东芯股份研究报告

东芯股份研究报告1.聚焦利基型存储，SLCNAND龙头厂商1.1深耕存储领域，拥有多类产品解决方案中小容量通用型存储芯片领先厂商。东芯股份成立于2014年11月26日，2021年12月10日在上交所科创板挂牌上市，是一家专注于中小容量通用型存储芯片研发、设计和销售的芯片设计企业，并能为优质客户提供芯片定制化开发服务。自成立以来致力于实现本土存储芯片的技术突破，依靠在存储芯片设计领域积累的大量技术经验、自有知识产权以及研发设计体系，成功研发并量产了NADN、NOR、DRAM等主流存储芯片。凭借高可靠性、低功耗等特点，产品获得高通、博通、联发科、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、紫光展锐等多家知名平台厂商认证并进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外标杆客户的供应链体系，被广泛应用于通信、安防、消费电子等下游终端设备。立足NANDFlash，产品矩阵丰富。公司于2014年成立后，通过市场调研与竞品分析，确立了SLCSPINAND的研发计划，开始在中芯国际

38nm的工艺平台上进行SLCSPINANDFlash的研发。2015年收购韩国芯片设计公司Fidelix后，通过吸收整合双方研发经验和团队，成功实现国内第一颗1GbSLCSPINANDFlash芯片流片，并于2017年9月实现2GbSLCSPINAND产品流片。基于在中芯国际工艺平台成功的研发经验，又陆续推出2Gb、4Gb等系列产品，丰富了SLCNAND系列产品线，目前已经实现SLCNAND产品从1Gb到32Gb的量产或流片。此外基于Fidelix已有的NORFlash技术储备，以低功耗需求为切入点，将该产品的工艺制程从90nm推进至65nm，2017年凭借“提高擦除可靠性”以及“数据自动刷新”等核心技术，在力积电48nm工艺平台实现NORFlash量产，进一步丰富NORFlash产品线并通过制程升级提升了产品竞争力。韩国Fidelix主要从事DRAM和MCP存储芯片产品的研发和销售，在DRAM和MCP领域具备较强的技术储备，拥有完整的知识产权，收购Fidelix后公司顺利承接DRAM和MCP产品线，至此公司已经拥有NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片的完整解决方案，涵盖主流的中小容量存储芯片产品。技术积累厚积薄发，扭亏为盈快速增长。凭借多年的技术积累与产品的不断更新迭代，公司推出了一系列具备技术领先性与市场竞争力的产品，叠加存储行业景气度回升，公司收入规模实现持续增长。2018-2021年营业收入分别为5.1亿元、5.14亿元、7.84亿元和11.34亿元，3年CAGR为30.5%；2018-2021年归母净利润分别为-0.22亿元、-0.64亿元、0.2亿元和2.62亿元，2018-2019年盈利为负主要原因为产品价格随行业周期波动下行，研发投入较大的同时规模效应尚未形成，随着公司产品线的不断丰富以及对客户导入逐步完成，产品放量规模效应显现，2020年实现扭亏为盈并在2021年实现快速增长，归母净利润同比增长1240.27%。面向利基市场，已成国内SLCNAND龙头。存储芯片产品按照流行程度与规格分为主流产品和利基产品，主流产品是指容量大于4Gb的MLC/TLCNAND、PCDRAM、MobileDRAM、ServerDRAM，该市场以国外三星、美光、海力士等主流存储芯片厂商为主；利基型产品主要包括SLCNAND、容量小于4Gb的MLC/TLCNAND、利基DRAM、NORFlash等，利基市场主要以中国台湾的旺宏、华邦、南亚科技、大陆的兆易创新及公司为主。公司NAND存储芯片主要为SLCNAND，2021年NAND产品收入为6.6亿元，同比增长65.63%，实现快速增长。1.2股权结构稳定，研发人员背景深厚股权集中稳定，员工持股助力长期发展。第一大股东为东方恒信，共持有公司32.38%股份，实际控制人为董事长蒋学明先生和董事蒋雨舟女士，二人通过东方恒信和东芯科创控制49.96%的表决权。其中东方科创为公司的员工持股平台，共持有公司5.09%的股份，2017年公司通过东芯科创实施员工持股计划，闻起投资、犀华投资将其持有5.81%、5.44%的股权分别转给东芯科创，并确认股份支付费用4162.5万元。2022年2月公司发布股权激励计划，向符合首次授予条件的77名激励对象授予170.04万股限制性股票，进一步绑定公司于核心骨干人才的利益。员工持股计划的实施有利于凝聚公司发展源动力，维护公司长期稳定发展。收购Fidelix战略互补，吸纳人才完善研发体系。子公司Fidelix专注于利基型存储器市场，是三星、LG、日本瑞萨等国际知名公司的长期稳定供应商，创始人安承汉（AHNSEUNGHAN）拥有超过30年的芯片行业从业经验，是韩国最早的一批从事存储芯片设计的技术研发工程师，曾就职于海力士DRAM事业部。公司收购Fidelix后，在研发团队建设方面与Fidelix进行高度的互补，任命安承汉先生为Fidelix代表理事，组建了以安承汉、康太京（KANGTAEGYOUNG）、李炯尚（LEEHYUNGSANG）和赖荣钦等为研发核心的存储芯片研发团队，研发团队主体位于大陆，具备独立研发的能力和技术水平，可以从事电路设计、版图设计、版图验证、测试等完整的产品研发环节。此外公司还搭建了完整的研发体系，建立了以研发部为核心，多部门协同参与的研发体系，并基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节的经历与经验，匹配了对应的技术分析并将分析结果上传至本地数据库，建立了可查询、可对比的产品研发平台，实现研发资源的高效共享。1.3上游建立战略合作，下游多元市场布局建立稳定可靠的上游供应链体系。成立以来公司一直采取Fabless模式经营，专注于产品的研发设计与市场开拓，生产主要采用委托外包方式。轻资产、侧重产品研发与市场销售的经营模式有利于提高公司的整体营运效率。为了把控产品质量、保证供应链的运转效率，公司积极与国内外多家知名晶圆厂、封测厂建立互助、互利、互信的合作关系，打造具备“本土深度、全球广度”特点的供应链体系。具体来看公司与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上已经开展了连续多年的深度技术合作，研发了多种闪存芯片的标准工艺，提高了晶圆的产品良率和生产效率，继共同开发大陆第一条NANDFlash工艺线后，目前已经将NANDFlash工艺制程推进至24nm；与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立紧密合作，在其多条存储芯片先进制程的生产线实现了产品的稳定量产，进一步扩充了产品品类；封装测试方面已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等境内外知名封测厂商建立了稳定的合作关系。开拓多元化市场布局。随着新兴应用领域和智能终端产品对存储芯片需求日益增加，公司将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的性能领先与竞争优势；凭借多种类存储芯片产品的优势，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化产品及服务的能力；坚持以存储产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品，通过差异化提升盈利空间；持续开拓国内优质客户，服务行业重要客户，开始有计划、有步骤地拓展海外市场，提升公司在欧美的市场地位和影响力。1.4自主研发核心技术，工艺和性能国内领先持续加大研发投入，知识产权自主清晰。为了提高创新能力，增强技术优势，提升盈利能力与市场竞争力，公司高度重视研发投入与研发团队建设，2021年研发费用达到0.75亿元，同比增长57.37%，研发费用率达到6.6%；2021年新增研发人员20人，同比增长29.85%，截至2021年年底，公司共有87名研发人员，占员工总人数的47.28%。经过长期的研发创新，公司在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计环节都具备了自主研发能力与核心技术。截至2021年年底，公司已经拥有境内外有效专利78项、软件著作权13项、集成电路布图设计权48项、注册商标9项；累计申请境内外专利87项，获得专利授权69项；核心技术主要包括6项NANDFlash相关技术、两项NORFlash相关技术以及1项DRAM相关技术。2.景气度上行，新兴应用驱动利基型市场扩容2.1NAND、NOR和DRAM为主流存储芯片存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。1）易失性存储芯片断电后数据丢失，主要包括动态随机存储器DRAM和静态随机存储器SRAM，其中DRAM常用作内存，需求量高于SRAM。SRAM速度快但成本较DRAM高，一般用作CPU的高速缓存；2）非易失性存储芯片断电后数据不会丢失，主要包括闪存FLASHMEMORY、电可擦除可编程只读存储器EEPROM等，其中FLAHS又可以细分为NANDFlash和NORFlash，NAND写入和擦除的速度快，存储密度高、容量大，但不能直接运行NAND上的代码，适用于高容量数据的存储。NOR的优势是可直接运行所存储的代码，容量较小，一般为1Mb-2Gb。公司产品覆盖NANDFlash、NORFlash、DRAM以及集成产品MCP：1）NANDFlash：存储阵列由存储单元通过串联方式连接而成，以“页”为单位进行读写操作，以“块”为单位进行擦除操作，具备存储容量大、写入/擦除速度快等特点。根据产品结构维度不同，可分为2DNANDFlash和3DNANDFlash；根据存储单元密度不同，可分为SLCNANDFlash、MLCNANDFlash、TLCNANDFlash、QLCNANDFlash，对应一个存储单元分别可以存放1、2、3、4个bit数据，一般来讲，存储单元密度越大，产品寿命越短，速度越慢，但容量越大，成本越低。公司聚焦2DSLCNANDFlash的设计与研发，主要的产品采用浮栅型工艺结构，通信接口有SPI或PPI供选择，主要用于支持Linux、RTOS等应用系统代码的存储和运行，实现数据的存储及快速改写，被广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块；2）NORFlash：存储阵列是各存储单元通过并联连接组成，实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。公司主要的产品为SPINORFlash，存储容量覆盖2Mb至256Mb，支持多种数据传输格式，主要应用场景包括在功能手机中存放通信数据交换时的启动程序、在智能手机的摄像头模组中存放校正图像分辨率的指令代码、在蓝牙无线耳机中存放启动时的引导程序，终端客户包括为三星、LG、传音控股、歌尔股份等；3）DRAM：工作原理是利用电容内存储电荷的多寡来表示一个二进制bit，具备运算速度快，断电后数据丢失的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理，主要用在服务器、PC和手机等设备。目前DRAM产品主要包括DDRDRAM（DoubleDataRateDRAM，双信道同步动态随机存取内存）和LPDDRDRAM（LowPowerDDRDRAM，低功耗双信道同步动态随机存取内存），DDR可以在一个时钟读写两次数据，使得传输数据加倍，目前已经发展至第五代，每一次升级都伴随着传输速度的提升和工作电压的下降；LPDDR通过与处理器紧邻、减少通道宽度等方法降低功耗。公司DRAM产品包括DDR3和LPDDR系列产品（LPDDR1和LPDDR2），主要用于通信设备、智能终端、可穿戴设备等，下游客户包括LG、瑞萨、索喜、惠尔丰、伟创力等；4）MCP：将闪存芯片与DRAM进行合封的产品，以此来实现存储与数据处理功能，节约空间的同时提高了存储密度，主要用于空间受限的电子产品，包括移动终端、通信设备等。公司MCP产品容量分布较多，包括4G2G、2G1G、2G1G、1G1G、2G512M、1G512M等，凭借设计优势已经在紫光展锐、高通、联发科的4G模块平台通过认证，应用于手机、MIFI、网络电话、POS机等产品，获得了TCL、日海智能、捷普等知名企业的认可。NAND和DRAM占据九成以上市场，NOR具备不可替代性。存储芯片市场主要包括DRAM、NANDFlash和NORFlash三种产品，其中DRAM和NAND约占90%以上的市场份额，是最重要的两类存储芯片。根据ICInsights数据，2020年全球DRAM销售额约占整个存储市场的53%，NANDFlash约占44%，两者合计占有全球97%的市场份额，2020年NORFlash市场份额大约占全球存储市场的1%。尽管NORFlash占全球存储市场份额较小，但由于其具备读取速度快、稳定高、断电后数据不丢失等特点，使得其在汽车、工业等部分对可靠性要求高的应用场景难以被其余存储芯片取代。2.2市场空间：需求强劲，高景气持续存储芯片：集成电路最重要的细分市场之一。存储芯片是电子系统中存储和计算数据的载体，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。根据Frost&Sullivan数据，2015-2018年全球集成电路市场规模不断增长，从2015年的2745亿美元增长至2018年的3932.9亿美元，3年CAGR为16.03%，受到国际贸易摩擦影响，2019年全球集成电路市场规模同比下降16%达到3303.5亿美元。随着5G通信、物联网和人工智能等新兴产业的快速发展，全球集成电路市场规模在2020年同比增长5.26%达到3477.2亿美元，集成电路迎来新一轮成长。根据Frost&Sullivan数据，预计2021年全球集成电路市场规模将达到3751.8亿美元，到2025年将达到4364.9亿美元，2021-2025年CAGR为3.86%。根据功能不同，集成电路可以分为存储芯片、逻辑芯片、微处理器和模拟芯片，根据WSTS数据，2021年存储芯片约占全球集成电路市场规模的35.05%，其次为逻辑芯片（32.49%）、微处理器（16.82%）和模拟芯片（15.64%）。存储芯片存在明显的周期特性。存储芯片不存在明显的季节性或者区域性，作为集成电路产业的“风向标”，其在单价及数量上呈现较强的周期性变化，这主要是因为存储芯片产品的通用性较高，导致厂商在行业景气度上行周期扩产增收、景气度下行周期降价清理库存；同时存储芯片的市场集中度高，为了维持产品的市场份额，一家厂商在景气度上行周期扩产时，通常其他厂商也会跟随扩产，从而逐步造成产能过剩出现供过于求的市场情况，导致存储芯片的产品价格下跌，而行业处于产能收缩期时，由于相反的原因，最终导致市场需求大于供给，产品价格上涨，形成周期性。新兴行业崛起加速存储产业发展，迎来新一轮景气上行。根据WSTS数据，全球存储芯片市场规模由2014年的792亿美元增长至2018年的1580亿美元，2019年受到贸易摩擦及产品价格下降影响，全球存储芯片市场规模下降14.1%达到1356亿美元。随着科技创新技术的不断成熟和应用，5G通讯、汽车电子、可穿戴设备等新兴行业迎来快速发展，5G基站、ADAS、智能电子产品等终端设备持续涌现，其对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力要求也不断提升，带动对存储芯片数量及性能需求提升。在下游应用需求复苏及涨价大背景下，全球存储芯片市场迎来新一轮增长周期，根据ICInsights数据，预计2021-2023年全球存储芯片市场规模分别为1552亿美元、1804亿美元和2196亿美元，2021-2023年CAGR为18.95%。从国内来看，随着中国电子制造水平的不断提升，国内存储芯片产品的需求量逐步攀升，根据WSTS数据，2018年国内存储芯片市场规模为5775亿元，同比增长34.18%，预计2023年国内存储芯片市场规模将达到6492亿元，发展空间广阔，国内存储芯片自给率仅15.79%，产品替代的逻辑为国内存储芯片厂商带来巨大发展机遇。公司面向SLCNAND、NORFlash和利基型DRAM中小容量细分市场。近年来，随着应用场景的不断拓展，如通讯设备、汽车电子、物联网、可穿戴设备和工业控制等新兴应用的出现，下游市场对具备可靠性、低功耗等特点的中小容量存储芯片需求持续上升：1）SLCNAND：相对资金投入巨大的中高容量存储IDM厂商，公司专注于中小容量存储市场，以SLCNAND产品切入积极开拓市场，实现了部分产品的替代。与大容量NAND存储产品追求单位存储密度的发展趋势不同，SLCNAND目前主要应用于对可靠性要求高的相关领域，如5G通信设备、安防监控、可穿戴设备等；根据Gartner数据，2019年SLCNAND全球市场规模达到16.71亿美元，除2019年受到行业周期性影响略有下降，从2020年开始保持增长趋势，预计在原有刚性需求支撑和下游不断涌现的新兴应用领域的影响下，2019-2023年SLCNAND全球市场规模将从16.71亿美元增长至23.24亿美元；2）NORFlash：由于近年来DRAM、NANDFlash需求高增，国际存储芯片厂商将产能转出中小容量NORFlash市场，聚焦高毛利大容量NORFlash，或转向DRAM和NANDFlash业务；由于具备芯片内执行、读取速度快、没有坏块、稳定性高等特点，NORFlash在部分场景具备不替代性，随着应用场景不断拓展，如物联网、可穿戴设备和工业控制等新兴应用的出现，NORFlash市场规模呈现稳定增长，根据CINNO数据，预计2022年全球NORFlash市场规模将达到37亿美元；3）利基型DRAM：DRAM被广泛用于移动设备、服务器、个人计算机、消费电子等领域，公司专注于中小容量DRAM产品，主要用于利基型市场，终端产品包括数字机顶盒、PON等通讯设备及功能手机、行车记录仪等移动终端等应用，根据DRAMeXchange数据，2019年全球利基型DRAM市场规模约为55亿美元，未来随着下游应用领域的稳定性发展，利基型DRAM市场规模将保持增长态势。汽车电子成为中小容量NANDFlash、NORFlash重要驱动力量。随着消费者对于驾驶安全性、舒适性的需求不断提升，汽车智能化迎来快速发展期。ADAS作为汽车智能化变革中的一项关键技术，正成为推动汽车领域存储芯片增长的主要力量。从先进辅助驾驶到完全自动驾驶，复杂的汽车应用需要更高容量的闪存芯片，NANDFlash和NORFlash单位成本具有优势，能够为较大容量车规闪存提供良好的解决方案。根据Gartner数据，2019年全球ADAS中对NANDFlash的存储需求为2.2亿Gb，同比增长300%，预计到2024年全球ADAS对于NANDFlash的存储需求将达到41.5亿Gb，2019-2024年CAGR为79.8%。高容量NORFlash在汽车电子中应用广泛，根据IHS数据，2016年全球汽车电子市场规模为1160亿美元，预计2022年将达到1602亿美元，年均复合增速为5.51%，其中ADAS板块2016年市场规模为70.88亿美元，2022年预计将达到214.47亿美元。TWS蓝牙耳机驱动NORFlash市场增长。TWS耳机由主耳机通过无线方式向副耳机传输音频信号，左右两个耳机通过蓝牙组成立体声系统，由于完全解决了物理线材束缚，使得便携性大幅提升。主控蓝牙芯片内存有限，为了存储更多固件和代码程序，需外扩一颗小体积、低功耗的NORFlash芯片。随着越来越多的厂家加入空中下载功能OTA，NORFlash的容量需求逐渐从原先的8Mb、16Mb，提升至32Mb、64Mb甚至128Mb。根据CounterpointResearch及IDC数据，2020年全球TWS耳机出货量将达1.2亿副，增速超过160％，预计2023年全球智能耳戴式装置出货量将达2.74亿台，2019-2023年复合年均增速达到41.3%。随着TWS耳机功能的提升和拓展，对NORFlash的容量和性能将提出更高要求，进一步促进NORFlash需求的稳步提升。2.3竞争格局：国外垄断主流，国内发力利基市场国外厂商主导大容量市场，形成垄断格局。在存储芯片领域，国外厂商凭借先发技术优势及在终端市场的品牌影响力，占据了大部分的市场份额，行业头部厂商包括

三星电子、美光科技、海力士、铠侠和西部数据等已经在各自专注的大容量存储产品领域形成了寡头垄断的竞争格局。在DRAM、NANDFlash和NORFlash三个领域中，DRAM市场份额最集中，NORFlash以中国台湾、中国大陆厂商为主，根据前瞻产业研究院数据，2020年全球DRAM市场份额前三为三星电子（43%）、SK海力士（30%）和美光科技（23%），CR3为96%，垄断程度最高；2020年全球NANDFlash市场份额前六分别为三星电子（33%）、铠侠（19%）、西部数据（15%）、美光科技

（11%）、SK海力士（11%）和英特尔（10%），CR6为99%，垄断程度次之；2020年全球NORFlash市场份额前六为华邦电子（25%）、旺宏（22%）、兆易创新（16%）、赛普拉斯（11%）、美光科技（4%）和武汉新芯（4%），CR6为82%，垄断程度最低。利基型市场竞争格局分散，国内厂商迎来替代机遇：1）SLCNAND主要参与者为中国台湾和大陆厂商。国外存储巨头三星、铠侠、SK海力士、美光科技等厂商专注于大容量的NANDFlash，公司所在的SLCNAND市场主要供应商为中国台湾和大陆厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新等，其中华邦电子和旺宏电子占据了较高市场份额，随着国产化需求的不断提高，公司SLCNAND产品有望凭借领先制程、高性能优势取得更大市场份额；2）NORFlash替代空间大。根据CINNO数据，2020年Q1前四大企业市场份额达到83%且产品在下游各有侧重点，华邦电子和旺宏电子侧重于工业控制领域，赛普拉斯布局工业市场、航天市场和汽车电子市场，兆易创新作为大陆的存储芯片设计公司占比达到18%。随着下游新兴应用领域的不断涌现，NORFlash市场空间随之增大，公司在该领域发展的发展空间广阔；3）中国台湾厂商占据利基型DRAM市场半壁江山。公司所处的利基型DRAM市场主要参与者为华邦电子和南亚科技，根据DRAMeXchange数据，2019年利基型DRAM市场份额前二分别为南亚科技（39%）和华邦电子（18%），其次为美光科技（14%）、三星电子（13%）和SK海力士（10%），公司目前市场份额还较小，未来会致力于DRAM产品的制程升级、提高产品性能以此来提升市场份额。3.立足中小容量特点鲜明，差异化竞争迈向主流3.1SLCNAND：拳头产品，开发大容量必经之路SLCNAND已成优势产品，营收占比逐年提升。NANDFlash产品核心技术优势明显，工艺制程已经从2015年的38nm升级至2021年的24nm，SPINANDFlash采用了业内领先的单芯片集成技术，将存储芯片、逻辑电路与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低产品成本，提高产品竞争力。产品在耐久性和数据保持性等特性方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数超过10万次，同时可在-40-105℃的极端环境下保持数据有效性长达十年，凭借领先的工艺和出色的性能，NANDFlash营收占比逐年提升，收入从2018年的1.77亿元增长至2021年的6.6亿元，营收占比从2018年的34.7%增长至2021年的58.2%，收入占比超过5成。技术水平引领国内，追赶国际先进水平。为了满足多样化的终端需求，2021年公司基于中芯国际

24nm工艺完成了最大值32Gb产品设计流片，至此完成了从1Gb到32Gb系列产品设计研发的全覆盖；在工艺制程上，与中芯国际深度合作，基于19nm工艺平台完成了首颗SLCNANDFlash流片，制程微缩进入20nm有利于降低产品成本，提升产品竞争力，比肩国外先进技术水平；产品容量扩容进一步扩充产品体系，为下一步满足更多下游应用场景奠定基础。大容量3D堆叠是趋势，SLCNAND为拓展奠定基础。3DNAND于2014年实现商业化量产，它的基本结构是将存储单元堆叠起来，带来的效果包括总体容量大幅提升和单位容量大幅提升。存储单元包括SLCNAND、MLCNAND、TLCNAND和QLCNAND，目前3DNAND存储单元以TLCNAND为主，以QLC为基本存储单元的3DNAND产品比重在逐步提升。SLCNAND产品凭借高可靠性的擦除、高带宽、寿命长等优势在下游多领域被广泛应用，是向大容量3DNAND拓展的基石。3.2闪存进入1xnm时代，布局车规产品切入汽车电子闪存产品制程升级进展顺利。2021年公司IPO募集资金建设1xnm闪存产品研发及产业化项目进展顺利，公司已于2021年下半年基于中芯国际

19nm平台完成首颗SLCNAND芯片流片。芯片制程的升级意味着单位存储面积上的存储单元密度增加，降低了存储芯片的生产成本；该项目的顺利实施也有利于公司响应国家战略，缩小与国外厂商产品的制程差距，完成国产替代。我们看好NANDFlash在制程进一步升级的情况下，持续受益于下游应用数据快速增长对于存储需求高增。顺应智能汽车发展战略，打造高附加值车规存储产品。汽车智能化的进程已经加速，随着智能驾驶等级的提升以及智能座舱、车载信息娱乐系统、多摄像头传感器方案等功能的引入，汽车对于存储的需求大幅提升，根据搜狐汽车研究室数据，2019年全球汽车存储芯片市场规模为36亿美元，预计2025年将达到83亿美元，2019-2025年CAGR为14.9%。车规级存储芯片在工艺技术、使用环境、抗震能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高，因此该类存储芯片具有高附加值、高技术门槛等特点，目前公司的SLCNAND已经可以在-40℃到105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品的可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。扎实的技术储备为车规产品开发奠定基础。相较于工业级存储芯片，车规级对芯片运行的稳定性和可靠性有着更严格的要求。公司凭借在存储芯片领域多年的经验积累和技术储备，打造了以低功耗、高可靠性为特点的闪存芯片产品，部分产品的温控能力、使用寿命已经达到车规要求，具备了车规级闪存产品的产业化研发能力。同时在提高存储芯片的可靠性方面形成了多项核心专利与技术，可满足智能汽车低能耗运行、低延迟传输、高可靠行驶的技术需求。3.3结构优化叠加需求旺盛，盈利能力显著提升持续优化产品结构，各产品毛利率大幅提升。经历前期的技术积累后，2021年公司实现销售规模的大幅增长，产品销售的规模效应逐步显现。面对全球产能紧张的情况，公司采取措施积极应对，持续推进多元化多渠道布局，为业绩增长提供产能保障，同