微机原理第5章

1、1重点掌握和理解的知识：重点掌握和理解的知识：（1）重点掌握存储器的结构原理及体系分类）重点掌握存储器的结构原理及体系分类（2）重点掌握存储器译码及芯片地址空间的计算方法）重点掌握存储器译码及芯片地址空间的计算方法（3）理解并掌握典型存储芯片的外部特征及应用特点）理解并掌握典型存储芯片的外部特征及应用特点（4）理解并掌握不同类型存储芯片的工作原理及内部结）理解并掌握不同类型存储芯片的工作原理及内部结构特点构特点（5）理解并掌握存储芯片的扩充方式以及与）理解并掌握存储芯片的扩充方式以及与CPU的信号的信号连接方法连接方法2n存储器以字节存储器以字节(8位位)为基本存储单位为基本存储单位n存储器有

2、确定的存储容量存储器有确定的存储容量n每个存储单元有唯一的地址每个存储单元有唯一的地址n8086使用使用20位地址线寻址存储器位地址线寻址存储器3n如何规划和组织微机系统的存储体系？如何规划和组织微机系统的存储体系？n通常采用通常采用“多级存储器体系多级存储器体系”(而非单一的存储形而非单一的存储形式式)n由两种以上的速度、价格、容量各异的存储器由两种以上的速度、价格、容量各异的存储器组成组成n由专门的软件、硬件进行辅助管理由专门的软件、硬件进行辅助管理4n考虑和兼顾的因素为考虑和兼顾的因素为n速度速度n容量容量n成本成本5内存储器内存储器随机存储器随机存储器RAM只读存储器只读存储器ROM动

3、态动态RAM静态静态RAMRandom Access MemoryRandom Access Memory1 1 可读可写可读可写2 2 易失性易失性Read Only MemoryRead Only Memory1 1 只读只读 2 2 非易失性非易失性6主存储选用动态随主存储选用动态随机存储器机存储器DRAM辅存储选用磁盘辅存储选用磁盘利用利用虚拟内存技术虚拟内存技术解决主解决主存储容量与成本价格的矛存储容量与成本价格的矛盾问题盾问题硬件软件辅助管理硬件软件辅助管理选用选用SRAM作为高作为高速缓存速缓存CacheCPU硬件软件硬件软件辅助管理辅助管理7现在的微型计算机系统一般采用多现在的

4、微型计算机系统一般采用多级存储器结构，即：存储系统的级存储器结构，即：存储系统的三个层次三个层次特别提示特别提示：无论是否采取了虚存技：无论是否采取了虚存技术还是缓存技术，主存的容量一术还是缓存技术，主存的容量一定仍是定仍是DRAM的容量；的容量；CPU寄存器寄存器高速缓存高速缓存SRAM主存储主存储DRAM外部存储器外部存储器1MB8KB*220GB16位位8n使用不同的电子器件，构成具有两个稳定状态使用不同的电子器件，构成具有两个稳定状态的存储基本电路；存储二进制数据信息的存储基本电路；存储二进制数据信息n一个存储基本电路；存储一个二进制的位一个存储基本电路；存储一个二进制的位存储基本存储

5、基本电路电路字线字线选中该电路选中该电路也称地址线也称地址线位线位线输出或输入该位数据输出或输入该位数据也称数据线也称数据线9n存储矩阵，存储多个二进制的位数据存储矩阵，存储多个二进制的位数据n选中某一个存储电路，至少需要选中某一个存储电路，至少需要4条地址线条地址线n需要需要1条数据线条数据线10n以上的图示是一个以上的图示是一个4*4的存储矩阵的存储矩阵n可以存储可以存储16个二进制的位个二进制的位n称它的容量为：称它的容量为：16*1位位n如矩阵为如矩阵为128*128，则可实现更大规模的存储，则可实现更大规模的存储n行、列各至少需要行、列各至少需要7条地址线，共同确定一个存储电路条地址

6、线，共同确定一个存储电路n容量为：容量为：16K*1位位128*128 矩阵矩阵行行译译码码列列译译码码11行译码器行译码器列译码器列译码器数据数据I/O1A2A1A0仍是仍是4*4矩阵矩阵但每次可传送但每次可传送2个二进制位个二进制位此此2个位来自个位来自1个个存储单元存储单元共共8个存储单元个存储单元,每个存每个存2位位地址线共只需地址线共只需3条条需要两条数据线需要两条数据线存储容量为存储容量为 8*2位位如每次可输出如每次可输出4个二进制位个二进制位则有则有4个存储单元，每个存个存储单元，每个存4位位容量为容量为4*4位位只需要只需要2条地址线条地址线但需要但需要4条数据线条数据线存储

7、单元与地址线数有存储单元与地址线数有对对应关系应关系: 单元数单元数=2地址线数地址线数地址线的任务是地址线的任务是“寻寻”存存储单元储单元数据线与单元存储的位数数据线与单元存储的位数有有对应关系对应关系: 两者相等两者相等一条数据线传送一条数据线传送1位位数据线的任务是数据线的任务是“传送传送”若干位的数据若干位的数据存储容量可表示为：存储容量可表示为： 存储单元数存储单元数*各单元的位数各单元的位数数据数据I/O212n一个存储芯片往往包含若干存储矩阵一个存储芯片往往包含若干存储矩阵n最终的存储器是以最终的存储器是以“字节字节”为存储单位的；但为存储单位的；但存储芯片的存储单位是存储芯片的

8、存储单位是“位位”，而不一定是字，而不一定是字节；既使是节；既使是8位，也不一定能满足存储器的容量位，也不一定能满足存储器的容量要求要求n一个存储器往往由多个存储芯片一个存储器往往由多个存储芯片扩充扩充组成组成n位扩充位扩充n字扩充字扩充13n某存储器芯片的地址线为某存储器芯片的地址线为16位，存储字长为位，存储字长为8位，位，则其存储容量为多少？则其存储容量为多少？n一般的，若某存储器芯片有一般的，若某存储器芯片有M位地址总线、位地址总线、N位数位数据总线，表示存储单元的数量为据总线，表示存储单元的数量为2M个，每个存储单个，每个存储单元可存储元可存储N位二进制代码信息；则存储容量表示为位二

9、进制代码信息；则存储容量表示为 2MN(位位)n该存储芯片中该存储芯片中M为为16位，位，N为为8位，则其存储容量为：位，则其存储容量为： 64K8位位 (容量为容量为64KB)14n半导体存储器的一般包括半导体存储器的一般包括n地址寄存器地址寄存器n地址译码器地址译码器n存储体存储体n读写控制放大电路读写控制放大电路n数据寄存器数据寄存器n时序逻辑控制电路时序逻辑控制电路15存储体存储体 数数据据寄寄存存器器读读写写驱驱动动电电路路地地址址寄寄存存器器 地地址址总总线线控制总线信号控制总线信号数数据据总总线线控制电路控制电路地址译码器地址译码器信息存储的主体和核心，信息存储的主体和核心，是存

10、储单元的集合体；存是存储单元的集合体；存储单位是字节储单位是字节接收接收CPU 送来的位地送来的位地址信号，并译出存储单址信号，并译出存储单元中的具体地址，选择元中的具体地址，选择并确定与具体地址相对并确定与具体地址相对应的存储单元应的存储单元提供片选和读提供片选和读/ /写等控制逻写等控制逻辑信号，完成对被选中单元辑信号，完成对被选中单元中各位数据的读写操作中各位数据的读写操作寄存器分别用于暂存待读出寄存器分别用于暂存待读出或待写入的数据和或待写入的数据和CPU送来送来的地址的地址1617n由电路结构的特点，可以保证存储的信息只要不断由电路结构的特点，可以保证存储的信息只要不断电，内容不会丢

11、失；不需要刷新电，内容不会丢失；不需要刷新n存取速度快存取速度快n电路结构复杂，集成度较低电路结构复杂，集成度较低n价格成本较高价格成本较高n一般用作高速缓冲存储器一般用作高速缓冲存储器18见教材见教材P136-P137特点：特点： 复杂复杂 由触发器构成由触发器构成 不需要刷新不需要刷新不需要了解内特性不需要了解内特性19 常用常用 SRAM 芯片型号芯片型号型号型号容量容量型号型号容量容量61162K*8位位6212816K*8位位6132，62324K*8位位62256，5C25632K*8位位6164，6264 3264，71648K*8位位64C512，7451264K*8位位20n

12、数据线数据线：8条条 地址线地址线：11条条n控制线控制线：CS，OE，WE，24引脚引脚 存储容量为存储容量为 2K*8位位(B)列地址只有列地址只有4位；可寻位；可寻16根列线；因根列线；因6116是是8位存储的芯片，故一根列线将位存储的芯片，故一根列线将控制控制8位，即选中某一根列线位，即选中某一根列线(如如0101)和某一根行线和某一根行线(如如101 1010)上的上的8个位；个位；存储体是一个存储体是一个128*128的矩阵的矩阵;2K个基个基本存储单元本存储单元,每各存储单元存储每各存储单元存储8位位21128行行7条地址线寻址条地址线寻址可寻址可寻址128条行线条行线128列列

13、但但4条地址线寻址条地址线寻址共可寻址共可寻址16条列线条列线1条列线将控制条列线将控制8列列即同时可读写即同时可读写8位位22数据线：数据线： I/O0I/O7地址线：地址线： A 0A 10 控制线：控制线： CE：片选信号，有效时，芯片才工作：片选信号，有效时，芯片才工作 WE：读写控制信号，为：读写控制信号，为0时写，为时写，为1时读时读 OE：存储器数据输出控制信号，为：存储器数据输出控制信号，为0时，时，允许存储器被选中的数据输出到数据线上允许存储器被选中的数据输出到数据线上23片选片选CS=0有效有效,表示被选中表示被选中由由CPU送来的地址信号经地址输入线送来的地址信号经地址输

14、入线A10A0送送入地址锁存器入地址锁存器该地址被先后送入行该地址被先后送入行(7位位)、列、列(4位位)地址译码器地址译码器根据译码值，选中一个存储单元（根据译码值，选中一个存储单元（8位）的数据位）的数据待输出控制信号待输出控制信号OE=0时，被选中的数据被送至时，被选中的数据被送至I/O线上线上24写入时，片选信号写入时，片选信号CS=0，表示选中该芯片，表示选中该芯片当当WE=0,表示是写操作表示是写操作经经译码器译码，确定写入单元（译码器译码，确定写入单元（8位）的地址位）的地址将此时将此时I/O线上的数据送入被选中的存储单元线上的数据送入被选中的存储单元2526n由由一个一个MOS

15、管组成基本存储单元，依靠管组成基本存储单元，依靠MOS管的管的栅极栅极电容电容来存储信息，电路结构简单来存储信息，电路结构简单n信息在栅极电容上可保留信息在栅极电容上可保留一段时间一段时间n但栅极电容上的信息还是要丢失的但栅极电容上的信息还是要丢失的(漏电漏电)，因此动态因此动态RAM需要需要定时地刷新定时地刷新n集成度高，价格成本集成度高，价格成本低，适合制作大规模和超大规模集低，适合制作大规模和超大规模集成电路成电路27特点：特点： 简单简单 由电容构成由电容构成 需要刷新需要刷新不需要了解内特性不需要了解内特性详细见教材详细见教材P13928n2164是典型的芯片是典型的芯片n16引脚引

16、脚n容量为：容量为：64K*1位位；4个个128*128的存储矩阵的存储矩阵n8条地址线条地址线;为实现为实现16位位(64K)的寻址的寻址,地址线地址线分时复用分时复用:n行地址选通信号行地址选通信号-送送8位行地址锁存器位行地址锁存器n列地址选通信号列地址选通信号-送送8位列地址锁存器位列地址锁存器n每每 2ms 需刷新一遍；每次刷新需刷新一遍；每次刷新512个存储单元，在个存储单元，在每个矩阵中刷新一行；每个矩阵中刷新一行；2ms内需有内需有128个刷新周期个刷新周期29A0A7：8根地址引脚，用来接收根地址引脚，用来接收8 位的行、列地址位的行、列地址RAS：行地址选通信号，低电平有效

17、：行地址选通信号，低电平有效CAS：列地址选通信号，低电平有效：列地址选通信号，低电平有效WE ：写允许控制信号，输入：写允许控制信号，输入DIN：数据输入引脚，被写入的数据从此写入存储：数据输入引脚，被写入的数据从此写入存储DOUT：数据输出引脚，读出的数据从此输出到数据总线：数据输出引脚，读出的数据从此输出到数据总线VDD：+5V 电源引脚电源引脚Vss：接地引脚：接地引脚N/C：空引脚：空引脚无片选信号；由无片选信号；由RAS和和CAS替代替代3031 在行地址控制下刷新，每次刷新在行地址控制下刷新，每次刷新128 4 个单元个单元 RAS=0，传送行地址；，传送行地址；CAS=0，传送

18、列地址，传送列地址 读写控制信号读写控制信号 WE，当，当WE=1为读，为读，WE=0为写为写32n非易失性存储器，主要存放一般不修改的固定的程序和数非易失性存储器，主要存放一般不修改的固定的程序和数据，如监控程序、据，如监控程序、PC机的机的BIOS程序等程序等n基本结构与基本结构与SRAM相似，但要解决相似，但要解决“非易失非易失”问题问题n解决解决“非易失非易失”问题的方法不同，所以问题的方法不同，所以有多种类型的有多种类型的ROM n掩膜掩膜ROM；n可编程的只读存储器可编程的只读存储器PROMn可擦除的可擦除的EPROM以及电可擦除的以及电可擦除的EEPROM33P128 图图5-6

19、 掩模掩模ROM芯片所存储的信息是在芯片所存储的信息是在芯片制造生产时确定，用户不能修改芯片制造生产时确定，用户不能修改 图示为图示为一个一个4 4位位MOS管的管的ROM的存储矩阵及存储内容的存储矩阵及存储内容344 4位掩模位掩模ROM矩阵及存储内容矩阵及存储内容字线以高电平选通；以字选线上有无管子，区分和存储信息字线以高电平选通；以字选线上有无管子，区分和存储信息;制造时都有制造时都有,都是都是0;出厂时一次性写好出厂时一次性写好,或或1或或0;不可再更改不可再更改!D3D2D1D0字线字线00110字线字线10101字线字线21010字线字线3000035nPROM是一种允许用户编程一

20、次的是一种允许用户编程一次的ROMn其存储单元通常用晶体管实现其存储单元通常用晶体管实现nPROM在出厂时，其存储单元的内容为全在出厂时，其存储单元的内容为全1或全或全0；用户；用户可以根据自己的需要，在通用或专用的编程器上将某些可以根据自己的需要，在通用或专用的编程器上将某些单元改写为单元改写为0或者或者1n熔丝式熔丝式PROM结构出厂时，管子将位线与字选线连通，结构出厂时，管子将位线与字选线连通，所有熔丝都是接通的，表示存有所有熔丝都是接通的，表示存有“0”信息；如要改写为信息；如要改写为“1”信息，只需用电流将熔丝烧断即可信息，只需用电流将熔丝烧断即可n熔丝烧断后不能恢复，熔丝烧断后不能

21、恢复，PROM只能进行一次编程只能进行一次编程36P128 P128 图图5-85-8 EPROM芯片，也称为紫外线擦除可编程的芯片，也称为紫外线擦除可编程的ROM芯片芯片 通过电路中场效应管的通过电路中场效应管的电荷分布电荷分布来保存信息来保存信息 编程的过程，是一次编程的过程，是一次高电平作用下的电荷注入高电平作用下的电荷注入的过程的过程 由于绝缘层的包围，注入的电荷无法泄漏，电荷分布由于绝缘层的包围，注入的电荷无法泄漏，电荷分布维持不变，信息保存非易失性维持不变，信息保存非易失性 通过通过“光照光照”擦除信息；擦除和重写需要使用专用设擦除信息；擦除和重写需要使用专用设备备 擦除或重写必须

22、是擦除或重写必须是“整片整片”进行进行37 特别技术制作的场效应管，栅极特别技术制作的场效应管，栅极被被SiO2绝缘层包围；称为绝缘层包围；称为“浮栅浮栅”；一旦注入电荷将不会泄漏；一旦注入电荷将不会泄漏VPP38n原始状态原始状态：栅极无电荷，浮栅管不导通，位线：栅极无电荷，浮栅管不导通，位线为高电平为高电平1n编程编程：实际是某位写：实际是某位写0；在写电压的作用下，电；在写电压的作用下，电荷被注入栅极，使管导通，该位线为低电平荷被注入栅极，使管导通，该位线为低电平0n保持保持：撤掉写电压后，电荷因绝缘而不泄漏，：撤掉写电压后，电荷因绝缘而不泄漏，信息得以保持，不会丢失信息得以保持，不会丢

23、失n擦除擦除：紫外线光照射，电荷获得较大能量，可：紫外线光照射，电荷获得较大能量，可穿过穿过PN结而泄漏，恢复原始状态结而泄漏，恢复原始状态39平时需要盖住平时需要盖住! !40型号型号规格规格型号型号规格规格字长字长（byte）宽度宽度（bit）字长字长（byte）宽度（宽度（bit）27162K*8位位16Kbit2751264K*8位位512Kbit27324K*8位位32Kbit27C010128K*8位位1Mbit2764A8K*8位位64Kbit27C020256K*8位位2Mbit2712816K*8位位128Kbit27C040512K*8位位4Mbit2725632K*8位位

24、256KbitIntel _41n12条地址线条地址线A11A0 (寻址寻址4K单元单元 )n8条数据线条数据线O7O0nCE为芯片允许信号，为芯片允许信号， 用来选择芯片用来选择芯片nOE/VPP为输出允许信号，用来把输为输出允许信号，用来把输出数据送上数据线；出数据送上数据线；VPP为写操作高为写操作高压电源压电源(写操作高电压位写操作高电压位21V) n不能不能“随机随机”写，不需要写选通写，不需要写选通 Intel 2732A是一种是一种4K8位的位的EPROM4243存储器的最终容量一定是存储器的最终容量一定是 存储单元数存储单元数8位位 按字节组织的存储体按字节组织的存储体n芯片的

25、单元存储数据位数一般为芯片的单元存储数据位数一般为1、4、8位；而且一个位；而且一个芯片的容量也是有限的芯片的容量也是有限的n存储体是由多个存储体是由多个“存储芯片存储芯片”，经扩充而成，经扩充而成n位扩充位扩充与与字扩充字扩充44n微机系统中主存储器的设计将涉及以下的主要问题微机系统中主存储器的设计将涉及以下的主要问题n确定主存储器的结构；基本依据是外部数据总线的确定主存储器的结构；基本依据是外部数据总线的位数位数(即数据总线的宽度即数据总线的宽度)；主存储器的结构可以一般；主存储器的结构可以一般分为：单存储体结构分为：单存储体结构(适用于适用于8位的数据总线位的数据总线)、双存、双存储体结

26、构储体结构(适用于适用于16位的数据总线位的数据总线)和四存储体结构和四存储体结构(适用于适用于32位的数据总线位的数据总线)n规划分配只读存储器规划分配只读存储器ROM的容量和随机存储器的容量和随机存储器RAM的容量，并选择相应的存储芯片；分别确定的容量，并选择相应的存储芯片；分别确定ROM和和RAM的容量的容量 45n存储器芯片与系统总线的连接方式存储器芯片与系统总线的连接方式 各存储芯片与系统的数据总线、地址总线和控各存储芯片与系统的数据总线、地址总线和控制总线的连接方式制总线的连接方式 nCPU总线的负载能力总线的负载能力 CPU的总线负载能力是有限的，对于较小系统，的总线负载能力是有

27、限的，对于较小系统，芯片可与芯片可与CPU直接连接；对于较大系统，应增加直接连接；对于较大系统，应增加驱动电路或设置缓冲组件，提高驱动电路或设置缓冲组件，提高CPU的负载能力的负载能力 46n存储器芯片的选择：存储器芯片的选择：n首先根据存储的数据位数计算所需芯片的数首先根据存储的数据位数计算所需芯片的数量：量：8位位芯片的存储位数。芯片的存储位数。n然后再根据存储器的存储单元数量计算所需然后再根据存储器的存储单元数量计算所需芯片的数量：存储器的存储单元数量芯片的数量：存储器的存储单元数量芯片芯片的存储单元数量。的存储单元数量。n最后综合得到最终的芯片数量最后综合得到最终的芯片数量 47n选用

28、选用2164（64K1位）构成一个位）构成一个256KB的存储器，计的存储器，计算确定所需芯片的数量算确定所需芯片的数量n解：首先根据存储位数要求，计算确定所需芯片数解：首先根据存储位数要求，计算确定所需芯片数量：量：8位位芯片的存储位数芯片的存储位数=81=8(片片)n然后根据存储单元数量要求，计算确定所需芯片数然后根据存储单元数量要求，计算确定所需芯片数量：存储器的存储单元数量量：存储器的存储单元数量芯片的存储单元数量芯片的存储单元数量=256K64K=4(片片)n最后得到，构造本题要求的存储器，共需要最后得到，构造本题要求的存储器，共需要2164芯芯片的数量：片的数量：84=32(片片)

29、48n芯片的存储位数不足一个字节时，需要芯片的存储位数不足一个字节时，需要位扩充为位扩充为8位位n将多个芯片组成一组，地址线及控制信号线分别连接在将多个芯片组成一组，地址线及控制信号线分别连接在一起，各片的一起，各片的数据线独立连接到数据总线上数据线独立连接到数据总线上n扩充为一个字节的数据存储空间扩充为一个字节的数据存储空间nCPU同时选中多个同时选中多个“片片”49用用Intel 2114(1K4位位)的的SRAM芯片组成一个芯片组成一个1K8位的存储器，计算需要的芯片数量并画位的存储器，计算需要的芯片数量并画出扩充的连接示意图出扩充的连接示意图通过计算得到所需的芯片数量为：通过计算得到所

30、需的芯片数量为： 8位位芯片的存储位数芯片的存储位数=84=2(片片) 50n各芯片的一个单元存储位数为一个各芯片的一个单元存储位数为一个字节字节n若构成指定容量的存储体，需要由若构成指定容量的存储体，需要由多片扩充而成多片扩充而成n内部地址线、数据线、读写控制信内部地址线、数据线、读写控制信号线分别连接在一起；号线分别连接在一起；但片选线独但片选线独立连接到译码器输出端立连接到译码器输出端nCPU一次读写选中一片一次读写选中一片1# 621282# 621283# 621284# 62128D7D064KB存储器存储器62128为为16K*8位芯片位芯片5152n用用Intel2114芯片构

31、成容量为芯片构成容量为4KB的的RAM存储器存储器系统：系统：nIntel2114芯片的容量为芯片的容量为1K4位，字长为位，字长为4位，位，因此首先要采用位扩充的方法，用两片芯片因此首先要采用位扩充的方法，用两片芯片组成组成1K8位的芯片组；再对芯片组采用字位的芯片组；再对芯片组采用字扩充的方法来扩充容量，需要扩充的方法来扩充容量，需要4组芯片组构成组芯片组构成4KB的容量；共需要的容量；共需要8片片2114芯片芯片 53n存储器与存储器与CPU数据总线的连接数据总线的连接n位扩充时：各片分别连接到数据总线的不同位扩充时：各片分别连接到数据总线的不同位线上位线上n字扩充时：各片数据线均连接到

32、数据总线上字扩充时：各片数据线均连接到数据总线上54n8086 CPU与存储器连接的控制信号主要有：地与存储器连接的控制信号主要有：地址锁存信号址锁存信号ALE、选择信号、选择信号IO/M，读，读/写信号写信号RD和和WR，准备就绪信号，准备就绪信号READY等等n存储器控制信号引脚或其他存储器组件的引脚存储器控制信号引脚或其他存储器组件的引脚分别与分别与CPU上述对应信号线相连上述对应信号线相连5556n存储器是经存储器是经“扩充扩充”而成的而成的n存储器寻址的基本要求是：存储器寻址的基本要求是：CPU发出一个地址，只能找发出一个地址，只能找到到一片一片存储器芯片上的某个存储单元；或只能找到

33、由存储器芯片上的某个存储单元；或只能找到由一一组组芯片经扩充而成的某个存储单元芯片经扩充而成的某个存储单元n这包含着两个这包含着两个“寻址寻址”的意义的意义n找到目标片或找到目标组找到目标片或找到目标组-称为称为“片选片选”n在片内或组内找到存储矩阵中目标存储单元在片内或组内找到存储矩阵中目标存储单元-称为称为“字选字选”57n根据所选用的半导体存储器芯片地址线的多少，把根据所选用的半导体存储器芯片地址线的多少，把CPU的地址线分为芯片外地址线和芯片内地址线的地址线分为芯片外地址线和芯片内地址线n片外地址线片外地址线，经地址译码器译码后输出，作为存储，经地址译码器译码后输出，作为存储器芯片的片

34、选信号，用来选中器芯片的片选信号，用来选中CPU所要访问的存储所要访问的存储器芯片器芯片-片外译码片外译码-实现片选实现片选n片内地址线片内地址线，直接接到所要访问的存储器芯片的地，直接接到所要访问的存储器芯片的地址引脚，用来直接选中该芯片存储矩阵中的一个存址引脚，用来直接选中该芯片存储矩阵中的一个存储单元储单元-片内译码片内译码-实现字选实现字选58n那么如何进行那么如何进行“字选字选”和和“片选片选”呢？呢？n用用CPU地址总线的低位实现地址总线的低位实现“字选字选”n称为称为“芯片内部译码芯片内部译码”n由片内译码器完成由片内译码器完成n用用CPU地址总线的高位实现地址总线的高位实现“片

35、选片选”n称为称为“芯片外部译码芯片外部译码”n有多种译码方式实现有多种译码方式实现59n意义：意义：将输入的将输入的CPU一组高位地址信号通过变换，产生一个有一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的控制信号，传送到存储芯片的效的控制信号，传送到存储芯片的CE引脚，用于选中某引脚，用于选中某一个存储器芯片一个存储器芯片常用的译码方法分为常用的译码方法分为n线选译码线选译码n译码器译码译码器译码n部分地址译码部分地址译码n全地址译码全地址译码60n线选法线选法就是用除片内寻址线之外的高位地址线就是用除片内寻址线之外的高位地址线直接地接至各个存储芯片的片选端；当某地址直接地接至各个存储芯片的片选端

36、；当某地址线信号为线信号为“0”时，就选中与之对应的存储芯片时，就选中与之对应的存储芯片n特点：不需要地址译码设备，线路简单，适用特点：不需要地址译码设备，线路简单，适用于连接存储芯片较少的场合于连接存储芯片较少的场合612号号2764地地址空间？址空间？62n地址范围高地址线的取值地址范围高地址线的取值+片内的基片内的基本地址范围本地址范围n基本地址基本地址=片内地址线全取片内地址线全取0时的值时的值到到全取全取1时的值时的值632732芯片；芯片；4K*8位；位；12条地址线条地址线6465n以上并未考虑以上并未考虑A19A16最高位地址线的取值；他们取不最高位地址线的取值；他们取不同的值

37、，就会出现同一芯片中的同的值，就会出现同一芯片中的“地址重复地址重复”n如均取如均取0000，则地址空间为，则地址空间为0E000H0EFFFHn如均取如均取1111，则地址空间为，则地址空间为0FE000H-0FEFFFHnA19A16可取可取16种不同的组合，因此，每一片种不同的组合，因此，每一片2732都对都对应着应着16个不同的地址空间个不同的地址空间n多个存储地址都可以选中同一个存储数据多个存储地址都可以选中同一个存储数据(或称同一存或称同一存储单元具有多个地址储单元具有多个地址)的情况称为的情况称为“地址重叠地址重叠”66n74L138译码器译码器n16引脚引脚n3个译码输入信号，

38、个译码输入信号，8种译码输出种译码输出, Y0-Y7，均为，均为低电平信号低电平信号n3个控制信号输入引脚；只有个控制信号输入引脚；只有G1=1、G2A=0、G2B=0时，才允许时，才允许A、B、C输入并译码输入并译码三个控三个控制端子制端子67G1G2AG2BCBA输出输出100000Y0=0 ；其余均为；其余均为1100001Y1=0 ；其余均为；其余均为1100010Y2=0 ；其余均为；其余均为1100011Y3=0 ；其余均为；其余均为1100100Y4=0 ；其余均为；其余均为1100101Y5=0 ；其余均为；其余均为1100110Y6=0 ；其余均为；其余均为1100111Y7=0 ；其余均为；其余均为1其他值其他值均输出全均输出全168n除片内必须的地址线之外，用剩余除片内必须的地址线之外，用剩余全部的高位地址信号全部的高位地址信号作作为译码信号，通过为译码信号，通过3-8译码器译码；并由译码器译码；并由3-8译码器输出片译码器输出片选信号，连接各存储芯片选信号，连接各存储芯片n特点：特点：地址不重叠地址不重叠存储器存储器芯片芯片低位线低位线高位线高位线全全部部地地址址线线片选信号片选信号译译码码器器6970n单片单片2764（8K8 位，