CN120226119A 包含具有几何式校正电极的像差校正单元的多束粒子显微镜、调整像差校正的方法、与计算机程序产品（卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司）

(19)国家知识产权局(10)申请公布号CN120226119A(21)申请号202380082987.3(22)申请日2023.11.21(30)优先权数据102022131862.12022.12(85)PCT国际申请进入国家阶段日(86)PCT国际申请的申请数据(87)PCT国际申请的公布数据(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所专利代理师王蕊瑞H01J37/153(2006.01)(71)申请人卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司地址德国上科亨(54)发明名称女c差的改良像差校正单元的多束粒子显微镜。在这种情况下，该像差校正单元具有包含至少一个第一对电极阵列的一系列电极阵列，其中该第一对电极阵列具有第一电极阵列和第二电极阵列，其有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极具有绕着光轴的n重旋转对称性供产生多极场，其好一条馈线来个别控制，其中该第一电极阵列中关联的几何式校正电极关于光轴旋转；且其中该控制器设计成为了像差校正，而个别控制该像差校正单元的第一2多束产生器，其配置成产生带电的多个第一个别粒子束的第一场；具有第一粒子光学束路径的第一粒子光学单元，其配置成将所产生的第一个别粒子束成像到物平面中的样本表面上，使得所述第一个别粒子束在形成第二场的入射位置处入射在该样本表面上；检测系统，其具有形成第三场的多个检测区域；具有第二粒子光学束路径的第二粒子光学单元，其配置成将从该第二场中的所述入射位置发出的第二个别粒子束成像到该检测系统的所述检测区域的该第三场上；磁性和/或静电物镜，所述第一个别粒子束与所述第二个别粒子束皆穿过该磁性和/或静电物镜；射束开关，其设置在该多束产生器与该磁性和/或静电物镜之间的该第一粒子光学束路径中，且其设置在该磁性和/或静电物镜与该检测系统之间的该第二粒子光学束路径中；像差校正单元，其用于个别地校正该第一粒子光学束路径中的一个或多个像差；以及控制器，其中，该像差校正单元具有包含至少一个第一对电极阵列的一系列电极阵列，其中，该第一对电极阵列具有第一电极阵列和第二电极阵列，其中，该第一电极阵列和该第二电极阵列每一者具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极具有绕着光轴的n重旋转对称性供产生多极场，其中所述几何式校正电极中的每一者均能够借助正好一条馈线来个别控制，其中，该第一电极阵列中的所述几何式校正电极相对于该第二电极阵列中相关联的几何式校正电极而关于光轴旋转；且其中，该控制器设计为为了像差校正，而个别控制该像差校正单元的该第一电极阵列和该第二电极阵列的多个几何式校正电极。2.如权利要求1所述的多束粒子显微镜，其中，该第一对电极阵列的几何式校正电极相对于彼此旋转的一旋转角度大体上为3.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，该像差校正单元具有第二对电极阵列，其中，该第二对电极阵列具有第三电极阵列和第四电极阵列，其中，该第三电极阵列和该第四电极阵列中的每一者具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极具有绕着光轴的m重旋转对称性供产生多极场，其中所述几何式校正电极中的每一者均能够借助正好一条馈线来个别控制，其中，该第三电极阵列中的几何式校正电极相对于该第四电极阵列中相关联几何式校其中，该控制器设计为为了像差校正，而个别控制该像差校正单元的该第三电极阵列和该第四电极阵列的多个几何式校正电极。4.如权利要求3所述的多束粒子显微镜，其中，该第二对电极阵列的几何式校正电极相对于彼此旋转的一旋转角度大体上为5.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，3其中，该像差校正单元具有第三对电极阵列，其中，该第三对电极阵列具有第五电极阵列和第六电极阵列，其中，该第五电极阵列和该第六电极阵列每一者具有多个几何式校正电极，每一多个几何式校正电极具有绕着光轴的k重旋转对称性供产生多极场，其中所述几何式校正电极中的每一者均能够借助正好一条馈线来个别控制，其中，该第五电极阵列中的几何式校正电极相对于该第六电极阵列中的相关联几何式校正电极而关于光轴旋转；且其中，该控制器设计为为了像差校正，而个别控制该像差校正单元的该第五电极阵列和该第六电极阵列的多个几何式校正电极。6.如权利要求5所述的多束粒子显微镜，0其中，该第三对电极阵列的几何式校正电极相对于彼此旋转的一旋转角度大体上为7.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，0其中，不同对的电极阵列在其用于产生不同多极场的各自几何式校正电极的情况下，具有对称性的不同阶数。8.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，一对电极阵列的几何式校正电极实施为以使横截面为圆形，且其中形成该对电极阵列的每一电极阵列中圆形校正电极在与光轴正交的不同方向上相对光轴移位，特别是其中，该控制器配置成为了像差校正而个别控制所述圆形校正电极，特别是大体上为了校正第一个别粒子束在入射在该物平面中时的第一个别粒子束的第二场的静态失真而加以控制。9.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，一对电极阵列的几何式校正电极实施为以使横截面为大体上椭圆形以便产生四极场，且其中形成该对电极阵列的每一电极阵列中大体上椭圆形的校正电极绕着光轴相对其中，该控制器配置成大体上为了个别校正所述第一个别粒子束的像散，而控制横截面为椭圆形的校正电极。10.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，一对电极阵列的几何式校正电极实施为以使横截面具有大体上圆角三角形形状以便形成六极场，且其中在形成该对电极阵列的每一电极阵列中横截面具有大体上圆角三角形形状的校正电极绕着光轴相对于彼此旋转，特别是大体上30°;且其中，该控制器配置成大体上为了校正具有3重对称性的像差，而个别控制横截面具有大体上三角形形状的校正电极。11.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，该像差校正单元的该系列电极阵列具有另一电极阵列，该另一电极阵列包含具有圆形横截面并且相对于相应光轴以居中方式设置的多个几何式校正电极；且其中，该控制器大体上为了校正所述第一个别粒子束的焦点位置，特别是为了像场曲率校正和/或像场倾斜校正，而个别控制该另一电极阵列的多个几何式校正电极。12.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，4其中，所述电极阵列每一者皆整合到多孔径板中。13.如权利要求12所述的多束粒子显微镜，其中，具有多个被动圆形孔的标准多孔径板设置在两个相互相邻的多孔径板之间，其中整合有具有个别可控制几何式校正电极的电极阵列。14.如权利要求12和权利要求13其中一项所述的多束粒子显微镜，其中，该像差校正单元含有具有多个被动圆形孔的标准多孔径板，该标准多孔径板关于该粒子光学束路径的方向设置在具有个别可控制几何式校正电极的第一多孔径板的上其中，该像差校正单元含有具有多个被动圆形孔的标准多孔径板，该标准多孔径板关于该粒子光学束路径的方向设置在具有个别可控制几何式校正电极的最后多孔径板的下15.如权利要求1至权利要求11中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，该像差校正单元提供用于一对电极阵列的载体板，该第一电极阵列的几何式校正电极设置在该载体板的顶侧上，且该第二电极阵列的几何式校正电极设置在该载体板的下侧上。16.如权利要求1至权利要求11中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，该像差校正单元提供用于一对电极阵列的载体板，该第一电极阵列的几何式校正电极并入到该载体板的顶侧，且该第二电极阵列的几何式校正电极并入到该载体板的下17.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其还具有多极幅度输入单元，通过多极幅度输入单元，用户能够输入待产生的基本多其中，该控制器基于用户输入产生用于控制所述几何式校正电极的控制信号。18.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，该控制器设计为执行控制信号的确定，以使用逆幅度矩阵控制所述几何式校正电极来产生多极场，其中该逆幅度矩阵描述所述几何式校正电极的激发与所产生的基本多极的幅度之间的关系。19.如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜，其中，该控制器设计成为了校正先前已知场相关像差，而个别控制所述几何式校正电20.一种在多束粒子显微镜中为了像差校正而产生基本多极的方法，该方法具有下列a0)提供如前述权利要求中任一项所述的多束粒子显微镜；a)对于一系列的所有几何式校正电极：al)仅激发所述几何式校正电极中的一个；a2)判定由个别激发产生的多极的所有幅度；b)基于所确定幅度建立幅度矩阵，其中该幅度矩阵描述所述几何式校正电极的激发与由这些激发产生的基本多极的幅度之间的关系；c)对该幅度矩阵求逆；以及5d)基于该逆幅度矩阵的条目激发所述几何式校正电极。21.如权利要求20所述的方法，其中，该方法步骤a2)包含：借助全局多极校正器，特别是借助十二极校正器，补偿分别产生的多极的效应，以及确定在该全局多极校正器中为此目的分别所需的幅度。22.如权利要求19至权利要求21中任一项所述的方法，还具有下列步骤：e)优化该多束粒子显微镜的分辨率，其包含独立变化每个多极的幅度，以及确定用于该分辨率的最佳幅度。23.如权利要求19至权利要求22中任一项所述的方法，其中，该方法对于所述几何式校正电极的所有系列执行。24.如权利要求19至权利要求23中任一项所述的方法，其中，通过激发所述几何式校正电极，实行场相关像差校正，且特别是校正像差的先前已知场相关性。25.一种计算机程序产品，具有用于执行如专利权利要求19至专利权利要求24中任一项所述的方法的程序代码。26.一种多束粒子束系统，具有下列特征：多束产生器，其配置成产生带电的多个第一个别粒子束的第一场；具有第一粒子光学束路径的粒子光学单元，其配置成将所产生的第一个别粒子束成像到物平面中的样本表面上，使得所述第一个别粒子束在形成第二场的入射位置处入射在该样本表面上；像差校正单元，其用于个别校正该第一粒子光学束路径中的一个或多个像差；以及控制器，其中，该像差校正单元具有至少一个电极阵列，其中，该电极阵列具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极具有绕光轴的n重旋转对称性供产生多极场，其中所述几何式校正电极中的每一者均能够借助特别是正好一条其中，该控制器设计成为了像差校正，而个别控制该像差校正单元的电极阵列的多个几何式校正电极。27.如权利要求26所述的多束粒子束系统，其中，该像差校正单元具有另一电极阵列，其中，该另一电极阵列具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极具有绕着光轴的m重旋转对称性供产生多极场，其中所述几何式校正电极中的每一者皆能够借助正好一其中，该控制器设计成为了像差校正，而个别控制该像差校正单元的该另一电极阵列的多个几何式校正电极。28.如权利要求26和权利要求27中的一项所述的多束粒子束系统，其中，该像差校正单元具有一个另一电极阵列或多个另一电极阵列，其的电极实施为几何式和/或非几何式。29.如权利要求28所述的多束粒子束系统，6其中，该控制器设计成个别轮流控制所述校正电极的分段。7包含具有几何式校正电极的像差校正单元的多束粒子显微技术领域[0001]本发明关于多束粒子束系统。本发明具体而言关于一种包含像差校正单元的多束粒子显微镜，并关于一种调整像差校正的方法，并关于一种相关联计算机程序产品。背景技术[0002]随着不断发展越来越小且越来越复杂的微结构(如半导体部件),本领域亟需进一步开发与优化用于生成与检查微结构的小尺寸的平面生成技术和检查系统。举例而言，所述半导体部件的该发展与生成需要对测试晶片的设计进行监控，且所述平面生成技术为了具有高产量的可靠生成而需要工艺优化。而且，近来一直需求对用于逆向工程(reverseengineering)的半导体晶片进行分析，以及对半导体部件进行客制化个别配置。因此，本领域亟需一种可以高通量使用的检查装置，以高精度检查晶片上的微结构。[0003]在半导体部件的生成中，所使用的一般硅晶片具有长达300mm的直径。每个晶片皆分为具有高达800mm²的大小的30至60个重复区域(“裸芯”(dies))。一种半导体设备包含多个半导体结构，其由平面整合技术在晶片的表面上以各层生成。由于所述生成过程，半导体晶片通常具有平面表面。在这种情况下，整合式半导体结构的结构大小从几μm延伸到5nm的关键尺寸(Criticaldimension,CD),而结构大小在近期内变得越来越小；未来，结构大小或关键尺寸(CD)预期为小于3nm、例如2nm、或甚至在1nm以下。在前面所提及小结构大小的情况下，关键尺寸的大小的缺陷必须在很大区域中被快速识别。对于几种应用，有关检查设备所提供的测量的准确度的规范要求甚至更高，例如两倍或一个数量级。举例来说，构的相对位置必须以低于1nm、例如0.3nm、或甚至更小的重叠准确度来判定。[0004]在带电粒子系统(带电粒子显微镜(Chargedparticlemicroscope,CPM))的领域中，多束扫描电子显微镜MSEM是相对较新发展。举例来说，多束扫描电子显微镜在US7244以场或栅格所设置的多个个别电子束同时照射。举例来说，4至10000个个别电子束可提供为一次辐射(primaryradiation),而每个个别电子束皆与相邻个别电子束分开1至200μm的间距。举例来说，MSEM具有例如以六角形栅格所设置的约100个分开的个别电子束(“小物镜聚焦到待查验的样本的表面上。举例来说，样本可为固定到安装在可移动台上的晶片保持器的半导体晶片。在采用带电初级个别粒子束对晶片表面进行照明期间，交互作用产物(例如二次(secondary)电子或反向散射电子)从晶片的表面发出。其起点对应于样本上的那些位置(多个初级个别粒子束皆聚焦到其上)。交互作用产物的量和能量，依材料成分以及晶片表面的形貌(topography)而定。交互作用产物形成多个二次个别粒子束(二次射束(secondarybeams)),其由公共物镜收集，且其由于多束检查系统的投射成像系统而入射在设置在检测平面中的检测器上。检测器包含多个检测区域，其每一者皆包含多个检测8像素，且检测器针对二次个别粒子束中的每一者而捕获强度分布。在该过程中得到例如100[0005]现有技术的多束电子显微镜包含一系列静电与磁性元件。所述静电与磁性元件中的至少一些为可调整的，以便适应多个带电个别粒子束的焦点位置和像散校正(stigmation)。而且，具有现有技术的带电粒子的多束系统包含一次或二次带电个别粒子束的至少一个交叉平面。而且，现有技术的系统包含检测系统，以便促进调整。现有技术的多束粒子显微镜包含至少一个射束偏转器(“偏转扫描仪”(deflecti助多个一次个别粒子束对样本表面的区域进行集体扫描，以便得到样本表面的像场。[0006]当使用多束粒子显微镜执行检查任务时，像差不可避免发生，且这些需要避免或减少。为此目的，依据现有技术使用使得全局或个别射束校正能够进行的校正器。当多束粒子显微镜具有大量个别粒子束，并因此具有相对较大多视野时，个别射束校正为精确特别重要。关于此，场像散通常发生在多束粒子显微镜的情况下，且这无法由全局像散校正器校并因此形成多极电极。在这种情况下，所述多极电极中的每一电极皆为个别可控制的。关于[0007]在这种情况下，多极电极可不仅用于校正像散，而且用于校正其他像差：八极电极也可例如偏转个别粒子束或移位该个别粒子束的焦点位置。此外，稍微较不太直观，具有3重对称性的几何像差也可借助八极电极来校正。[0008]因此，所说明的多极电极的很大优势，在于其对于像差校正的非常普遍的可用性。尽管如此，在采用越来越多个别粒子束的多束粒子显微镜的情况下，多极电极接近其极限，且需要进行改良。[0009]多极电极实行为大型阵列，且其生成为复杂且相对较昂贵的。原则上，其复杂度使得它们易受影响；质量和使用寿命难以确保。特别是，对于每个多极电极，向电极施加电压需要多个馈线。举例来说，具有八个可个别调整电极的八极电极需要八条馈线。在用于多束粒子显微镜的超过100个个别粒子束的八极电极阵列的情况下，这已加总多达超过800条个别线路!实际上，不再可能通过真空衬套(bushings)来提供如此大量的馈线。而是，用于馈线的电压必须由已设置在多束粒子显微镜的真空内的设备产生，例如由特定应用集成电路腔室中不可避免发生的X射线辐射，真空腔室内的设置是不利的。[0010]而且，当在阵列中或在多孔径板中整体有大量个别可控制电极时，馈线设置自身就有问题。然后，非常多的线路有必要在个别八极电极之间或在多孔径板中的孔之间的间隙中延伸。因此，原则上，多孔径板中的多极电极的大小或数量受到限制；系统没有良好可扩展性。即使有办法在多个平面中铺设线路作为解决方案，但这仅在有限范围内为适当，因为此方法同样涉及相对较高的花费。[0011]EP4020565A1(参考EP2702595A1和EP2715768A2)揭示一种具有像差[0012]为了校正像差的目的，EP2339608A1揭示每个具有具有特定几何形状的开口的多个板序列，凭此产生各自的多极场。具体而言，EP2339608A1举例来说说明了用于校正球面像差的六极校正器。此像差为旋转对称的。与多束粒子束系统有关，EP23396089A1揭示一种具有用于产生多个粒子束的多个尖端(“发射器尖端”(emittertips))的系统。所产生多个粒子束分别穿过每个具有具有特定几何形状的多个开口的多个多孔径板的序列。在那种情况下，向每个多孔径板施加(全局)电压。结果，对于所有粒子束可实现等同像差校正。场轮廓或场相关个别像差校正并未在EP2339608A1中解决，采用EP2339608A1中的所述手段也无法解决。发明内容[0013]因此，本发明的目的是要克服现有技术的以上所说明缺点。特别是，本发明的目的之一是提供一种具有像差校正的多束粒子显微镜，其使得对于较大量个别粒子束能够实行个别射束校正，和/或具有较少控制花费。特别是，意图是场相关校正对于每一个个别粒子束为个别可能的。[0014]所述目的可由独立权利要求的主题来实现。本发明的有利实施例从从属专利权利要求中显而易见。[0015]本专利申请要求2022年12月1日的德国专利申请102022131862.1的优先权，其内容通过引用完全并入本专利申请。[0016]本发明的基本概念涉及在现有技术中所使用的多极校正器(multipolecorrectors),而其待以复杂方式控制的分段电极置换为不同类型的校正单元。[0017]原则上，下列关系对于多极校正器内静电电位U成立(以圆柱坐标指示):[0018]UαU₀+U₁cos(φ+φ1)+U₂cos(2φ+φ2)+U₃cos(3φ+φ3)+…(方程式1)[0019]在这种情况下，φ是该多极校正器内的角坐标。幅度(amplitude)U₁…U依沿着光轴(z轴)的位置而定，且其额外地具有径向相关性。角度φ;说明旋转或多极的对准。[0020]因此，多极校正器内的静电电位U原则上可由关于多极的级数展开表示。径向对称偏移电位。[0021]单一多极校正器的电极必须以复杂方式控制，而非如在现有技术中借助单一多极校正器产生像差校正所需的全部电位，依据本发明，以上级数展开的个别项分开由特定电极对实现。校正电位的所有项皆可由这些特定电极对的序列来表示。在这种情况下，电极对的特定电极中的每一者皆是个别可控制的，但每一者仅需要正好一条馈线，这减少像差校正单元中的整体馈线的数量，并减少控制的成本。在此，对于在由特定电极或电极对构成的序列中的各自多极场的产生而言，至关重要的是这些电极的形状或这些电极的横截面的形状。因此，这些电极在本专利申请案的上下文中称为几何式电极。几何式电极可例如具有椭圆形横截面，即2重对称性，并因此产生四极场。其横截面可具有大体上圆角等边三角形形[0023]多束产生器，其配置成产生带电的多个第一个别粒子束的第一场；[0024]具有第一粒子光学束路径的第一粒子光学单元，其配置成将所产生的第一个别粒子束成像到物平面中的样本表面上，使得所述第一个别粒子束在形成第二场的入射位置处入射在该样本表面上；[0026]具有第二粒子光学束路径的第二粒子光学单元，其配置成将从该第二场中的入射位置发出的第二个别粒子束成像到该检测系统的检测区域的第三场上；[0027]磁性和/或静电物镜，所述第一个别粒子束与所述第二个别粒子束皆穿过该磁性和/或静电物镜；[0028]射束开关，其设置在该多束产生器与该物镜之间的该第一粒子光学束路径中，且其设置在该物镜与该检测系统之间的该第二粒子光学束路径中；[0029]像差校正单元，其用于个别地校正该第一粒子光学束路径中的一个或多个像差；以及[0031]其中该像差校正单元具有包含至少一个第一对电极阵列的一系列电极阵列，[0032]其中该第一对电极阵列具有第一电极阵列和第二电极阵列，[0033]其中该第一电极阵列和该第二电极阵列每一者具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极为了产生多极场具有绕着光轴的n重旋转对称性，每一几何式校正电极皆可借助正好一条馈线来个别控制，[0034]其中该第一电极阵列中的几何式校正电极相对于该第二电极阵列中相关联的几何式校正电极而关于光轴旋转；且[0035]其中该控制器设计成为了像差校正，而个别控制该像差校正单元的第一电极阵列和第二电极阵列的多个几何式校正电极。[0036]第一带电个别粒子束可为例如电子、正电子(positrons)、μ子(muons)或其他带电粒子。若粒子束的数量为3n(n-1)+1,则具有优势，其中n是任何自中的粒子束的设置整体较佳为六角形。第二个别粒子束可为反向散射电子或者二次电子。在这种情况下，为了分析用途，较佳为将低能量二次电子用于图像产生。然而，也可能将镜像离子/镜像电子用作第二个别粒子束，也就是那些直接在物体的上游或物体处经历反转的第一个别粒子束。[0037]像差校正单元用于个别校正第一粒子光学束路径中的一个或多个像差。因此，在这种情况下，像差对于第一个别粒子束来说被个别校正。这并未涉及均等地对于所有第一个别粒子束的全局校正。而是，几何式校正电极中的每一者均借助正好一条线路来个别控制。像差校正单元具有包含至少一个第一对电极阵列的一系列电极阵列，其中第一对电极则上连续设置在粒子光学束路径中。然而，在此第一电极阵列和第二电极阵列不必直接连续设置；也可能将像差校正单元的另一元件或甚至完全不同的元件置于该第一电极阵列与该第二电极阵列之间。整体而言，像差校正单元可整体或以多部分(multipartite)方式实[0038]第一电极阵列和第二电极阵列实施为为一对或称为一对的事实，意图反映以下事基本上关于第一电极阵列与第二电极阵列之间的相互影响。[0039]第一电极阵列和第二电极阵列每一者具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极为了产生多极场具有绕着光轴的n重旋转对称性，其中每个几何式校正电极在每种情况下皆可借助正好一条馈线来个别控制。依据方程式(1)中所指示的级数展开，电气多极可度φ(其中0°<φ<360°)而映射(mapping)到自身上，则其也称为旋转对称的。旋转角度此旋转的旋转角度大体上为·。此类旋转角度允许形成两个基本多极(fundamentalmultipoles),或者亦即基本上形成依据方程式(1)的级数展开的所需多极的余弦项(cosnφ)和正弦项(sinnφ)。若所产生多极之间的角度为,则每个校正电极对的几何校正电极为了产生多极场具有绕着光轴的m重旋转对称性，每一几何式校正电极皆可借助[0044]其中第三电极阵列中的几何式校正电极相对于第四电极阵列中相关联几何式校由几何式校正电极的m重旋转对称性表达，其中下列内容在此通常成立：n≠m,其中校正电极为了产生多极场具有绕着光轴的k重旋转对称性，每一几何式校正电极皆可借助[0051]其中第五电极阵列中的几何式校正电极相对于第六电极阵列中的相关联几何式[0053]对于第三对电极阵列成立的大体上也为以上对于第一对电极阵列和第二对电极[0057]其中该控制器配置成为了像差校正而个别控制横截面圆形的校正电极。特别情况n=1对于对称性的阶数为成立。由于各自个别粒子束以移位方式(而非居中)穿过几[0063]其中该控制器配置成大体上为了校正具有3重对称性的像差，而个别控制大体上两个相互相邻的多孔径板之间，其中整合有具有个别可控制几何式校正电极的电极阵列。合有具有个别可控制几何式校正电极的电极阵列的两个相互相邻的多孔径板之间提供标准多孔径板的优势在于，对借助一对的电极阵列产生的多极进行对准可被控制或彼此解[0069]依据本发明的另一较佳具体实施例，像差校正单元具有标准多孔径板(具有多个被动圆形孔),该标准多孔径板关于粒子光学束路径的方向设置在具有个别可控制几何式[0070]像差校正单元具有标准多孔径板(具有多个被动圆形孔),该标准多孔径板关于粒[0072]用于生成所产生多极的正交性的替代性解决方案是寻求改变一对电极阵列的几正电极的几何式校正电极大体上可相对于彼此旋转,以便尽可能确切提供用于像差校[0076]像差校正单元可借助如在MEMS制造中或在集成电路的生成中所使用的既定制造的多极的幅度所借助的多极幅度输入单元，[0078]其中多束粒子显微镜的控制器设计成基于用户输入产生用于控制几何式校正电极的控制信号。若多极是基本多极，则通过改变相对应的激发，用户可以非常针对性方式校正在成像期间发生的像差。[0079]依据本发明的一个较佳具体实施例，多束粒子显微镜的控制器设计成执行控制信号的确定，以使用逆幅度矩阵(invertedamplitudematrix)来控制几何式校正电极来产生多极场，其中非求逆幅度矩阵说明校正电极的激发与所产生的基本多极的幅度之间的关系。借助逆幅度矩阵，可判定导致基本多极的所需幅度分布的激发的合适线性组合。特别是，此类流程使得激发的合适线性组合能够被找到，以便产生单一(相当特定)多极。[0080]多束粒子显微镜的以上所说明具体实施例变体可彼此全部或部分组合，只要不会产生技术矛盾。[0081]依据本发明的第二方面，本发明关于一种在多束粒子显微镜中为了像差校正而产生基本多极的方法，该方法具有下列步骤：[0082]a0)提供如以上在多个具体实施例变体中所说明的多束粒子显微镜；[0083]a)对于一系列的所有几何式校正电极：[0084]a1)仅激发所述几何式校正电极中的一个；[0085]a2)判定由个别激发产生的多极的所有幅度；[0086]b)基于所确定幅度建立幅度矩阵，其中该幅度矩阵描述几何式校正电极的激发与由这些激发产生的基本多极的幅度之间的关系；[0088]d)基于逆幅度矩阵的条目(entries)激发几何式校正电极。[0089]原则上，这涉及对于几何式校正电极中每一者分开确定：在几何式校正电极的序列内，除其他情况外，哪些另外的多极由几何式校正电极的激发产生。举例来说，可确立第一几何式校正电极的激发主要引起具有幅度A1的偶极COSφ、还有具有幅度B1的偶极sinφ采用的确切单位并不重要。[0090]依据本发明的一个较佳具体实施例，方法步骤a2)包含借助全局多极校正器(特别是借助十二极校正器)补偿分别产生的多极的效应，并确定在全局多极校正器中为此目的分别所需的幅度。在这种情况下，可能仅为了对多束粒子显微镜进行调整的目的，而提供对应的全局多极校正器；此校正器无需但是可永久安装在多束粒子显微镜中。然而，幅度矩阵中的条目也可以某种其他方式来判定。[0091]依据本发明的又一较佳具体实施例，该方法还具有下列步骤：[0092]e)优化多束粒子显微镜的分辨率包含独立变化每个多极的幅度，并确定用于分辨率的最佳幅度。[0093]当然，也可以对应地优化分辨率以外的成像性质。然而，分辨率的优化对于多束粒子显微镜特别重要。分辨率的优化包含每个多极的幅度的变化，这对于校正器的幅度矩阵为对角的或逆幅度矩阵已确定的情况而言是特别简单的。这是因为每个多极的幅度的独立变化实际上在一开始是可行的。[0094]依据本发明的又一较佳具体实施例，对于几何式校正电极的所有系列执行该方法。因此，对于每个个别粒子束执行该方法。以此方式，可为了物平面中的每一个第一个别粒子束而个别校正成像像差。[0095]依据本发明的一个较佳具体实施例，通过激发几何式校正电极，实行场相关像差[0096]依据本发明的第三方面，本发明关于一种具有用于执行如以上在多个具体实施例变体中所说明的方法的程序代码的计算机程序产品。在这种情况下，该程序代码可以任何所需编程语言编写。该程序代码可以一个部分或以多部分方式体现。特别是，仅为了对像差校正单元进行控制而提供分开程序代码是有利的。然而，这也可以不同方式完成。[0098]多束产生器，其配置成产生带电的多个第一个别粒子束的第一场；[0099]具有第一粒子光学束路径的粒子光学单元，其配置成将所产生个别粒子束成像到物平面中的样本表面上，使得第一个别粒子束在形成第二场的入射位置处入射在该样本表[0100]像差校正单元，其用于个别校正第一粒子光学束路径中的一个或多个像差；以及[0102]其中像差校正单元具有至少一个电极阵列，[0103]其中电极阵列具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极为了产生多极场具有绕光轴的n重旋转对称性，所述几何式校正电极中的每一者皆可特别是借助正好一条馈[0104]其中控制器设计成为了像差校正，而个别控制像差校正单元的电极阵列的几何式校正电极。[0105]依据本发明的第四方面的多束粒子束系统，相较于依据本发明的第一方面的多束粒子显微镜，更宽泛地说明本发明。该多束粒子束系统可为多束粒子显微镜，但情况不一定如此。有关关于本发明的第四方面所使用的用语，明确参照关于本发明的第一方面所述的对应用语的定义。特别是，依据第一方面的本发明的所有具体实施例也可与依据本发明的第四方面的多束粒子束系统组合。将在以下讨论本发明的第四方面的仅特殊特征，以便避免不必要的重复。[0106]依据本发明的第四方面，像差校正单元具有至少一个电极阵列。因此，该像差校正单元也可能仅具有正好一个电极阵列，其中此电极阵列再次具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极为了产生多极场具有绕光轴的n重旋转对称性，每一几何式校正电极皆可借助馈线来个别控制；据此，控制器设计成为了像差校正，而个别控制像差校正单元的电极阵列的多个几何式校正电极。[0107]通过仅使用一个电极阵列，仍然可能执行像差校正，但不再具有以上所说明的普遍性，因为为了校正而产生的多极场的方向或对准由电极阵列的配置定义。然而，原则上，以此方式的像差校正也是可能的。[0108]依据本发明的一个较佳具体实施例，像差校正单元具有另一电极阵列，[0109]其中该另一电极阵列具有多个几何式校正电极，每一几何式校正电极为了产生多极场具有绕着光轴的m重旋转对称性，其中每一几何式校正电极皆可借助馈线来个别控制；且[0110]其中控制器设计成为了像差校正，而个别控制像差校正单元的另一电极阵列的多个几何式校正电极。[0111]至少一个电极阵列和另一电极阵列可形成产生相同阶数的对称性的多极场的一[0112]依据本发明的又一较佳具体实施例，像差校正单元具有一个另一电极阵列或多个另一电极阵列，其电极实施为几何式和/或非几何式。因此，可能将校正电极的不同实现形式彼此组合在像差校正单元内。举例来说，若考虑用于第一个别粒子束的一系列校正电极，则此系列电极可同时包含至少一个几何式校正电极和至少一个非几何式校正电极。因此，可能将依据本发明的像差校正单元与其他像差校正元件组合。[0113]依据本发明的一个较佳具体实施例，像差校正单元具有包含分段电极的另一电极阵列。分段电极是例如以上与现有技术有关所说明的多极电极，特别是八极电极或十二极电极。在这种情况下，特别是可想象到将不同类型的校正电极组合成对，其多极彼此对准使得可产生基本多极。举例来说，可想象到用于多极场产生的级数展开的所有余弦项皆由包含几何式校正电极的电极阵列产生，且所有正弦项皆由对应所控制多极电极产生，或者反之亦然。在这种情况下，通过将多极电极与几何式校正电极组合来减少多极电极中的极数是可能的，并由此至少稍微减少控制花费；举例来说，提供四极分段电极而非八极电极可是足够的，只要与几何式校正电极的对应成对组合在特定系列内实行即可。[0114]依据又一较佳具体实施例，像差校正单元的至少一个电极阵列的几何式校正电极被分段，且控制器设计成个别轮流控制校正电极的这些分段。当然，几何式校正电极在此并非圆形对称(此解决方案微不足道且是先前已知的)。举例来说，可能对于几何式校正电极进行分段，其在每种情况下为了多极场产生而具有关于光轴的至少2重旋转对称性。因此，几何式校正电极的横截面可为例如椭圆形，其中校正电极的个别可控制分段，即原则上实施为具有特定横截面的多极电极，沿着此椭圆形提供。也可想象到将对应分段电极插入到几何式校正电极中。所述各种具体实施例变体在像差校正方面具有特定优势或缺点。[0115]本发明的各种具体实施例和方面可彼此全部或部分组合，只要无技术矛盾因此出现即可。附图说明[0117]图1示意性显示多束粒子显微镜；[0118]图2示意性显示使用个别可控制分段电极(在此：八极电极)的多束粒子显微镜中的像差校正；[0119]图3示意性显示八极电极的阵列；[0120]图4示意性例示借助八极电极产生具有不同定向的四极；[0121]图5示意性显示用于依据本发明的多极场产生的几何式电极对；[0122]图6示意性显示用于产生焦点移位的几何式电极；[0123]图7示意性显示用于四极场产生的一系列两个几何式电极阵列；[0124]图8示意性显示用于四极场产生的一系列两个几何式电极阵列；[0125]图9示意性显示用于四极场产生的一系列两个几何式电极阵列；[0126]图10示意性显示用于六极场产生的一系列两个几何式电极阵列；[0127]图11示意性显示用于四极场产生的几何式电极的示例性具体实施例；[0128]图12示意性显示用于四极场产生的一对几何式校正电极的示例性具体实施例；[0129]图13示意性显示用于像差校正的一系列多个几何式电极阵列的示例性具体实施[0130]图14示意性显示个别所产生四极场的解耦的一个范例；[0131]图15示意性例示调整多束粒子显微镜的像差校正的方法(正交化);以及[0132]图16示意性例示为了优化多束粒子显微镜的成像性质，而对几何式电极的最佳激发/幅度进行调整。具体实施方式[0133]图1示意性显示多束粒子显微镜1。多束粒子显微镜1包含射束产生设备300,其具有粒子源301(例如电子源)。发散粒子束309由一系列聚光透镜303.1和303.2准直，并撞击在多孔径设置305上。多孔径设置305包含多个多孔径板304和场透镜308.多个个别粒子束3或个别电子束3由多孔径设置305产生。在多孔径板设置中，孔的中点设置在成像到由物平面101中的射束斑点5形成的另一场上的场中。多孔径板304的孔的中点之间的间距可为例小于孔的中点的间距；直径的范例是孔的中点之间的[0134]多孔径设置305和场透镜307配置成在表面325上以栅格设置产生一次射束3的多个聚焦点323。表面325无需是平面表面，而是可为球面弯曲表面，以便考虑到后续粒子光学系统的像场曲率。[0135]多束粒子显微镜1还包含电磁透镜103以及物镜102的系统，其以缩减的尺寸将射束焦点323从中间像表面325成像到物平面101中。其间，第一个别粒子束3穿过射束开关400和集体射束偏转系统500,而借助集体射束偏转系统500,多个第一个别粒子束3在操作期间偏转且像场被扫描。入射在物平面101中的第一个别粒子束3例如形成大体上规则场，其中场可具有矩形或六角形对称性。[0136]待检验的物体7可为任何所需类型，例如半导体晶片或生物样本，并可包含微小化元件或其类似物的设置。物体7的表面15设置在物镜102的物平面101中。物镜102可包含一个或多个电子光学透镜。举例来说，这可为磁性物镜和/或静电物镜。[0137]入射在物体7上的一次粒子3产生交互作用产物，例如由于其他原因而已经历移动的反转的二次电子、反向散射电子、或一次粒子，且这些交互作用产物从物体7的表面或从第一平面或物平面101发出。从物体7的表面15发出的交互作用产物，由物镜102塑形以形成二次粒子束9。在该过程中，二次射束9在物镜102之后穿过射束开关400并且向投射系统200供应。投射系统200包含成像系统205,其具有第一与第二透镜210和220;对比光阑222;以及多粒子检测器209。在多粒子检测器209的检测区域上的第二个别粒子束9的入射位置位在[0138]多束粒子显微镜1还具有计算机系统或控制单元10,其进而可整体或以多部分方式体现，且其设计成控制多束粒子显微镜1的个别粒子光学部件，并评估和分析由多检测器209或检测单元209得到的信号。[0139]一系列的多孔径板304(也称为微光学组件)也可包含依据本发明的多束粒子显微镜的像差校正单元。[0140]与此类多束粒子束系统或多束粒子显微镜1和其中所使用的部件(例如粒子源、多孔径板、和透镜等)相关的进一步信息，可从国际专利申请案WO2005/利申请案DE102013016113A1和DE102013014976A1得到，其所揭示内容通过参考完整并入在本发明申请案中。[0141]图2示意性显示使用个别可控制分段电极的多束粒子显微镜中的像差校正。像差校正单元可为例如微光学组件306的一部分，如图1中所示。图2举例来说例示来自八极电极372的阵列的细节(参见其在示意平面图中的图示和控制)。阵列中的每个开口391皆分配八极电极372,以便产生例如作用在穿过前述开口361的个别粒子束上的四极场。每个八极电极372皆具有八个电极373,其以在圆周方向上环绕开口361分布的方式设置，且其由控制器10控制。为此目的，在所示的范例中，产生可调整电压并将这些电压经由线路377馈送到电极373的电子电路375,设置在与开口361相距一定距离处的区域中的多孔径板上。图2仅例示向电极372供应电压的线路的细节或一部分；尽管如此，非常大量线路在狭窄定界空间中的问题显而易见。而且，真空夹套381内的电子电路暴露于粒子轰击和X射线辐射，这对电子电路375的使用寿命产生不利影响。[0142]控制器10通过穿过多束粒子显微镜1的真空夹套381的串行数据连接379来控制电子电路375。在此，提供密封件382,其关于多束粒子显微镜1的真空夹套381密封串行数据连接379的线路。由于有大量的线路377,为线路377的每一个别线路提供真空衬套将是不实际的。依经由串行数据连接379从控制器10接收的数据而定，电子电路375产生经由线路377馈送到电极373的电压。所以，控制器10能够在开口361的每一者中产生电的四极场，而该四极场可针对其强度以及针对其关于开口361的中心的定向来进行调整。使用这些四极场，可能在每种情况下个别操纵所有个别粒子束3。控制器10例如以下列方式调整四极场：其在射束3中造成像散，该像散补偿例如由下游光学系统(如图1中的物镜102)引起的像散，使得射束以大体上无像散(消像散)的方式聚焦在物平面101中。[0143]图3示意性显示八极电极372的阵列。在这种情况下，八极电极372的阵列设置在多孔径板370中。举例例示仅7个八极电极372,但其数量可为更多，例如超过100个八极电极372,其如图2中所示在每种情况下被控制或供应有电压。[0144]图4示意性例示借助八极电极372产生具有不同定向的四极场。八极电极372整体上具有圆形横截面或圆形的开口361。八极电极372被分段；个别电极由373a至373h指示。然后，图4附加例示哪些电压被施加于电极373a至373h中的每一者。在绝对值和符号方面的等同的电压在图4中例示有相同阴影线(hatching)。相同电压-U₁被施加于电极373a和373e中的每一者；电压+U₁被施加于电极373c和373g中的每一者。结果，八极电极372产生沿着轴x与y所定向的第一四极场，如图4b)中所例示。电位+U被施加于电极373b和373f中的每一者；电位-U₂被施加于电极373d和373h中的每一者。结果，这些电极产生与第一四极场相比个四极场一起可通过叠加而产生所得到的四极场，其对准由两个四极场关于彼此的相对强度来确定。此类所得到的四极场例示在图4d)中。通过适当选择用于四极产生的电位+/-U₁和+/-U₂或幅度，因此可能产生可在x-y平面内以任何方向定向的所得到的四极场。然而，八极电极372的控制复杂，且当有多个八极电极372时，有容纳线路在非常局限空间中的新增问题。此外，在所产生的四极场接近电极的情况下，应考虑到由于八极电极373a至373h的分段而发生的像差；边界条件不平滑。结果，穿过分段的八极电极372的第一个别粒子束3有必要不被允许过于接近地飞过电极373a至373h。换言之，穿过八极电极372的个别粒子束3的填充因子(fillfactor)相对较小。八极电极372内的可用空间无法被最佳地利用。若把更多电极提供在多极校正器372(例如12个电极)处，则空间利用搭配较大填充因子将更好；然而，由于多孔径板370中的线路377的设置中的局限，这样做甚至会更糟。[0145]依据本发明实施例，对于每个个别粒子束3的像差校正所需的电位，现在不再借助每个个别粒子束3的单一多极校正器产生。而是，对于每个个别粒子束3,一系列的几何式电极用于产生校正电位。在这种情况下，这些几何式电极中的每一者皆是个别可控制的，且每一者皆仅需要正好一条馈线，这减少馈线的数量，例如在多孔径板内，并因此也减少用于控制电极的控制花费。在此，对于由几何式电极构成的系列中的各多极场产生，至关重要的是这些电极的形状。[0146]图5显示在这种情况下的原理：该例示图示意性显示用于依据本发明的多极场产生的多个几何式电极对。再次考虑到方程式(1):[0147]因此，对于像差校正有必要产生具有所需定向的偶极场、具有所需定向的四极场、具有所需定向的六极场等等。[0148]图5a)显示用于产生偶极场的一系列几何式校正电极701和702。图5b)显示用于产生四极场的两个几何式校正电极705和706。图5c)显示用于产生六极场的两个几何式校正电极709和710。依据图6具有圆形横截面的几何式校正电极713可用于产生偏移电位U₀[0149]首先，将更详细说明图5b)中所例示的电极设置，具体而言为了清楚表示，并且由于与依据图4的所叠加四极场的良好相当性。相较于四极场由十字状设置产生并对于电极是横截面椭圆形的电极，如举例由图5b)中左侧的几何式校正电极705所例示。其开口707是椭圆形，并关于光轴Z居中对准。在这种情况下，椭圆形的半长轴沿着y轴定向。在这种情况具有椭圆形横截面的几何式校正电极705具有关于光轴Z的2重旋转对称性。该椭圆可通过绕着光轴Z旋转180°而映射到其自身上。图5b)中右侧所例示的几何式校正电极706同样具有椭圆形横截面或对应形状的开口708。这当然也具有关于光轴Z的2重旋转对称性，但其与几何式校正电极705不同地定向：该椭圆的长轴显示与y轴呈45°角。因此，借助几何式校正电极706产生的四极场，关于借助几何式校正电极705产生的四极场，旋转大体上45°。若个别粒子束3随后连续穿过几何式校正电极电极705和706,则个别粒子束3经历两个四极场的效应，所得到的效应对应于有效四极场(类似于图4d)中的情况)。该电极对的几何式校正电极705和706中的每一者，皆由仅一条馈线供应电压。可个别选择此激发的幅度。因此，具有任意或可调整定向的有效四极场的效应，可能也通过具有2重旋转对称性的该系列或该对[0150]有关其他多极场的情况被证明是完全类似的：图5c)显示具有绕着光轴Z的3重旋转对称性的一对几何式校正电极709和710.几何式校正电极709和710具有相同形状，但定向不同。具有3重对称性的形状可由具有圆角的等边三角形说明。六极场可由此类型的几何式电极产生。该对的两个几何式校正电极709和710相对于彼此所旋转的旋转角度，大体上为,即这在此[0151]图5a)显示可用于产生具有任意定向的有效偶极场的效应的一对几何式校正电极701、702。在这种情况下，所述两个几何式校正电极701和702实施为以使横截面为圆形(参见开口703和704),但其并未相对于光轴Z居中设置。因此，没有任何关于光轴Z的旋转对称性；在形式上，几何式校正电极701和702因此具有1重对称性。绕着光轴Z的旋转角度为。在此，几何式校正电极701和702也可每一者皆个别供应有电压；依据所施加电压或幅度，可能产生具有任意定向的有效偶极场的效应。[0152]图5举例来说仅显示几何式校正电极对。多个对应的几何式校正电极对可用于形成具有对应多个几何式校正电极的电极阵列。[0153]图7示意性显示用于四极产生的一系列的两个几何式电极阵列720、721。在这种情况下，第一电极阵列720整合到多孔径板715中。第二电极阵列721整合到多孔径板716。第一电极阵列720的几何式校正电极705以及第二电极阵列721的几何式校正电极706的每一者皆具有绕着每个个别粒子束3的粒子光学束路径的光轴Z的2重旋转对称性。在所示的范例中，几何式校正电极705的定向实施为使第一多孔径板715中横截面为椭圆形，所述定向在每种情况下皆等同；相同情况类似地应用于第二多孔径板716中的几何式校正电极706。每个电极705和706分别由个别线路717和718供应电压。在这种情况下，控制器10设计成为了像差校正而个别控制像差校正单元750的第一电极阵列720和第二电极阵列721的多个几何式校正电极705、706。这当然也可由对应子单元或由控制器10的部件实行。通过对几何式校正电极705、706中每一者进行个别控制(总共18条个别可控制线路717、718),可对于多个个别粒子束3进行场相关像差校正。[0154]在像差校正单元750的情况下，仅一对的电极阵列720、721提供在所示的范例中。然而，当然也可能提供另一对或多个另外对电极阵列，以便产生不同阶数的多极或执行另外的像差校正。在此情况下，图7应理解为仅是范例。然而正。附带提及，显然该系列两个电极阵列720和721并未正确例示在图7的透视图中。事实上，所述两个电极阵列720和721一个在另一个下面地设置，使得：在所示的范例中，9个第一个别粒子束3的阵列首先穿过第一电极阵列720的9个开口707,然后穿过第二电极阵列721的9个开口708。另一元件或组成部分也可设置在具有各自电极阵列720和721的两个多孔径板715与716之间，但情况不必如此。电极阵列之间的更多被动多孔径板的重要性，将在以下进一步甚至更详细讨论。[0155]图8示意性显示用于四极产生或像散校正的两个几何式电极阵列720和721的又一系列。在这种情况下，一如既往，相同参考记号标示相同元对应于图7中的例示图。然而，横截面椭圆形的电极705、706在各自电极阵列720和721内的对准稍微不同：在电极阵列720内，几何式校正电极705仅逐列(row应地，第二电极阵列721中的几何式校正电极706也仅逐列地相同对准。尽管如此，在本具体实施例变体中也成立的是：第一电极阵列720中的几何式校正电极705、705a,相对于第二电极阵列721中的相关联几何式校正电极706、706a而关于光轴Z旋转相同角度，即在每种情况下为大体上45°。由于几何式校正电极无论如何借助控制器10来个别控制，因此原则上仅相互相关联几何式校正电极705、706和相互相关联几何式校正电极705a、706a的成对定向是重要的。[0156]图9示意性显示用于四极产生或像散校正的两个几何式电极阵列720和721的又一系列。与图7和图8中的例示图相比，个别几何式校正电极在各自电极阵列720和721内或在多孔径板715、716内的对准稍微甚至更加复杂：在各自电极阵列720、721内，所例示的横截即例如电极705a和706a以及705b和706b、705c和706c,再次成立的是：第一电极阵列720中的几何式校正电极每一者皆又再次相对于第二电极阵列721中的相关联几何式校正电极而[0157]图10示意性显示用于六极场产生或用于校正具有3重对称性的个别粒子束3的像差的两个几何式电极阵列722、723的一系列。在这种情况下，第一电极阵列722整合到第一多孔径板724中。第二电极阵列723整合到第二多孔径板725中。几何式校正电极726和728分别具有绕着光轴Z的3重旋转对称性以用于六极场产生。在这种情况下，相应电极726、728的开口727和729大体上实施为圆角等边三角形。第一电极阵列722中的几何式校正电极726的定向中的每一者皆相同。此外，第二电极阵列723中的几何式校正电极728的定向同样相同。然而，整体而言，第一电极阵列722中的几何式校正电极726皆相对于的第二电极阵列723中的相关联几何式校正电极728而关于光轴Z旋转相同角度(在此：由于3重对称性而为30°)。控制器10再次设计成为了像差校正，而个别控制像差校正单元750的第一电极阵列722和第二电极阵列723的多个几何式校正电极726、728。当然，所述几何式阵列722、723内的定向也可以是可变的，如已关于图8和图9中具有2重对称性的几何式校正电极所说明的。然而，在任何情况下，固定旋转关系对于几何式校正电极726和728的每一相关联对皆成立。在此，像差校正单元750当然也可以具有未以此方式例示在图10中的其他校[0158]图11在透视例示图中示意性显示用于四极场产生的几何式电极的示例性具体实施例。图11a)仅举例显示一系列几何式校正电极；在这种情况下，电极中的每一者皆可为对应电极阵列的一部分，该阵列的电极中的每一者皆为个别可控制的。图11a)中的示例性具体实施例显示一系列的四个多孔径板730、715、716、和732。在这种情况732是具有多个被动圆形孔的标准多孔径板，其关于粒子光学束路径的方向设置在具有个别可控制几何式校正电极705、706的多孔径板715、716的上游和下游。在所例示的示例性具体实施例中，几何式校正电极705、706自身整合到多孔径板715、716中，或延伸穿过多孔径体上与多孔径板715、716的表面齐平的顶侧上，在该部分处所述电极705、706可能与各自馈线接触。在所示的范例中，导电表面具有圆形外轮廓，但其也可能在其外轮廓方面不同地成[0159]替代性示例性具体实施例被举例例示在图11b)中。图11b)举例仅显示一个多孔径板715,但相对地显示整个电极阵列720。几何式校正电极705再次为横截面椭圆形，并延伸μm。电极705的定向在多孔径板715内为均匀的，且电极705均可再次被个别地控制(对应馈线并未明确例示在该图示中)。几何式校正电极705的导电表面(所述表面是为了接触用途而提供在多孔径板715的顶侧上)实施为在所示的范例中为六边形。此塑形允许个别几何式电极705彼此规则间隔开，且制造相对较简单。在图11中所示的两个具体实施例的情况下成立的是，几何式电极705、706与多孔径板715和[0160]图12示意性显示用于四极场产生的一对几何式校正电极的其他具体实施例。图12a)显示第一几何式校正电极705并入到载体板734的顶侧上，而第二几何式校正电极706并入到载体板734的下侧。电极705、706中的每一者均借助绝缘体735与载体板734绝缘，并是个别可控制的。在此构造具体实施例变体中，也成立的是：每对几何式校正电极的两个几何式校正电极705和706在所示的范例中具体而言绕着光轴Z相对于彼此旋转45°。[0161]图12b)显示具有载体板736的替代性构造配置，几何式校正电极705设置在其顶侧上，且几何式校正电极706设置在其下侧上。在此，所述两个电极705、706也与载体板736绝缘。两个椭圆形的校正电极705、706的对准再次绕着光轴相对于彼此旋转，具体而言又再次以大体45°的角度，如在图12b)中底部右侧处的几何图式中指示的。[0162]图13示意性显示具有用于像差校正的一系列的多个几何式电极阵列的像差校正单元750的又一示例性具体实施例。在所示的示例性具体实施例中，像差校正单元750实施为微光学组件306的一部分。用于产生第一个别粒子束3的多孔径板304(滤波板)也被示意性例示。[0163]像差校正单元750包含三对电极阵列：第一对电极阵列740包含第一电极阵列，其具有几何式校正电极705;以及第二电极阵列，其具有几何式校正电极706。在这种情况下，所述两个阵列并入到载体板734a中，如已与图12a)相关联更具体解说的。在所示的范例中，几何式校正电极705和706(其皆形成相互相关联对且供相同个别粒子束3穿过)实施为使横截面为椭圆形，椭圆的半轴相对于彼此大体上旋转45°。几何式校正电极705、706中的每一者均借助个别馈线717由控制器10个别控制。在图13中，仅举例对于远处右侧传播的个别粒子束3描绘出对应线路717。以此方式，借助第一对电极阵列740,对于第一个别粒子束3,具有任意定向的四极场可在每种情况下个别地产生，以便校正个别粒子束3的像散。[0164]第二对电极阵列741沿着粒子光学束路径设置在第一对电极阵列740的下游，前述第二对电极阵列在所示的范例中具有几何式校正电极744、746。在所示的范例中，后者实施为使横截面为大体上圆形，且每对电极阵列中的圆形的校正电极744、746在与光轴Z正交的不同方向上相对于彼此移位大约90°。控制器10再次配置成单独控制圆形的校正电极744、746。举例来说，第一个别粒子束3的第二场在第一个别粒子束3入射在物平面101中时的静[0165]具有几何式校正电极726、728的第三对电极阵列742,在粒子光学束路径的方向上设置在第二对电极阵列741的下游。在所示的范例中，校正电极726、728具有3重旋转对称性，并成对地绕着光轴Z相对于彼此旋转大体上30°。结果，用于校正具有3重对称性的像差的六极场，可对于每个第一个别粒子束3单独形成。[0166]在第三对电极阵列742的下游，设置具有电极阵列(具有多个几何式校正电极749控制器10还设计成为了校正第一个别粒子束3的焦点位置，而大体上个别控制此另一电极阵列的多个几何式校正电极749.焦点位置的校正可特别是用于像场曲率校正和/或像场倾斜校正。请案中进一步举例说明。(sinnφ)借助另一个几何式电极实现。两个项描述基本多极或多极场。两用于通过在一对电极的第二几何式校正电极处施加电位U其中整合有具有个别可控制几何式校正电极的电极阵列的相[0169]对应具体实施例或来自对应像差校正单元750的细节例示在图14中：具有圆形开形开口738的另一多孔径板737设置在具有校正电极705的第一电极阵列与具有几何式校正[0171]用于生成所产生多极的线性无关性的替代性解决方案寻求改变一对电极阵列的几何式校正电极之间的旋转角度的路径，其结果是因此所生成的多极不会混合或为正交不同或更高阶数的附加多极的设置。[0172]又一较佳解决方案方法是产生几何式校正电极的激发的合适线性组合，以防止基本多极混合。图15示意性例示为了多束粒子显微镜1中的像差校正而产生基本多极的方法。初始方法步骤SO涉及提供依据本发明的具有像差校正单元750的多束粒子显微镜1,如以上在多个具体实施例变体中所说明。[0173]方法步骤S1仅涉及激发一系列校正电极的第一几何式校正电极。由于此激发，所出现的并非仅是所需的多极，而是其他多极也附加地产生，尽管幅度显著较弱。[0174]又一方法步骤S2涉及判定因此所产生的第一多极的幅度。又一方法步骤S3涉及判定因此所产生的第二多极的幅度，且方法步骤S4涉及判定因此所产生的第三多极的幅度等。这继续直到因此所产生的所有多极的幅度皆被判定为止。[0175]然后，在方法步骤S5中，仅该系列的第二几何式校正电极被激发。此第二几何式校正电极通常也不仅产生所需多极，而且产生其他寄生多极。据此，依据本发明方法，方法步骤S6涉及判定所产生的第一多极的幅度，方法步骤S7涉及判定因此所产生的第二多极的幅度，且方法步骤S8涉及判定因此所产生的第三多极的幅度等。这继续直到因此所产生的所有多极的所有幅度皆被判定为止。之后，仅一系列的第三或一般来说下一个几何式校正电[0176]方法步骤S9涉及基于所确定幅度建立幅度矩阵。方法步骤S10涉及对幅度矩阵求逆。该幅度矩阵描述校正电极的激发与所产生的基本多极的幅度之间的关系。借助逆幅度矩阵，可能直接改变基本多极的幅度，而其他基本多极的比例未由此控制变更改变。因此，几何式校正电极可基于逆幅度矩阵中的条目(entries)来激发，其中基本多极可以目标式方式来产生。以此方式，举例来说，像差的先前已知场相关性可以目标式方式来校正。[0177]当然，可对于几何式校正电极的所有系列执行所说明的方法。换言之，对于第一个别粒子束中的每一者执行该方法，且对于所有个别粒子束调整像差校正单元。[0178]下列方程式(2)和(3)又再次描述所产生的基本多极的幅度与几何式校正电极的激发之间的关系：[0182]以上所说明的方法的一项优势在于，所产生多极的解耦。这进而在多束粒子束系统或多束粒子显微镜1的粒子光学性质的优化方面具有优势。举例来说，可能优化分辨率。由于每一所产生多极的最佳幅度在第一近似下彼此独立，因此这些多极的幅度也可彼此独立地一个接一个优化。在这种情况下，幅度变化，且成像性质在每种情况下皆被测量。图16度被确定。随后或与其独立地，可改变第二多极的幅度，在每种情况下皆测量分辨率，且最佳值被判定。其后，改变第三多极的幅度，且分辨率在每种情况下皆被判定，以便得到用于第三多极的幅度的对应最佳值。这可针对每一多极继续。也可能重复此过程几次，以便解耦不同多极的幅度之间的剩余相关性。[0183]以上的解说大体上已关于多束粒子显微镜1给出。然而，所述解说当然对于其中同样可使用对应像差校正单元的不同类型的多束粒子束系统也是有效的。[0184]而且，可能将依据本发明的像差校正单元与其他像差校正元件组合，或者部分以其他元件取代依据本发明的元件。依据本发明的一个较佳具体实施例，除了至少一个几何式电极阵列之外，该像差校正单元包含另一电极阵列，其包含分段电极。分段电极例如是以上与现有技术有关所说明的多极电极，特别是八极电极或十二极电极。在这种情况下，特别是可想象到将不同类型的校正电极组合成对，其多极彼此对准，使得基本多极可产生。举例来说，可想象到用于多极场产生的级数展开的所有余弦项皆由包含几何式校正电极的电极阵列产生，且所有正弦项皆由对应所控制多极电极产生，或者反之亦然。在这种情况下，通过将多极电极与几何式校正电极组合而减少多极电极中的极数可为可能的，并由此至少稍微减少控制花费；举例来说，提供四极分段电极而非八极电极可足够，只要与几何式校正电极的对应成对组合在特定系列内实行即可。[0185]依据又一较佳具体实施例，像差校正单元的至少一个电极阵列的几何式校正电极被分段，且控制器设计成个别轮流控制校正电极的这些分段。当然，几何式校正电极在此并非圆形对称(此解决方案微不足道且是先前已知的)。举例来说，对于其分段可能的是，为了多极场产生，几何式校正电极皆具有关于光轴的至少2重旋转对称性。因此，几何式校正电极的横截面可为例如椭圆形，校正电极的个别可控制区段，即原则上实施有特定横截面的多极电极，沿着此椭圆形提供。也可想象到将对应分段电极插入到几何式校正电极中。所述各种具体实施例变体在像差校正方面具有特定优势或缺点。[0187]多束产生器，其配置成产生带电的多个第一个别粒子束的第一场；[0188]具有第一粒子光学束路径的第一粒子光学单元，其配置成将所产生第一个别粒子束成像到物平面中的样本表面上，使得第一个别粒子束在形成第二场的入射位置处入射在样本表面上；[0190]具有第二粒子光学束路径的第二粒子光学单元，其配置成将从第二场中的入射位置发出的第二个别粒子束成像到检测系统的检测区域的第三场上；[0191]磁性和/或静电物镜，所述第一个别粒子束与第二个别粒子束皆穿过磁性和/或静电物镜；[0192]射束开关，其设置在多束产生器与磁性和/或静电物镜之间的第一粒子光学束路径中，且其设置在磁性和/或静电物镜与检测系统之间的第二粒子光学束路径中；[0193]像差校正单元，其用于个别地校正第一粒子