《新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范》

ICS31.080

CCSL42T/SZECC

团体标准

T/SZECCXXXX-XXXX

新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

技术规范

Technicalspecificationofinsulatedgatebipolartransistor(IGBT)for

newenergyvehicles

（征求意见稿）

20XX-XX-XX发布20XX-XX-XX实施

深圳市电子商会发布

T/SZECCXXX-XXXX

新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范

1范围

本文件规定了绝缘栅双极型晶体管的术语和定义、符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、

标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的设计、生产和应用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）

GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

GB/T11499半导体分立器件文字符号

GB/T4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性

GB/T26572电子电气产品中限用物质的限量要求

GB/T29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）

GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

QC/T1136电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法

3术语和定义

GB/T29332及GB/T4023界定的术语和定义适用于本文件。

4符号

GB/T11499界定的符号适用于本文件。

5极限值

产品的极限值应包括表1中的项目，极限值的具体指标应符合产品规格书的要求。

表1极限值

序号项目名称符号单位

1漏源电压VDSV

1

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表1极限值（续）

序号项目名称符号单位

2正向栅源电压VGSFV

3反向栅源电压VGSRV

4栅漏电压VGDV

5漏极电流IDA

6规定脉冲条件下的峰值漏极电流ID（pulse）A

7二极管正向电流A

ISD

8最大结温Tjmax℃

9工作结温范围Tjop℃

10贮存温度Tstg℃

11工作温度（环境或壳温）Tcase℃

12耗散功率（功耗）PtotW

6技术要求

6.1一般要求

6.1.1应符合相关文件的规定，并按经规定程序批准的图样和技术文件制造。

6.1.2配套的外购外协件应符合相关文件的规定，并附有制造商提供的产品合格证明。

6.2外观要求

6.2.1外形应端正，壳体无破损，外表面应平整光洁、色泽均匀，部件的表面应清洁，无污渍、无锈

蚀，无毛刺、锋棱和破裂等可能造成对人体有伤害的不良结构。不得有明显的划痕或凹凸等缺陷。

6.2.2金属构件应进行防锈处理，喷涂或油漆件应平整光亮，色泽均匀，漆层牢固，其表面应无明显

流漆、斑痕、皱纹和剥落等缺陷。

6.3结构要求

6.3.1工作应平稳，无冲击、间歇现象。

6.3.2各部件应连接紧密，紧固件应安装牢固。

6.4尺寸

2

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外形尺寸偏差应在±2㎜的范围内。

6.5电气特性

6.5.1静态特性

TT

vj=25℃时和vjmax时，IGBT功率的静态特性应包括表2中的项目，静态特性的具体指标应

符合产品规格书的要求。

表2静态特性

数值

序号项目名称符号单位

最小值典型值最大值

1集电极-发射极饱和电压VCEsatV√√

2栅极－发射极阈值电压VTHV√√

3集电极截止电流ICESmA√

4栅极漏电流IGESnA√

5二极管正向电压VFV√√

6输入电容CiesnF√

7栅极电荷QguC√

8反向传输电容CresuC√

9模块电感LMnH√

10栅极内阻RgintΩ√

短路电流

11ISCA√

（最高工作结温时，规定测试条件）

注：“√”表示需要提供。

6.5.2二极管动态特性

TT

vj=25℃时和vjmax时，IGBT功率的二极管动态特性应包括表3中的项目，二极管动态特性的

具体指标应符合产品规格书的要求。

3

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表3二极管动态特性

数值

序号项目名称符号单位

最小值典型值最大值

1二极管反向恢复电荷QrruC√

2二极管反向恢复电流IrrA√

3反向恢复损耗ErecmJ√

4IGBT结-壳热阻RthJCIGBTK/W√

5二极管结-壳热阻RthJCdiodeK/W√

6IGBT壳－散热器热阻RthCHIGBTK/W√

7二极管壳－散热器热阻RthCHdiodeK/W√

8质量mg√

9安装力矩MN·m√√

10端子之间爬电距离--√

11相比电痕化指数CTI-√

注：“√”表示需要提供。

6.5.3IGBT动态特性

TT

vj=25℃时和vjmax时，IGBT功率的动态特性应包括表4中的项目，IGBT动态特性的具体指标

应符合产品规格书的要求。

表4IGBT动态特性

数值

序号项目名称符号单位

最小值典型值最大值

1关断延迟时间td（off）ns√

2下降时间tfns√

4

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表4IGBT动态特性（续）

3关断耗损能量EoffmJ√

4开通延迟时间td（on）ns√

5上升时间trns√

6开通能量EonmJ√

注：“√”表示需要提供。

6.6可焊性

应符合GB/T4937.21的规定。

6.7有害物质限量

应符合GB/T26572的规定。

6.8环境试验

应符合QC/T1136的规定。

7试验方法

7.1试验环境

除另有规定外，产品的试验应在以下条件中进行：

a)环境温度：25℃；

b)环境湿度：45％～75％；

c)大气压力：86kPa～106kPa；

d)海拔：不超过1000m。

7.2外观试验

目测。

7.3结构

目视及手动操作检查。

7.4尺寸试验

使用卡尺或千分尺进行。

7.5电气特性

7.5.1静态特性

5

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7.5.1.1集电极-发射极饱和电压

按GB/T29332的6.3.2的规定进行。

7.5.1.2栅极－发射极阈值电压

按照GB/T29332的6.3.3的规定进行。

7.5.1.3集电极-发射极截止电流

按GB/T29332的6.3.4的规定进行。

7.5.1.4栅极-发射极漏电流

按GB/T29332的6.3.5的规定进行。

7.5.1.5内部栅极电阻

按GB/T29332的6.3.10的规定进行。

7.5.1.6输入电容

按GB/T29332的6.3.6的规定进行。

7.5.1.7输出电容

按GB/T29332的6.3.7的规定进行。

7.5.1.8反向传输电容

按GB/T29332的6.3.8的规定进行。

7.5.1.9栅级电荷

按GB/T29332的6.3.9的规定进行。

7.5.2二极管动态特性

7.5.2.1反向恢复峰值电流

按GB/T4023的7.1.4.3的规定进行。

7.5.2.2反向恢复损耗（每脉冲）

采用双脉冲测试，按二极管的反向恢复电流乘以反向电压即二极管的瞬时功率，再在反向恢复时间

内对二极管的瞬时功率积分得到二极管的反向恢复损耗。

7.5.2.3恢复电荷

按GB/T4023的7.1.5的规定进行。

7.5.2.4结-壳热阻（二极管）

按GB/T4023Ⅳ.2.2的规定进行。

7.5.2.5结-壳热阻（IGBT型）

6

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按照GB/T29332的6.3.13的规定进行。

7.5.2.6正向电压

按GB/T4023Ⅳ.1.2的规定进行。

7.5.3IGBT动态特性

7.5.3.1关断延迟时间

按GB/T29332的6.3.12的规定进行。

7.5.3.2下降时间

按GB/T29332的6.3.12的规定进行。

7.5.3.3关断损耗能量（每脉冲）

按GB/T29332的6.3.12的规定进行。

7.5.3.4开通延迟时间

按GB/T29332的6.3.11的规定进行。

7.5.3.5上升时间

按GB/T29332的6.3.11的规定进行。

7.5.3.6开通能量

按GB/T29332的6.3.11的规定进行。

7.6可焊性

按GB/T4937.21的规定进行。

7.7有毒有害物质限量

按GB/T26572的规定进行。

7.8环境试验

按QC/T1136的规定进行。

8检验规则

8.1检验分类

绝缘栅双极型晶体管的检验分为出厂检验和型式检验。

8.2出厂检验

8.2.1组批

以同一工艺、同一原辅材料生产的同一规格产品为一组批。

7

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8.2.2抽样规则

出厂检验应进行全数检验。因批量大，进行全数检验有困难的可实行抽样检验。抽样检验方法依据

GB/T2828.1中规定，采用正常检验，一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ，质量接受限（AQL）为6.5，

其样本量及判定数值按表5进行。

表5出厂检验抽样方案

本批次产品总数样本量接受数（Ac）拒收数（Re)

26～50812

51～901323

91～1502034

151～2803256

281～5005078

501～1200801011

1201～32001251415

注：26件以下为全数检验。

8.2.3检验项目

出厂检验的项目为绝缘栅双极型晶体管的外观、结构、尺寸。若有不合格的项目，应进行返修，直

至合格为止，若返修检验后仍不合格，应进行报废处置。

8.3型式检验

8.3.1型式检验的项目为第6章所有项目。

8.3.2提交型式检验的设备必须是经生产厂质量检验部门检验合格的产品。

8.3.3有下列情况时，应进行型式检验：

a)新产品或老产品转厂生产的试制定型鉴定；

b)正式生产后，如结构、材料、工艺有较大转变，可能影响产品性能时；

c)正常生产时应每半年进行一次检验；

d)产品停产一年后，恢复生产时；

e)合同规定进行型式检验时；

f)质量监督检验机构提出进行型式检验要求时。

8.4批量

用同一批原材料在相同生产工艺和设备条件下连续制造的产品视为同批量。

8.5判定规则

8.5.1性能均符合本文件规定时，则判定该批产品合格。其中任一项不合格，则判定该批产品为不合

格。

8.5.2顾客对产品有特殊要求的，按顾客要求进行（组批、检验和判定）。

8.6复验规则

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检验结果不符合要求时，则应取留作复验的输送机样品进行重复试验，如果复验结果仍不符合要求

时，则该批设备应报废或降级使用。

9标志、包装、运输和贮存

9.1标志

9.1.1产品标志

产品应标有以下标志：

a)产品名称；

b)产品型号；

c)电极端（子）识别标志；

d)商标；

e)生产单位；

f)生产日期；

g)安全标志。

9.1.2包装标志

产品包装箱上应有以下标志：

a)生产单位；

b)商标；

c)产品名称；

d)产品型号；

e)执行标准号；

f)“防潮”“防雨”“小心轻放”等装储运图示标志。

9.2包装

9.2.1产品应采用合适的包装，应有足够的强度和刚度，保证产品在贮存和运输时不受损坏。

9.2.2包装箱内应装有产品使用说明书和产品合格证。

9.3运输

产品在运输过程中应轻拿轻放，防止剧烈冲击、振动、阳光曝晒和雨淋。不得与挥发性溶剂及腐蚀

性物品混运。

9.4贮存

9.4.1产品应贮存通风良好的库房内，贮存时应严防受潮及日晒。

9.4.2产品的堆码高度不应过高，严禁与有毒、易燃、易爆及易挥发物品混放在同一仓库。

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《新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范》

团体标准编制说明

标准起草组

2024年7月

1

一、工作简况

（一）任务来源

根据2020年全国标准化工作要点，大力推动实施标准化战略，持续

深化标准化工作改革，加强标准体系建设，提升引领高质量发展的能力。

依据《中华人民标准化法》，以及《团体标准管理规定（试行）》相关规

定，深圳市电子商会、广东奥特半导体有限公司、深圳辰达半导体有限公

司、深圳市美林美深科技有限责任公司等计划立项并联合共同制定《新能

源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范》团体标准。于2024年4

月，深圳市电子商会发布《新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术

规范》团体标准立项通知，正式立项，本文件由深圳市电子商会归口。

（二）编制背景及目的

随着全球能源战略的转变和油耗政策的收紧，电动汽车作为新能源汽

车的代表，其市场需求日益增长。据发改委的调查数据，近年来电动汽车

的产销量显著增加，中国市场更是全球最大的电动汽车市场之一。电动汽

车的普及推动了电机控制器等关键部件的需求增长，而IGBT作为电机控

制器的核心部件，其重要性日益凸显。因此，制定标准化的技术规范成为

行业发展的迫切需求。

IGBT作为新能源汽车电机驱动系统的核心部件，其性能直接影响汽

车的动力性、经济性和可靠性。发展IGBT技术旨在提高新能源汽车的整

体性能。长期以来，IGBT市场被少数国际大厂所垄断，导致价格居高不

—2—

下。发展国内IGBT产业可以降低新能源汽车的制造成本，推动产业的快

速发展。IGBT作为能源变换与传输的核心器件，具有高耐压、大通路电

流、低导通阻抗、不消耗驱动电流等优点，非常适合大功率驱动场景。在

新能源汽车领域，IGBT的应用能够显著提升整车的能源效率和性能。推

动国内企业在IGBT模块领域的技术研发和创新，提升产品的性能和竞争

力。同时，通过与国际标准的接轨，促进国内企业与国际领先企业的技术

交流与合作。

新能源汽车的普及将减少对传统能源的依赖，促进能源结构的优化和

调整。IGBT作为新能源汽车的关键技术之一，其发展对于推动能源结构

调整具有重要意义。IGBT产业的发展将带动上下游相关产业的发展，包

括原材料供应、设备制造、封装测试等环节。这将形成一个完整的产业链

和生态系统，为经济发展注入新的动力。

（三）编制过程

1、项目立项阶段

标准工作组根据标准制修订计划和团体标准制修订要求，就半导体器

件行业进行了深入的调查研究，同时广泛搜集相关标准和国外技术资料，

进行了大量的研究分析、资料查证工作，确定了标准的制定原则，结合现

有实际应用经验，为标准的起草奠定了基础，也由此确定了标准框架和标

准主要内容，形成标准草案，并向深圳市电子商会标评委提交立项申请。

2、项目申报阶段

—3—

2023年4月15日，深圳市电子商会标评委召开标准立项评审会，评

审专家组认真听取了标准工作组的立项汇报，对团体标准的立项必要性、

适用范围、主要技术内容和国内外情况等进行了质询与讨论，一致同意该

标准立项。并于2024年4月26日，深圳市电子商会发布《新能源车用绝

缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范》团体标准立项公告。

3、标准征求意见阶段

形成标准草案稿之后，起草组召开了多次专家研讨会，从标准框架、

标准起草等角度广泛征求包括向行业协会、专家学者等意见，从理论完善

和实践应用方面提升标准的适用性和实用性。经过理论研究和方法验证修

改完善草案，形成了《新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范》

（征求意见稿）。

（四）主要起草单位及起草人所做的工作

本文件主要起草单位：深圳市电子商会、广东奥特半导体有限公司、

深圳辰达半导体有限公司、深圳市美林美深科技有限责任公司。

起草人所做的工作：

（1）资料收集：收集相关资料、文件和信息，以便于在起草过程中

进行参考和引用。

（2）标准起草：根据问题分析和资料收集，开始编写草稿，初步表

达出工作的内容和思路。整理草稿内容，进行合理的编排和组织，确保逻

辑清晰、条理分明。

—4—

（3）组织研讨会议：组织标准研讨会，对标准内容进行讨论。

（4）标准修改：根据研讨会议反馈问题，对草稿进行修改，确保表

达准确、通顺，同时避免语法错误和格式问题。

二、标准编制原则和主要内容

（一）标准制定原则

《新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范》的制订工作以

自主编写的方式完成，按照GB/T1.1-2020进行编写。本文件在制定过程

中遵循以下原则：

1、编制内容系统、科学、经济、适用。结合新能源车用绝缘栅双极型晶

体管（IGBT）技术规范客观生产实际，既要反映近年来新能源车用绝缘栅

双极型晶体管（IGBT）技术规范成熟的技术成果与积累的经验。同时，也

应满足经济性、可持续发展性的要求。

2、制订相关工作目标要明确、计划合理。聚焦新能源车用绝缘栅双极型

晶体管（IGBT）技术规范现场，重点把握各项指标数据情况。规范编制过

程工作进度安排合理，保证需求调研、资料收集、规范编制的质量。

3、与相关规范、标准相协调。与国家标准和行业有关标准协调一致。

（二）标准主要技术内容

本文件规定了新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的术语和定义、

符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮

存等主要技术内容。

主要技术内容如下：

—5—

1.范围

2.规范性引用文件

3.术语和定义

对新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范相关术语进行了

明确的定义，并对相关的术语进行了解释，以方便标准的理解和应用。

4.符号

对新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的符号界定做出要求。

5.极限值

对新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的极限值明确的介绍，以

方便标准的理解和应用。

6.技术要求

从新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的外观、尺寸、结构、电

气性能、可焊性、有毒有害物质限量等方面对新能源车用绝缘栅双极型晶

体管（IGBT）技术规范提出了具体要求。

7.试验方法

明确新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的外观、尺寸、结构、

电气性能、可焊性、有毒有害物质限量等方面的试验方法。

8.检验规则

明确产品的检验规则和判定标准。包括合格判定、不合格判定等方面

的要求以确保结果的准确性和稳定性。

—6—

9.标志、运输及贮存

新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）产品应设置必要的标志标识；

包装应满足对产品的保护性，避免外界因素对产品造成破坏；在运输过程

中，应确保产品的完整性；应规范产品贮存条件，以确保产品质量。

三、主要评价指标体系及试验（或验证）情况

本文件不涉及试验（或验证）。

四、标准中涉及专利的情况

本文件不涉及专利。

五、预期达到的效益（经济、效益、生态等），对产业发展的作用的情

况

随着IGBT技术的不断成熟和产量的增加，其生产成本有望逐渐降低，

进而降低新能源汽车的制造成本，提高市场竞争力。IGBT的研发和应用

促进了新能源汽车产业链的升级，推动了上下游企业的协同发展，形成了

更加完善的产业链体系。IGBT作为电力转换与传输的核心器件，在新能

源汽车中能够显著提高能源利用效率，减少能源消耗和排放，有助于实现

国家碳中和目标。带动了相关产业的就业增长，包括研发、生产、销售等

多个环节，为社会提供了更多的就业机会。有助于打破国外技术垄断，提

升我国新能源汽车产业的国际竞争力。

IGBT技术的不断突破和创新，引领了新能源汽车产业的发展方向，

推动了产业的技术进步和转型升级。新能源汽车市场的快速增长为IGBT

—7—

产业提供了广阔的发展空间和市场需求，推动了产业的快速发展和壮大。

国家出台了一系列政策措施，鼓励和支持IGBT等功率半导体器件的研发

和应用，为产业发展提供了有力的政策保障和支持。

六、与国内、国外对比情况

在国内，近年来，中国在新能源汽车用IGBT的标准化方面取得了显

著进展。但IGBT标准制定时间相对较晚，近年来随着新能源汽车产业的

快速发展，标准的制定和修订工作也在加速推进。目前国内的IGBT标准

化主要集中在电动汽车领域，尚未全面覆盖其他应用领域（如轨道交通、

智能电网等）。随着国内新能源汽车产业的快速发展，国内制定的IGBT

标准