实战-设计中MOS和电容应用

1、目录MOS管电容电阻磁珠电感三极管MOS管的电平转换作用：管的电平转换作用：一、注意：1、电平转换可以是正逻辑转换，也可以反逻辑转换。转换模型如下：2、在电平转化时，可以将高电压转为低电压，也可以将低电压转换成高电压。转换模型如下：1、在915的中LVDS的电平转换。915中的L_BKLTCTL、L_BKLTEN、L_DDC_CLK、L_DDC_DATA是2.5V的，它们去控制的器件端口电压是3.3V的，所以要进行电平转换。以对L_BKLTCTL转化为例。图中，L_BKLTCTL为“1”时为2.5V，此时MOS管的栅极-源极电压为0V，MOS管不导通，L_BKLTCTL_3V的电平是3.3V为

2、“1”。L_BKLTCTL为“0”时为0V，此时MOS管的栅极-源极电压为2.5V，MOS管导通，L_BKLTCTL_3V的电平是L_BKLTCTL 的电平0V为“0”。L_BKLTCTLDSGQ33NDS7002A132R427100K 5%BacklightBrightnessControlVCC3_3R4262.2K 5%VCC2_5L_BKLTCTL_3V如果输入信号属于OD信号还需要加上拉，如图所示。 DSGQ37NDS7002A132VCC2_5L_DDC_CLKVCC3_3L_DDC_CLK_3VR4322.2K 5%R4332.2K 5%VCC2_5此处的选件原则如下：极限参数

3、：以Q33为例，首先要是选取极限参数都满足主板上的要求的MOS，如下图所示。此处MOS管导通时3.3V通过管子向L_BKLTCTL灌电流，所以上拉电阻R426的选取要合适。 价格：尽量便宜。开关速度：电平转换速度有时也是指标之一，有些器件对电平上升下降的时间有要求，此处的MOS管开关速度如下图所示，可以满足要求。在965上LVDS中电压选择开关信号的电平转换。 DSGQ35NDS7002A132VCC5L_VDDENVDD_LCDVCC5JLCD1PH1X3132S1GS2S3D2 D3 D4D1Q34F7416PBF458732161C41110uF 16VLVDS PanelPowerEn

4、ableR530100K 5%VCC3_3R428100K 5%1C4120.1uF 16VR429100K 5%ADD 3V/5V SELECT06.04MOS管的电子开关作用：管的电子开关作用：注意注意作电子开关是作电子开关是MOSMOS管在主板上最多的应用形式，要考虑管在主板上最多的应用形式，要考虑的问题有：的问题有：1 1、管子能承受的最大电流，或最大功耗。、管子能承受的最大电流，或最大功耗。2 2、管子的导通等效电阻（、管子的导通等效电阻（BUCKBUCK电路中有要求）电路中有要求）3 3、开、开关控制信号的特点如果是小电压大电流的控制信号则关控制信号的特点如果是小电压大电流的控制信

5、号则可以考虑用三极管。可以考虑用三极管。4 4、管子的开关特性是否适合高频、管子的开关特性是否适合高频开关。开关。 主板上的应用主板上的应用1、MOS管在VGA假负载中的应用 由于在启动时如果系统没有检测到VGA负载则会进入LVDS模式，所以调测时需要做假负载，使系统不接VGA显示器时进入VGA模式，当接VGA显示器时假负载失效。具体设计如下VCC5DSGQ40NDS7002A132CRT_BLUE_CNDSGQ41NDS7002A132R43775 1%R43975 1%CRT_GREEN_CNDSGQ39NDS7002A132GND_DISPLAYR43875 1%CRT_RED_CNR4

6、3610K 5%极限参数：以Q39为例，首先要是选取极限参数都满足主板上的要求的MOS，如下图所示。开启电压：当不接显示器时，GND_DISPLAY信号悬空，约等于5V2.1V的开启电压 导通内阻和导通电压：Q39导通时，如下表所示。导通电阻1.7欧姆，导通电压0.09V，几乎可以忽略其影响。R437=75欧姆相当于显示器负载和线路匹配负载的等效电阻。这样系统启动时不接显示器也能进入VGA模式。MOS管在965中VDD_LCD选择中的应用 DSGQ35NDS7002A132VCC5L_VDDENVDD_LCDVCC5JLCD1PH1X3132S1GS2S3D2 D3 D4D1Q34F7416P

7、BF458732161C41110uF 16VLVDS PanelPowerEnableR530100K 5%VCC3_3R428100K 5%1C4120.1uF 16VR429100K 5%ADD 3V/5V SELECT06.04开启电压 ：最大导通电流最大导通电流：此处：此处MOSMOS管作为电源的通道需要考虑其最大承管作为电源的通道需要考虑其最大承受的电流。受的电流。导通内阻导通内阻：其次，该：其次，该MOSMOS管的导通内阻也很重要，高内阻的管的导通内阻也很重要，高内阻的MOSMOS管的电流承受能力较弱。管的电流承受能力较弱。F7416PBFF7416PBF是以导通内阻小为特是以导

8、通内阻小为特点的，如图所示仅有点的，如图所示仅有0.020.02欧姆。欧姆。多引脚（多通道）多引脚（多通道）：能承受更大的电流，更适合电源通路。：能承受更大的电流，更适合电源通路。MOSMOS管在主板管在主板BUCKBUCK电路中的应用。电路中的应用。 21L60.56uH,32A,DCR1.6mR6110K 1%VCC_CORE1C80X_0.22uF 10VDSGQ17FDD8880143VCC12INDSGQ19FDD8896143R6610K 1%UB_VOUB_ISEN1VCC12IN1C79 0.22uF 10VLGATE1_UB+CE14330uF 2.5VR693.74K 1%

9、R6710 1%1C781000PF 50V+CE15330uF 2.5V+CE13330uF 2.5VDSGQ18FDD8896143UB_VSUMR642.2 5%R6110K 1%DSGQ17FDD8880143DSGQ19FDD8896143VCC12INUGATE1_UBLGATE1_UBDSGQ18FDD8896143BUCK电路通过两个开关Q17和Q18（并接Q19）来控制输出电压的。Q17是充电开关，导通时12V直接给输出和电感、电容供电。Q18（并接Q19）是续流开关，导通时给电感、电容放电提供续流回路。开关速度：电源的开关速度没有高频线路要求高所以开关时间要求较低。FDD8

10、896如下：FDD8880如下：导通电流：但是BUCK电路中的MOS管对导通电流的要求比高频电子开关管高。2N7002A如下：FDD8880最大功耗：此处的MOS管对功耗的要求较大。导通内阻：BUCK对MOS管的导通内阻要求很大，较大的导通内阻会影响转换效率。根据上表可以发现Q18、Q19的内阻很小。 而且此处Q17的导通比大约有0.2，Q18、Q19的导通比大约有0.8。所以此处使用Q18和Q19并联使导通内阻减半，更进一步提高转换效率。MOSMOS管、三极管的选取原则管、三极管的选取原则选择选择MOSMOS管还是三极管的条件例一：管还是三极管的条件例一：当它们都作开关时，首先可以看看输入条

11、件。对三极管，输入电流较大，信号源可以提供一定的电流才能用三极管。图中VCC1_5的提供电源能力较大一般可以达到十几安培。所以可以用三极管做开关，而且三极管对输入信号的要求较高，需要在输入前加一个电容滤波。若用MOS管则VCC1_5的电压有可能不够（不可靠，MOS管的导通电压一般都大于1.5V）。所以小电压能提供大电流时可以考虑用三极管。 R231K 5%R241K 5%1C220.1uF 16VUH2_COMP/SDR224.7K 5%Q8MMBT2222ALTIG123DSGQ7NDS7002A132VCC1_5VCC5SBMOS管是电压控制电流器件，输入电阻很大，所以可以用于输入电阻较大

12、的场合。上图中，VCC5SB的电流提供能力较弱，设计时（ATX电源的5VSB：1.1A分别分给了VCC3_3SB:1A和VCC5SB:0.01A）往往只有0.01A。而且VCC5SB的电压相对于MOS管的开启电压较大很可靠，所以此处开关应用MOS管做开关。R231K 5%R241K 5%1C220.1uF 16VUH2_COMP/SDR224.7K 5%Q8MMBT2222ALTIG123DSGQ7NDS7002A132VCC1_5VCC5SB选择选择MOSMOS管还是三极管的条件例二：管还是三极管的条件例二：R140 5%UH2_BOOTUH2_LGATEUGATE_UH2DSGQ5FDD8

13、896143DSGQ4FDD88801431C160.22uF 25VU2ISL6545CBZ12345867BOOTUGATEGNDLGATE/OCSETVCCPHASEFBCOMP/SDLGATE_UH2R150 5%UH2_PHASER183.3K 5%SP1SHORT PADUH2_UGATE图中ISL6545CBZ是电源模块，其本身的消耗电流如下：该模块通过UGATE和LGATE控制两个MOS管，若MOS管换成三极管，则需要UGATE和LGATE两个端口有较大的电流提供能力，而这两个端口属于大电压小电流型的端口，显然此处用MOS管比三极管更合适，而且更省电。而且三极管的导通内阻较大，

14、如果此处换成三极管会极大影响电源转换的效率。总结：总结：1 1、主板上的应用主要是开关作用和电平转换。、主板上的应用主要是开关作用和电平转换。2 2、MOSMOS管和三极管的选择原则：管和三极管的选择原则： 信号是大电压电流提供能力弱则选MOS管，小电压电流提供能力大可以选三极管。 MOS管的导通内阻很小，三极管的导通内阻较大，不同的场合对此要求甚高。MOS管温度稳定性，和抗辐射性好，在工控机上，从稳定性考虑应选MOS管。 MOS管的噪声系数小，输入信号噪声大时，可以选用MOS管。如果用三极管需要在输入端做滤波处理。MOS管的放大系数不如三极管，所以放大电流较大时可以选三极管，大电流MOS管较

15、贵。MOS管的功耗小，在工控机上等对电源管理要求高的地方可以多多使用，省电。电容的分类及用法电容的分类及用法电容的用处其实就是“让交流通过，不让直流通过。”所以电容可以分离交流信号和直流信号。所以当高频信号是干扰时可以用电容将干扰滤掉。要知道电容的选材原则，首先要知道电容的滤波原理滤波原理：在高频场合或对于高频信号电容等效于一个LCR电路（并联等效可以忽略）。当频率达到LCR谐振频率时电容的阻抗最小，该频率的信号最容易通过电容。但是当电路频率高于电容的自谐振频率后，频率越高电容显感性阻抗越来越高，使旁路作用大大下降。自谐振频率受电容值的大小和等效电感的大小决定。电容越大自谐振频率越低，等效电感

16、越大自谐振频率越低。自谐振公式如下：一般0.1uF的表面贴电容的等效电感有3nH。那么，它的自谐振频率为： 也就是说9.2MHz的干扰将很容易通过这个0.1uF的电容被滤掉。一般可以认为ESL为15nH/in。例如0603封装的就是长0.6in、宽0.3in、ESL=9 nH。 下表为通常情况下容值对应的滤波频率（自谐振频率）。 一、滤波电容作用（旁路或去耦，至少在摆放位置上这两者一、滤波电容作用（旁路或去耦，至少在摆放位置上这两者是一样的）是一样的）：网上参考网上参考：通常采用旁路电容来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化，以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。旁路电容是为本地器

17、件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。应该明白，大容量和小容量的旁路电容都可能是必需的，有的甚至是多个陶瓷电容和钽电容。这样的组合能够解决上述负载电流或许为阶梯变化所带来的问题，而且还能提供足够的去耦以抑制电压和电流毛刺。在负载变化非常剧烈的情况下，则需要三个或更多不同容量的电容，以保证在稳压器稳压前提供足够的电流。快速的瞬态过程由高频小容量电容来抑制

18、，中速的瞬态过程由低频大容量来抑制，剩下则交给稳压器完成了。其次，旁路电容并联可以减少整体的ESR，这样不仅能让干扰接地的阻抗更小，还能分散每个电容的功耗，延长电容的使用寿命。个人认为个人认为：滤波电容就是要在任何情况下，保证供给给器件的电源或信号质量可以被接受。具体有一下几点。1、负载突然增大电流的需求时，短时间内供给负载电流，保证输入端电压没有大的下降（相当于滤除低频信号）。2、在干扰（高频）进入负载前将其滤除。电容重要参数作用。电容重要参数作用。 1、ESR：通常越小越好（除非为了减小并联谐振的影响）。干扰电流经过ESR，ESR越小在ESR两端产生的纹波电压越小，即抑制纹波的能力越强。E

19、SR收电容类型影响较大具体见下面选材原则。2、ESL：永远越小越好。越小自谐振频率越高，滤高频能力越强。实际设计时，选取的电容如果ESL较大会影响设计效果，使原设计中电容滤除的频率变低。ESL有三方面决定：1、封装。表面贴比插针式的小，封装越小ESL越小。2、引线长度。旁路时要与IC放得尽可能近，越近ESL越小，引线越粗越短ESL越小。如图。旁路电容的放置要尽量靠近IC，而且要用粗点的走线。例如：图中b的放置和走线是最好的。过孔与旁路电容的放置要点。如下：a和b是可以接受的。过孔不能放在旁路电容前面，两个旁路电容不能连到一个孔上。3、电容内的等效电感，实际中不能控制，只有选材时看datashe

20、et。3 3、容值容值C C：越大则滤波频率越低，但存储的能量越多，越高则滤波的频率越高，虽然能更快速提供存储的能量，但是所存的能量更小。例1UH2_VCC5R140 5%VCC5UGATE_UH2Layout Notice:Snubber靠 近 MOS摆 放1C160.22uF 25VDSGQ4FDD88801431C180.1uF 16V+CE291000uF 2.5V+CE27220uF 10V21L21.2UH 20A DCR2mVCC1_05_FSB1C1410uF 25V1C1510uF 25VLGATE_UH21C201000PF 50VR162.2 5%+CE301000uF

21、2.5VDSGQ5FDD88961431C130.1uF 16VSP1SHORT PAD+CE26220uF 10V21L11uH 11A DCR8.11m+CE281000uF 2.5VVCC1_05 18A VCC5给BUCK电路供电，MOS管在开启关闭时会有过冲现象 因而需要在VCC5输入端有并联旁路电容。其中，小容值（small ceramic capacitor：C13、C14、C15）电容起到去除高频分量的作用（相当于滤除高频小幅值的纹波），大电容（input bulk capacitor：CE26、CE27）用于Q4导通时瞬间的电流需求，保证5V没有过大的衰减（相当于滤除低频大幅

22、值的纹波）。 1 1、选取大电容、选取大电容（input bulk capacitor：CE26、CE27）时参考如下封装类型：对于大电容（input bulk capacitor：CE26、CE27）上句说明最好不要用插针式的电容，应该使用表面贴式的电容，表面贴的ESL较插针式的要小，自谐振频率更高，对交流干扰滤波能力就更强（尽管所滤频率较低，ESL永远是越小越好）。 电容类型：通过比较，选取表面贴式poscap电容，主要考虑EC4板子的大小限制了器件的大小，要在小区域完成高性能旁路作用，所以选poscap电容。其他参数的原因见下。 额定电压：此处要求的是可靠性，所以主要选取条件是额定电压和

23、能承受的最大纹波电流。一般选取电容的额定电压是实际应用的1.5倍以上，此处选取的10TPB220M额定电压是10V为5V的两倍满足要求。1）MLCC电容，铝电解电容：电压的峰值不能超过电容的额定电压。2）钽电容： 电压的峰值不能超过电容额定电压的50。3）POS-CAP ： 电压标称值大于10V，电压的峰值不能超过电容额定电压的80。电压标称值小于10V，电压的峰值不能超过电容额定电压的90。最大承受纹波电流：最大承受纹波电流一般为电容滤波线上直流电流的1/2。此处，1.05V的电流是18A，功率约为18.9W。以BUCK的转化效率推断5V大概需要5A以内的电流。所以此处的10TPB220M电

24、容的最大承受纹波电流是3000mA，满足要求。等效串联电阻ESR:ESR小可以带来两点好处：1、提高电容对瞬态事件的反应能力，使电容能及时提供电流给系统。此处，对这点要求较高，所以选取的电容ESR只有40毫欧姆。2、增强减小纹波电压的能力。ESR越小纹波电流经过电容产生的纹波电压就越小。高频特性:Poscap电容的高频特性很好，容值随频率升高减少缓慢，特别是在1005000kHz范围内，其ESR及阻抗都相当低(小于0.1)，可减小损耗，并且能很好地减小纹波电压。实际例子中的BUCK电路的频率300K。温度特性:poscap电容的温度特性是X6。+40%到-20%。其次，10TPB220M在温度

25、从-55到105变化范围内，其ESR值及阻抗值基本不变。体积小适合回流焊：10TPB220M 大小为7.3mm*4.3mm，如果用铝电解电容则体积太大，且数量要求更多。适合回流焊。电容的容值：参考公式： 。其中： 为导通电流强度， 为5V允许的衰减范围, 为5V开关电源能响应电流需求的时间。所以 。再考虑其作为储能电容的作用，所以选取两个220uF，如果实际中发现Q1导通瞬间电压不足可以再并一个220uF电容进行调试。摆放位置：从公司实际的板子上看，只要是起滤波作用的（旁路、去耦）都一定放在电源入IC的端口附近。即使是图中CE28、CE29这样的大整流电容（相当于滤低频）也不是放在开关电源的输

26、出端，而是放在IC的电源输入端。dtCIdV1.05*183.785IA5 *0.05dVV15dTs226.8CF小容值电容小容值电容（small ceramic capacitor：C13、C14、C15）选取参考如下： 小容值电容主要是高频小幅值滤波，因此主要考虑它们的滤波频带宽度和滤波能力滤波频带宽度和滤波能力。上图是同一容值的不同封装的阻抗曲线，封装越大ESL越大，自谐振频率越小。上图是不同容值相同封装的阻抗曲线，当ESL一定（概率上）时，电容值越小自谐振频率越高，滤高频效果越好。上图是较理想的阻抗曲线，每一个容值的电容封装都做到最小，这样每个电容都能发挥全部的滤波能力。所以滤波可以

27、选取不同的容值，尽量小的封装的电容。其次，很重要的一点是，不同容值的电容并联可能会引起并联谐振。例如。对在两个电容自谐振频率之间的信号来说，一个电容显感性，一个电容显容性，则会在某个频率上发生并联谐振，使阻抗变得很大。但是当需要在一个较宽的范围频带上滤波的话则必须要不同容值的电容。避免或减小并联谐振的方法避免或减小并联谐振的方法是：增大ESR、减小ESL和使用多量不同容值的电容。实际中，由于板子的大小限制不可能放很多数量的电容，因此可以尽量选取不同容值的电容。其次，实际中，不能增加ESR那样会增大纹波，所以只能选择小ESL的电容。上图是相同数量，两种容值和三种容值的阻抗曲线。电容类型：现在小封

28、装的MLCC是高频滤波的首选，表贴陶瓷电容或者表面贴多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的 ESR和更小的ESL。所以此处选择表面贴的片状陶瓷电容可以获得最好的高频滤波效果。电容数量：此处是DC/DC，属于低频大电流场合。高频或中高频干扰幅值应该不是很强，所以用了一个0.1uF和两个10uF的电容就可以了。如果实际调试中，发现高频滤波效果不理想可以在加几个0.01uF电容。封装类型：滤波电容的引脚会产生等效电感，降低自谐振频率，影响高频滤波效果，所以应该使用表面贴式的电容。额定电压：一般选取电容的额定电压是实际应用的1.5倍以上，此处选取的CRM31C有25V的额定电压，CRM155有16V的额定

29、电压，均满足要求。 体积小适合回流焊：CRM155大小为1mm*0.5mm；CRM31C大小为3.2mm*1.6mm。适合回流焊。高频等效阻抗特性:优良的高频特性。 CRM31C、CRM15的高频等效阻抗很小，很适合滤除高频干扰。电容的容值：由于5V的之前有大量去耦电容的滤波，此处的高频干扰幅值不会很大所以用一个0.1uF、两个10uF的电容可以在较宽的频带上滤除幅值较低的干扰。 例2VCC1_05_FSBVCC1_05_FSB1C5700.1uF 16V1C5710.1uF 16V1C5720.1uF 16VU41CMerom Ball-out Rev 1a.A7A9A10A12A13A15

30、A17A18A20B7B9B10B12B14B15B17B18B20C9C10C12C13C15C17C18D9D10D12D14D15D17D18E7E9E10E12E13E15E17E18E20F7F9F10F12F14F15F17F18F20AA7AA9AA10AA12AA13AA15AA17AA18AA20AB9AC10AB10AB12AB14AB15AB17AB18AB20AB7AC7AC9AC12AC13AC15AC17AC18AD7AD9AD10AD12AD14AD15AD17AD18AE9AE10AE12AE13AE15AE17AE18AE20AF9AF10AF12AF14AF

31、15AF17AF18AF20B26J6K6M6J21K21M21N21N6R21R6T21T6V21W21AF7AD6AF5AE5AF4AE3AF3AE2AE7C26G21V6VCC001VCC002VCC003VCC004VCC005VCC006VCC007VCC008VCC009VCC010VCC011VCC012VCC013VCC014VCC015VCC016VCC017VCC018VCC019VCC020VCC021VCC022VCC023VCC024VCC025VCC026VCC027VCC028VCC029VCC030VCC031VCC032VCC033VCC034VCC035VC

32、C036VCC037VCC038VCC039VCC040VCC041VCC042VCC043VCC044VCC045VCC046VCC047VCC048VCC049VCC050VCC051VCC052VCC053VCC054VCC055VCC056VCC057VCC058VCC059VCC060VCC061VCC062VCC063VCC064VCC065VCC066VCC067VCC068VCC069VCC070VCC071VCC072VCC073VCC074VCC075VCC076VCC077VCC078VCC079VCC080VCC081VCC082VCC083VCC084VCC085VC

33、C086VCC087VCC088VCC089VCC090VCC091VCC092VCC093VCC094VCC095VCC096VCC097VCC098VCC099VCC100VCCA01VCCP03VCCP04VCCP05VCCP06VCCP07VCCP08VCCP09VCCP10VCCP11VCCP12VCCP13VCCP14VCCP15VCCP16VCCSENSEVID0VID1VID2VID3VID4VID5VID6VSSSENSEVCCA02VCCP01VCCP022.5A1C5690.1uF 16V1C5670.1uF 16V+CE25330uF 2.5V1C5680.1uF 16

34、VVCC1_05_FSB1C5700.1uF 16V1C5710.1uF 16V1C5720.1uF 16V1C5690.1uF 16V1C5670.1uF 16V1C5680.1uF 16VVCC1_05_FSB2.5A+CE25330uF 2.5VVCC1_05_FSB进入CPU前先进行一个330uF和6个0.1uF的旁路滤波。1 1、选取大电容、选取大电容（input bulk capacitor：CE25）时参考如下 在designguide上说此处的bulk电容可以选用sanyo的2R5TPE220MF或者ESR和最大纹波等效电流这两个指标符合要求的电容也可以。实际中，选用了性能更好

35、的2R5TPE330M9。它的ESR更小和最大承受纹波电流更高。这样系统的性能将更稳定。其他参数见上一例。小容值电容小容值电容（small ceramic capacitor：C567C572）选取原则如下：根据designguide如下电容类型：高频滤波时，小容量电容0.1F 量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的 ESR。所以此处选择表面贴的片状陶瓷电容。电容数量：此处，高频干扰幅值较大，所以用了六个0.1uF电容。多个电容并联可以减少整体的ESR，这样不仅能让干扰接地的阻抗更小，还能分散每个电容的功耗，延长电容的使用寿命。其他参数见上一例。 滤波电容选取

36、的总结滤波电容选取的总结：1 1、先看、先看ICIC的的datasheetdatasheet和和designguidedesignguide里面会告诉我们该里面会告诉我们该ICIC允许允许的纹波参数以及参考电路或推荐电容（尽管我们可以选取高价电的纹波参数以及参考电路或推荐电容（尽管我们可以选取高价电容或大量电容把纹波抑制到远远优于容或大量电容把纹波抑制到远远优于datasheetdatasheet和和designguidedesignguide的的指标，但那样不见得在投入产出上达到平衡）指标，但那样不见得在投入产出上达到平衡） 。2 2、如果、如果datasheetdatasheet和和des

37、ignguidedesignguide中没有明确指定电容的用法，中没有明确指定电容的用法，可以分别根据滤高频和低频两个方面去注意电容选取使用的原则，可以分别根据滤高频和低频两个方面去注意电容选取使用的原则，实际中可以用示波器查看纹波是否满足要求。实际中可以用示波器查看纹波是否满足要求。3 3、如果实际中发现纹波波动太大，可以根据噪声的频率等参数、如果实际中发现纹波波动太大，可以根据噪声的频率等参数和本文的介绍对电容进行优化使用。和本文的介绍对电容进行优化使用。4 4、本人认为储能电容就是滤低频的电容，因为储能电容的作用、本人认为储能电容就是滤低频的电容，因为储能电容的作用为芯片提供所需的电流，

38、将电流的变换局限在小范围内，如果把为芯片提供所需的电流，将电流的变换局限在小范围内，如果把这种电流的需求看成是一种噪声的话，那么储能电容就是在起到这种电流的需求看成是一种噪声的话，那么储能电容就是在起到一个滤低频的作用，无非低频的分量有时很大，需要电容有较大一个滤低频的作用，无非低频的分量有时很大，需要电容有较大的容值可以储存或释放较大的电流。的容值可以储存或释放较大的电流。二、晶振调谐电容（二、晶振调谐电容（load capacitorload capacitor）的作用：）的作用：仅调节晶振的频率。 晶振的等效图如下。实际应用中，如图所示。1C26333PF 50VXTAL2_LAN11C

39、26233PF 50VGNDGNDY225MHz 20PF1324XTAL1_LAN1等效图。其中，R1是给G1提供反馈，帮助晶振起振的，一般做在IC内，如果没有也可以与晶振并联在片外，一般选个大电阻例如10M欧姆。图中，晶振和谐振电容组成的电路发生并联谐振。所以可以得到如下公式。设 。解上述方程得 。式中我们可以控制的只有。此处的调谐电容选取原则是调谐电容选取原则是：1 1、绝对参数要满足要求。2 2、容值的精度要尽可能高，因为的变化可以决定实际晶振的频率，一般选取精度是最高的5%。3 3、温度稳定性要最好的电容，一般选取NP0的，即不管什么温度下的变化都不大，保证晶振的频率。4 4、ESL

40、、ESR越小越好，这样能使并联回路的阻抗更加接近理论值使晶振频率更加准确。5 5、容值参考晶振datasheet。6 6、容值越大晶振频率越低，容值越小晶振频率越高，可以根据这个规则去调节晶振频率。 0230123112022()pppjf LCCjf CjfCC C2323LCCCC C0100112pLCfCCL C三、三、RCRC电容的作用电容的作用 1、以延长电平上升或下降的时间为代价，消除噪声对系统稳定性的影响。2、或者起到延迟信号相位的作用。其中R的作用是限制C充电或放电的电流，相当于调节C两端电压变化快慢的阀门。例如例如1：图中R128、C108就是一个RC电路。C108两端的电压不能瞬间变换，除非有大的电流，通过R128来限制C108充放的电流强度。从而使Q26基极电压在上升或下降时，显单调变化使得RI-这个重要的唤醒信号质量得到保证。 Q26MMBT3904LT1G123R12410K 5%VCC3_3SBD2BAT54S132COM1_RI_CN-1C1080.01uF 50VCO