角*划红线部分的数据请参考excel文件尺寸对应6参数，MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的，但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致MOS场效应晶体管描述语句：（与后端提取pex输出的网表格式相同）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= v

6、al >* PS= val > <NRD= val > <NRS= val >2.1、 在wind owXP开始一程序这里打开 Hspice程序NSPICE Z-2007. 03 Microsaft Office 哥 SPICE Explorer 2007.1 +Avanwaves Z=zD07 03HSPICE MT Z-200T.03HSfICE Z-200T.03HSPICERF Z-2007.03Hspui E-2口叶.032.2、 弹出以下画面然后进行仿真真按钮形查看波形按钮按下后弹出以下对话框如果要查看内部节点的波形，双击 Top处如果有多 个子

7、电路 请单击此 处的Top 查看如果要查看测量语句的输出结果请查看.MTO文件（用记事本打开）avgpuwtr aug p(xl) fran=Brs to=6J«ns.measurfi trdn+ TRIG V(ln)* TARG l>(OUt)Qrise UflL-0.9 TD=Dns rise=1 VflL-fl.? TD=9ns rise-1.measure trdn ms u(in)* TARG Xout)Qfall ME.9 UAL-1.9T&-SnsT&-8ns而LITdualinvMTO文件：L KB至此前端仿真教程结束第二节后端电路设计前序（打开

8、Cadence软件）、开启linux系统双击桌面虚拟机的图标ELul lihl -Hi ir Linui.。一 Tltiu v VvfIC-kI bI lutvlilt Edit 山 r、Fmrar«d On. Fivcri In技必值汇!白； ；屯二I庖电器争 51 fteJ Hat Eiitcriirwe1 LlnvifR&cJ Hat Enterprise I iriwc 4StiE：PMcttdoffGuest gWd hWt Erterpriso Liuc 1Lcc*bm:也甘为 Wbjal MBdresledHit EntEq:fwe 5uk MIRe,fefif

9、cn:WnKstetioflS.S加工 vsrt uri sw由irwLcmmarwix) hgw 0 IHf # W rwX心 岫 vtftual dhKlint 谢国 En3 曲IE fwt匕阳(Whdt l£ *CE?)Dewes* HtWPrM«5iX54叫叱区 0CD/DMXIM： H Fkw% 窗篦也比fifiL理 Ou&B Circle / EojndCa 0匚语NotM选择Power on thisvirtualmachine开启linux之后在桌面右键选择Open Terminalrixit' IccalhoM：-Eite Edii 如ew

10、 LerminaJ T 边s Hdp rootfllocalhMt «# xhost locali|输入 xhost local:命令按回车CcimpulprTrahicu才予 IncallhcK/rDatEfe &M Mew gtniM TaJzs JjelpLr-MtliiKalhMt shost local:hM-neiwark Local -confteLiMfi b&ing added(o 吧control listr-CKl tOlOTA lhO5 t -Jif 5U XUErucfllDCJilhDst r»t fjrp5hflrr之后输入su

11、 xue命令按回车，这样就进入了 xue用户xue jocalhcstz/noor日 Ie E向 Wew lerminaJ Tajjs HelproDt9loealhogt -# xhost local:non-network local connections being added to access control listroq t©l ocal host T# su Kuexueilocalhost root£ /hone/eda/Mentor/ixl_c a 1_2008. l_20- 15/bin/lmgrd -c /home/da/mentor/ixl_c

12、a 1.200 吕. l_20,15/license, dat1、输入命令加载calibre 软件的license ,按回车，等到出现以下画面再关闭Terminal 窗口斯时(ngcld) udunlxquadlzbIucukIcZBluoouelB152150 tugeld) ziurezjKax-lMnznedcsin1S: 52: 5D (ngcld) autcheckznchcckaxisKnruheckcrs16:S2: ED (Bgcld) znch吩匚上isznchE-ckidntznchc-ckpldn-50 (PEcld) mcheck«vzwrklrtlznoii

13、ibrwFflrIS:52:50 (ncld) zncwlzdedltorzndecrvrtzndftZL6:醛4口 tngcld) ziwliBacenerzn 卬 gaznfxaiH16:52:5D (ngcld) mintFriuilzniplicgenznloiaiieir16:52: 50 (Bgc ld) Z3mnag.pznnninbamenede1 死 52 : 5口 (becU) 3»nc&ixlls»n已比 rdazriHrHidTraii16r&?;50 (niEcLd mrihtbznmiblinkziwilpcIS: SO CBgc

14、Ld) ziunpeiznimpcixZHMnpctKSO16:52:5D (ngtld) ZMilpoyphylZznBilpusphyUEtuinjMJxphfl可16: S2: ED (ngcld) zj1anqdr2ra.11ziuuirap idioznjinsdrjn16:53： SO (“eld xnmsifuranErwnspigZznfirruEbll(nEcld zawiutoplallZTwnutoplal? znunutopia 13116: 52 5 50 (BgcLd) EiwciutqplaMmianitor&in znsimrt16:52:5D Cnge

15、ld)打mrfl1B:52:5D (ngcld)uiurnmvhdl6:52: 50 (ngrld) Licon3s ar-o- 1 翼二雕：5。(BK?ld)ca&a sc-nsitiw for Bgcld1S:S2:5O (Bgcld> EXTERNAL FILTERS are OFFlfi：:52s5D 门iigEJ 想打白 using TCF-gft 12771既 &ih Mjew RiithM T曲 tldp2、然后桌面右键重新打开 Terminal进入学用户，开启 Cadence软件，如下图rQOtdlQCaIhost su xuexuelocalhost r

16、oatS icfb&1 4637fxue0localhost roatS然后出现cadence软件的界面关闭这个help窗口，剩下下面这个窗口，这样 cadence软件就开启了如果在操作过程中关闭了 cadence,只需要执行步骤2即可，步骤1加载calibre 的license只在linux重启或者刚开启的时候运行一次就可以了。双反相器的后端设计流程、schematic电路图绘制1、注息在Cadence中画schematic电路图时，每一个节点都需要命名，不然在参数提取之后没有命名的那些节点会被系统自动命名，导致用HSPICE看内部节点波形时难以迅速找到自己需要的节点。2、打开Cad

17、ence软件新建库和单元 Cell View用命令icfb&打开Cadence软件后弹出以下CIW窗口选才F Flie-New-Libirary之后弹出以下窗口这里我们新建一个名为ttest的库。（注意：在新建library的时候要attach to an existing techfile点击OK以后弹出以下窗口在 technology library 这里选择我们的 TSMC 库 tsmc18f然后点击OK在CIW窗口的tools菜单中选择第二个library manager之后弹出以下窗口我们可以看到左边Library里面有我们之间建立的ttest库，用鼠标左键选择ttest,

18、发现它的Cell和View都是空的。然后在该窗口的File-New-Cell View新建一个单元Cell View弹出以下窗口在窗口的Cell name中输入我们需要取的名字，这里取的是dualinv。点击OK后自动弹出画schematic的窗口3、画schematic电路图点击上面的这个作图版面，在键盘上按快捷键i会出现添加器件的窗口点击Browse后弹出以下窗口这里选中TSMC的库tsmc18rf,在Cell中选中pmos2v, view中选中symbol 然后鼠标移到外面的画图板上，就会出现一个 PMOS管，左键点击就可以放上 去了，按ESC回到正常的光标状态。中点u，I:伯阶I fi

19、ngersr1同理，选中TSMC库中的nmos2v,就可以添加NMOS管。（按快捷键M ,然后 再点击一下（选中）器件即可以移动器件）制阴戳nniv currnnl mxljvicnODF PwwmH翊以即6YMade! iignwpchOffdtiKEripiliuniOffMWKtfft* (M)3 kndlWliflfe(M)加tfrffNimifieror FindersgOffMulliiilivr4MTMiDfHiHb Mbririy接下来修改MOS管的尺寸，我们看到上述MOS管的默认尺寸都是L=180n W=2u我们这里将PMOS管修改为 W=720n NMOS管修改为 W=22

20、0n（注意：TSMC 0.18um库nmos2V和pmos2V最小的 W 只能设置到220nm,而 不能设置到180nm）鼠标左键选中一个器件（如M0）,然后按快捷键Q （property）,出现以下调整MOS管属性窗口：3hnwsystem user CPFPh9a 打阳帕DuplaybfcE X®匕稣1如4NTSI Nara羽但加valueIflnw Hianft酬吐口LMfhi削Slfttfi Nfiilf算网口打在w（M）的文本框中修改前面的2u修改成我们需要的720n然后点击OK即可 同理修改NMOS管的W=220n。之后开始连线 按快捷键 W （wire）即可然后添加PI

21、N脚（即与外部信号相连的端口，从图1.1可以看出这个双反相器电路涉及到的PIN脚有in out vdd gnd）注意：由于目前的工艺是P阱衬底，所以全部NMOS管的衬底即B端要接gnd, 而PMOS管的衬底可以接自己的S端或者vdd, 一般只接VDD不接S 知识补充：MOS管的衬底B端接S才能不引起衬偏，衬偏了会造成阈值电压增大按快捷键P就可以添加PIN脚在pin name中输入名称 Direction中选中pin脚的方向（其中in的direction是input out 的 direction 是 output gnd 和 vdd 的 direction 是 inputoutput）然后按回

22、车，光标上就会出现一个 pin的光影，点击鼠标左键即可摆放摆放pin脚之后，将PIN脚与电路相连，同样用快捷键 W来连线由于图1.1中还有一个内部节点fa,这里我们就需要给内部节点命名。按快捷键L,出现命名窗口在names这里输入fa,然后按回车然后鼠标上出现fa光影，将fa移到内部需要命名的线上点击左键即可。然后保存电路通用，也可以用快捷键L来连接两个单元：这样就不用连线，却能保证两个单元连接到一起。n12llNM5*口121 产w:12Gnl:60nE：1n12llw:120胸elkm： "nl2llMw:120nl:60nTuul D括i£在画图板左边工具栏里面选中第

23、一个check and save4、将电路图创建成为一个symbol ,用于仿真电路v I Qnci:Set: 0VirtuoseToolsDesign Window Edit AddQieck Sheet 0才Oieck and SaveXSave (not neededSSave As.飞HierarchyOrate CellviewrFrom GeiMew.New.From 科楫 List.怦Open.From Instance.'Open SymboL.=蹒SK决f啜更襟区Makje Read Only.怦Probe RotRenumber Instances.选择 Desig

24、nCreate Cellview- From Cellview 弹出以下窗口点击OK弹出以下窗口这里主要是Top Pins和Botton Pins这里需要修改，修改成如下图UinuosiF- SyMtaol EMng. ncsi diullnv s)-nibalUml;K*. uTmta MH小 幅向f Edt 修M Qvck点击OK弹出以下电路fn&tanceNamebartr<omeTools Iw点击save按钮保存这样我们就会看到在library manager里面就多出了一个该电路的symbol5、用spectre仿真器仿真电路（这里仿真一下电路主要是验证一下自己电路有

25、没有画错，如果电路逻辑功能正确，那么基本上可以保证自己刚才画的电路是正确的）新建一个名为 dualtest 的 Cell View 单元（在 Library Manager下）|回OK按快捷键i添加我们之前给双反相器电路创建的 symbol然后出现下图接下来就要给各个端口加激励信号和电源了按I添加器件，在analoglib中首先选择直流电压 Vdc,另外还要选择vpwl作为 线性分段信号源。按Q修改vdc的属性hoursystum usnr CDFR*Wt *启坳忙 L中帕怆伊划3V口卸1纳ft*刖yVtdiieUHrar NameCt!i NtanitH.l 口中可 wdc。而nrrKtew

26、 N»hr5kbdlferr网orrAddUdetcHadirUur Prn parlyMute glu口1 uud VakiRnteplaytvlgwmIKUE0vrrCDF 'ETOtfr州诩MUI凿A£ jih»5«DC voflagt*IkKC flilc mimeUfeutKr nt nntsnd'FEbq paars 口Vf rviinu-liAjiLn1口脚相Yerrorrnrorrnrrnrr"0鹏 Cancel Ap0y 口的皿幅（Yewiciiia HeM在DC voltage这里将电压值设置为1.8v（注意

27、，只要填入1.8即可，不要带入单位）即6个点），如下图同样修改vpwl的属性（这里我们设置一个3段线性信号,CDF PBraiiieterValueDisptayInuiubvr uf 网憎 tlF puirnbeWorrAC muuiiUMiRkMTAC plkas«IoffDC V阿BrDfFTime-1口*10 0 £MrTlrrtB- 2:后tei 3vfHVoH晔 20 0 ?.»TFTimu- 3ss.m 4阳¥由利押3tfffTlrw 4non. 4啪VMl晔 4i g三DflTTwine- 5>130 Oln *arr0 口耳时rT

28、ime- E20Qn 4时iaije£0 a EttfFFfe甲川:fii:y rwunn- fcr 1 UnwindJOffHol脚 W HEVTC1时rHu面her nT iMds«m«q pairs更OfliXF iTi.iliiUi 版r»rrrn:irnii!li iripoff此外我们还要添加一个gnd器件作为基准地信号（在analoglib中选择）添加完器件之后如下图（注意：电路的gnd与标准地gnd之间要添加一个0V的直流电压）接下来连线以及给输出端添加一个PIN,如下图然后按check and sav嘛存ScheimaticSimula

29、tion选择 tools 中的 Analog environmentcm。：Sel: 0Tools Design Window Edit Add CheiAMS Opts.Analog EnvironmentDesign Symthssins DivaRnorjilari/SclieifTiatjcsHierarchy Editor Mixed Signal Opt乐 PCD弹出以下窗口Virtuosox Analog Design EnviroiamQnr Cl)Ubraj7# TypeAcgunentfl.c . EnsbleDesign网ViewSlalus: Uitinilialire

30、dRjEaatw二 spectreflSirasiuh SEtlip Ansdyss gwiabl日& Outpuls Siniiulaliun Re苫nils TuatsHelp> Welcome W Virtuoso© Analog Design Eiwironnieiit口喝l典 VwtablesOulput选择右边工具框中的第二个 生，弹出以下窗口-ViflHOW1.ign Envirnnn这里设置仿真的停止时间（该时间根据自己具体需要填写），然后点OK接下来设置需要看波形的那些端口Analog iksign Environment (1)outputs To

31、Be Plotted Select On SchematicT=Z7 C Simulatees Outputs Simulation Results ToolsSetupMysesrYP1 To Be Saved3tl 30JOn1g He HuttedSelect On SchematicSave Ail .趣武1：建然后在要看波形的线条上单击鼠标左键点一下即可点元之后该线条会变颜色以及闪烁，之刖的 Analog environment窗口的outputs 中也会出现相应的名称1二1上|包V|；riuos£>nj Anilc Dtslgn £1M2口瓶上，值）T-2

32、7 C siftiMiabjr: spectreDesignAnalyses»Jh«ury ttest# lypeJhigiu4nti： EnahLeGel dualtits t1 trsn0前如yeaffw schenatic。制gw WfcjjiicsM帆屿¥烤UWly：# 出酬邛单LvaPLo< 5.e 用单F/h*1M号tEyea 社13 :nu2 outyea： allo noHntUtti miNJe:Rngjiace> Sslecl oh Sehetmattc Outputs Id He Flotlfd施碗口 h 3副印 Ah 壮加蜷 V

33、汨山蝙 OnlpiJil Sirv Hi lotion RimilK ToolsWGili国 Z 3 8然后点击右边工具栏中得倒数第三个Netlist and Run电路正确的话就会有波形点击该图标是分离重叠的波形其他快捷键E看symol里面的电路Ctrl+E退出看内部电路F让原理图居中P PIN管脚快捷键W连线L命名连线C Q MU复制器件属性 移动 撤销 其他相关设置：设置回退次数 CIW 窗口 -options-user preferenceUiixId Limit多个器件属性一起修改，用shift选中以后然后选all selected以先是only current)Edit objec

34、t PrTo <onty currentin:51ao匚日al SBlectEdShowal user CDF、版图设计打开 dualinv 的 schematic 电路图，然后 Tools-Design Synthesis-Layout XLCreate New File点击OK就会自动弹出画layout的版面此时键盘上按E键，出现设置窗口«|这里修改分辨率，将X Snap Spacing和Y Snap Spacing修改为0.005,方便之 后的画图。点击OK在画layout版面的菜单中选择 Design-Gen From source(F)3*Tools Desufik

35、Window Create Edit 'X： -12.1¥: 9.5王I然后弹出以下窗口点击OK即可，版面上就生成与原schematic电路图相对于尺寸的MOS管，如下图注：可以不gen from source而直接在画版图的版面按快捷键I添加layout器件， 再修改尺寸，这样也可以通过 LVS（经过测试即使版图中MOS的编号和schemati4的不同，但是最终输出子电路中 MOS管编号跟schematic1相同的）选择那四个绿色的方Ig和紫色的线，按 delete删除，删除后就剩下四个MOS管。按shift+F将MOS管转换为可视的layout结构，并用M快捷键来移动MO

36、S管, 此时整个版面上就剩下四个 MOS管了， （ Ctrl+F可以还原为Schematic结构） 如下图自二期工具栏左边的放大镜可以放大和缩小，或者使用快捷键Z（放大），shift+z缩小（按了 Z键要选某一个区域才能放大，不是直接放大与缩小）接下来开始画图:1、 画PMOS管和NMOS管相连的栅极（用LSW窗口中得POLY1来画）选中POLY1 drw然后点版图，然后按R（画方框），Q属性可以看到是dg（在空白处）按S键，鼠标移到矩形框的边，就能修改矩形框。修改之后让矩形框与PMOS管NMOS管的栅极对齐。（一定要对齐，不然DRC 报错）放大可以看到他们是否对齐，这样的是对齐的。这样就是没

37、对齐。画好POLY1以后如下图2、画金属走线LSW 中的 metallP（走线），然后按F3（设置线CONT忖E |OK OncK | Apply 陋 AUnbuUrCi削板阀皿凯 帆加由于该电路简单，只需要一层金属即可，所以只需要 在LSW中选中METAL1 drw ,然后点版图，然后按 宽为0.5） , Q属性可以看到是dg画完后如下图（注意金属要整个覆盖住 MOS管的D端，接触面积大才能保证电 流）3、画POLY1和metall之间的连接不同材料之间相连要打孔。比如Metall和polyl相连，就选M1_POLY1 , Metall 和Metal2相连就选M2_M1 , NMOS的衬底接

38、触和体相连用 M1_SUB, PMOS 管的衬底接触和体相连而 M1_NWELLLSW中选中poly1-drw,按P,按F3,设置为0.5宽度，画一段poly然后在这段poly上打孔，按字母。键,弹出以下窗口在Contact Type这里选择 M1_POLY1,Rows这里输入2,然后回车 （鼠标右键可以旋转器件）将这个通孔放于之前的polyl上然后metall与这个通孔相连即实现了金属1层与polyl之间的连接I也接下来输入信号in这里也要这样画，画好之后的整体图如下4、画衬底接触这里要分别画PMOS管的衬底接触和NMOS管的衬底接触。按快捷键字母O, 在Contact Type这里选择 M

39、1_SUB,这个是NMOS管的衬底接触。按快捷键字母O,在Contact Type这里选择M1_NWELL ,这个是PMOS管的衬 底接触。5、给PMOS管打阱因为现在是P阱工艺，整个画图的版面就是一个 P型衬底，而NMOS管是做在 P型衬底上面的，所以画NMOS管的时不需要画阱，而画PMOS管时要画nwell（即 它的衬底），nwell要包围住PMOS管和它的衬底接触。hvw诉TI在LSW中选中NWELL-drw，按R,画矩形框，如下图6、画管脚PIN在LSW 中选中metall pin.1一一 二， | 卜I 购 METAL1|pin11 H METALSpin L弹出以下窗口接着点击空白

40、处，然后按快捷键在Label这里输入名称（注意这个名称要与schematic图中节点的名称要相同），Height这里设置字体的高度，Font这里设置 字体的样式，然后按回车，将 PIN脚摆放到正确位置7、补全其它连线因为上图并不完整，还有很多连线没有连。在熟悉版图画法之后这一步是放在 前面做的，因为我们熟悉画法后就知道哪里是VDD、gnd、输入和输出画完这个7步骤以后点左边工具栏的SAVE保存，然后就可以进行后面的DRC、 LVS 和 PEX 了。补充知识-多层金属连线:（以下讲解两层金属 metall和metal2的布线）由于金属走线经常会交叉，所以单层金属是不够的，这就涉及到多层金属的布线

41、metal2 drw是金属层2metall和metal2之间用通孔 M2_M1画版图一些技巧：1、所有的MOS管最好同方向（竖方向），不要有有横有竖。最好是PMOS管放 一起（比如一起放上面），NMOS管放一起（一起放下面），不一定是按照schematic 电路图上的MOS管顺序来摆放。2、走线不要穿过MOS管，要绕过去。3、单排衬底接触最长不要超过100um,比较敏感的管子要多加些接触（两排或多 排），衬底接触少了电阻会大。一般情况我们采用单排衬底（即rows或columns=1） 4、横线用金属2,竖线用金属1,金属越宽电阻越小。我们一般取0.5u宽度。寄生电容与发生寄生电容的两导体面积成

42、正比，因此线宽就0.5u够了（能承受1mA）,不需要再大。（TED）5、版图的PMOS管和NMOS管 源极和漏极是不区分的，上下的 poly1都是栅 极。6、衬底接触一般在下面画一排接触即可，对于数模混合电路某个MOS管是特 别敏感的那用衬底全包围。7、走线尽可能短，尽量画的紧凑，减少延时 。8、尽量不用POLY来走线，如果两个栅极之间具体太长，中间用金属走线。poly 的长度最多是 3-5um。9、同一层Metal之间的距离要大于最小值 0.23um, 一般是设置成大于0.5um。比如两条metall走线之间的距离要大于0.5um。10、PMOST的衬底全部接VDD NMOST的衬底全部接地

43、各种器件之间的距离：1、PMOS管和NMOS管之间的距离一般控制在1um以上，太近DRC报错2、两个不同电压nwell之间的距离要大于1.4u,因此一开始要预留5um3、Nwell和NMOS管之间的距离推荐是大于1u4、Nwell和衬底接触以及PMOS管的距离0.5u左右5、衬底接触和mos管距离一般设置为0.5u电容和电阻器件不选择analoglib里面的cap和res（这两个是理想电容电阻），电 容一般选择tsmc里面的mimcap,电阻则要看电阻率等具体要求。（TED&黄）快捷键K尺寸距离（shift + k撤销尺寸）S修整M移动选上后右键可旋转Z放大（ctrl+z放大两倍，sh

44、ift +z缩小两倍）Shift选择多个器件Shift+F显示NMOS和PMOS器件的版图O 打孔（pmos管衬底属性选择 M1_NWELL nmos管选择M1_SUB 金属和poly 打孔属性选择M1_POLY1）三、后端验证和提取后端仿真首先要DRC,然后LVS,然后PEX提取寄生参数。最后用Hspice仿 真器仿真提取参数后的网表。这里主要用到的是calibre工具1、 DRC（上面工具栏中 calibre一选才i Run DRC弹出下面窗口Runset File是RUN DRC时需要填入的一些设置，方便于下次 RUN,可直接取 消掉DRC主要设置rules的位置和DCR Run的路径其

45、余的都默认Rules这里选择TSMC库文件中calibre文件下的calibre.drc（这里的DRC Run Directory是自己创建的一个文件夹，su xuecd /home/xue mkdir drc）这里 dcr 改为 verify/dcr"Calibre Interactive - nmDRC v2011.2 34.26然后点击Run DRC 弹出以下窗口Topee'll inv . a Rg/uiw in B ar mb ChEcks）早 Cell Inv - B Redlte OD erteck F.凡3 -1 %白euiiLl 匐 Cltack Ml.R.

46、l - 1 ResultE： 3 Check. M2.B.1 - 1 ResuH-西 Chflck. M3.P 1 -1 RbwR- W ChflCk M4 R 1 -1 ResuH-F 国 CMck M5,R1 - 1F Ckeck Mg.R-1 - i R©如修-m H Check UTMZOKRJ - 1 Resun（运行完成之后的弹出的窗口）比如点开看，如果是area coverage那就是覆盖率的问题，这种错误不用理会。 上图中得这8个错误是没关系的2、Run LVS同样Runset File点取消 设置 rules 和 input 的 netlist日伯 Iranscrl

47、plgslupit1 vs 埼r lipRUl«$inputs海WHO幽Ue/|Mk/C9NbE限ilbr号小色. I Vi&w LOOutputsLVS Run DirmcMryRun 日nfngl *|一二一 :(【新】lvs改为verify/lvs【新】lvs改为verify/lvs Calibre Interactive - nmLVS v2011.2 34,26 Calibre Interactive - nmLVS v2011.2_3426帅utsll Layom 壮 N酬夙Nsllrstvs NeUistNgHIM 日衣ad10rlQuip MsRun Cont

48、rolLayout | Netiisfi | H-Cells |TranscriptFlies：mv.sn'.riftl1| 2| 喇BW |Rum LVSF oriTtHt：aPICE Export (roin schematic viewerInputs Netlist 这里选择 Export from schematic viewer点击run LVS后弹出以下窗口如果是绿色笑脸则表示LVS通过，表示版图和schematic原理图是匹配的，说明 我们的版图没有画错。如果是红色脸蛋，表示有错误，那要点开看具体的错误说 明，再排除错误。3、Run PEX同样Runset File点取

49、消Rules设置新/home/gengliang/ic/verify/pexInputs-netlist 设置 Export from schematic view 选上Outputs- extraction type选择R+C（即提取寄生电阻和电容），format这里选择 hspice（用于Hspice仿真器仿真）（如果后仿是用spectre仿真器仿真，那么format这里选择CALIBREVIEW ）SVD6view£iie Iran script 莹elupRulesExtractian Mode xRC /.ccurac1： 200'Calibre Interacti

50、ve - PEX v2011.2_34.26Accuracy 200No InductanceNetllstNets ReportsSVD 日Exiraction Mode： xRCTransistor Level R + CRun EEXStar! RVERun PEXFormat ELDQ Usa Names Fra h Nd R/C View nefllsl after fex finishesExtraction Type：CALIBREVIEWFile： dindg中EKjnetflstRun ControlTranscriplExtractian Tjjpe： Transiista

51、i Level R * C Nd InduclanceSlart RVEFile Hcff.pex JKtlistViewFile： Icf DSPF> ELDOF PRIMETIME HSIMF ADITRAILTranscnptFormat HSPics Ufe Nam&s From： schematicRun REXSlartRi£E Viewnelllst altar PEX Hn4$hesNEW£ile Iranscript elupQutpuhNets. | ReportsNelli式 | Net GeometryRulesInputsErirac

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