材料科学基础选择题汇编

1、1、极化会对晶体结构产生显著阻碍，可使键性由（ B ）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。A: 共价键向离子键 B: 离子键向共价键 C: 金属键向共价键 D: 键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ B ），离子配位数（ ）。 A: 增大，降低 B: 减小，降低 C: 减小，增大 D: 增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（ C ）。A: 5 B: 6 C: 4 D: 34、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（ B ）空隙中。A: 全部四面体 B: 全部八面体 C: 1/2四面体 D: 1/2八面体5、CsCl单位

2、晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（ C ）空隙中。A: 全部四面体 B: 全部八面体 C: 全部立方体 D: 1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（ B ）个MgO分子。A: 2 B: 4 C: 6 D: 87、萤石晶体能够看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（ D ）。 A: 八面体空隙的半数 B: 四面体空隙的半数 C: 全部八面体空隙 D: 全部四面体空隙 8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（ B ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 9、CsCl晶体中Cs+的配位数

3、为8，Cl-的配位数为（ D ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 810、硅酸盐晶体的分类原则是（ B ）。A: 正负离子的个数 B: 结构中的硅氧比C:化学组成 D:离子半径11、锆英石ZrSiO4是（ A ）。A: 岛状结构 B: 层状结构 C: 链状结构 D: 架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（ C ）。 A: 同质多晶 B: 有序无序转变 C: 同晶置换 D: 马氏体转变13. 镁橄榄石Mg2SiO4是（ A ）。 A: 岛状结构 B: 层状结构 C: 链状结构 D: 架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小

4、的顺序为（ A ）。A: 沸石>萤石>MgO B: 沸石>MgO>萤石 C: 萤石>沸石>MgO D: 萤石>MgO>沸石15、依照鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（ B ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 816、构成硅酸盐晶体的差不多结构单元SiO4四面体，两个相邻的SiO4四面体之间只能（ A ）连接。 A: 共顶 B: 共面 C: 共棱 D: A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（ D ）。A：弗仑克尔缺陷

5、 B：肖特基缺陷C：杂质缺陷 D：A+B18、位错的（ A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A: 攀移 B: 攀移C: 增值 D: 减少19、关于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。A: 负离子空位 B: 间隙正离子C: 间隙负离子 D: A或B20、关于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。 A: 正离子空位 B: 间隙负离子C: 负离子空位 D: A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生阻碍, 要紧表现为（

6、D ）。A: 稳定晶格 B: 活化晶格C: 固溶强化 D: A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（ B ）。A: 结构相同是无限固溶的充要条件B: 结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C: 结构相同是有限固溶的必要条件D: 结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要阻碍，常见的缺陷为（ D ）。 A: 点缺陷 B: 线缺陷 C: 面缺陷 D: A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的缘故，可将晶体结构缺陷的类型分为（ D ）。 A: 热缺陷 B: 杂质缺陷 C: 非化学计量缺陷 D: A+

7、B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（ B ）。A:线性增加 B:呈指数规律增加 C:无规律 D:线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（ D ）。 A: 杂质质点大小 B: 晶体（基质）结构 C: 电价因素 D: A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A ）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。 A: 外力 B: 热应力 C: 化学力 D: 结构应力28、柏格斯矢量（Burgers Vector）与位错线垂直的位错称为(A )，其符号表示为( )。A:刃位错； B: 刃位错；VX C: 螺位错

8、； D:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的缘故所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（ B ）。A: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C: 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D: 正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的缘故所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）时，（ A ）。 A:

9、 间隙和空位质点同时成对出现 B: 正离子空位和负离子空位同时成对出现 C: 正离子间隙和负离子间隙同时成对出现 D: 正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列讲法不正确的是（ C）。 A: 位错不一定是直线 B: 位错是已滑移区和未滑移区的边界 C: 位错能够中断于晶体内部 D: 位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（ A）。 A: 螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移 B: 刃位错只作滑移，螺位错只作攀移 C: 螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移 D: 螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量

10、）受（ D）因素的阻碍。 A: 组成 B: 温度 C: 时刻 D: A+B+C34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（ C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不变；降低 C: 增加；降低 D: 增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不变；降低 C: 增加；降低 D: 增加；不变36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（ B），随温度下降而（ ）。 A: 增大，降低 B: 降低，增大 C: 增大，增大 D: 降低，降低37、由结晶化学观点知，具有（A ）的氧化物容易形成玻璃。 A: 极性共价键 B: 离子键 C:

11、 共价键 D: 金属键38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为（ D）。 A: 1 B: 2C: 3 D: 4 39、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的桥氧数为（ B ）。A: 2.5 B: 3 C: 3.5 D:440、假如在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（ B）。A:加和效应 B:混合碱效应 C:中和效应 D:交叉效应41、对一般硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A ）。 A: 降低 B: 升高 C: 不变 D: A或B42、熔体的组成对熔体的表面张力有专门重要的阻碍，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（ A）

12、。 A: 降低 B: 升高 C: 不变 D: A或B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（ C ）的过程。 A: 可逆与突变 B: 不可逆与渐变 C: 可逆与渐变 D: 不可逆与突变44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（ C ）。 A: 突变性 B: 不变性 C: 连续性 D: A或B45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的阻碍，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（ A ）。（A）降低 （B） 升高 （C） 不变 （D） A或B46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（ B ）易形成玻璃。 A: 二分之一 B: 三分之二 C: 四分之一 D: 五分之

13、一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出106体积分数的晶体的时刻是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（ A）。 A: 愈困难 B: 愈容易 C: 质量愈好 D: 质量愈差48、不同O/Si比对应着一定的聚拢负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（ A ）。 A: 越不容易 B: 越容易 C: 质量愈好 D: 质量愈差49、当熔体中负离子集团以（ C ）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。 A

14、: 低聚合 B: 不聚合 C: 高聚合 D: A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的专门多性质取决于Y值。在形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（ D），膨胀系数（ ）。 A: 增大；不变 B: 降低；增大 C: 不变；降低 D: 增大；降低50、关于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于（ A ）的能阶，因此导致材料呈现一系列专门的性质。A: 较高 B: 较低 C: 相同 D: A或C51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相关于正常位置的上、下位移，称为（ B）。A: 表面收缩 B: 表面弛豫C: 表面滑移 D: 表面

15、扩张52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般讲来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。A: 小于 B: 大于C: 小于等于 D: 等于53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（ ），垂直方向的层间距与体内（ A ）。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同 D:不同；不同54、粘附剂与被粘附体间相溶性（ C ），粘附界面的强度（ ）。A:越差；越牢固 B:越好；越差C:越好；越牢固 D:越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（ C，这种重排的结果使晶体表面能量趋

16、于稳定。A: 收缩 B: 弛豫 C: 双电层 D: B+C56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地阻碍表面性质，关于脆性材料的强度这种阻碍尤为重要，微裂纹长度（ ），断裂强度（ A ）。A: 越长；越低 B: 越长；越高C: 越短；越低 D: 越长；不变57、界面对材料的性质有着重要的阻碍，界面具有（ D ）的特性。A: 会引起界面吸附 B: 界面上原子扩散速度较快C: 对位错运动有阻碍作用 D: A+B+C58、只要液体对固体的粘附功（B ）液体的内聚功，液体即可在固体表面自进展开。A: 小于 B: 大于C: 小于等于 D: 等于59、当液体对固体的润湿角90

17、76;时，即在润湿的前提下，表面粗糙化后，液体与固体之间的润湿（ C）。A: 更难 B: 不变C: 更易 D: A或B60、当液体对固体的润湿角90°时，即在不润湿的前提下，表面粗糙化后，液体与固体之间的润湿（ A ）。A: 更难 B: 不变C: 更易 D: A或B61、粘附功数值的大小，标志着固-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值（ B ），固-液两相互相结合（ ）；相反，粘附功越小，则越易分离。A: 越大；越松散 B: 越大；越牢固C: 越小；越牢固 D: 越大；不变62、为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液-固界面张力（B）。A: 降低 B:

18、升高C: 保持不变 D: 有时升高，有时降低 63、关于附着润湿而言，附着功表示为W=SV+LV-SL，依照这一原理，( A ) 才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。 A: 尽量采纳化学组成相近的两相系统 B: 尽量采纳化学组成不同的两相系统 C: 采纳在高温时不发生固相反应的两相系统 D: 前三种方法都不行64、将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去，则外加组分在表面层的浓度（ C）体积内部的浓度。A: 等于 B: 大于 C: 小于 D: A或B65、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地阻碍表面性质，关于脆性材料的强度这种阻碍尤为重要，微裂纹长度（ A ），断裂强度（

19、）。A:越长；越低 B:越长；越高 C: 越短；越低 D: 越长；不变66、吸附膜使固体表面张力（ B）。A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: A或B67、粗糙度对液固相润湿性能的阻碍是：CA: 固体表面越粗糙，越易被润湿B: 固体表面越粗糙，越不易被润湿C: 不一定D: 粗糙度对润湿性能无阻碍68、下列关于晶界的讲法哪种是错误的。AA: 晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B: 晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C: 晶界是原子、空位快速扩散的要紧通道D: 晶界易受腐蚀69、相平衡是指在多相体系中，物质在各相间分布的平衡。相平衡时，各相的组成及数量均可不能随时刻而改变，是（ C ）。 A:绝对

20、平衡 B:静态平衡 C:动态平衡 D:临时平衡70、二元凝聚系统平衡共存的相数最多为3，而最大的自由度数为（ A ）。A:2 B:3 C:4 D:571、热分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是依照系统在冷却过程中温度随时刻的变化情况来推断系统中是否发生了相变化，该方法的特点是（ D ）。A: 简便 B: 测得相变温度仅是一个近似值C: 能确定相变前后的物相 D: A+B72、淬冷法是相平衡的研究的动态方法，其特点是（ D）。A: 准确度高 B: 适用于相变速度慢的系统C: 适用于相变速度快的系统 D: A+B73、可逆多晶转变是一种同质多晶现象，多晶转变温度（ A ）两种晶型的熔点。A: 低

21、于 B: 高于C: 等于 D: A或B74、不可逆多晶转变的多晶转变温度（ B种晶型的熔点。A: 低于 B: 高于C: 等于 D: A或B75、在热力学上，每一个稳定相有一个稳定存在的温度范围，超过那个范围就变成介稳相。在一定温度下，稳定相具有（ C ）的蒸汽压。A: 最高 B: 与介稳相相等C: 最低 D: A或B76、多晶转变中存在时期转变定律，系统由介稳状态转变为稳定态不是直接完成的，而是依次通过中间的介稳状态，最后变为该温度下的稳定状态。最终存在的晶相由（ D ）决定。A: 转变速度 B: 冷却速度C: 成型速度 D: A与B77、二元凝聚系统的相图中，相界线上的自由度为（C）。 A:

22、 3 B: 2 C: 1 D: 078、依照杠杠规则，在二元凝聚系统的相图中，假如一个总质量为M的相分解为质量G1和G2的两个相，则生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的组成点之间线段（ B。 A: 成正比 B: 成反比 C: 相等 D: A或C79、三元相图中，相界线上的自由度为（C）。 A: 3 B: 2 C: 1 D: 080、固体中质点的扩散特点为：( D )。A: 需要较高温度 B: 各向同性C: 各向异性 D: A+C81、在离子型材料中，阻碍扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，后者引起的扩散为( C )。A：互扩散 B：无序扩散C：非本征扩散 D：本征扩

23、散82、固体中质点的扩散特点为：DA: 需要较高温度 B: 各向同性C: 各向异性 D: A+C83、扩散之因此能进行，在本质上是由于体系内存在（ A ）。A: 化学位梯度 B: 浓度梯度C: 温度梯度 D: 压力梯度84、固溶体的类型及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大阻碍。则H、C、Cr在-Fe中扩散的活化能的大小顺序为（ B ）。A: QH>QC>QCr B: QCr> QC >QHC: QC >QH>QCr D: QCr> QH >QC 85、晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在（ A ）的关系。A: Ds&

24、gt; Dg> Db B: Db< Dg< DsC: Dg> Ds> Db D: Dg< Ds< Db86、在离子型材料中，阻碍扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷和掺杂点缺陷。由它们引起的扩散分不称为（B ）。A: 自扩散和互扩散 B: 本征扩散和非本征扩散C: 无序扩散和有序扩散 D: 稳定扩散和不稳定扩散87、稳定扩散（稳态扩散）是指在垂直扩散方向的任一平面上，单位时刻内通过该平面单位面积的粒子数（ B ）。 A: 随时刻而变化 B: 不随时刻而变化 C: 随位置而变化 D: A或B88、不稳定扩散(不稳态扩散)是指扩散物质在扩散介质中浓度随（ A）。

25、 A: 随时刻和位置而变化 B: 不随时刻和位置而变化 C: 只随位置而变化 D: 只随时刻而变化89、菲克（Fick）第一定律指出，扩散通量与浓度梯度成正比，扩散方向与浓度梯度方向（ C）。 A: 相同 B: 无关 C: 相反 D: 前三者都不是90、由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同，在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中，其扩散活化能的大小为（ C ）。 A: 易位扩散=间隙扩散>空位扩散 B: 易位扩散>间隙扩散=空位扩散 C: 易位扩散>间隙扩散>空位扩散 D: 易位扩散<间隙扩散<空位扩散91、一般晶体中的扩散为（ D ）。 A: 空位

26、扩散 B: 间隙扩散 C: 易位扩散 D: A和B92、由肖特基缺陷引起的扩散为（A ）A:本征扩散 B:非本征扩散 C:正扩散 D:负扩散93、空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（ C ）的扩散。 A: 各种类型固溶体 B: 间隙型固溶体 C: 置换型固溶体 D: A和B94、扩散过程与晶体结构有紧密的关系，扩散介质结构（ A ），扩散（ ）。 A: 越紧密；越困难 B: 越疏松；越困难 C: 越紧密；活化能越小 D: 越疏松；活化能越大95、不同类型的固溶体具有不同的结构，其扩散难易程度不同，间隙型固溶体比置换型（ D ）。 A: 难于扩散 B:

27、 扩散活化能大 C: 扩散系数小 D: 容易扩散96、扩散相与扩散介质性质差异越大，（ B）。 A: 扩散活化能越大 B: 扩散系数越大 C: 扩散活化能不变 D: 扩散系数越小97、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的阻碍，要紧是通过（ D），使得扩散系数增大。 A: 增加缺陷浓度 B: 使晶格发生畸变 C: 降低缺陷浓度 D: A和B98、通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散要紧是（ A ）。A: 本征扩散 B: 非本征扩散C: 互扩散 D: A+B99、按热力学方法分类，相变能够分为一级相变和二级相变，一级相变是在相变时两相化学势相等，其一阶偏微熵不相等，因此一级相变（ B ）。 A: 有相变潜热，无体积改变B: