电子技术基础项目化教程项目二习题与提高参考答案

电子技术基础项目化教程项目二习题与提高参考答案一、填空题1.晶体管放大电路分为共射、共集、共基三种基本接法。2.三极管放大电路的输入端称为基极，输出端称为集电极。3.晶体管放大电路中，电流放大系数β表示晶体管放大电路的放大能力。4.晶体管放大电路的电压放大倍数A_v表示输出电压与输入电压的比值。5.晶体管放大电路的功率放大倍数A_p表示输出功率与输入功率的比值。6.晶体管放大电路中的截止区是指晶体管处于截止状态的区域。7.晶体管放大电路中的放大区是指晶体管处于放大状态的区域。8.晶体管放大电路中的饱和区是指晶体管处于饱和状态的区域。9.晶体管放大电路中的温度补偿是指通过改变电路参数来抵消温度对电路性能的影响。10.晶体管放大电路中的偏置电路是指为晶体管提供合适偏置电流和电压的电路。二、选择题1.下列哪种接法能使晶体管放大电路具有最高的电压放大倍数？（）A.共射接法B.共集接法C.共基接法D.共射-共基接法2.晶体管放大电路中的截止区是指晶体管处于什么状态？（）A.导通状态B.截止状态C.放大状态D.饱和状态3.晶体管放大电路中的放大区是指晶体管处于什么状态？（）A.导通状态B.截止状态C.放大状态D.饱和状态4.晶体管放大电路中的饱和区是指晶体管处于什么状态？（）A.导通状态B.截止状态C.放大状态D.饱和状态5.晶体管放大电路中的偏置电路的作用是什么？（）A.提供晶体管所需的偏置电流B.提供晶体管所需的偏置电压C.提供晶体管所需的偏置电流和电压D.提高晶体管的放大倍数三、判断题1.晶体管放大电路的放大倍数与晶体管的β值成正比。（）2.晶体管放大电路的放大倍数与晶体管的VBE值成正比。（）3.晶体管放大电路的放大倍数与晶体管的VCE值成正比。（）4.晶体管放大电路的放大倍数与晶体管的温度无关。（）5.晶体管放大电路的放大倍数与晶体管的偏置电路无关。（）四、简答题1.简述晶体管放大电路的基本接法及其特点。答：晶体管放大电路的基本接法有共射、共集、共基三种。共射接法具有输入阻抗高、输出阻抗低、电压放大倍数高的特点；共集接法具有输入阻抗高、输出阻抗高、电压放大倍数低的特点；共基接法具有输入阻抗低、输出阻抗低、电压放大倍数高的特点。2.简述晶体管放大电路中的截止区、放大区和饱和区的特点。答：截止区是指晶体管处于截止状态的区域，此时晶体管不导电，无电流输出；放大区是指晶体管处于放大状态的区域，此时晶体管导电，有电流输出，电压放大倍数较高；饱和区是指晶体管处于饱和状态的区域，此时晶体管导电，但电流输出不再随输入电压增大而增大，电压放大倍数较低。3.简述晶体管放大电路中的偏置电路的作用。答：晶体管放大电路中的偏置电路的作用是为晶体管提供合适的偏置电流和电压，使晶体管工作在放大区，从而实现放大功能。五、计算题1.已知晶体管放大电路中，VBE=0.7V，IB=0.5mA，β=100，求VCE、IC、A_v。答：VCE=VCC-βVBE=12V-100×0.7V=5.3V；IC=βIB=100×0.5mA=50mA；A_v=β=100。2.已知晶体管放大电路中，VCC=12V，RB=1kΩ，RC=2kΩ，β=100，求VBE、IB、IC、A_v。答：VBE=VCC-βVBE=12V-100×0.7V=4.3V；IB=VCC/RB=12V/1kΩ=12mA；IC=βIB=100×12mA=1200mA；A_v=β=100。六、提高题1.分析晶体管放大电路中，输入信号频率对放大倍数的影响。答：晶体管放大电路中，输入信号频率对放大倍数的影响主要表现在频率失真。当输入信号频率过高时，晶体管放大电路的放大倍数会下降，甚至产生相位失真和幅度失真。为了提高放大电路的频率响应，可以采用以下方法：（1）选择合适的晶体管，提高晶体管的频率响应；（2）采用适当的偏置电路，使晶体管工作在放大区；（3）采用适当的耦合电容和旁路电容，减小频率失真。2.分析晶体管放大电路中，温度对放大倍数的影响。答：晶体管放大电路中，温度对放大倍数的影响主要表现在晶体管的β值和VBE值的变化。当温度升高时，晶体管的β值会减小，VBE值会增大，从而导致放大倍数下降。为了减小温度对放大倍数的影响，可以采用以下方法：（1）采用温度补偿电路，如热敏电阻、二极管等；（2）采用