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模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下内蒙古科技大学内蒙古科技大学

第一章测试

已知某信号源内阻1kΩ,源电压10mV,接入放大电路后测得放大电路输入端口电压8mV,则该放大电路输入电阻为(

)。

A:2kΩB:5kΩC:4kΩD:1kΩ

答案:4kΩ

已知某放大电路的最大不失真输出电压为-10V

~

+10V,若放大电路在通频带内的电压增益40dB,则输入电压的范围是(

)。

A:-0.25V

~

+0.25VB:-0.1V

~

+0.1VC:-0.5V

~

+0.5VD:-1.0V

~

+1.0V

答案:-0.1V

~

+0.1V

只要放大电路的传输特性曲线是线性的,就不会出现失真现象。(

A:错B:对

答案:错

放大电路的增益只能在一定的频率范围内与频率无关。(

A:对B:错

答案:对

放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。(

A:错B:对

答案:对

同一个放大电路输出接不同的负载时,实际的增益是不同的。(

A:错B:对

答案:对

放大电路的增益值只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益4种形式。(

A:对B:错

答案:错

放大电路中的符号“⊥”表示“地”,就是大地的“地”。(

A:错B:对

答案:错

放大电路的模型与实际的放大电路的结构是一样的。(

A:错B:对

答案:错

信号是信息的载体。(

A:对B:错

答案:对

第二章测试

集成运放互补输出采用(

)。

A:共射极放大电路B:差分式放大电路C:共集电极放大电路D:共基极放大电路

答案:共集电极放大电路

在运算放大器中,引入深度负反馈的目的之一是使运放(

)。

A:工作在非线性区,降低稳定性B:工作在线性区,提高稳定性C:工作在非线性区,提高稳定性D:工作在线性区,降低稳定性

答案:工作在线性区,提高稳定性

通用型集成运放的输入级采用差分放大电路,这是因为它的(

)

A:输入电阻高

B:输出电阻高

C:电压放大倍数大D:共模抑制比大

答案:共模抑制比大

工作在线性区的运算放大器应置于(

)状态。

A:开环B:深度负反馈C:正反馈D:根据电路而定

答案:深度负反馈

集成运算放大器是(

)。

A:阻容耦合的多级放大电路B:直接耦合的多级放大电路C:变压器耦合的多级放大电路

答案:直接耦合的多级放大电路

理想运算放大器的共模抑制比为(

)。

A:无穷

B:0

C:都有可能D:40dB

答案:无穷

反相输入放大电路中,已知=10K,=100K,则放大倍数为(

A:10

B:-10

C:100

D:-100

答案:-10

电压跟随器,其输出电压为5V,则输入电压为(

)V。

A:10

B:-10

C:5

D:-5

答案:5

分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是(

)。

A:虚短

B:虚断和虚短

C:虚断D:虚地

答案:虚短

关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是(

)。

A:输入电阻为0,输出电阻为0

B:输入电阻为无穷,输出电阻为无穷

C:输入电阻为0,输出电阻为无穷

D:输入电阻为无穷,输出电阻为0,

答案:输入电阻为无穷,输出电阻为0,

第三章测试

PN结正向偏置时,空间电荷区将(

)。

A:变宽B:变窄C:基本不变

答案:变窄

当温度上升时,二极管反向饱和电流将(

)。

A:不变B:增加C:减小D:无法确定

答案:增加

二极管两端电压大于(

)电压时,二极管才导通。

A:截止B:死区C:击穿D:饱和

答案:死区

若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为(

)。

A:正、反向电阻都等于无穷大B:正向电阻大,反向电阻小C:正、反向电阻相等D:正向电阻小,反向电阻大

答案:正向电阻小,反向电阻大

PN结加正向电压的作用下,扩散电流(

)漂移电流。

A:等于B:大于C:小于D:不确定

答案:大于

锗二极管的死区电压为(

)。

A:0.5VB:0.2VC:0.4VD:0.7V

答案:0.2V

PN结加正向电压时,其正向电流是由(

)的。

A:多数载流子漂移而成

B:多数载流子扩散而成C:少数载流子漂移而成D:少数载流子扩散而成

答案:多数载流子扩散而成

P型半导体是在本征半导体中加入(

)物质后形成的。

A:空穴B:三价硼元素C:电子D:五价磷元素

答案:三价硼元素

稳压管一般工作于(

)状态。

A:反向击穿B:正向导通C:反向截止

答案:反向击穿

在二极管的参数中,最大整流电流IF指的是(

)。

A:允许的最大正向电流

B:允许的最大正向平均电流C:允许的最大反向电流D:允许的最大反向平均电流

答案:允许的最大正向平均电流

第四章测试

场效应管用于放大时,应工作在(

)。

A:可变电阻区B:截至区C:击穿区D:饱和区

答案:饱和区

场效应管的控制方式为(

)。

A:输入电压控制输出电流B:输入电流控制输出电流C:输入电流控制输出电压D:输入电压控制输出电压

答案:输入电压控制输出电流

场效应管属于(

)控制型器件。

A:电流B:电容C:电感

D:电压

答案:电压

场效应管相比于三极管,以下说法错误的是(

)。

A:场效应管的D、S间可等效为一电流控制电压源,三极管的C、E之间可等效为一电流控制电流源B:场效应管温度稳定性好,三极管热稳定性差C:场效应管输入电阻高,三极管相对较低D:场效应管属于单极型器件,三极管是双极型

答案:场效应管的D、S间可等效为一电流控制电压源,三极管的C、E之间可等效为一电流控制电流源

P沟道增强型FET的开启电压为(

)。

A:0B:无C:正值D:负值

答案:负值

场效应管是用(

)控制漏极电流的。

A:栅源电压B:栅源电流C:漏源电流D:漏源电压

答案:栅源电压

结型场效应管发生预夹断后,管子进入(

)。

A:可变电阻区B:恒流区C:截止区D:饱和区

答案:恒流区

增强型PMOS管的开启电压(

)。

A:大于零或小于零B:大于零C:小于零D:等于零

答案:小于零

N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的,这种载流子是(

)。

A:电子B:电子和空穴C:空穴D:离子

答案:电子

图1(a)、(b)分别代表(

)绝缘栅场效应管。(a)(b)

A:N沟道耗尽型与P沟道增强型

B:N沟道增强型与N沟道耗尽型C:P沟道耗尽型与N沟道增强型

D:P沟道增强型与N沟道耗尽型

答案:P沟道耗尽型与N沟道增强型

第五章测试

测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(

),该管是(

)。

A:PNPB:NPNC:B、E、CD:E、B、CE:B、C、E

答案:B、E、C

共射极放大电路的交流输出波形上半周失真为(

)失真。

A:交越B:饱和C:频率D:截止

答案:截止

两个β相等的晶体管组成复合管后,其电流放大系数为(

)。

A:1+βB:2βC:D:β

答案:

既能放大电流又能放大电压的放大电路是(

)。

A:共集电极B:共基极C:共珊极D:共射极

答案:共射极

如果NPN型三极管测得发射结正偏,集电结正偏,则此管的工作状态为(

)。

A:放大状态B:不能确定C:饱和状态D:截止状态

答案:饱和状态

晶体管的控制方式是(

)。

A:输入电流控制输出电压B:输入电压控制输出电压C:输入电压控制输出电流D:输入电流控制输出电流

答案:输入电流控制输出电流

射极输出器(

)。

A:有电流放大作用,无电压放大作用B:有电流放大作用,也有电压放大作用C:有电压放大作用,无电流放大作用D:没有电流放大作用,也没有电压放大作用

答案:有电流放大作用,无电压放大作用

关于BJT放大电路中的静态工作点(Q点),下列说法中不正确的是(

)。

A:Q点过低会产生截止失真B:导致Q点不稳定的主要原因是温度变化C:Q点可以采用微变等效电路求得D:Q点过高会产生饱和失真

答案:Q点可以采用微变等效电路求得

复合管组成的电路可以(

)。

A:扩展频带

B:减小温飘C:提高电流放大系数D:改变管子类型

答案:提高电流放大系数

当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为(

)。

A:B:C:不确定D:

答案:

第六章测试

关于三极管的频率参数说法错误的是(

)。

A:电流放大系数β随频率的增加而减小。B:C:使下降到0dB时的信号频率是特征频率D:使下降为0.707时的信号频率称为共射截止频率

答案:

当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数下降为中频的(

)倍。

A:0.9B:0.5C:0.7D:1

答案:0.7

多级放大电路的通频带要比组成它的任何一级的通频带(

)。

A:宽B:无法确定C:相同

D:窄

答案:窄

在低频区,影响放大倍数衰减的电容是(

)。

A:扩散电容B:势垒电容C:耦合电容D:极间电容

答案:耦合电容

在高频区,影响放大倍数衰减的原因是(

)。

A:极间电容影响B:耦合电容影响C:输入信号过大D:工作点不合理

答案:极间电容影响

当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数下降(

)分贝。

A:4B:3C:6D:5

答案:3

测试放大电路输出电压幅值和相位的变化,可以得到它的频率特性,条件是(

)。

A:输入电压幅值改变,频率不变

B:输入电压幅值不变,改变频率

C:输入电压幅值和频率都改变

答案:输入电压幅值不变,改变频率

对于单管共射放大电路,当时输出电压与输入电压的相位差是(

)。

A:-45°B:-

135°C:-90°D:-180°

答案:-

135°

某放大电路电压增益频率特性表达式为:

该电路的上、下限频率、中频电压增益的分贝数是40。

A:错B:对

答案:对

某放大电路的幅频特性曲线如图1所示:当频率等于上下限频率时,该电路实际的电压增益是60分贝。

A:错B:对

答案:错

第七章测试

放大电路产生零点漂移的主要原因是

。(

A:采用了阻容耦合方式B:增益太大C:采用了正负双电源供电D:采用了直接耦合方式

答案:采用了直接耦合方式

电流源电路是一个___________,其交流等效电阻__________。(

A:双口网络,恒定B:单口网络,很大C:单口网络,很小D:双口网络,很小

答案:单口网络,很大

差动放大电路用电流源代替长尾电阻Re是为了(

).

A:提高输入电阻B:提高差模电压增益C:提高共模电压增益

D:提高共模抑制比

答案:提高共模抑制比

差分放大电路是为了(

)而设定的。(

A:放大信号B:抑制零漂C:稳定AvD:输入电阻高

答案:抑制零漂

当差分式放大电路两输入端电压为=250mV,=

150mV,则=

mV,=

mV。

A:50,200B:100,200C:200,100D:100,400

答案:100,200

设在差分式放大电路中输入信号为=1050V,=950V,若电路的

=

100,

=

2。则最大输出电压=________。(

A:12mVB:120mVC:10mVD:200mV

答案:12mV

差分式放大电路的两个输入端电压分别为=2V,=1.98V,则该电路的差模输入电压

A:1.02VB:3.98VC:1.99VD:0.02V

答案:0.02V

是差分放大电路的一个重要技术指标,它反映放大电路(

)的能力。

A:输入电阻高B:放大差模抑制共模C:放大倍数高D:输出电阻低

答案:放大差模抑制共模

共模抑制比是(

)之比。

A:差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。B:输出量中差模成分与共模成分C:差模输入信号与共模成分

D:共模放大倍数与差模放大倍数(绝对值)。

答案:差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。

越大表明电路的(

)。(

A:A.放大倍数越稳定B:抑制零漂能力越强

B.

C:输入信号中差模成分越大D:交流放大倍数越大

答案:抑制零漂能力越强

B.

第八章测试

对于放大电路,所谓开环是指(

)。

A:无信号源B:无负载C:无电源D:无反馈通路

答案:无反馈通路

对于放大电路,所谓闭环是指(

)。

A:有反馈通路B:考虑信号源内阻C:接入了电源D:接入了负载

答案:有反馈通路

温度升高时,若想稳定放大电路的静态工作点,应当引入(

)负反馈。(

A:电流B:电压C:直流D:交流

答案:直流

为了稳定放大电路的输出电压,应引入(

)负反馈。(

A:串联输入B:电压取样C:并联输入D:电流取样

答案:电压取样

为了减小放大电路的输入电阻,应引入(

)负反馈。(

A:串联B:并联C:电压D:电流

答案:并联

图示电路级间引入了(

)反馈,该反馈属于(

)反馈。

A:正,直交流B:正,直流C:负,交流D:负,交直流

答案:负,交直流

图示电路级间电阻R2引入了(

)反馈,该反馈属于(

)反馈。

A:负,电压并联B:正,电流串联C:负,电压串联D:正,电流并联

答案:负,电压并联

在反馈类型判断时我们可以用(

)判别正负反馈。(

A:输出断路法B:输入短路法C:瞬时极性法D:输出短路法

答案:瞬时极性法

要求引入负反馈后能使放大器的输入电阻增大,输出电流稳定,则该反馈的类型为(

)。

A:电流并联负反馈B:电压并联负反馈C:电压串联负反馈D:电流串联负反馈

答案:电流串联负反馈

深度电流串联负反馈放大器相当于一个(

)。(

A:流控电压源B:压控电流源C:流控电流源D:压控电压源

答案:压控电流源

第九章测试

在互补对称功率放大电路中,引起交越失真的原因是(

)

A:电源电压太高

B:输入信号过大

C:晶体管β值太大

D:晶体管输入特性的非线性

答案:晶体管输入特性的非线性

OCL功放电路的输出端直接与负载相联。静态时,输出端静态电位为(

)。

A:B:C:D:0

答案:0

OTL功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。静态时,该电容上电压为(

)。

A:B:C:D:0

答案:

交越失真是(

)。

A:饱和失真

B:非线性失真

C:频率失真D:线性失真

答案:非线性失真

功率放大电路的转换效率指的是(

)。

A:最大输出功率与电源提供的平均功率之比B:输出功率与晶体管消耗的功率之比C:晶体管消耗的功率与电源提供的平均功率之比D:不确定

答案:最大输出功率与电源提供的平均功率之比

乙类功放的理想最大效率为(

)。

A:58.5%

B:不确定C:78.5%

D:68.5%

答案:78.5%

在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则功率三极管的最大功耗为(

)。

A:0.5W

B:0.6W

C:0.2W

D:0.3W

答案:0.2W

功率放大电路中,最大输出功率是指输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大(

)。

A:直流功率

B:交流功率

C:无功功率D:平均功率

答案:交流功率

OTL电路负载电阻RL=10Ω,电源电压10V,理想情况下其最大输出功率为(

)。

A:2.5W

B:10W

C:1.25WD:5W

答案:1.25W

对于功率放大电路的要求是(

)。

A:高

B:高

C:失真小D:高

答案:高

;失真小

第十章测试

要使振荡电路能够自行起振,AF应(

)。

A:AF<1

B:AF>1

C:AF=0D:AF=1

答案:AF>1

RC串并联文氏桥振荡电路的A为(

)。

A:3

B:-1/3C:-3

D:1/3

答案:3

已知输入信号的频率为40HZ—10KHZ,为了防止干扰信号的混入,应选用(

)滤波器。

A:带阻滤波器B:高通滤波器C:带通滤波器D:低通滤波器

答案:带通滤波器

希望抑制50HZ的交流电源干扰,应选用(

)滤波器。

A:带阻滤波器B:带通滤波器C:低通滤波器D:高通滤波器

答案:带阻滤波器

RC桥式振荡器中RC串并联网络的作用是(

)。

A:稳幅环节B:选频网络和引入正反馈C:放大网络D:引入负反馈

答案:选频网络和引入正反馈

从结构上看,正弦波振荡电路是一个(

)。

A:没有输入信号的负反馈放大电路B:没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器C:有输入信号的负反馈放大电路D:没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器

答案:没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器

正弦波振荡器的振荡频率由(

)而定。

A:基本放大器

B:稳幅网络C:反馈网络

D:选频网络

答案:选频网络

产生低频正弦波一般可用(

)振荡电路。

A:史密斯

B:石英晶体

C:LC

D:RC

答案:RC

产生高频正弦波可用(

)振荡

电路

A:史密斯

B:RC

C:LC

D:石英晶体

答案:LC

RC串并联网络在特征频率时呈(

)。

A:阻性

B:容性

C:都有可能D:感性

答案:阻性

第十一章测试

单相桥式整流电容滤波输出电压平均值为=(

)。。

A:1B:0.9

C:0.45

D:1.2

答案:0.9

单相半波整流电路中,V,整流电压平均值为(

)。

A:90VB:65VC:120VD:45V

答案:45V

稳压管构成的稳压电路,其接法是(

)。

A:限流电阻与稳压二极管并联后,负载电阻再与稳压二极管串联B:稳压二极管与负载电阻串联

C:稳压二极管与负载电阻并联。D:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联

答案:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联

在整流电路的输出端并一个电容

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