GB/T 45718-2025半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T45718—2025/IEC62374-12010

:

半导体器件内部金属层间的时间

相关介电击穿TDDB试验

()

Semiconductordevices—Time-dependentdielectricbreakdown

TDDBtestforinter-metallaers

()y

IEC62374-12010Semiconductordevices—Part1Time-deendent

(:,:p

dielectricbreakdownTDDBtestforinter-metallaersIDT

()y,)

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T45718—2025/IEC62374-12010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验设备

4…………………2

试验样品

5…………………2

通则

5.1…………………2

测试结构

5.2……………2

试验程序

6…………………4

概述

6.1…………………4

预测试

6.2………………4

试验条件

6.3……………4

失效判据

6.4……………5

寿命时间估算

7……………5

总则

7.1…………………5

加速模型

7.2……………6

模型公式

7.3E…………………………6

寿命时间估算步骤

7.4…………………6

寿命时间与金属层间介质面积的相关性

8………………8

说明事项

9…………………8

附录资料性寿命时间估算工程性补充说明

A()………10

加速因子的典型值

A.1………………10

使用威布尔统计绘制数据的过程

A.2………………10

参考文献

……………………11

Ⅰ

GB/T45718—2025/IEC62374-12010

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文本件等同采用半导体器件第部分内部金属层间的时间相关介电击

IEC62374-1:2010《1:

穿试验

(TDDB)》。

本文件增加了规范性引用文件一章

“”。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿

———,《

试验

(TDDB)》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所吉林华微电子股份有限公司广东科信电子有

:、、

限公司中国电子科技集团公司第二十四研究所广东汇芯半导体有限公司上海交通大学青岛芯瑞智

、、、、

能控制有限公司电子科技大学

、。

本文件主要起草人高汭陈义强王铁羊柯佳键冯宇翔雷志锋方文啸杨晓锋俞鹏飞来萍

:、、、、、、、、、、

常江罗俊纪志罡李治平宫玉彬

、、、、。

Ⅲ

GB/T45718—2025/IEC62374-12010

:

半导体器件内部金属层间的时间

相关介电击穿TDDB试验

()

1范围

本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿的试验方法测试结构和寿

(TDDB)、

命时间估算方法

。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

内部金属层间泄漏电流leakagecurrentofinter-metallayer

I

leak

当施加工作电压时通过金属层间介质层的泄漏电流

,。

32

.

内部金属层间的初始泄漏电流initialleakagecurrentofinter-metallayer

I

leak-0

施加应力电压前通过金属层间介质层的泄漏电流

。

33

.

限制电流compliancecurrent