笔记本锂电池制作工艺--资料

1、ELITEGROUP精英甯月曾集图ECS-VQA系列教材善之本型重池之*双典裂造工撰H塞核版本日期袁何明002007-08-06、， 、.刖百随著科技循1的突来猛暹，越来越多用科技日益走近我何的生活和工作，例如手檄，重月商及其它消费1118子，造些重子筐品的外觐越来越新IS和别致，但是格是越来越便宜。所有道些 重子筐品，辗一例外都有使用雷池作焉重子筐品的重源。u了大家能封道黑Hl!子筐品的重源有所了解，我何今天编制了 道本肇言己本型H月诲鲤重池的造工蓼，希望造本善能给大 家一些雪上的K助。作篇一本是1T用性很弓金的事渠提高II善籍，肇者封於善中的内容 暹行了反彳复的推敲和精逗，但是限於肇者的水

2、平的有限， 害中不妥之虞在所羹隹免，承望If大者批押指正。编者 Aiwens.yuan2007年8月于赛州工H圜展 精英重月商目金荥第一章:肇言己本霜池的概述与赞展第二章： .肇言己本雷池的第三章：肇言己本雷池的裂造与第四章： 肇言己本霜池迤料之旅瞬第一章肇言己本霜池的概述与赞展1/B池结横概述：如果符一彳固重池pack拆HI,分析结情，可分卷黑大部分，外段（檄情部分CASE）、PCM（重 路控制部份）、雷池芯（CELL）,及一些如!带等的消耗材和加工 .外段部分：有公模JS,事力HI各式雷池的外段，供鹰给各生jlfl池pack的工JS,因卷各槿型式的使用装置，如手檄、相位相檄、PDA等等的雷

3、池形虢!在太多了，每一家packJS要自己全部的模具，道是不可能的，所以差不多每彳固packJS用的外段，都由公模JS提供，公模JSHI模、射出，供鹰各packJS使用，量大使成本降低.PCM:PCB JS商虞网出光板，BAT JS商内部再自己通遇 SMT打上板戴功能零件遇程完成，或外包其他SMT工JS完成.11池芯：雷池能量储存，供鹰来源虑，目前肇言己本重池芯一般使用金里作卷原料 ，其生商 都为阈除大JS，如:PANASONIC、SANYO、TOSHIBA,SUMSUNG , LG 等原JS的 CELL（重 池芯 ）.2 .肇言己本池槿与樊展：谩去到琪在我们使用的电池主要有 3种I®

4、;型：2.1 锲铭电池 电压：1.2V使用寿命为：500次 放电温度为：-20度60度 充电温度 为：0度45度（备注：耐过充能力较强）。2.2 锲氢电池、电压：1.2V使用寿命为：1000次 放电温度为：-10度45度 充电温 度为：10度45度（备注：目前最高容量是 2100mAh左右）2.3 锂电池； 电压：3.7V使用寿命为：500次 放电温度为：-20度60度 充电温度 为：0度45度（备注：锂电的改良型，没有电池液，而改用聚合物电解质，可以做成 各种形状，比锂电池稳定）。它们一般表示为：锲镉 NI-CD、锲氢NI-MH、锂电LI,最近几年，在笔记本领域还出现了一种燃料电池，它的副产

5、品只有水和热量，无噪音，基本无污染，效率比起一般的发电系统高的多，达到 4358%,如果把反应产生的热量也利用上，效率可以高达80！是一种清洁环保的电源。3 .不同肇言己本甯:池原料特性： 镍镉 NI-CD 电池由于年代过于早，因此有了很多令人头疼的缺点，如：体积大、份量重、容量小、寿命短、有记忆效应等（一无是处），现在已经不再使用。现在的电池主要还是NI-MH 镍氢和 LI 锂电两种。而其中镍氢电池也在电池业活跃一时，相对于其他电池，镍氢电池要更环保一些，它也是目前为止最环保的电池了，而锂电池，具有体积小、重量轻、容量大、记忆效应低、充电时间短等优点，颇受用户喜爱，但是你常常会在电池的背面看

6、到妥善抛弃和处理锂电池的指示因为锂电池的随意抛弃将造成环境污染。可能现在有人对锂电池有所误区，说锂电池没有记忆，其实锂电不是没有记忆，只是记忆比较小而已，看起来不是很明显。而且锂电池也分锂电和锂离子电池 2 种。锂电很早以前就有了，它使用时不太安全，经常会在充电时出现燃烧、爆裂的情况，这也许是因为锂元素太活跃的缘故。后来就有了改进型的锂离子电池 ， 加入了能抑制锂元素活跃的成份， 从而使锂电真正达到了安全、 高效 、 方便，而老的锂电也随之淘汰了。至于如何区分它们，从电池的标识上就能识别，锂电为LI、锂离子电池为LI-ION。锂电和锲氢电池的另一个区别就是充电次数，一般锂电的充电次数为只有40

7、0 600次，经过特殊改进的产品也不过800多次，一般使用2 年左右就报废了， 这就是为什么一般笔记本厂商只对电池采取1 年包修的原因。而相对于锂电池，镍氢电池的充电次数就要多的多了，一般为700次以上，质量好的电池可以充放电1200次，锲氢电池的寿命要比锂电池房了。4 .肇言己本甯:池原料地：说完了电池的材料，我们在来看看电池的产地，一般电池电芯的产地为日本、韩国、中国大陆和台湾等，尤其以日本居多。其中比较有名的是日本的SanyoU洋）、 韩国的LG、三星等。电池由电芯组成，一般人们所说的 4Cell、6Cell就是指电池内电芯的数量，这种电芯在市场上很容易买到，价格一般为10-20元不等，

8、韩国、中国大陆和台湾省多以来料加工为主，生产的电池也都是日本芯。在新一代电池电芯中，有一些已经不用这种园形的电芯而是采用的是块状的锂聚合物， 用在一些为了得到更大的电量和更小的体积。第二章 肇言己本雷池的1肇言己本雷池的电路 如下悬一般肇吾己本鲤霜池通用雷路形式，下面缸色所襟示K域，悬肇言己本鲤霜池主 要功能部件，控制中心都为IC,缸色显域” 1” 一般悬值测IC如:BQ20Z60,BQ20Z70,BQ20Z8等，缸色K域" 2” 一般悬保 IC,如 S-8254另外 此18路段言十一般遢段言十有EPPROMR料吩存之IC,主要封便测，保等信息做精碓 言十算典统言十.值测IC能够精确

9、的侦测1.充放电的状态2 .电池的温度3 .电池的电压4 .电池的容量5 .电池的电流6 .预计的充电时间和放电的时间能够将电池的信息、状态传输给笔记本电脑能够进行一阶保护1.温度保护2.电压保护 （过电压，欠电压）保护 ICS-8254功能:能够进行二阶保护1 .电压保护（过电压，欠电压）2 .过电流保护EEPROM24LC02功能:资料，参数存储热敏电阻 （Thermistor,功能随温度可变化电阻值的电阻一般分为：正热敏电阻 和 负热敏电阻例如：UN255使用的是负热敏电阻，在25c时候的阻值是10k,当温度升高 时候它的阻值会减小，当温度降低的时候它的阻值会变大。适些段言十及零黜件主要

10、表垣悬PCB形式来生作用，道是BAT非常重要之部分 下IB:2.以上茨:明了肇言己本鲤18池的18路段言十，下面主要茨:明肇言己本另一重要部件 雷池能量存典来源地，霜池芯(CELL)CELL的原料悬鲤，锂是一种金属元素，其化学符号为 Li(其英文名为lithium), 是一种银白色、十分柔软、化学性能活泼的金属，在金属中是最轻的。它除了应-lA«mirhAl正趣端子Pouwlivo 1ominril负趣板隔雕板正趣板PO&ihVD olocimlo安全PTC装置防爆膜PTC devl&DSprier-oioclrcxdo 一Sopnrjilor/ Ok>Clro

11、*yto用于原子能工业外，可制造特种合金、特种玻璃 （电视机上用的荧光屏玻璃）及锂 电池。在锂电池中它用作电池的阳极。大家都知道当锂电池过度充电、过度放电 或充、放电电流过大时，对电池的寿命和容量都有极大的损害，甚至会引起电池 变形或爆炸，因此一般在锂电池内部都设置了电子电路来保护电芯。当电池过度 充电、过度放电、电流过大时，均会切断与外部的连接，为提高充电效率，锂电池先是以大电流恒流充电到电量的 90%,电池电压为4.2V,这大约需要将近2 小时；然后再以恒压小电流充电，直到充满电后电池内部保护电路动作为止，这 大约需要半小时，考虑到电池、充电器各产品的个体差异，锂电池以充电34个小时为宜。

12、鲤CELL的重屋值一般悬3.0V-4.2V所以,我伸号可以用测量电压的方 法估算电池剩余容量：4.20V-100%3.95V-75% 3.85V-50% 3.73V-25% 3.50V-5% 2.75V0%3.CELL介貂完H彳爰，我伸号来看CELL典PCM（控制雷路）是如何搭配工作： 控裂雷路，18屋都有了，琪在18池功能膂全，主要功能之段言十原理：3.1 过充电保护：不同IC,同IC的不同型号的过充电保护电压是不同的，有4.25V 也有4.35V的，这个都需要根据使用的实际情况选择。SC451的过充保护电压在4.284.38之间，典型值为4.34V,也就是说当电池电压上升到 4.34V时，

13、切断 供电回路，停止充电，显然比4.2V要高出不少，但在充电过程中，为了防止脉 冲电压的干扰引起保护线路保护动作，保护 IC的过保护电压取值都会稍微高 些，另外还是为了防止这个脉冲引起保护 IC误动作，通常过充保护都需要一定 的延时时间。锂电池过充保护后，解除过充保护状态有两种方法，可以取下充电 器，去连接负载或者令其自放电当锂电池的电压降至 4.15V时，解除过充保护状。3.2 过放电保护：电池电压降至2.4V时，进入过放电保护状态，切断供电回路， 锂电池停止对外供电，并将电池保持在低静态电流的状态，此时耗电为0.3uA （不 同IC此值不同）。同样，为了防止误动作，过放电保护也需要一定的延

14、时时间。 当锂电池接上充电器，且此时锂电池电压高于过放电电压时，可解除过放电保护 功能。3.3 过电流 /短路保护：在正常工作模式下，如果保护IC 检测到放电电流过大，即激活过电流保护功能，切断供电回路，过电流保护的电流门槛值由保护IC 和MOS勺Rds(on)共同决定。其计算公式为：最大过放电电流=保护IC过电流检测 电压/Rds (on) *2。不同保护IC的过电流检测电压不同，常用为 0.15V或0.3V。 同样，过电流保护也要有一定的延时时间。若由于外部负载引起保护，将外部负 载移除即可从保护状态恢复。4. 电池保护的重要性:4.1 过度充电:当 锂电池发生过度充电时,电池内电解质会被

15、分解,使得温度上升并产生气体,使得压力上升而可能引起自燃或爆裂的危机,锂电池保护IC 用意就是要防止过充电的情形发生。4.2 过度放电:在过度放电的情形下,电解液因分解而导致电池特性劣化,并造成充电次数的降低锂电池保护IC 用以保护其过放电的状况发生, 达成保护动作。4.3 过电流及短路电流:因 为不明原因(放电时或正负极遭金属物误触)造成过电流或短路电流发生,为确保安全,使其停止放电。4.4 温度过高:当电池在充放电过程中，由于电池本体在剧烈的化学变化而会产生热量，当温度过高的时候可能发生爆炸或者燃烧的危险，需要进行保护。第三章肇言己本霜池的裂造与1宙池黜的基本黜成 1.1雷池芯Batter

16、y Cell一般工作电压：3V 4.2V如果过充电超过4.5V,或者过放电低于2.2V,会对锂离子电池造成永久性的伤害。Li离子电池的特性：容量大重量轻 （依容量/体积比，约为同样容量 NIMH电池50%的重量，40%的体积）无记忆效应循环使用寿命长高电压（一般电压3.7V左右，约为普通锲氢和锲镉电池的三倍）可快速充电1.2路板PCM.Gas Gauge ICBQ2060A1.3 IMf材料（外段 Case,etc）1.4半成品Core Pack1.5成品Pack2/B池黜装流程及要黑占:肇言己本ft池的成型一般谩如下流程之工位：倩U:pcb,pcbft戴零件，cell,caser般悬雷池黜装

17、J®探瞒原成成品使用 道未里各槿零部件符不做群余田介貂.首先是印刷电路板（SMT,PCM成品）的裂作：1 .放板搞PCB光板放置于械架注意:PCB版面不能有反掉垣象2 .送板锵PCB光板徙械架送于刷金易膏3 .刷金易膏:招PCB光板需要打零件部分刷上金易膏，以使零黜件能频J焊在PCB上 注意:刷金易膏精度，型碓性，不可漏刷多刷，粘金易膏.4 .打件锵重路中所需要之零件植于 PCB上.注意：植入精度，型碓性，掉件，偏移不可有5 .回焊:招金易膏加温悬金易谩程，是零件粘于PCB上或牢固.注意:一般10 fflfiE ,8加温H ,2dI冷谷131M .注意每低I温H温度管控.6 . IC

18、T:回焊彳爰成品遥行效果的测，有瓢短路阴路，多件，少件等不良琪象.7 . PCB TEST:EPPROM资料的燎金泉，即符霜池控制，保,值测等程序信息刻金录到 PCB的板戴IC的内存K域印刷电路板完成彳爰，就是其舆cell,case!装之谩程：8.罩H CELL9. CELL值匹配霜池匹配是符cell容量在相差+/-50ma以内的，分在一起；S行黜装在一他I CASE内, 适檬有利于CELL 的匹配而池逋行功能良性循琪.10. 罩S CELL11. 黑占焊作H黑占焊是招CELL典CELL之行用30的聊接，已连到整他I成品的容量及霜屋的 高度明：用骄增加H屋但容量不曾增加，30增加容量但H屋不曾

19、增加，此悬H 池容量典霜屋段言十原理） 此工站注意：雷池趣性，不可弄注意镖片方向及位置黑占焊檄之避:定参照黑占12. 真空测漏查CELL封装是否完好13. 点焊效果检查14. PCM 与 Cell 焊接注意事:焊接J嗔序不可mg注意烙18温度：340C360c烙典PCB板焊接畤角度不能太小注意不能用手直接碰到PCB 板表面15. 半成品绝缘作业碓片色彩典焊金易IS色相同注意不能用手直接碰到PCB 板表面16. 半成品测试Pre-test18池控制功能，保功能侦测功能等的粽合测，如:谩18流，谩重屋,短路,温度的慎测,18路的反鹰等功能之粽合测谩程17. 校正作业,Calibration常Pre

20、 Tes垸H彳爰就是.Calibration Test其主要目的就是精正重流，甯>1值，使其言十 算精度连到品段言十之要求18. 充放电作业Learning TestLearning TestW试中，电池会进行全程白充电，初始状态，放电=空(0%, 9V)=充电 =饱(100%, 12.6V&Imin<=140mA),放电=空(0%,9V),充电=出货规格(约80%) ；余圣谩以上，下面就是招PCM典CELL黜迤CASE之流程：19. 点胶作业20. 组装作业21. 压合作业22. 最终测试作业Final test士 EY22OD-B0 IfnnaLion Lithium

21、IdhHie (ZonrnLinigtiniE Cption£ HebTtXAS Instrl mentsM amiacturei Access Remaining Capa前y 向己前 Remahhg TrneAlann BattefyMode AL Rale M Rate Time TdFiJAt Rate 7 me To En1期 At Rate OK TemperaJtuie Vdlage CLiirert 单 CXJirertMai EriiorRehlive Stale 04 Qiarge Abokjle Stale 01 QiarceRemanirig 匚加ac即 Fu

22、l Qiafpe匚司必制 Run 7 me To ErrW Aweraae I me To Empfly Avera® Time ToFUlrrrprpprppppppppppppaoio 400 mAh 10 mhGOJO0 mA 65535 mh 6® 35 mh13D0.1 K 11336 mV0 mA0 mA2常15笠15常E12 mAh 4088 mAh 6S535 Mh 6®35 mh 65535 mhChaing Ciirert 厂Charghg "dla,Balteiy Status )7Cyde Court p Maiiiacfirei

23、 Dai.a p25OD mA12E0D nW CODDDesi CagdtyD&EipnVotage S pedlkzationi l>nfa ManulaaluieSerial Numbei Manuldcluier NameDevice Nara Device ChmislryRS-232 loterHace Dk广 D&c(bhdO广H酶|bh期C*1 Prflfeired(boih|下午 06:12222£J; EV2200-&D IriforinaLion LiLhiuni IanHie Camnuricj&tiDns CptionP

24、olhg.iifl2OGO.bsija. Emended I EEpnoml Cshhraiion Pnol bq?Q60 Dale | Eblended EEprom | Cslihraiion Pro|Hemanrig TimeAladm1DMinPack CoHgiimUcriFEH bmCel 3 口Ebr曲on 臼Ecr-12HefnahhgCapacAlaim400 mAhDevice ChemistUON CeN 4 Cfibraiion Factor0EDV A0 Facia97.27 S/1kCCMaxi DelldT时H郎ADCVottaga Gari16.2ECDEDVT

25、C Facia11Dveihad Cuirert10D0DinAADC SienM Rea si or15tDSlB rriOhmMise 口瓯瞄80 HocOveivdlage MaiqinBODflWVFC Sense Resist orU.B93 rriOhm0 汨 ilenvi 品皿白MCiDe5COverajirert Maigin512fnAVOC25%111CN 相Charging Voftaga12B0DmVEe4l U rdef/Over Vdla,MH钟VOC50S11321 旅Cycfe EoutiA2FastChaige Teirrinalion X1。口常VOC万星1

26、1Z31 冰DipnVotagemaomvFully Qier的d 匚g ar X1。口常E&VF9D0D 相SpecifiMijai Inlormation1 F4DChai 第 EMicienay1QQO%EMF11452 冰ManulacluiBData2O0I7/V13：Cuirenl T apsrlkeshold18WEDV TO4B03SerisJ Nu(yAi6429D75Cur ail Tapei Quai VakZODnWCH * 2049-01229Fast Chaighp Cqjretifl2500 nAMlgD如SH Lengtii7EDV CB Fd的229M

27、 aiM Oharghp CyrerilDmACcnlrolMode01H钾EDVC1 FacialDPie-Charge Duretifl25口 mAhDigild Filer133i.00ii/EDV RO Facia4D1DMarulecluier MameGLW-LGSell Discharge RateM3 md中EDVR1 FaciaES9Light LoadIdaxirnum Ov6ichaiQAMOD mA25EmAh日attBfyLowMNear Ful?.4黑20 0 mAhDevice Mama<20VRCQIhetReadEEFI-iiJMVdluef to be

28、 WrittenLa$l Measured Osg山期mAhT efTperatuie Olhet3.5DegCPack 口gt泗400 口 mAhADCDIhetD卿一itR&adEEFFlOM 1匚 yde Cour* ThrKhald3200 mAhCbII 2 Cafibration FaclorLontertsRS-232 Intanlace Ok下午 06:11.-3623. 包装作业24. QA检验25. 入库余恩结以上ft池作Ulffi作流程，樊垣18池就占了很重的分«（，的碓,18池的就在裂作工蓼中，非常重要涂封不可或缺，下面我符群 余田介貂霜7tk的测就:

29、优以上ft池裂作流程来看，18池就一般有如下站别：a. PCB-Testb. Pre Testc. Calibration Testd.Learning Teste. Final TestPCB-Test:在电池PCBa SMT彳爰，零件（如IC,雷阻尚容等）都已打到板子 爵谩ICT碓熬 此PCB表面封装悬良品，就要;S行在SMT中最彳爰一站别了，就是PCB-Test其主要 廷行：1 . EPPROM资料的燎金泉，即符电池控制，保源值测等程序信息刻金录到PCB的板戴 IC的内存K域,2 .封所燎金泉的EPPROM资料逵行测就核封其正碓性.3 .封18池保功能逵行先期.b. Pre Test常P

30、CB黜装上CELL,CASE等彳爰，完整的霜池就出来了，下面就是完整霜池彳爰所余直 魔的测IS第一站Pre Tes哄主要逵行：18池控制功能，保功能侦测功能等的粽合测，如:谩18流，谩重屋,短路,温度的 慎测,18路的反鹰等功能之粽合测谩程.c. Calibration Test常Pre Tes院H彳爰就是.Calibration Test其主要目的就是精正重流 而H值，使其言十 算精度连到崖品ifi言十之要求d.Learning Test在ft池黜装CASE前要逵行最彳爰一站测IS，就是Learning Test其目的是模仿ft池 正常充放H谩程，共逵行3（0循碟测IS,此测就是很重要的，所

31、耗费周期在所就中也是最畏的逑到10（0小畤，其具醴充放闻嗔序:Learning Test®试中，电池会进行全程白充电，初始状态，放电=空（0%, 9V） =充电=饱（100% 12.6V&Imin<=140mA）,放电=空（0%,9V）,充电= 出货规格（约80%）;测IS程式介面：e. Final Test在雷池黜装上case彳爰,完整的霜池就完工了，下面就是最彳爰一站别的重性测IS,其目的悬1.测ITB池充放霜是否正常2J8量是否在出格内3.FCC是 否符合段言十要求4.温度值测是否正常5.CELL是否平衡6.充放fSUJ1而流是否正 常7.EPPROM信息是否正常

32、其测介面：BQ2060:'3 E¥220a-&D Iftfonnation Lithium IonTLxas Instrl mentsI tI政 Data ExtendedCelibr 印ionM dniiacturei Acoks Remaining Ca 凶 dly 向 erm Remahiig TmeAlm BdtefyMode AL Rale MRate Time ToFulAt Rate 7 me 口口 Empfly At Rate OKTefTpecatu出 Vdlage Cui 罔 ntAverajjs CiJirart Mai EniorRehlive

33、 Stale 04 Charge Absokjle Stale Ol Qiarge Remai巾叩匚日at加Ful Qi ar 0e 匚w即 Run 7 me To ErrW AveraaeTire To ErrW Averaoe Time ToFiJrrrFr>xrpppFFPPPPPPPLogChaigng Ciirert 厂CherghgVdlae 厂Balteiy Stdu$ 芦Cyde Court pMatiLfactuei Dala 芦250D 312E0D rWODD201 DF501364BC2ADISPLAY MODE- D«(bUcfc)广 Hw (blue

34、t)声 Prflfeired(boih|Desigi CaDadly _ |nAhDwignVotaga 'MS l<nfa .MManulacluieSBfieJ Numbei .BManuldcluier NamDevice Nara .MDevice Chemislry .BR&adRS-232 Imt削Face Dk下干 06:1222卷 TEXAS iNStHLMLHFD $; EV2200-&D Informatlan Lithiun IonHie Conrriuni chitins Options Help2=1PolhaFile tamnuri 匚

35、过 ions Cption Hebbq?060 nsre | Emended EEpnom | CalRxadan | ProRemaining Time Alam1DHinPadk CoHigumliaiFEH,Cel 3 Calbr溯on RaEor-12Hemahhg Capacity Alam : 40口 mAhD白痴国 CheiristiyZlOH| CeH Calbr溯ph: 0EDVA0 Fasia97.27 /1kCCMaxi Dellal梯ADCVoftaga Gan 1&.2B0DEDVTC FaciaUveihad Cuirert lODODtnAADC Sens

36、e Reiis«M15LM rriOhmMise Options80Hs(Oveivdlege MaighBODimMVFCSen&a Reastor U.B93 rrtOhmSal卿Qveit的gature6SL0DegCOvercuireht Maigh512fnAVDC25* 11104 吨中邮>叩加如第 12E00mV CeilUnder/OYerVdlape _DAHctVOCMS 11321 nWCycle Courtj Fast Chaise TeirrinalnnimVOC75 11Z31 rrA/口或悯 V&a伊 J11(3DmVF勒 Oi覆p

37、ed CBar %100黑E &VF 9C0D 然SDecifiTUcmIHorn以ion1 F4DChai单EMiciency10Q0第EMF 11452Manulaalu 伯 Date20D7/1 /13 CLnenl T a per I hreshold199niAEDV TO Fac*o( 4B03SeiiW Nu描F 39075CuybhI Tapsi QMYdk200而CO * 20的口.sjF®rChaigMC«uiTertl 2500 mAMig DataSh Lengtii7EDV CO Fartor229M aidt Charghp C<u

38、iTetifl0 mACmlrolMocfe01 1H-mEDVC1 Facial0Pie-Charge CyretH250 mAhOi。® Filer 1弛0口川EDV R0 Facial 4D1DMarulacluier MameGLW-L&Sdl Discharge Rate.3口 案/dayEDVR1 FaciaE69Light Load E 刷 mate0.00 mA日或呢!_皿落7A%MaKfrum UvaichaiQe*!bmAhP招 ar 卜 ulaJUmAhEEFROMValuet to be WrittenDevice_浦VRCQIhet ReadLa$l

39、 Measued Dsg 4099 mAhT efTperaiijie 口胸et3. ：i D eg CPack Capaciiy 4000 mAhADC Dlhet0匚yde Ccw* Threshald 匚 3200 mAhCellZCa旧atiai Facloc -18M肥RmcIEEF1:：OM ContertsRS-232 Interface Ok下午 06:11.36适檬一（0完整的ft池就黜装测就完成（襟型流程）. f.附加沟征:而雷池在插拔作H畤，曾举寸主板生Inrush currentitmHfi雷池IC悬了保池, 而改勤保措施，即巾俞出，适檬18池符不IMS，所以我伸号要求

40、BAT JS商醇入 Inrush currenta就使其突波重流IN SPEC具醴测就:电容规格 2200uF,4400uF作 Inrush current测试（20A5ms,40Ao.5ms,以上测IS而池ok,JWft性方面满足出it要求.下面符介貂械情方面测制SS目典方法.1 .平整度:平放置于平台，使用赛祝 碓隙是否in spec2 .尺寸a使用制工模具碓fgft池case是否能卡迤b重要尺寸使用卡尺量测3 .外觐确IS case色差，毛遏缺料，亮痕等外.谩以上一系列之彳爰，否合修件之battery就可以出1T了 .第四章Battery迤料之椀Tit1. 目：1.1 LABELa.未贴

41、牢（浮贴），或贴歪，倒贴位置不可有b.破揖，印刷不清，不?黑，表面不平整不可有c.核封是否字,模糊不清晰、断肇副不可有d.白黑占/黑黑占/刮像/噩裂/脆化/空泡等垣象不可有e.核封内容、尺寸i（典承IS善祝靶相符1.2 塑月蓼a.外段毛遏,缺料，拉模，亮痕，刮像等外象不可有b.堤形量，结合合模 ,依承品悬限度比封c SU尺寸，依承品或圄面悬限度量测d.色差：依照上下限度sample比封e.平整度:平放置于平台，使用赛规,OS隙是否in承spec1.3 重氟汨嘘匕H氟测就主要有三槿H氟特性：a. Dump即傻瓜式ft池，没有保,便测之ICb. BQ2060此雷池有保 ,值测之IC,但版本敕低，其

42、值测信息雷池充放霜1dI循 琪彳爰方可更新1次c. BQ2070此雷池有保 ,便浏之IC,版本为最新，格也最高，其於畤畤值 浏，信息畤畤更新.d.虽隹然ft池有以上三槿ft氟特性，但是IC中所包含信息及18示介面相差不大， 名箭1也差不多.e. ft池测IS主介面名春司解释FCC =Fully Charge Capadt 更池湖充容量RSOC = Relative State of Charge池相对容量ASOC = Absolute State of Charge;池绝对容量MaxErro匚电池最大容量误差RC = Remain Capacit剩余容量Cycle Count有效充电次数Vol

43、tage®!Currageft 流Full time to empty放空所需要畤IWDesign capatit澈 It 容量Desugn voltageStKSHTempreture符度 以下悬各型虢ft池测IS介面DUMP浏IS介面:BQ2060tl就介面：EgZQ通一函短J Extended | EEpram | Cahbraiign Rro|DISPLAY MODE-广 Dftc(bhcfc)r H明孱 PrafeireddMihlM amiacturei Access Remaining Capa前y 向己前 Remahhg TrneAlann BattefyMode A

44、L Rale M Rate Time TdFiJAt Rate 7 me To En1期 At Rate OK TemperaJtuie Vdlage CLiirert 单 CXJirert Mai Eriior Rehlive Stale 04 Qiarge Abokjle Stale 01 Qiarce Remanirig 匚加ac即 Ful Qiafpe匚司必制 Run 7 me To ErrW Aweraae I me To Empfly Avera® Time ToFUlrrrprpprppppppppppppChaing Ciirert 厂 Charghg "dla,Balteiy Status )7Cyde Court p Maiiiacfirei Dai.a p25OD mA12E0D nW CODDDesi CagdtyD&Eipn