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真空蒸镀原理ysisiy1225发表于：2008-10-2820:24来源：半导体技术天地真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法。采用这种方法制造薄膜，已有几十年的历史，用途十分广泛。一般说来，真空蒸发（除电子束蒸发外）与化学气相沉积、溅射镀膜等成膜方法相比较，有如下特点：设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率效率高，用掩模可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。这种方法的主要缺点是，不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性好等。真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程：（1） 加热蒸发过程。包括由凝聚相转变为气相（固相或液相-气相）的相变过程。每种蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压：蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。（2） 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由程，以及蒸发源到基片之间的距离，常称源-基距。（3） 蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸发凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。由于基板温度远低于蒸发源温度，因此，沉积物分子在基板表面将直接发生从气相到固相的转变过程。上述过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行。否则，蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重的污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜

雕子源^助雷子束蒸^系统Electron-BeamGunEvaporationMethodwithIon-AssistedDeposition筒介大口径光孥金度膜檄航外余泉夜fi««®本中心以雕子源^助雷子束蒸金度技彳标舄基磋，^畿多屑薄膜裂金度系统，此系统包含雨鲍雷子束蒸^源(10kV)、高能量雕子源、高真空冷凑帮浦系统、精密腐波域光孥监控器(350nm-1100nm)及高屑数多屑膜自勤控制金度膜功能。此外，更^用雕子源^助技彳标，在抗熟性段差的塑月参基板上逵行薄膜沉«,^®^性雷子薄膜裂程技彳标。技荷能量•高真空蒸金度系航言殳^鲍装•雕子源^助雷子束薄膜裂金度技徘亍•各式光孥元件薄膜言殳^舆裂金度：金属反射膜、抗反射膜、高反射膜、带通滤光片、燮色滤光片、分光箓、冷箓、熟箓、装^膜等•低温薄膜裂金度技徘亍•可程式化自勤控制蒸金度裂程，最高监控膜厚N99屑•监控波畏蕾宜圉350nm-1100nm•可遒用入/4系及非入/4系薄膜言殳^J®用镇域

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