ESD及EMI消除.

1、ESD消除及EMI屏蔽簡介華南PTAC畢經彬ESD消除靜電產生 ESD靜電消除 ESD危害 ESD消除對策 ESD消除材料靑爭電產生1 產生方式：材質相异物体摩擦接触感應非接触感應离子轟擊等2 影響因素：材質特性接触面積分開速度相對濕度ESD1. ESD(Elect rostat ic Di scharge) 靜電消除:靜電被异性電荷吸引, 流動而中和的現象.2. ESD引起來源外界引起元件本身引起電場感應引起ESD危害ESD吏電子元件失效模式I1 毀減失效(Catast rophic Fai lure) 指ESD使元件金屬融化,節電脫 落，氧化造成無法使用.2潛在缺陷(Latent Defe

2、ct) 指ESD吏元件品質等級降低， 使用壽命縮短.ESD消除對策原則1广免疫性"設計由于電子產品趨于小型化，困難.2接地及減少帶電機會儘量減少不同材料之間摩擦同接地維持同電位3 消除及中和靜電荷接地或使用導電或靜電消除材料4.屏蔽及保護利用屏蔽級包材或容器ESD消除材料1 材料分類(依導電性) 導電性材料(<105) 靜電消除材料(105 -1012) 絕緣材料(1012)2. ESD塑膠產生方式 塑膠中加入抗靜電劑 塑膠中加入導電性碳黑或金屬添加劑EMI屏蔽 EMI現象 EMI屏蔽机理 EMI屏蔽影響因素 EMI屏蔽設計原則塑膠材料EMI屏蔽加工方式 EMI規範EM I現象

3、1EMI(Electromagnetic interference) 電磁波干扰2EM I現象：電磁波對電子元件產生干扰現象3電磁波的產生：電流經過導体產生，由相互垂直的H与E組成4 波阻抗:E/H的比値5 近場与遠場:波長/5爲界,E/H爲377定値6. EMI傳導方式：輻射及傳導EMI屏蔽机理1EMI屏蔽：導體或鐵磁性材料將EMI反射，吸 收或導入地線.2 屏蔽效率：空間一點加屏蔽材料前后,透過 的電磁能之比.影響因素：距离,輻射線種類,材料連續性 操作電壓,屏蔽材料厚度及導電度.溫度，壓力，使用環境.EM I屏蔽机理3屏蔽效率(Shielding Effect iveness) SE=A

4、+R+BSE:屏蔽效率A:吸收部分R:反射部分B:多重反射部分厚壁EM I屏蔽，吸收部分占主要；薄壁EMI屏蔽,反射部分占主要.EMI屏蔽影響因素1 狹縫(Slot) SE=201og(150/FL)F:發射頻率L:狹縫長度 狹縫決定与長度而不是面積2 貫穿(Penetration)指一道線穿越本体表面,且端端點在 本体外，造成EMI泄漏.EMI屏蔽設計原則i適當屏蔽材料金屬材料:鋁和鋼常用 低蘋磁場常選鋼,鋁可以被穿透 塑膠材料:無線電波可穿透2 密封缺口防止孔洞，接縫等不連續部分產生3 保護貫穿導線塑膠材料EMI加工方式EMI塑膠屏蔽材料：10"（表面電阻） 第一种方式在塑膠材料表面鍍導電金屬層第二种方式在塑膠材料体內混入導電性繹維 或顆粒等添加料第一种方式1.表面粘貼法2离子束法3. 真空蒸鍍法4. 鋅火焰噴涂法5. 鋅電弧噴涂法6. 陰极濺射法第一种方式7. 導電漆涂布法市場中主要采取的方式導電漆指金屬顆粒均勻分散与PMMA或PU漆中,需防金屬氧化.8. 無電電鍍法9電鍍法需四個前處理步驟 蝕刻中和活化加速第二种方式常用導電性添加料1 不鎌鋼纖維2 鋁或鋁合金片3 鍍銀導電性添加物4 鍍銅玻璃纖維5潢銅纖維6 鍍鎳石墨纖維7 鍍鋁，鎳或銀之圓顆粒