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文档简介
模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下内蒙古科技大学内蒙古科技大学
第一章测试
已知某信号源内阻1kΩ,源电压10mV,接入放大电路后测得放大电路输入端口电压8mV,则该放大电路输入电阻为(
)。
A:2kΩB:5kΩC:4kΩD:1kΩ
答案:4kΩ
已知某放大电路的最大不失真输出电压为-10V
~
+10V,若放大电路在通频带内的电压增益40dB,则输入电压的范围是(
)。
A:-0.25V
~
+0.25VB:-0.1V
~
+0.1VC:-0.5V
~
+0.5VD:-1.0V
~
+1.0V
答案:-0.1V
~
+0.1V
只要放大电路的传输特性曲线是线性的,就不会出现失真现象。(
)
A:错B:对
答案:错
放大电路的增益只能在一定的频率范围内与频率无关。(
)
A:对B:错
答案:对
放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。(
)
A:错B:对
答案:对
同一个放大电路输出接不同的负载时,实际的增益是不同的。(
)
A:错B:对
答案:对
放大电路的增益值只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益4种形式。(
)
A:对B:错
答案:错
放大电路中的符号“⊥”表示“地”,就是大地的“地”。(
)
A:错B:对
答案:错
放大电路的模型与实际的放大电路的结构是一样的。(
)
A:错B:对
答案:错
信号是信息的载体。(
)
A:对B:错
答案:对
第二章测试
集成运放互补输出采用(
)。
A:共射极放大电路B:差分式放大电路C:共集电极放大电路D:共基极放大电路
答案:共集电极放大电路
在运算放大器中,引入深度负反馈的目的之一是使运放(
)。
A:工作在非线性区,降低稳定性B:工作在线性区,提高稳定性C:工作在非线性区,提高稳定性D:工作在线性区,降低稳定性
答案:工作在线性区,提高稳定性
通用型集成运放的输入级采用差分放大电路,这是因为它的(
)
A:输入电阻高
B:输出电阻高
C:电压放大倍数大D:共模抑制比大
答案:共模抑制比大
工作在线性区的运算放大器应置于(
)状态。
A:开环B:深度负反馈C:正反馈D:根据电路而定
答案:深度负反馈
集成运算放大器是(
)。
A:阻容耦合的多级放大电路B:直接耦合的多级放大电路C:变压器耦合的多级放大电路
答案:直接耦合的多级放大电路
理想运算放大器的共模抑制比为(
)。
A:无穷
B:0
C:都有可能D:40dB
答案:无穷
反相输入放大电路中,已知=10K,=100K,则放大倍数为(
)
A:10
B:-10
C:100
D:-100
答案:-10
电压跟随器,其输出电压为5V,则输入电压为(
)V。
A:10
B:-10
C:5
D:-5
答案:5
分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是(
)。
A:虚短
B:虚断和虚短
C:虚断D:虚地
答案:虚短
关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是(
)。
A:输入电阻为0,输出电阻为0
B:输入电阻为无穷,输出电阻为无穷
C:输入电阻为0,输出电阻为无穷
D:输入电阻为无穷,输出电阻为0,
答案:输入电阻为无穷,输出电阻为0,
第三章测试
PN结正向偏置时,空间电荷区将(
)。
A:变宽B:变窄C:基本不变
答案:变窄
当温度上升时,二极管反向饱和电流将(
)。
A:不变B:增加C:减小D:无法确定
答案:增加
二极管两端电压大于(
)电压时,二极管才导通。
A:截止B:死区C:击穿D:饱和
答案:死区
若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为(
)。
A:正、反向电阻都等于无穷大B:正向电阻大,反向电阻小C:正、反向电阻相等D:正向电阻小,反向电阻大
答案:正向电阻小,反向电阻大
PN结加正向电压的作用下,扩散电流(
)漂移电流。
A:等于B:大于C:小于D:不确定
答案:大于
锗二极管的死区电压为(
)。
A:0.5VB:0.2VC:0.4VD:0.7V
答案:0.2V
PN结加正向电压时,其正向电流是由(
)的。
A:多数载流子漂移而成
B:多数载流子扩散而成C:少数载流子漂移而成D:少数载流子扩散而成
答案:多数载流子扩散而成
P型半导体是在本征半导体中加入(
)物质后形成的。
A:空穴B:三价硼元素C:电子D:五价磷元素
答案:三价硼元素
稳压管一般工作于(
)状态。
A:反向击穿B:正向导通C:反向截止
答案:反向击穿
在二极管的参数中,最大整流电流IF指的是(
)。
A:允许的最大正向电流
B:允许的最大正向平均电流C:允许的最大反向电流D:允许的最大反向平均电流
答案:允许的最大正向平均电流
第四章测试
场效应管用于放大时,应工作在(
)。
A:可变电阻区B:截至区C:击穿区D:饱和区
答案:饱和区
场效应管的控制方式为(
)。
A:输入电压控制输出电流B:输入电流控制输出电流C:输入电流控制输出电压D:输入电压控制输出电压
答案:输入电压控制输出电流
场效应管属于(
)控制型器件。
A:电流B:电容C:电感
D:电压
答案:电压
场效应管相比于三极管,以下说法错误的是(
)。
A:场效应管的D、S间可等效为一电流控制电压源,三极管的C、E之间可等效为一电流控制电流源B:场效应管温度稳定性好,三极管热稳定性差C:场效应管输入电阻高,三极管相对较低D:场效应管属于单极型器件,三极管是双极型
答案:场效应管的D、S间可等效为一电流控制电压源,三极管的C、E之间可等效为一电流控制电流源
P沟道增强型FET的开启电压为(
)。
A:0B:无C:正值D:负值
答案:负值
场效应管是用(
)控制漏极电流的。
A:栅源电压B:栅源电流C:漏源电流D:漏源电压
答案:栅源电压
结型场效应管发生预夹断后,管子进入(
)。
A:可变电阻区B:恒流区C:截止区D:饱和区
答案:恒流区
增强型PMOS管的开启电压(
)。
A:大于零或小于零B:大于零C:小于零D:等于零
答案:小于零
N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的,这种载流子是(
)。
A:电子B:电子和空穴C:空穴D:离子
答案:电子
图1(a)、(b)分别代表(
)绝缘栅场效应管。(a)(b)
A:N沟道耗尽型与P沟道增强型
B:N沟道增强型与N沟道耗尽型C:P沟道耗尽型与N沟道增强型
D:P沟道增强型与N沟道耗尽型
答案:P沟道耗尽型与N沟道增强型
第五章测试
测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(
),该管是(
)。
A:PNPB:NPNC:B、E、CD:E、B、CE:B、C、E
答案:B、E、C
共射极放大电路的交流输出波形上半周失真为(
)失真。
A:交越B:饱和C:频率D:截止
答案:截止
两个β相等的晶体管组成复合管后,其电流放大系数为(
)。
A:1+βB:2βC:D:β
答案:
既能放大电流又能放大电压的放大电路是(
)。
A:共集电极B:共基极C:共珊极D:共射极
答案:共射极
如果NPN型三极管测得发射结正偏,集电结正偏,则此管的工作状态为(
)。
A:放大状态B:不能确定C:饱和状态D:截止状态
答案:饱和状态
晶体管的控制方式是(
)。
A:输入电流控制输出电压B:输入电压控制输出电压C:输入电压控制输出电流D:输入电流控制输出电流
答案:输入电流控制输出电流
射极输出器(
)。
A:有电流放大作用,无电压放大作用B:有电流放大作用,也有电压放大作用C:有电压放大作用,无电流放大作用D:没有电流放大作用,也没有电压放大作用
答案:有电流放大作用,无电压放大作用
关于BJT放大电路中的静态工作点(Q点),下列说法中不正确的是(
)。
A:Q点过低会产生截止失真B:导致Q点不稳定的主要原因是温度变化C:Q点可以采用微变等效电路求得D:Q点过高会产生饱和失真
答案:Q点可以采用微变等效电路求得
复合管组成的电路可以(
)。
A:扩展频带
B:减小温飘C:提高电流放大系数D:改变管子类型
答案:提高电流放大系数
当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为(
)。
A:B:C:不确定D:
答案:
第六章测试
关于三极管的频率参数说法错误的是(
)。
A:电流放大系数β随频率的增加而减小。B:C:使下降到0dB时的信号频率是特征频率D:使下降为0.707时的信号频率称为共射截止频率
答案:
当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数下降为中频的(
)倍。
A:0.9B:0.5C:0.7D:1
答案:0.7
多级放大电路的通频带要比组成它的任何一级的通频带(
)。
A:宽B:无法确定C:相同
D:窄
答案:窄
在低频区,影响放大倍数衰减的电容是(
)。
A:扩散电容B:势垒电容C:耦合电容D:极间电容
答案:耦合电容
在高频区,影响放大倍数衰减的原因是(
)。
A:极间电容影响B:耦合电容影响C:输入信号过大D:工作点不合理
答案:极间电容影响
当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数下降(
)分贝。
A:4B:3C:6D:5
答案:3
测试放大电路输出电压幅值和相位的变化,可以得到它的频率特性,条件是(
)。
A:输入电压幅值改变,频率不变
B:输入电压幅值不变,改变频率
C:输入电压幅值和频率都改变
答案:输入电压幅值不变,改变频率
对于单管共射放大电路,当时输出电压与输入电压的相位差是(
)。
A:-45°B:-
135°C:-90°D:-180°
答案:-
135°
某放大电路电压增益频率特性表达式为:
该电路的上、下限频率、中频电压增益的分贝数是40。
A:错B:对
答案:对
某放大电路的幅频特性曲线如图1所示:当频率等于上下限频率时,该电路实际的电压增益是60分贝。
A:错B:对
答案:错
第七章测试
放大电路产生零点漂移的主要原因是
。(
)
A:采用了阻容耦合方式B:增益太大C:采用了正负双电源供电D:采用了直接耦合方式
答案:采用了直接耦合方式
电流源电路是一个___________,其交流等效电阻__________。(
)
A:双口网络,恒定B:单口网络,很大C:单口网络,很小D:双口网络,很小
答案:单口网络,很大
差动放大电路用电流源代替长尾电阻Re是为了(
).
A:提高输入电阻B:提高差模电压增益C:提高共模电压增益
D:提高共模抑制比
答案:提高共模抑制比
差分放大电路是为了(
)而设定的。(
)
A:放大信号B:抑制零漂C:稳定AvD:输入电阻高
答案:抑制零漂
当差分式放大电路两输入端电压为=250mV,=
150mV,则=
mV,=
mV。
A:50,200B:100,200C:200,100D:100,400
答案:100,200
设在差分式放大电路中输入信号为=1050V,=950V,若电路的
=
100,
=
2。则最大输出电压=________。(
)
A:12mVB:120mVC:10mVD:200mV
答案:12mV
差分式放大电路的两个输入端电压分别为=2V,=1.98V,则该电路的差模输入电压
为
A:1.02VB:3.98VC:1.99VD:0.02V
答案:0.02V
是差分放大电路的一个重要技术指标,它反映放大电路(
)的能力。
A:输入电阻高B:放大差模抑制共模C:放大倍数高D:输出电阻低
答案:放大差模抑制共模
共模抑制比是(
)之比。
A:差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。B:输出量中差模成分与共模成分C:差模输入信号与共模成分
D:共模放大倍数与差模放大倍数(绝对值)。
答案:差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。
越大表明电路的(
)。(
)
A:A.放大倍数越稳定B:抑制零漂能力越强
B.
C:输入信号中差模成分越大D:交流放大倍数越大
答案:抑制零漂能力越强
B.
第八章测试
对于放大电路,所谓开环是指(
)。
A:无信号源B:无负载C:无电源D:无反馈通路
答案:无反馈通路
对于放大电路,所谓闭环是指(
)。
A:有反馈通路B:考虑信号源内阻C:接入了电源D:接入了负载
答案:有反馈通路
温度升高时,若想稳定放大电路的静态工作点,应当引入(
)负反馈。(
)
A:电流B:电压C:直流D:交流
答案:直流
为了稳定放大电路的输出电压,应引入(
)负反馈。(
)
A:串联输入B:电压取样C:并联输入D:电流取样
答案:电压取样
为了减小放大电路的输入电阻,应引入(
)负反馈。(
)
A:串联B:并联C:电压D:电流
答案:并联
图示电路级间引入了(
)反馈,该反馈属于(
)反馈。
A:正,直交流B:正,直流C:负,交流D:负,交直流
答案:负,交直流
图示电路级间电阻R2引入了(
)反馈,该反馈属于(
)反馈。
A:负,电压并联B:正,电流串联C:负,电压串联D:正,电流并联
答案:负,电压并联
在反馈类型判断时我们可以用(
)判别正负反馈。(
)
A:输出断路法B:输入短路法C:瞬时极性法D:输出短路法
答案:瞬时极性法
要求引入负反馈后能使放大器的输入电阻增大,输出电流稳定,则该反馈的类型为(
)。
A:电流并联负反馈B:电压并联负反馈C:电压串联负反馈D:电流串联负反馈
答案:电流串联负反馈
深度电流串联负反馈放大器相当于一个(
)。(
)
A:流控电压源B:压控电流源C:流控电流源D:压控电压源
答案:压控电流源
第九章测试
在互补对称功率放大电路中,引起交越失真的原因是(
)
A:电源电压太高
B:输入信号过大
C:晶体管β值太大
D:晶体管输入特性的非线性
答案:晶体管输入特性的非线性
OCL功放电路的输出端直接与负载相联。静态时,输出端静态电位为(
)。
A:B:C:D:0
答案:0
OTL功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。静态时,该电容上电压为(
)。
A:B:C:D:0
答案:
交越失真是(
)。
A:饱和失真
B:非线性失真
C:频率失真D:线性失真
答案:非线性失真
功率放大电路的转换效率指的是(
)。
A:最大输出功率与电源提供的平均功率之比B:输出功率与晶体管消耗的功率之比C:晶体管消耗的功率与电源提供的平均功率之比D:不确定
答案:最大输出功率与电源提供的平均功率之比
乙类功放的理想最大效率为(
)。
A:58.5%
B:不确定C:78.5%
D:68.5%
答案:78.5%
在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则功率三极管的最大功耗为(
)。
A:0.5W
B:0.6W
C:0.2W
D:0.3W
答案:0.2W
功率放大电路中,最大输出功率是指输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大(
)。
A:直流功率
B:交流功率
C:无功功率D:平均功率
答案:交流功率
OTL电路负载电阻RL=10Ω,电源电压10V,理想情况下其最大输出功率为(
)。
A:2.5W
B:10W
C:1.25WD:5W
答案:1.25W
对于功率放大电路的要求是(
)。
A:高
B:高
C:失真小D:高
答案:高
;失真小
第十章测试
要使振荡电路能够自行起振,AF应(
)。
A:AF<1
B:AF>1
C:AF=0D:AF=1
答案:AF>1
RC串并联文氏桥振荡电路的A为(
)。
A:3
B:-1/3C:-3
D:1/3
答案:3
已知输入信号的频率为40HZ—10KHZ,为了防止干扰信号的混入,应选用(
)滤波器。
A:带阻滤波器B:高通滤波器C:带通滤波器D:低通滤波器
答案:带通滤波器
希望抑制50HZ的交流电源干扰,应选用(
)滤波器。
A:带阻滤波器B:带通滤波器C:低通滤波器D:高通滤波器
答案:带阻滤波器
RC桥式振荡器中RC串并联网络的作用是(
)。
A:稳幅环节B:选频网络和引入正反馈C:放大网络D:引入负反馈
答案:选频网络和引入正反馈
从结构上看,正弦波振荡电路是一个(
)。
A:没有输入信号的负反馈放大电路B:没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器C:有输入信号的负反馈放大电路D:没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器
答案:没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器
正弦波振荡器的振荡频率由(
)而定。
A:基本放大器
B:稳幅网络C:反馈网络
D:选频网络
答案:选频网络
产生低频正弦波一般可用(
)振荡电路。
A:史密斯
B:石英晶体
C:LC
D:RC
答案:RC
产生高频正弦波可用(
)振荡
电路
A:史密斯
B:RC
C:LC
D:石英晶体
答案:LC
RC串并联网络在特征频率时呈(
)。
A:阻性
B:容性
C:都有可能D:感性
答案:阻性
第十一章测试
单相桥式整流电容滤波输出电压平均值为=(
)。。
A:1B:0.9
C:0.45
D:1.2
答案:0.9
单相半波整流电路中,V,整流电压平均值为(
)。
A:90VB:65VC:120VD:45V
答案:45V
稳压管构成的稳压电路,其接法是(
)。
A:限流电阻与稳压二极管并联后,负载电阻再与稳压二极管串联B:稳压二极管与负载电阻串联
C:稳压二极管与负载电阻并联。D:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
答案:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
在整流电路的输出端并一个电容
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