《集成电路制造工艺项目化实践》 课件 项目4 掺杂与蚀刻

刻蚀与掺杂项目4项目导读

本项目从干法刻蚀工艺任务入手，先让读者对刻蚀与掺杂工艺有一个初步了解；然后详细介绍干法刻蚀、离子注入规范等专业技能。通过离子注入和洁净车间进入的任务实施，让读者进一步了解干法刻蚀与离子注入工艺、以及如何进入洁净车间。知识目标1.了解刻蚀与掺杂工艺、洁净车间进入规范2.掌握干法刻蚀与离子注入的工艺操作3.掌握干法刻蚀与离子注入的质量评估4.会识读干法刻蚀与离子注入工艺相关的随件单技能目标1.能正确操作干法刻蚀与离子注入的设备，设置相关设备的常规参数2.能正确排查干法刻蚀与离子注入的常见故障3.能正确进入洁净车间教学重点1．干法刻蚀与离子注入的工艺2．检验干法刻蚀与离子注入的质量3.洁净车间进入准备教学难点干法刻蚀、离子注入与洁净车间进入的实施建议学时6学时推荐教学方法从任务入手，通过干法刻蚀的操作，让读者了解干法刻蚀的工艺操作，进而通过离子注入的操作，熟悉离子注入的质量评估推荐学习方法勤学勤练、动手操作是学好刻蚀与掺杂工艺的关键，动手完成干法刻蚀与离子注入任务实施，通过“边做边学”达到更好的学习效果4.1干法刻蚀使用干法刻蚀设备，采用干法刻蚀方式，将晶圆表面上无光刻胶区域下方的外露薄膜去除，并将晶圆表面剩余的光刻胶去除。4.1.1认识干法刻蚀刻蚀是在显影检查后进行的，通过显影工序掩膜版上的图形已经转移至光刻胶上，此时无光刻胶区域下方的薄膜已经露出，由刻蚀工序将外露的薄膜去除。光刻与刻蚀的结合，实现了工艺图形从掩模版转移到光刻胶、再转移到薄膜上的过程。4.1.1认识干法刻蚀1．刻蚀的作用

刻蚀是用化学或物理的方法，有选择的从晶圆表面去除不需要的材料的过程。

刻蚀是将晶圆表面上淀积的各种绝缘介质、金属薄膜等按照掩膜版的图形结构选择性的去除，以便形成各种器件结构和电路互连。刻蚀前后效果示意图，如图所示。

刻蚀效果示意图（a）刻蚀前

（b）刻蚀后4.1.1认识干法刻蚀

干法刻蚀是刻蚀的方式之一，利用气体产生的等离子体，以物理或化学反应除去暴露的表面材料。由于干法刻蚀的图形的保真度好，是亚微米和深亚微米尺寸下刻蚀器件的主要方法。干法刻蚀后的各种图形或结构，如图所示。各种刻蚀图形外观4.1.1认识干法刻蚀2．干法刻蚀方式

按照刻蚀时等离子体作用的不同，干法刻蚀分为物理性刻蚀（溅射刻蚀）、化学性刻蚀（等离子体刻蚀）、物理化学性刻蚀（反应离子刻蚀）等。干法刻蚀分类及其特点，如表所示。分类属性优点缺点溅射刻蚀物理（1）各向异性好，刻蚀后轮廓接近90°；（2）灵活性好、安全、无污染、无废液、易实现自动化。（1）选择性较差；（2）存在刻蚀损伤、产量小、成本高、设备复杂。等离子体刻蚀化学（1）选择比高、反应速率快；（2）灵活性好、安全、无污染、无废液、易实现自动化。（1）各向同性腐蚀、分辨率低；（2）存在刻蚀损伤、产量小、成本高、设备复杂。反应离子刻蚀物理化学（1）各项异性好、选择比高、反应速率快；（2）灵活性好、安全、无污染、无废液、易实现自动化。存在刻蚀损伤、产量小、成本高、设备复杂。4.1.1认识干法刻蚀

一般情况下，当刻蚀完成后，光刻胶的使命随之完成，因此可以将其去除。将晶圆表面的光刻胶，通过物理或者化学方法去除的过程称为去胶，这是图形制备的最后一道工序。常见的去胶方式及其特点，如表所示。3．去胶方式分类方式优点缺点应用湿法去胶溶剂去胶将晶圆浸泡在适当溶剂内（一般为含氯的烃化物），聚合物膨胀并分解，溶于该溶剂，从而进行去胶。在常温下进行，不会使铝层发生变化。难以控制、去除不彻底、需反复去除、环境污染。金属表面的光刻胶去除（不适用于MOS器件）。氧化剂去胶将晶圆放在氧化剂（一般为SPM溶液）中加热到100℃左右，光刻胶被氧化成CO2和H2O去除。可析出光刻胶的碳微粒，保证晶圆表面质量。无金属表面（SiO2、Si3N4等）的光刻胶去除。干法去胶等离子体去胶在真空环境下，通入氧气并加1500V高压，电离产生等离子体，晶圆上的光刻胶被其氧化成CO2、H2O、CO等气体实现去胶。效率高、环保、控制精确、操作简单、无刮痕。氧气流量对去胶质量影响大。干法去胶、光刻胶表面形成了碳化交联聚合物硬壳时。4.1.2

干法刻蚀设备由于刻蚀的方式不同，设备结构会略有不同。刻蚀设备主要由显示区、上料区、刻蚀区组成，其中干法刻蚀是在刻蚀区的刻蚀反应腔内完成的。干法刻蚀设备的结构，如图所示。干法刻蚀设备4.1.2干法刻蚀设备（1）显示区：进行刻蚀工艺参数设置的区域，并可以监控工艺过程。（2）上料区：待刻蚀晶圆进料区域，自动上料机构通过机械手实现晶圆的转移。（3）刻蚀区：干法刻蚀设备的主体部分，刻蚀气体通过气体流量控制系统进入反应腔室，经过一系列处理与反应，实现干法刻蚀。4.1.3干法刻蚀实施1．领料确认开始作业前，需要按照生产安排，领取对应的待刻蚀的晶圆，进行信息核对，防止出现混料、错料的情况发生。（1）操作员领料后，依次核对干法刻蚀随件单、流程单以及晶圆实物三者之间的信息。（2）信息全部核对一致，方可对该物料进行作业；若发现异常则需要上报相关人员，处理正常后继续作业。所有信息已核对正常，如图所示。（3）信息确认无误后，点击“继续”按键，转移至工位处进行作业。4.1.3干法刻蚀实施2．设备准备领取物料后，到达对应工位进行刻蚀操作。（1）点击“上料”按键，将装有待刻蚀晶圆的花篮放置于上料区，放置时硅片正面朝上，如图所示。刻蚀机装料4.1.3干法刻蚀实施（2）打开显示区界面，选择界面上“Recipes”菜单下的“WaferAssociation”，打开调用程序的界面，如图所示。打开程序界面4.1.3干法刻蚀实施

点击按键，打开刻蚀程序文件，并根据随件单信息选择对应的刻蚀程序。选择程序后核对名称，点击“Open”按键，完成导入，如图所示。刻蚀程序调用4.1.3干法刻蚀实施（4）程序导入后，点击图4-7中的“Save”按键，保存设置。（5）保存完成，选择“Operations”菜单下的“Overview”，返回主界面。然后点击“Run”按键，运行刻蚀设备，如图所示。设备启动4.1.3干法刻蚀实施3．设备运行设备启动，开始对晶圆进行干法刻蚀。（1）上料机械手首先开始动作，依次将上料区的晶圆取出，放到膜厚测量仪上，测量晶圆刻蚀前的膜厚数据，如图所示。起始膜厚数据测量4.1.3干法刻蚀实施（2）膜厚测试后，机械手将晶圆转移到刻蚀腔内进行干法刻蚀。刻蚀时，利用高速离子、等离子体等高能离子对被刻蚀物进行轰击，使其脱离晶圆表面。刻蚀过程，如图所示。（3）刻蚀完成，通过传输结构将刻蚀后的晶圆送回晶圆花篮内。最后，将晶圆表面剩余的光刻胶去除。干法刻蚀过程4.1.3干法刻蚀实施4．刻蚀后检验去胶后，需要对刻蚀后的晶圆进行质量检验。刻蚀的质量对集成电路芯片的性能至关重要，刻蚀完成后需要及时对外观和关键尺寸等进行检测。关键尺寸（简称CD）是指在集成电路光掩模制造及光刻工艺中，为评估及控制工艺的图形处理精度，特设计的一种反映集成电路特征线条宽度的专用线条图形。4.1.3干法刻蚀实施（1）外观检查

点击晶圆花篮，将晶圆从花篮中取出放置到UV灯旁，对其外观进行检查，如图所示。刻蚀外观检查4.1.3干法刻蚀实施

刻蚀的外观不良现象主要有划伤、色差、发雾等表面不良，实物外观如表所示。不良名称不良描述外观图划伤晶圆表面出现划痕，是流片过程中最常见的异常。

色差晶圆表面观察到色泽不一，存在偏差。色差是因片内刻蚀不均匀导致留膜厚度不一，最终引起的外观表现。

发雾晶圆表面较暗且发白，类似被蒙了一层雾。发雾大多为片内刻蚀不均引起的外观表现。4.1.3干法刻蚀实施

（2）线宽测量

点击晶圆花篮，将晶圆放到显微镜下，准备测量关键尺寸，如图1所示。图1：测量准备

图2：启动测量

在测量系统界面上，选择对应的测量模式，然后点击“Start”按键开始测量，如图2所示。平台自动开始测量，依次测量晶圆表面设定的各样点处的线宽，并获得平均值，再与标准值对比以判断其是否符合标准。4.1.3干法刻蚀实施5．结批刻蚀工序操作正常完成后，操作员确认本次作业正常完成，且制品合格，记录相关信息，完成结批，如图所示。作业完成，清理工位，等待下一批作业。结批4.1.4干法刻蚀常见异常故障排除在刻蚀过程中，可能会出现设备异常或刻蚀深度异常等问题，需要进行对应的处理。在这里，主要介绍几种常见的异常故障。1、设备报警（1）异常描述设备发出报警，并在显示器处显示异常，表示设备运行异常。点击界面的报警灯图标进行查看，如图所示。异常报警界面（2）异常分析与处理本次报警显示设备的作业压力异常，点击“详细信息”查看该故障出现的可能原因，根据提示信息依次排查，完成故障排除，如图所示。

处理、调试正常后，继续运行设备。报警详情4.1.4干法刻蚀常见异常故障排除2．侵蚀

（1）异常描述晶圆边缘发雾，显微镜下观察发现刻蚀过度，刻蚀范围超出要求区域，如图所示。侵蚀4.1.4干法刻蚀常见异常故障排除（2）异常分析与处理1）由于片内的刻蚀速率是边缘处大于中心处，所以侵蚀一般先发生在晶圆的边缘处。边缘处在后期会直接剔除，所以侵蚀若仅发生在变匀，则可继续合格流水，否则要报废处理。2）分析出现该异常的原因，比如功率异常、终点检测异常、反应气体流量异常、光刻胶厚度不足等。3）针对排查出的异常原因，制定对应的纠正/预防措施并实施。离子注入任务94.2任务9离子注入

使用离子注入机和掺杂元素，采用离子注入方式，完成向晶圆中加入少量杂质的任务。其中，掺杂类型为P型、掺杂元素为硼（B）。4.2.1认识离子注入掺杂本征半导体的导电性很差，只有在晶圆中加入少量杂质，使其结构和电导率发生改变时，硅才能成为一个有用的半导体，这个过程叫做掺杂。掺杂是制作半导体器件和集成电路必不可少的工序，通常有热扩散和离子注入2种掺杂方式。在这里，以离子注入为例进行介绍。1．离子注入的作用

离子注入掺杂技术是现代先进的掺杂技术，而且已经是比较成熟的工艺。

离子注入是通过离子轰击，使杂质以离子束的形式注入半导体内，从而形成PN结构和各种半导体器件，以及改变材料的电导率。在超高速、微波和中大规模集成电路制备过程中，器件的结深和基区的宽度，都小到只有零点几微米，杂质浓度分布也有更高的要求。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。2．掺杂元素

通过掺杂使杂质原子代替原材料中的部分原子，材料的导电类型决定于杂质的化合价。一般业界常用的掺杂元素，如表所示。掺杂类型掺杂元素P型掺杂硼（B）、镓（Ga）、铟（In）N型掺杂氮（N）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb）其他掺杂碳（C）、硅（Si）、锗（Ge）、锡（Sn）、氩（Ar）4.2.2离子注入设备

离子注入机体积庞大，结构非常复杂。离子注入机的外观，如图所示。根据使用工艺、应用领域、注入剂量和能量的范围不同，传统上离子注入机分为中低电流、大电流、高能量等三种。离子注入机离子注入设备主要由显示区、上料区和离子注入区等组成。离子注入机的结构俯视图，如图所示。离子注入机结构示意图4.2.3离子注入实施1．领料确认

开始作业前，需要按照生产安排，领取对应的待离子注入的晶圆，进行信息核对，防止出现混料、错料的情况发生。

（1）操作员领料后，依次核对离子注入随件单、流程单以及晶圆实物三者之间的信息，如图所示。信息核对界面（2）信息全部核对一致，方可对该物料进行作业；若发现异常则需要上报相关人员，处理正常后继续作业。所有信息已核对正常，点击“继续”按键，转移至工位处进行作业，如图所示。信息核对一致2．设备准备（1）领取物料后，点击图4-21中“继续”按键，到达对应工位进行刻蚀操作，如图所示。点击图中红光闪烁的上料台，将装有待掺杂晶圆的花篮放置于上料区。放置时需将晶圆正面朝上。离子注入机装料（2）点击图中的显示屏，打开示区界面，如图所示。打卡设置界面（3）点击图中每个参数框的下拉箭头，根据随件单信息依次选择相关参数，其中：“DopingType（掺杂类型）”为P型；“DopingElement（掺杂元素）”为B（硼）；“ImpuritySource（杂质源）”为B2H6（乙硼烷）；“Injection Angle（注入角）”为7°。设置后的界面，如图所示，点击“OK”按键确认设置。设置参数（4）参数设置完成并确认正常后，在随件单对应位置记录结果并签字确认，如图所示。确认参数3．设备运行

参数设置完成后，开始运行设备，对晶圆进行离子注入操作。（1）上料机械手首先开始动作，依次将上料区的晶圆取出，放到扫描盘上固定，如图所示。机械手进料（2）扫描盘放满晶圆后竖起，面向离子入射的方向。

离子注入时，注入离子从离子源中产生，并通过吸极形成离子束，经磁分析器筛选将所需的杂质离子从离子束中分离出来，通过加速管获得足够的能量并注入晶圆对应位置。离子注入过程，如图所示。

在静电扫描过程中，电子和中性离子不会发生偏转，能够从束流中消除。离子注入过程

当高能离子进入晶圆，一部分能量传递是由入射离子与晶格原子核碰撞产生的，在此过程中，许多晶格原子离开晶格原有的位置；移位的衬底原子其中一部分有足够的能量再与其他衬底原子碰撞并产生额外的移位原子。

这些位移会使晶圆产生大量的衬底损伤，为了消除该经过缺陷并激活注入的杂质，后续需要经过退火处理。4．退火

退火，主要有高温退火和快速热退火2种方式。

高温退火用于修复晶格时500℃左右的温度即可实现，用于激活杂质时温度需要达到950℃左右；快速热退火则温度较高，在1000℃左右，其作业速度较快。衬底损伤的情况取决于杂质离子的轻重，轻离子损伤其路径窄而长，如图（a）所示；重离子损伤其路径宽而短，如图（b）所示。（a）轻离子损伤（b）重离子损伤5．结批

离子注入工序操作完成后，操作员确认本次作业正常，且制品合格，记录相关信息，完成结批，如图所示。作业完成，清理工位，等待下一批作业。结批4.2.4离子注入常见异常故障排除

离子注入过程中，可能会出现杂质注入含量不均、离子源沾污等故障，需要进行对应的处理。在这里，主要介绍几种常见的异常故障。1．剂量不均匀造成掺杂区域杂质含量不一致

（1）异常描述

用方阻和热波轮廓图检测时，发现晶圆表面不同区域的杂质含量不同。

（2）异常分析

经检测，发现是由剂量不均匀造成的，造成剂量不均匀的原因，可能是注入机的泄露电流影响或扫描系统异常等。

（3）故障处理

若是扫描系统故障，在大电流注入时，需要检查扫描盘的驱动系统是否有机械问题；在中低电流注入时，需要检查扫描系统的X和Y方向扫描是否正确。

若是注入机中的泄露电流问题，需要清理所有绝缘体，确保没有溅射堆积材料，另外电缆的绝缘必须采用高质量材料。2．离子束中存在污染物（1）异常描述用SIMS检测时，发现离子束中有沾污现象。（2）异常分析造成离子束沾污的原因，主要有离子源沾污、质量分析中的离子沾污、质量分析后的离子沾污、终端台沾污、磁分析器窄缝过宽等。（3）故障处理

根据排查原因，进行相应处理。比如检查到离子源沾污时，则需要在进一步检查离子源本身是否沾污、检查真空系统是否漏气、检查源材料的纯度是否满足要求等，解决对应的问题。洁净车间进入任务104.3任务10洁净车间进入

根据设备安全作业规程与安全风险、工业服装和装备穿戴以及净化车间管理规定，能正确按照洁净车间（芯片裸露状态车间）要求的穿戴操作、操作规范要求，完成进入洁净车间操作的任务。4.3.1认识洁净车间进入规范

在晶圆制造、晶圆检测和封装完成前的过程中，晶圆都处于裸露状态，对防尘、防静电要求较高，一般是在千级洁净车间内进行，其温度恒为22±3℃，湿度为45±15％。人员进入芯片裸露状态的洁净车间，一般需要遵守着装、防静电点检、风淋以及除尘清扫等操作规范。1．洁净车间操作规范

为控制人对生产车间产生的沾污，每家集成电路公司都有一套严格的洁净车间操作规范，人员必须严格遵循洁净车间操作规范，如表所示。

序号应做不应做原因1只有经过授权的人员方可进入净化间没有进行培训的人员不得进人净化间，净化间主管具有决定权。被授权的人员熟悉净化间操作规定2只把必需品带入净化间不准携带化妆品、香烟、手帕、卫生纸、食物、饮料、照相机、钥匙、手机或未经净化间允许的纸张、图样、操作手册或指示图标等。排除污染物的来源3在净化间中所有时间内都要保持超净服闭合不要把任何便服暴露在超净间内，不要让皮肤的任何部分接触超净服的外面部分。排除污染物的来源4确保所有头部和面部头发被包裹起来不要暴露头部和面部的头发。排除污染物的来源5遵守进入净化间的程序，如风淋进入净化间后不要打开隔离门，直到所有程序完成。风淋有助于去除沾污6缓慢移动不要聚集或快速移动。避免破坏气气流模式2．穿戴工业服装与装备要求

芯片是一种比较敏感的精密电路，很容易受到外界的干扰，根据集成电路制造工艺要求，相对于普通车间，集成电路制造的各生产车间对环境的要求会相对较高。比如晶圆制造等芯片处于裸露状态的生产车间，对环境要求高于芯片封装好之后的生产车间，这是由工艺的加工对象特性所决定的。因此，在进入集成电路制造的各生产车间时，都需要穿戴规定的工业服装和装备。

在进入芯片裸露状态的洁净车间前，都需穿戴对应的无尘衣或防静电服，其目的是为了防止人体、衣物等产生灰尘或静电对芯片造成损害。

（1）无尘衣是一种防尘、防静电连体工作服，其面料和缝线一般采用涤纶长丝纤维或导电纤维，可以有效防止微尘从工作服中散出或缝线自身产生尘埃而污染芯片。

（2）防静电服是用于泄放人体静电的工作服，一般为上衣外套。防静电服可以有效抑制人体及服装静电，消除或减小静电放电危害，保护静电敏感元器件免受潜在静电危害。

（3）无尘鞋也叫净化鞋、防静电无尘鞋，鞋面采用专用涤纶长丝与高性能永久性导电纤维，导电纤维为间距5mm的条纹或网格，具有良好的静电泄放效果。

为防止自身微尘和静电污染芯片，需要穿戴无尘衣、无尘鞋、口罩、发罩、手套等。具体着装要求，如图4-30所示。着装要求3．防静电点检

静电放电引起的组件击穿损害是电子工业最普遍、最严重的静电危害，所以每一道工艺都需要做好防静电的工作，以防止因静电影响而导致大量芯片报废的情况发生。

防静电点检的目的，就是用于检测并判断人体静电是否在车间所要求的安全值内，可以验证防静电鞋、防静电服、无尘衣等着装是否正常。防静电点检结合门禁系统，可自动判别人员是否符合进入条件，点检合格后车间门或风淋室门自动打开。

防静电工作要从车间环境和进入车间的人员2个方面着手进行。

（1）在洁净车间方面，设备仪器、墙壁、天花板和地板等都应采用防静电的不发尘材料，必要时可使用离子风扇、风枪（风枪即气枪、离子风枪，是一种手持式利用压缩气体除尘、除静电的专用设备）等消除静电；

（2）在进入洁净车间的人员方面，需要穿戴指定的无尘衣或防静电服，并且进行防静电点检，防静电点检合格的人员才能进入风淋室或车间。4．风淋

在动态情况下，洁净车间细菌及尘埃的最大发生源是人员。人员进入对无尘要求非常高的晶圆制造、检测洁净车间之前，必须进行风淋操作，用洁净空气吹淋其衣服表面附着的尘埃颗粒。

风淋的目的，就是针对芯片处于裸露状态的洁净车间设计的，是为了清除进入这些车间的人或物体表面的灰尘，保证车间内的无尘环境不被破坏。

（1）进入芯片处于裸露状态的洁净车间前，需要进行风淋；

（2）而芯片处于非裸露状态的洁净车间对空气质量没有很高要求，进入前无需进行风淋。4.3.2洁净车间进入准备设备1．防静电点检设备

防静电点检是在防静电测试仪上进行的，也可以结合门禁设备和信息化管理软件成为防静电门禁系统，实现静电测试和人员身份的自动识别。ESD是20世纪中期以来形成的研究静电的产生、危害及防护等静电内容的学科。后来国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。ESD防静电门禁支持左右脚和手指静电测试，相对于传统ESD测试，不会出现两脚同时测试，一脚正常就通过的盲点。2．风淋设备

风淋在风淋室中进行，风淋室又称为洁净风淋室、净化风淋室等。风淋室是现代电子产品生产车间必不可少的洁净配套设备，是进入洁净室所必需的通道，它能通过风淋喷嘴喷出经过高效过滤的洁净强风，吹除人或物体表面吸附的尘埃，同时又对风淋室两侧的洁净区和非洁净区起到了缓冲与隔离的作用。风淋室外观，如图所示。风淋室

风淋室能通过风淋喷嘴喷出经过高效过滤的洁净强风，吹除人或物体表面吸附的尘埃，同时又对风淋室两侧的洁净区和非洁净区起到了缓冲与隔离的作用。

风淋室是人员进出洁净车间所必需的通道，并同时起到气闸室密闭无尘室的缓冲作用，是进行人员除尘和防止室外空气污染无尘室的有效设备，也是目前洁净车间人员进入的必需设备。风淋室具有如下特点：

（1）采用PLC智能化的控制手段，控制面板上的LED显示屏，能正确显示风淋的运行状态双门的互锁状态、风淋周期进度和延时开门状态。并设有光电感应器，单向通道风淋室，从非洁净区进入，关门后红外线感应有人就吹淋，吹淋后入门锁闭，只能从出门走出风淋室；

（2）采用人性化的控制面板，清晰的指示灯指示，给予用户清晰正确的风淋流程指示。软键触按式时间继电器，LED显示及设置吹淋时间，用户可根据风淋室外部环境的差异调节吹淋时间，范围为10-99s；

（3）采用美国AAF初、高效过滤器两级过滤系统，无隔板低阻力高效过滤器，过滤效率为99.99%，确保净化级别。配全不锈钢多角度可调喷嘴，双涡壳外转子大风量低噪风机，风嘴出风口风速高达25m/s以上，吹到人体上风速18m/s以上；

（4）采用模块化设计方案，可以按实际需要拼装成各种长度的风淋尺寸。一台风淋室由一节或多节风淋单元组成，对于大体积的风淋设备，可分拆成多个模块，使得生产、运输、安装特别方便、快捷；

（5）采用进口电子元器件、先进的减噪静音装置系统及EVA密封材料，运行性能稳定可靠、密闭性能高。4.3.3洁净车间进入实施1．着装准备（1）脱鞋与物品放置为减少灰尘的带入以及作业的安全性，员工在进入准备区域时，需要将鞋子脱下，减少外部灰尘的带入，并方便之后的着装操作。此外，进入车间前需检查携带物品，个人物品不可带入车间，需放置到储物柜内保存，如图所示。脱鞋与物品放置

（2）脚底除尘

洁净车间内的无尘要求较高，进入更衣区需进行脚底除尘。按照路面指示移动到刷卡器前，进行刷卡进入更衣室，双脚站立在门口的粘尘垫上，完成脚底除尘，如图所示。脚底除尘（3）洗手除尘

按照路面指示移动到自动洗手器前，进行手部的清洁，清洗完毕之后自动烘干，如图所示。洗手除尘

（4）着装

完成初步的简易除尘后，按照千级无尘车间的着装标准进行着装。着装操作在更衣室内完成，一般情况下需要依次穿戴发罩、无尘衣、口罩、防静电手套、无尘鞋等防静电和防尘衣物。

按照路面指示移动到着装区，根据洁净车间的着装要求，选择需要的衣物进行穿戴，如图所示。着装2．防静电点检

按照路面指示移动到静电测试仪前，进行防静电点检。

防静电点检时，双脚站在测试仪器的指定位置，先刷门禁卡，确认个人信息是否准确，核对无误后根据仪器提示进行点检操作，如图所示。

防静电点检注意：

（1）在刷门禁卡或静电检测时，双脚必须站立在防静电测试仪指定位置，否则测试仪无法完成识别，导致车间门或风淋室门开启失败；

（2）手指按压在静电测试的金属触摸区时，需要摘掉手套，使皮肤直接接触测试区；

（3）防静电点检未通过时，需要检查着装并消除静电，再重新进行防静电点检。3．风淋防静电点检合格后，风淋室门由锁定变为开启，进行进一步的除尘操作，如图所示。（1）在图中，点击风淋室的外门，将风淋室的外门打开。打开风淋室门（2）根据路面指示进入风淋室。进入风淋室后站立在指定位置，前后门自动落锁，风淋室开始除尘操作。在除尘期间，人员需要张开双臂旋转360度，达到最大除尘效果，如图所示。风淋（3）到达指定时间后，风淋结束，出口自动解锁，此时员工可以进入洁净车间。关键知识点梳理1．刻蚀是在显影检查后进行的，通过显影工序掩膜版上的图形已经转移至光刻胶上，此时无光刻胶区域下方的薄膜已经露出，由刻蚀工序将外露的薄膜去除。光刻与刻蚀的结合，实现了工艺图形从掩模版转移到光刻胶、再转移到薄膜上的过程。

（1）刻蚀是用化学或物理的方法，有选择的从晶圆表面去除不需要的材料的过程。

（2）刻蚀是将晶圆表面上淀积的各种绝缘介质、金属薄膜等按照掩膜版的图形结构选择性的去除，以便形成各种器件结构和电路互连。2．干法刻蚀是刻蚀的方式之一，利用气体产生的等离子体，以物理或化学反应除去暴露的表面材料。（1）按照刻蚀时等离子体作用的不同，干法刻蚀分为物理性刻蚀（溅射刻蚀）、化学性刻蚀（等离子体刻蚀）、物理化学性刻蚀（反应离子刻蚀）等。（2）当刻蚀完成后，光刻胶的使命随之完成，因此可以将其去除。将晶圆表面的光刻胶，通过物理或者化学方法去除的过程称为去胶，这是图形制备的最后一道工序。3．刻蚀设备主要由显示区、上料区、刻蚀区组成，其中干法刻蚀是在刻蚀区的刻蚀反应腔内完成的。（1）显示区：进行刻蚀工艺参数设置的区域，并可以监控工艺