《半导体技术》课件-第一部分

第一部分一、本征半导体

二、杂质半导体

三、PN结

一、填空

二、判断题

第一章二极管

第二章二极管的应用

第一章晶体管

第二章交流放大电路

第三章直流放大电路第四章集成运算放大器

第五章正弦波振荡电路

第六章直流稳压电源一、本征半导体1.半导体的敏感特性

2.半导体的掺杂特性一、本征半导体图0-1硅原子核外的电子排列一、本征半导体图0-2硅原子的结构示意图1.半导体的敏感特性1)纯净半导体的导电能力随着温度的升高，导电能力也随之增强，称为热敏特性。

2)半导体的导电能力对光照、磁场及其承受的电压也很敏感，称为光敏、磁敏和压敏特性。2.半导体的掺杂特性表0-1常见的半导体材料及应用2.半导体的掺杂特性图0-3硅和锗晶体的原子结构示意图2.半导体的掺杂特性图0-4本征激发和两种载流子2.半导体的掺杂特性图0-5电子电流2.半导体的掺杂特性图0-6空穴电流二、杂质半导体1.N型半导体——电子型半导体

2.P型半导体-空穴型半导体1.N型半导体——电子型半导体图0-7N型半导体——电子型半导体2.P型半导体-空穴型半导体图0-8P型半导体——空穴型半导体三、PN结1.PN结的形成

2.PN结的单向导电性

3.PN结的伏安特性曲线(见图0-13)三、PN结图0-9PN结1.PN结的形成(1)浓度差引起载流子的扩散运动因为P区的多子是空穴，N区的多子是自由电子，在两块半导体交界处同类载流子的浓度差别极大，这种差别将产生P区浓度高的空穴向N区扩散，与此同时，N区浓度高的电子也会向P区扩散，如图0-10a所示。

(2)扩散运动形成空间电荷区扩散运动的结果会使P型半导体的原子在交界处得到电子成为带负电的离子，N型半导体的原子在交界处失去电子成为带正电的离子，从而形成了空间电荷区，如图0-10b所示。1.PN结的形成图0-10PN结

a)浓度差引起载流子的扩散运动b)空间电荷区(3)内电场中的漂移运动空间电荷区随着电荷的积累将建立起一个内电场E，该电场对半导体内多数载流子的扩散运动起阻碍的作用，1.PN结的形成但对少数载流子的运动却起到促进的作用，少数载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动。2.PN结的单向导电性(1)外加正向电压在PN结上外加正向电压时的导电情况，如图0-11所示，在这种连接方式下的PN结称为正向偏置(简称正偏)。图0-12PN结的反向偏置的导电情况2.PN结的单向导电性图0-12PN结的反向偏置的导电情况2.PN结的单向导电性(2)外加反向电压在PN结上外加反向电压时的导电情况，如图0-12所示，在这种连接方式下的PN结称为反向偏置(简称反偏)。3.PN结的伏安特性曲线(见图0-13)图0-13PN结的伏安特性曲线一、填空1.导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质称为。

2.在半导体中，不仅有载流子，还有载流子，这是半导体导电区别于导体导电的重要特征。

3.最常用的半导体材料有和等。

4.P型半导体主要靠导电，N型半导体主要靠导电。

5.所谓PN结的正向偏置，是将电源的正极与区相连接，负极与区相连接。二、判断题1.在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。

2.在硅或锗晶体中掺入三价元素形成N型半导体。

3.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。

4.PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。

5.PN结反向偏置时，反向电流随反向电压的增大而增大。

6.PN结形成以后，它的最大特点是具单向导电性。第一章二极管2.能用万用表识别二极管的类型。

一、二极管的结构

二、二极管的伏安特性曲线

三、二极管的主要参数

四、二极管的分类及其主要特点

五、二极管的型号和意义

六、二极管极性的简易判别法

七、二极管的等效电路

八、特殊用途的二极管(见表1-1)

九、稳压二极管一、二极管的结构图1-1常用二极管的外形

a)点接触型b)面接触型c)符号二、二极管的伏安特性曲线1.正向特性图1-2在不同温度下的二极管的伏安特性曲线二、二极管的伏安特性曲线2.反向特性(P区接低电位，N区接高电位)三、二极管的主要参数1.最大整流电流IF

2.反向峰值电压URM

3.反向峰值电流IR

4.最高工作频率fM四、二极管的分类及其主要特点1.按材料分类

2.按结构分类

3.按用途分类图1-3二极管极性的简易判别法五、二极管的型号和意义X2.TIF六、二极管极性的简易判别法

七、二极管的等效电路图1-4二极管的等效电路模型八、特殊用途的二极管(见表1-1)

九、稳压二极管表1-1特殊用途的二极管九、稳压二极管表1-1特殊用途的二极管九、稳压二极管图1-5稳压二极管的伏安特性曲线第二章二极管的应用2.会判断各种整流电路和滤波电路。

3.了解二极管的限幅电路、开关电路。

4.了解并联型稳压电路的工作原理。

一、二极管的整流电路

二、二极管的串并联与保护

三、滤波电路

四、稳压电路

五、限幅电路

六、开关电路(与门电路)

一、填空第二章二极管的应用二、判断题

三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)

四、问答题

五、计算题

六、综合题2.会判断各种整流电路和滤波电路。

3.了解二极管的限幅电路、开关电路。

4.了解并联型稳压电路的工作原理。表格4.了解并联型稳压电路的工作原理。表格4.了解并联型稳压电路的工作原理。表格一、二极管的整流电路1.单相半波整流电路(见图1-8)图1-8单相半波整流电路一、二极管的整流电路(1)工作原理设输入信号u2=U2sinωt。一、二极管的整流电路表1-4单相半波整流电路的计算公式(2)电路的特点电路简单，使用的器件少，但是输出电压脉动大。

(3)二极管的选择选择二极管时应满足：IF>If，URM>URm。一、二极管的整流电路例1-1某一直流负载，电阻为1.5Ω，要求工作电流为10A。如果采用半波整流电路，试求整流变压器二次电压，并选择适当的二极管。

解因为UL=ILRL=10×10-3A×1.5×103Ω=15V2.单相桥式整流电路(见图1-9)一、二极管的整流电路图1-9单相桥式整流电路一、二极管的整流电路(1)工作原理工作原理图如图1-10所示，当输入信号u2处在正半周时，二极管VD1和VD3导通，VD2和VD4截止，电流从端子a出发，经VD1、RL、VD3回到端子b，并产生输出电压uL=i1RL；若二极管是理想的，二极管的管压降为零(UVD1=UＶＤ3=0)，则uo=UL=u2，由于二极管VD2和VD4与R是并联，所以UVD2=UVD4=u2；当输入信号u2处在负半周时，二极管VD2和VD4导通(UVD2=UVD4=0)，VD1和VD3截止，电流从端子b出发，经VD2、R、VD4回到端子a，同样产生输出电压uo=i2R，同理uo=UL=u2，UVD1=UVD3=u2。一、二极管的整流电路图1-10工作原理图一、二极管的整流电路表1-5单相桥式整流电路的计算公式(2)二极管的选择实际选择二极管时应满足：IFM>IF，URM>Urm。

例1-2某电磁工作台绕组的直流电阻为82Ω，为了使电磁工作台能牢固吸住工件，通入的直流电流应取1.5A。若采用单相桥式整流电路，试计算整流变压器的二次电压，并选择整流二极管。一、二极管的整流电路解电磁工作台绕组的两端电压为二、二极管的串并联与保护1.二极管的串联使用

2.二极管的并联使用

3.二极管的串并联保护三、滤波电路1.电容滤波电路图1-11单相半波整流电容滤波电路三、滤波电路图1-12单相桥式整流电容滤波电路

a)电路b)波形三、滤波电路表1-6电容滤波电路的计算公式表1-7滤波电容的容量的选择例1-3在桥式整流电容滤波电路中，若负载电阻R为240Ω，输出直流电压为24V，试求电源变压器二次电压，并选择整流二极管和滤波电容。

解1)电源变压器二次电压U2。三、滤波电路2)整流二极管的选择。3)滤波电容的选择。三、滤波电路三、滤波电路图1-13带电感滤波器的桥式整流电路2.电感滤波电路三、滤波电路3.复式滤波电路图1-14LC滤波电路4.π型滤波电路三、滤波电路图1-15Π型滤波电路

a)LC-π型滤波电路b)RC-π型滤波电路四、稳压电路1.硅稳压二极管的稳压电路(见图1-16)图1-16并联型稳压电路(1)稳压原理这种电路主要是利用硅稳压二极管元件工作在反向击穿时的特点，即当电流在较大范围内变化时，稳压二极管两端的电压变化很小，四、稳压电路从而达到稳定输出电压的目的。

(2)电路的特点电路中只有一个硅稳压二极管和一个限流电阻，结构简单。

①设RL不变，当电网电压升高使Ui升高时，Uo也随之升高，而Uo=UZ。根据稳压二极管的特性，当UZ升高一点时，IZ将会显著增加，这样必然使电阻RL上的压降增大，抵偿了Ui的增加部分，从而使Uo保持不变。反之亦然。四、稳压电路②设电网电压不变，当负载电阻RL增大时，IL减小，限流电阻R上压降UR将也会减小。由于Uo=UZ=Ui-UR，所以Uo随之升高，即UZ升高，这样必然使IZ显著增加。由于流过限流电阻R的电流为IR=IZ+IL，这样可以使流过R上的电流基本保持不变，从而压降UR也基本保持不变，则Uo也就保持不变。反之亦然。

2.元器件的选择

(1)输入电压Ui的确定四、稳压电路(2)稳压二极管的选取(3)限流电阻的计算在Ui最小和IL最大时，流过稳压二极管的电流最小。四、稳压电路五、限幅电路图1-17二极管限幅电路及其输入、输出波形五、限幅电路例1-4求如图1-18所示电路的输出电压Uab的值。

解图1-18例1-4图五、限幅电路五、限幅电路六、开关电路(与门电路)图1-19二极管与门电路六、开关电路(与门电路)表1-8与门电路真值表1.二极管的伏安特性。

2.单相半波整流电路。

1)负载所获得的电压、电流是正弦半波，其电压平均值UO=0.45U2。

2)整流二极管的极限参数选择，应使整流管处于安全工作状态下。

3.单相桥式整流电路应注意：六、开关电路(与门电路)1)电源电压在正、负半周时各自的电流回路，并搞清电路接线的规律，即负载端必须获得极性固定的直流电压。

2)单相桥式整流电路为全波整流电路。

3)理解电源、负载和二极管之间的电压、电流关系，即Uo=0.9U2。

4.滤波电路应着重理解：

1)滤波的目的在于过滤掉脉动电流中的交流成分。

2)电容滤波是将电容器与负载并联，使交流成分以电容器作为回路，而不流经负载。六、开关电路(与门电路)3)电感滤波是将电感线圈与负载串联连接以增大回路的交流阻抗，限制交流分量通过负载。

5.稳压电路应着重理解：

6.限幅电路：利用二极管的导通特性。

7.开关电路：利用二极管导通、截止的开关特性。一、填空1.二极管实质上就是一个，P区的引出端叫做极或极，N区的引出端叫做极或极。

2.二极管的正向接法是接电源的正极，接电源的负极，反向接法时，则相反。

3.二极管的主要特性是，硅二极管的死区电压约为V，锗二极管的死区电压约为V。

4.硅二极管导通时的正向压降约为V，锗二极管导通时的正向压降约为V。

5.电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会。一、填空6.现用万用表的欧姆挡测量二极管的极性时，测得的电阻很小，则黑表笔接的是二极管的极；红表笔接的是二极管的极。

7.用万用表欧姆挡测量二极管的好坏时，两次对调黑红表笔时，所测的两个电阻值都很大，则二极管出现了故障；若所测得的两个电阻值都很小，则二极管出现了故障；若所测得的两个电阻值一大一小，则表明二极管是的。

8.将变成过程叫做整流。

9.整流器一般由、、和四部分组成。

10.选用整流二极管主要考虑的两个参数是和。一、填空11.单相半波整流电路中，若变压器二次电压的有效值U2=100V，则负载两端电压为V；二极管承受的反向峰值电压为V。

12.在单相半波整流电路中，如果负载电阻为10Ω，负载电流为20A，则电源变压器二次电压的有效值是V，流过二极管的电流是A。

13.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每个二极管的电流是A，如果负载电阻为100Ω，则负载两端电压为V。一、填空14.所谓滤波就是保留脉动直流电中的成分，尽可能滤除其中成分，把脉动直流电变成直流电的过程。

15.滤波电路一般接在电路的后面。

16.滤波电路中，滤波电容和负载应联，电感滤波电路和负载应联。

17.电容滤波是利用电路中电容充电速度，放电速度的特点，使脉动直流电压变得，从而实现滤波的。

18.电感滤波是利用电感线圈电流不能，从而使流过负载的电流变得来实现滤波的，滤波电感越，电感滤波效果越好。一、填空19.电容滤波适用于场合，电感滤波适用于场合。二、判断题1.二极管加反向电压一定截止。

2.单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两个二极管导通。

3.直流负载电压相同时，单相半波整流电路中二极管所承受的反向电压比单相桥式整流高一倍。

4.因为桥式整流电路中有四个整流二极管，所以每个二极管中电流的平均值等于负载电流的1/4。

5.流过整流二极管的电流一定等于负载电流。

6.在单相整流电路中，输出直流电压的大小与负载大小无关。二、判断题7.电容滤波时，若电容太大，可能会损坏整流二极管。

8.电感滤波的效果肯定比电容滤波效果更好些。

9.单相整流电容滤波中，电容器的极性不能反接。

10.整流电路接入电容滤波后，输出直流电压降低。

11.单相桥式整流电路采用电容滤波后，每个二极管承受的反向峰值电压降低。三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)1.把电动势为1.5V的干电池的正极直接连接到一个硅二极管的阳极，干电池的负极直接连接到硅二极管的阴极，则该二极管()。

2.如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管()。

3.当硅二极管外加上0.4V正向电压时，该二极管相当于()。

4.面接触型二极管比较适用于()。

5.某二极管反向击穿电压为150V,则其反向峰值电压()。三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)6.某单相桥式整流电路，变压器二次电压为U2,当负载开路时，输出电压为()。

7.单相整流电路中，二极管承受的反向峰值电压出现在二极管()。

8.单相桥式整流电路中，每个二极管的平均电流等于()。

9.交流电通过单相整流电路后，得到的输出电压是()。三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)10.在单相桥式整流电路中，如果电压变压器二次电压的有效值是U2，则每个整流二极管所承受的反向峰值电压是()。

11.利用电抗元件的()特性能实现滤波。

12.在整流电路的负载两端并联一个大电容，其输出电压波形脉动的大小将随着负载电阻和电容量的增加而()。

13.单相桥式整流电容滤波电路中，如果电源变压器二次电压为100V,则负载电压为()。三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)14.单相桥式整流电路接入滤波电容后，则二极管的导通时间()。四、问答题1.在单相半波、单相桥式整流电路中，加不加滤波电容，二极管承受的反向工作电压有无区别？为什么？

2.单相桥式整流电容滤波电路如图1-12所示，

(1)试问输入电压u2

(2)若要求输出电压uo为25V,u2的有效值是多少？

(3)如果负载电流为200mA，试求每个二极管流过的电流和反向峰值电压。

(4)电容C开路或短路时，试问对电路会产生什么后果?四、问答题3.一个单相桥式整流电容滤波电路，变压器二次电压为10V,如果(1)空载电压14V,满载12V,是否正常？(2)空载电压低于10V是否正常？为什么？五、计算题1.在单相半波整流电路中，已知变压器一次电压u1=220V，电流比n=10，负载电阻R=10Ω，试计算整流输入直流电压U及选择合适的二极管。

2.在单相桥式整流电路中，已知负载上的直流电压uL=6V，直流电流IL=0.4A，试计算变压器二次电压u2及选择合适的二极管。

3.若将题2中桥式整流电路中四个二极管的极性全部反接，对输出有何影响？若其中一个二极管断开、短路或接反时对输出又有何影响？五、计算题4.某单相桥式整流电容滤波电路，负载R=1kΩ，若负载两端的电压uL=100V，试确定：(1)所用二极管的参数；(2)所用电容器的容量和耐压。六、综合题1.在图1-20所示电路中，设二极管的正向压降为0.7V，当Ua分别为+5V、-5V、0V时，求电压Ub。图1-202.在图1-21所示的电路中，E1=3V,E2=6V,VD为理想二极管，求电压Uab。六、综合题3.在图1-22所示电路中，R1=R2=1kΩ，R3=9kΩ，VD1、VD2为理想二极管，当Ua=+10V，Ub=0V时，求输出端电压Uo及各元件中通过的电流。图1-21六、综合题图1-22六、综合题4.已知输入电压ui的波形，如图1-23a所示，V为理想二极管，试在图1-23a中，画出图1-23b、图1-23c所示的输出电压u1、u2的波形。图1-23第一章晶体管第一节晶体管的结构及类型

第二节晶体管的特性曲线

第三节晶体管的主要参数第一章晶体管表格第一章晶体管表格第一章晶体管表格第一节晶体管的结构及类型一、结构和符号图2-4晶体管的组成与符号

a)NPN型b)PNP型二、晶体管的外形结构第一节晶体管的结构及类型图2-5常见晶体管的外形结构三、晶体管的电流分配和放大作用

1.晶体管的工作电压和基本连接方式

1)发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度，以便于有足够的载流子提供“发射”。第一节晶体管的结构及类型2)基区的厚度很薄，掺杂浓度很低，以减少载流子在基区的复合机会，这就是晶体管具有放大作用的关键所在。

3)集电区比发射区体积大且掺杂少，以利于收集载流子。图2-6晶体管电源的接法

a)NPN型b)PNP型第一节晶体管的结构及类型(1)共发射极接法(简称共射接法)共射接法是以基极为输入端的一端，集电极为输出端的一端，发射极为公共端，如图2-7a所示。

(2)共基极接法(简称共基接法)共基接法是以发射极为输入端的一端，集电极为输出端的一端，基极为公共端，如图2-7b所示。

(3)共集电极接法(简称共集接法)共集接法是以基极为输入端的一端，发射极为输出端的一端，集电极为公共端，如图2-7c所示。

2.电流放大原理第一节晶体管的结构及类型(1)发射区向基区发射电子由图2-8可知，电源UBB经过电阻RB外加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子——自由电子不断地越过发射结而进入基区，形成电子电流。图2-7晶体管电路的三种组态

a)共发射极接法b)共基极接法c)共集电极接法第一节晶体管的结构及类型

图2-8NPN型晶体管中载流子的运动第一节晶体管的结构及类型(2)基区中的电子进行扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差。

(3)集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大(集电结反偏)，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，却有利于将基区中扩散到集电结附近的电子被收集到集电区而形成集电结电流IC。

①在发射结正偏，集电结反偏的条件下具有电流放大作用。

②晶体管的电流放大作用，其实质是IB对IC的控制作用。第一节晶体管的结构及类型③晶体管各个电极电流的大小均符合以下关系例2-1某晶体管的基极电流IB=10μA，IC=20mA，IE=?。

解因为第一节晶体管的结构及类型第二节晶体管的特性曲线一、输入特性曲线图2-9晶体管的特性曲线

a)输入特性曲线b)输出特性曲线1.UCE＝0Ｖ时第二节晶体管的特性曲线2.UCE≥1Ｖ时

二、输出特性曲线

1.截止区

2.饱和区

3.放大区

①当IB一定时，IＣ值基本上不随UＣE而变化。

②IＣ随IB的变化而变化，且成正比关系，表明晶体管具有电流放大作用。

例2-2下列三个晶体管的电位如图2-10所示，试判断它们的工作状态。第二节晶体管的特性曲线图2-10例2-2图第二节晶体管的特性曲线解图2-10a为NPN型，因为UC＞UB＞UE，所以该管处于放大区。第三节晶体管的主要参数一、电流放大系数

1.动态(交流)电流放大系数β

2.静态(直流)电流放大系数二、极间反向电流

1.集电极-基极间的反向电流ICBO

2.集电极-发射极间的反向电流ICEO第三节晶体管的主要参数3.极限参数

(1)集电极最大允许电流ICM集电极电流IC过大时，β将明显减小，ICM为β减小到规定允许值(一般为额定值的1/2~2/3)时的集电极电流。

(2)集电极最大允许损耗功率PCM晶体管工作时，UCE的大部分压降加在集电结上，它将使集电结温度升高而使晶体管发热致使管子损坏。

(3)反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO、U(BR)EBO

U(BR)CEO为基极开路时集电结不击穿，施加在集电极-发射极之间允许的反向峰值电压。第三节晶体管的主要参数图2-11晶体管的安全工作区第三节晶体管的主要参数三、参数与温度的关系

四、晶体管的判别及手册的查阅方法

1.三颠倒，找基极

2.PN结，定管型

3.顺箭头，偏转大

1)根据这个原理，用万用表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻RCE和REC。第三节晶体管的主要参数2)对于PNP型的晶体管，方法也类似于NPN型，其电流的流向一定是：黑表笔→E极→B极→C极→红表笔，其电流的流向也与晶体管符号中的箭头方向一致，所以黑表笔所接的一定是发射极E，红表笔所接的一定是集电极C，如图2-2所示。

1)第一部分由数字组成，表示电极数。

2)第二部分由字母组成，表示晶体管的材料与类型。

3)第三部分由字母组成，表示晶体管的类型，即表明晶体管的功能。

4)第四部分由数字组成，表示晶体管的序号。第三节晶体管的主要参数5)第五部分由字母组成，表示晶体管的规格号。

1.晶体管是一种电流控制器件。

2.晶体管的输出特性可分为三个区：放大区、截止区、饱和区。

一、填空题

1.晶体管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏,结必须反偏，晶体管的三个电极分别是、、。

2.为了使晶体管能有效地起放大作用，要求晶体管的发射区掺杂浓度，基区宽度，集电结的结面积比发射结的结面积，其理由是。第三节晶体管的主要参数3.工作在放大状态的晶体管，通过发射结的电流主要是，通过集电结的电流主要是。

4.晶体管放大的实质是。

5.工作在放大状态的晶体管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变成2mA。第二章交流放大电路2.熟悉温度对静态工作点的影响。

3.了解多级放大电路的耦合方式及其特点。

2.分压式电流负反馈偏置电路放大器的组装与测试。

第一节交流放大电路的概述

第二节多级交流放大电路

第三节负反馈放大电路

第四节功率放大电路2.分压式电流负反馈偏置电路放大器的组装与测试。表格2.分压式电流负反馈偏置电路放大器的组装与测试。表格2.分压式电流负反馈偏置电路放大器的组装与测试。表格第一节交流放大电路的概述一、交流放大电路的组成及原理

1.放大电路的组成原理(应具备的条件)

1)放大器件工作在放大区(晶体管的发射结正向偏置，集电结反向偏置)。

2)输入信号能输送至放大器件的输入端(晶体管的发射结)。

3)有信号电压输出。

2.基本放大电路中各元件的作用

(1)集电极电源UCC为整个电路提供电源，保证晶体管的发射结正向偏置，集电结反向偏置。第一节交流放大电路的概述图2-16放大电路的习惯画法第一节交流放大电路的概述图2-16放大电路的习惯画法第一节交流放大电路的概述(2)基极偏置电阻RB为基极提供合适的偏置电流。

(3)集电极电阻RC将集电极电流的变化转换为电压的变化。

(4)耦合电容C1、C2隔直流、通交流。

(5)符号“⊥”为接地符号，是电路中的零参考电位。

二、放大电路的分析

1)对于直流通路，电感可视为短路，电容可视为开路。

2)对于交流通路，若直流电源内阻很小，则交流压降很小，可视为短路；若电容有交流电通过时，交流压降很小，可视为短路。第一节交流放大电路的概述图2-17基本共射放大电路的交、直流通路

a)直流通路b)交流通路三、放大电路的分析方法第一节交流放大电路的概述1.图解法

(1)用图解法确定静态工作点在分析静态值时，只需研究直流通路，如图2-17a所示放大电路的直流通路。

1)作直流负载线。第一节交流放大电路的概述图2-18静态工作点第一节交流放大电路的概述2)确定静态工作点，即找出Q点。

例2-3求图2-18a所示电路的静态工作点。

解①作直流负载线。②求静态偏置电流。

(2)放大电路的非线性失真在使用放大电路时，一般要求输出信号要尽可能的大，但受到晶体管非线性的限制。第一节交流放大电路的概述图2-19静态工作点对输出波形失真的影响第一节交流放大电路的概述1)饱和失真。

2)截止失真。

2.微变等效电路法

1)电压放大倍数Au：用来衡量放大电路的电压放大能力。

2)电压源放大倍数Aus：表示输出电压与信号源电压值比，它考虑了信号源内阻Rs对电路的影响，则Aus=Uo/US

3)电流放大倍数Ai：用来衡量放大电路的电流放大能力，值越大表明放大能力越好。

4)输入电阻Ri：用来衡量放大电路对输入信号源的影响。

5)输出电阻Ro：用来衡量放大电路所能驱动负载的能力。第一节交流放大电路的概述(1)晶体管微变等效电路图2-20输入特性曲线第一节交流放大电路的概述1)输入特性曲线(见图2-20)在Q点附近的微小范围内可以认为是线性的。2)输出特性曲线(见图2-21)在放大区域内可以认为是水平线。第一节交流放大电路的概述图2-21输出特性曲线第一节交流放大电路的概述图2-22晶体管微变等效电路

a)晶体管b)晶体管的微变等效电路(2)放大电路的微变等效电路用微变等效电路法分析放第一节交流放大电路的概述大电路的关键在于正确地画出放大电路的微变等效电路。图2-23基本共射极放大电路的微变等效电路第一节交流放大电路的概述(3)参数的计算

1)电压放大倍数。2)输入电阻。第一节交流放大电路的概述3)输出电阻。3.放大电路的偏置分析

(1)固定式偏置电路

1)电路的组成。

2)静态工作点的估算。第一节交流放大电路的概述第一节交流放大电路的概述图2-24固定式偏置电路第一节交流放大电路的概述图2-25例2-4图第一节交流放大电路的概述解1)直流通路(见图2-24)

2)IB=(UCC-UBE)/RB=(12-0.7)V/400kΩ=30μA(2)分压式偏置电路

1)电路的组成(见图2-26)。第一节交流放大电路的概述图2-26分压式偏置电路第一节交流放大电路的概述2)静态工作点的估算。1)计算静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ；

2)画出放大电路的微变等效电路；第一节交流放大电路的概述3)计算电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro。图2-27例2-5图第一节交流放大电路的概述解注意：在工程上常采用近似的方法以简化计算步骤，所以本题可按下列简化步骤进行：图2-28三种电路

a)直流通路b)交流通路c)微变等效电路第一节交流放大电路的概述①基极直流电位。一般流过Rb1及Rb2的直流电流远大于IBQ，故②发射极直流电位。③发射极电流的静态值。④集电极电流的静态值。第一节交流放大电路的概述⑤CE之间的静态电压。⑥晶体管的输入电阻。⑦电压放大倍数Au。第一节交流放大电路的概述⑧输入电阻ri。⑨输出电阻ro。第一节交流放大电路的概述第二节多级交流放大电路图2-29多级放大电路的结构框图1.阻容耦合第二节多级交流放大电路(1)优点因电容具有“隔直”作用，所以各级电路的静态工作点相互独立，互不影响。

(2)缺点因电容对交流信号具有一定的容抗，在信号传输过程中，会受到一定的衰减。图2-30两级阻容耦合放大电路第二节多级交流放大电路2.直接耦合图2-31直接耦合放大电路

a)串联连接发射极电阻b)串联连接硅稳压二极管3.变压器耦合第三节负反馈放大电路1.反馈的含义图2-32反馈放大电路的组成框图第三节负反馈放大电路2.反馈极性(正、负反馈)

3.交流反馈与直流反馈

4.电压反馈与电流反馈

(1)电压反馈图2-33电压反馈电路第三节负反馈放大电路(2)电流反馈图2-34电流反馈电路第三节负反馈放大电路5.串联反馈与并联反馈图2-35串联接法和并联接法

a)串联反馈b)并联反馈1)电压串联负反馈。第三节负反馈放大电路2)电压并联负反馈。

3)电流串联负反馈。

4)电流并联负反馈。

6.负反馈对放大电路性能的影响

(1)提高了放大倍数的稳定性引入负反馈以后，由于某种原因造成放大电路放大倍数变化时，负反馈放大电路的放大倍数变化量只有基本放大电路放大倍数变化量的1/(1+Af)，放大电路放大倍数的稳定性大大提高了。第三节负反馈放大电路(2)减小非线性失真由于放大电路中存在着晶体管等非线性器件，所以即使输入的是正弦波，输出也不是正弦波，从而产生了波形失真，如图2-36a所示。图2-36负反馈减小非线性失真

a)无负反馈b)有负反馈(3)对放大电路输入、输出电阻的影响设基本放大电路第三节负反馈放大电路的输入、输出电阻分别为Ri、Ro，负反馈放大电路的输入、输出电阻分别为Rif、Rof。

1)对输入电阻的影响。

①串联负反馈使输入电阻增大。

②并联负反馈使输入电阻减小。

2)对输出电阻的影响。

①电压负反馈使输出电阻减小。

②电流负反馈使输出电阻增大。第四节功率放大电路1.功率放大电路的特点及分类

(1)特点

1)输出功率足够大。

2)效率高。

3)非线性失真小。

4)保护及散热。

(2)功率放大电路的分类功率放大电路一般是根据功放管工作点选择的不同来进行分类的，所以可分为甲类、乙类及甲乙类功率放大电路。第四节功率放大电路图2-37功率放大电路的分类

a)甲类功放b)乙类功放c)甲乙类功放第四节功率放大电路图2-38双电源乙类互补对称功率放大电路2.乙类基本互补对称功率放大电路(OCL)第四节功率放大电路(1)静态分析当输入信号ui=0时，两个晶体管都工作在截止区。

(2)动态分析

1)当输入信号为正半周时，ui>0，晶体管VT1导通，VT2截止，VT1管的射极电流iE1经＋ＵCC自上而下流过负载RL，并在RL上形成正半周输出电压，即uo>0。

2)当输入信号为负半周时，ui<0，晶体管VT2导通，VT1截止，VT2管的射极电流iE2经－ＵCC自下而上流过负载RL，并在RL上形成负半周输出电压，即uo<0。

3.甲乙类互补对称功率放大电路第四节功率放大电路4.集成功率放大器图2-39甲乙类互补对称功率放大电路第四节功率放大电路图2-405G37的内部电路第四节功率放大电路图2-415G37的典型应用电路第四节功率放大电路1.以共发射极基本放大电路作为典型电路来分析，未加交流输入信号时称为静态，加入交流信号时称为动态。

2.共发射极放大电路的分析方法通常可以用图解法和微变等效电路法。

3.多级放大电路有三种耦合方式：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。

4.在实际反大电路中都采用反馈，正反馈可组成振荡器，负反馈可改善放大电路的性能，正、负反馈可采用瞬时极性法来判断。

一、填空题第四节功率放大电路1.稳定静态工作点常采用的措施是在放大电路中引入。

2.在多级放大电路中的极间耦合，低频交流电压放大电路主要采用耦合方式；功率放大电路一般采用耦合方式；直流和低频的放大电路采用耦合方式。

3.放大电路中引入负反馈后，会使电路的放大倍数。

4.负反馈会使放大电路的放大倍数稳定性。

5.乙类功率放大电路的效率较高，但容易出现失真。

二、选择题

1.放大电路应具备的条件是()。

2.三种基本放大电路中电压放大系数近似为1的是()。第四节功率放大电路3.共C极放大电路的主要特点是()。

4.直接耦合放大电路的特点是()。第三章直流放大电路2.了解直流放大电路的特点和存在的问题。

第一节直流放大电路的适用范围及特点

第二节差动放大电路2.了解直流放大电路的特点和存在的问题。

第一节直流放大电路的适用范围及特点一、级间直流分量的相互影响图2-42直接耦合放大电路第一节直流放大电路的适用范围及特点二、零点漂移现象第二节差动放大电路图2-43基本差动式放大电路第二节差动放大电路一、抑制零漂的原理

二、共模信号与差模信号第二节差动放大电路图2-44共模输入电路第二节差动放大电路图2-45差模输入电路第二节差动放大电路三、共模抑制比四、实际差动放大电路

1.带RE的差动放大电路第二节差动放大电路图2-46带的差动放大电路第二节差动放大电路例2-6在图2-46所示的电路中，RS1=RS=5kΩ，RC1=RC2=10kΩ，RE=10kΩ，UCC=UEE=12V，两个管电流放大倍数均为β=50。试计算：

1)静态工作点；

2)差模电压放大倍数；

3)输入、输出电阻。

解1)计算静态工作点。第二节差动放大电路2)差模电压放大倍数。3)计算输入输出电阻。

2.带恒流源的差动放大电路第二节差动放大电路图2-47具有恒流源的差动放大电路第二节差动放大电路五、差动放大电路的输入、输出方式

1.双端输入双端输出

2.双端输入单端输出图2-48双端输入双端输出第二节差动放大电路图2-49双端输入单端输出第二节差动放大电路3.单端输入单端输出

4.单端输入双端输出图2-50单端输入单端输出第二节差动放大电路图2-51单端输入双端输出第二节差动放大电路1.直接耦合放大电路及其存在的主要问题。

2.典型差分放大电路的工作原理。

3.差动放大电路(长尾式差动放大电路)直流工作点的计算。

4.差动放大电路的动态性能(差模电压放大倍数、共模电压放大倍数、共模抑制比(CMRR)、输入电阻和输出电阻)的分析计算，电路参数变化对放大电路的影响。

5.差动放大电路的信号输入、输出方式。

1.直流放大电路要解决的主要问题是，最常用最有效的方法是采用。第二节差动放大电路2.零点漂移产生的原因是？

3.为什么差动放大电路能有效的克服零漂？

4.一个差动放大电路质量的好坏是用来表征的。

5.共模抑制比CMRR是之比，CMRR越大表明电路。第四章集成运算放大器第一节集成运算放大器的概述

第二节基本集成运算放大器

第三节集成运算放大器的应用第四章集成运算放大器表格第四章集成运算放大器表格第一节集成运算放大器的概述一、集成运放内部电路的简介图2-54集成运放的组成框图1.输入级

2.中间级

3.输出级

4.偏置电路第一节集成运算放大器的概述二、集成运放的组成及其图形符号图2-55集成运放的外形结构示意图及其图形符号

a)外形结构示意图b)图形符号第一节集成运算放大器的概述三、集成运算放大器的分类

1.按其用途分类

2.按其供电电源分类

3.按其制作工艺分类

4.按运放级数分类

四、模拟集成电路的型号命名方法

1.国标命名方式X3.TIF第一节集成运算放大器的概述五、集成运放的主要参数

1.电源电压

2.最大差模输入电压Uidmax

3.最大共模输入电压Uicmax

4.开环差模电压放大倍数Aud

5.输入失调电压Uos

6.输入失调电流Ios

7.输入偏置电流IB

8.共模抑制比KCMRR

9.差模输入电阻rid第一节集成运算放大器的概述10.输出电阻ro第二节基本集成运算放大器一、理想运算放大器的特点

1)开环差模电压放大倍数Aud→∞。

2)差模输入电阻rid→∞。

3)输出电阻Ro→0。

4)共模抑制比KCMRR→∞。

5)输入偏置电流IB1=IB2=0；

6)失调电压、失调电流及温漂为零。第二节基本集成运算放大器①由于集成运放的差模开环输入电阻rid→∞，输入偏置电流IB≈0，不向外部吸取任何电流，所以两个输入端的电流为零，即Ii-=Ii+=0。由此可见，当集成运放工作在线性区时，两个输入端均无电流，称为“虚断”。

②由于两个输入端无电流，则两个输入端的电位相同，即u-=u+。由此可见，当集成运放工作在线性区时，两个输入端的电位相同，称为“虚短”。图2-56运算放大器的电压传输特性第二节基本集成运算放大器图2-57反相输入放大器第二节基本集成运算放大器二、基本运算放大器

1.反相输入放大器

(1)“虚地”的概念由于集成运放工作在线性区，u+=u-、=，即流过R2的电流为零，所以u+=0，u-=u+=0。

(2)电压放大倍数第二节基本集成运算放大器(3)反相输入放大器的输入电阻(4)输出电阻解因为uo/ui=-Rf/R1第二节基本集成运算放大器２.同相输入放大器第二节基本集成运算放大器图2-58同相输入放大器第二节基本集成运算放大器图2-59电压跟随器第二节基本集成运算放大器(1)电压放大倍数(2)同相输入放大器的输入电阻(3)输出电阻解Af＝uo/ui＝2.1V/0.1V＝21第二节基本集成运算放大器第三节集成运算放大器的应用一、集成运放的线性应用

1.加法运算解uo=－Rf(ui1/R1+ui2/R2)=－120(0.4/10－0.3/5.1)V=2.4V第三节集成运算放大器的应用图2-60反相加法运算电路第三节集成运算放大器的应用图2-61例2-9图第三节集成运算放大器的应用2.减法运算图2-62减法运算电路1)当ui2=0,仅ui1单独作用时，该电路为反相输入放大器，其输出电压为uo1第三节集成运算放大器的应用2)当ui1=0,仅ui2单独作用时，该电路为同相输入放大器，其输出电压为uo23)ui1,ui2同时作用时，二、集成运放的非线性应用

1.单限电压比较器第三节集成运算放大器的应用图2-63单限电压比较

器及其传输特性第三节集成运算放大器的应用三、集成运放在实际应用中的问题

1.调零

2.消除自激图2-64正弦波变换方波

a)输入正弦波=0b)输入正弦波=U第三节集成运算放大器的应用3.保护措施

1.集成运放的内部电路分为输入级、偏置电路、中间级及输出级四个部分。

2.理想运放及“虚短”、“虚断”、“虚地”的基本概念。

3.运放的两种工作状态及特点。

4.运放的分析计算及在实际中的应用

1.集成运放应用于信号运算时工作在什么区域？

2.理想集成运放的Aod=，rid=，rod=，KCMRR=。第三节集成运算放大器的应用3.运算放大器的和所能承受的最大电压值称为最大差模输入电压。

4.为什么用集成运放组成多输入运算电路，一般采用反相输入的形式，而较少采用同相输入形式？

5.反相输入放大器如图2-65所示，其中R1=10kΩ，Rf=30kΩ，试估算电压放大倍数和输入电阻，并估算R的大小?图2-65习题5图第三节集成运算放大器的应用6.画出输出电压uo与输入电压ui满足下列关系的集成运放电路。

(1)uo/ui＝-1；(2)uo/ui＝1；(3)uo/ui＝20；

(4)uo/(ui1+ui2+ui3)＝-10。

7.试求如图2-62a和图2-62b所示的集成运放的输出电压uo。

(1)R1=50kΩ,R2=50kΩ,R3=150kΩ,Rf=150kΩ,ui1=3V，ui2=1V;

(2)R1=130kΩ,R2=130kΩ,R3=390kΩ,Rf=390kΩ,ui1=3V，ui2=2V。第五章正弦波振荡电路2.熟悉振荡电路的组成和分析方法。

3.了解RC串并联网络，LC并联回路频率特性，石英晶体结构和晶体压电效应。

第一节RC正弦波振荡电路

第二节LC正弦波振荡电路

第三节石英晶体振荡电路3.了解RC串并联网络，LC并联回路频率特性，石英晶体结构和晶体压电效应。表格3.了解RC串并联网络，LC并联回路频率特性，石英晶体结构和晶体压电效应。表格第一节RC正弦波振荡电路一、正弦波振荡电路的基础知识

1.自激振荡现象图2-68自激振荡形成的过程2.自激振荡形成的