2025福建省晋华集成电路有限公司校园招聘笔试历年常考点试题专练附带答案详解试卷2套

2025福建省晋华集成电路有限公司校园招聘笔试历年常考点试题专练附带答案详解（第1套）一、单项选择题下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共30题）1、在CMOS电路中，下列关于功耗的描述正确的是哪一项？A.动态功耗主要由漏电流引起B.静态功耗在时钟频率为零时为零C.动态功耗与电源电压的平方成正比D.提高阈值电压可降低动态功耗2、在数字逻辑设计中，使用卡诺图化简逻辑函数的主要目的是什么？A.提高电路的运行速度B.减少逻辑门的输入端数量C.降低电路的功耗D.得到最简的与或表达式3、下列哪种存储器属于易失性存储器？A.FlashB.EEPROMC.SRAMD.PROM4、在VerilogHDL中，以下哪个关键字用于描述可综合的组合逻辑？A.always@(posedgeclk)B.initialC.always@(*)D.task5、若某ADC的分辨率为10位，参考电压为3.3V，则其最小分辨电压约为多少？A.3.22mVB.6.45mVC.1.61mVD.12.90mV6、在CMOS工艺中，P型衬底通常用于制作哪种类型的晶体管？A．仅N-MOSFET

B．仅P-MOSFET

C．N-MOSFET和P-MOSFET

D．双极型晶体管7、某数字系统时钟频率为50MHz，其时钟周期是多少纳秒？A．10ns

B．20ns

C．50ns

D．100ns8、在VerilogHDL中，下列哪种赋值语句用于描述组合逻辑？A．非阻塞赋值（<=）

B．阻塞赋值（=）

C．初始赋值（initial）

D．连续赋值（assign）9、若某SRAM单元由6个晶体管构成，其基本结构包含什么？A．两个交叉耦合反相器和两个访问管

B．一个电容和一个晶体管

C．三个D触发器

D．两个锁存器和一个译码器10、在半导体物理中，禁带宽度最大的材料是？A．硅（Si）

B．锗（Ge）

C．砷化镓（GaAs）

D．二氧化硅（SiO₂）11、在CMOS工艺中，下列关于N阱的描述正确的是哪一项？A.N阱用于制作PMOS晶体管的衬底B.N阱通常形成在P型衬底上C.N阱中掺杂的杂质为硼元素D.N阱的电位通常低于P型衬底12、某理想运算放大器构成的反相比例放大电路中，输入电阻为10kΩ，反馈电阻为100kΩ，则电压增益为？A.-10B.-11C.10D.1113、在VerilogHDL中，下列哪种结构可用于描述时序逻辑？A.always@(aorb)B.assignout=a&b;C.always@(posedgeclk)D.initialbegin...end14、若某SRAM存储器芯片的容量为8K×8位，则其地址线和数据线的数量分别为？A.13根地址线，8根数据线B.12根地址线，8根数据线C.13根地址线，16根数据线D.11根地址线，1根数据线15、在数字电路中，消除开关抖动的常用方法是？A.增加放大器增益B.使用施密特触发器C.采用低通滤波或RC延时电路D.提高电源电压16、在CMOS工艺中，下列哪一项是降低静态功耗的最有效方法？A.提高电源电压B.降低阈值电压C.采用高k介质材料D.增加晶体管尺寸17、某数字系统时钟频率为200MHz，若其时钟周期的50%用于建立时间与保持时间余量，则最大允许的组合逻辑延迟为多少？A.1nsB.2nsC.2.5nsD.5ns18、下列哪种存储器属于易失性存储器？A.FlashB.EEPROMC.DRAMD.PROM19、在VerilogHDL中，下列关键字用于描述可综合时序逻辑的是？A.assignB.initialC.always@(posedgeclk)D.deka20、在半导体物理中，载流子迁移率主要受以下哪种因素影响最大？A.掺杂浓度B.晶体结构C.温度D.电场强度21、在CMOS工艺中，P型衬底通常用于制作哪种类型的MOS管？A．仅NMOS

B．仅PMOS

C．NMOS和PMOS均可

D．与MOS管类型无关22、某数字系统中采用8位二进制补码表示整数，则-128的补码表示是？A．10000000

B．01111111

C．11111111

D．1000000123、在模拟集成电路设计中，差分放大器共模抑制比（CMRR）主要反映的是？A．放大差模信号的能力

B．抑制共模信号的能力

C．输入阻抗的大小

D．输出摆幅的范围24、下列哪种存储器属于易失性存储器？A．Flash

B．EEPROM

C．DRAM

D．ROM25、在VerilogHDL中，用于描述组合逻辑的常用过程块是？A．always@(posedgeclk)

B．always@(*)

C．initial

D．task26、在CMOS工艺中，下列关于P型衬底的描述正确的是哪一个？A．P型衬底掺杂的主要杂质是磷

B．P型衬底中多数载流子是空穴

C．P型衬底通常用于构建NMOS晶体管的源极

D．P型衬底的导电性能随温度降低而增强27、在数字逻辑电路中，下列哪种逻辑门可以实现“输入全为1时输出为0，其余情况输出为1”？A．与门

B．或门

C．与非门

D．异或门28、在集成电路版图设计中，金属层之间通常通过什么结构实现垂直互连？A．栅极

B．源极

C．漏极

D．通孔29、某SRAM单元由6个MOS管组成，其基本结构包含什么？A．两个交叉耦合的反相器和两个访问管

B．一个触发器和四个控制开关

C．三个与非门和三个电阻负载

D．两个电容和一个传输门30、在信号完整性分析中，下列哪项是导致串扰（Crosstalk）的主要原因？A．电源电压波动

B．相邻信号线之间的电磁耦合

C．接地电阻过大

D．时钟频率过低二、多项选择题下列各题有多个正确答案，请选出所有正确选项（共15题）31、在CMOS工艺中，下列关于NMOS和PMOS晶体管特性的描述，正确的有：A.NMOS管的载流子为电子，迁移率高于PMOS中的空穴B.PMOS管通常比NMOS管具有更短的沟道长度C.在相同尺寸和偏置条件下，NMOS的驱动电流一般大于PMOSD.PMOS管在栅极加低电平时导通32、下列关于数字电路中时序逻辑电路的描述，正确的有：A.触发器属于基本的时序逻辑单元B.组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，不含记忆功能C.同步时序电路中所有触发器共用同一个时钟信号D.异步复位信号不受时钟控制，可随时将状态清零33、在集成电路版图设计中，以下哪些做法有助于提升电路的可靠性？A.增加金属走线宽度以降低电迁移风险B.采用保护环（guardring）抑制latch-up效应C.尽量使敏感信号线平行长距离布线D.在电源和地之间添加去耦电容34、关于半导体材料的能带结构，下列说法正确的有：A.硅的禁带宽度小于锗B.本征半导体中电子浓度等于空穴浓度C.掺杂后费米能级会向导带或价带方向移动D.宽禁带材料更适合高温工作环境35、在集成电路制造流程中，光刻工艺的关键参数包括：A.分辨率B.焦深C.掺杂浓度D.套刻精度36、在CMOS工艺中，以下关于NMOS和PMOS晶体管特性的描述，正确的是哪些？A.NMOS管载流子为电子，迁移率高于PMOS中的空穴B.PMOS管通常制作在N型衬底上C.NMOS管阈值电压一般为正值，PMOS为负值D.在相同尺寸和偏置条件下，NMOS的驱动电流通常大于PMOS37、下列关于数字电路中时序逻辑设计的说法，正确的是哪些？A.触发器的建立时间是指数据在时钟边沿到来前必须稳定的时间B.保持时间不足可能导致亚稳态C.时钟偏移（clockskew）总是降低电路性能D.同步复位依赖于时钟信号，异步复位可随时生效38、关于半导体能带结构，以下说法正确的是哪些？A.禁带宽度越大，材料越倾向于绝缘体B.本征半导体中电子浓度等于空穴浓度C.掺杂后费米能级始终位于禁带中央D.硅的禁带宽度小于砷化镓39、在集成电路版图设计中，以下哪些做法有助于提升电路可靠性？A.增加电源线宽度以减小IR压降B.采用蛇形走线匹配信号延迟C.在长金属线上插入缓冲器D.将敏感模拟电路远离高频数字模块40、关于MOSFET的小尺寸效应，以下描述正确的是哪些？A.短沟道效应会导致阈值电压下降B.漏致势垒降低（DIBL）会使关态电流增大C.载流子速度饱和会提高器件跨导D.栅极漏电流随氧化层减薄而减小41、在CMOS工艺中，下列关于阱结构的描述正确的是哪些？A.NMOS管通常制作在P型衬底的N阱中B.PMOS管通常制作在N型衬底的P阱中C.双阱工艺可有效防止latch-up现象D.阱结构用于隔离不同类型的MOS器件42、下列关于数字电路中时序逻辑电路的说法，正确的是哪些？A.触发器是构成时序逻辑电路的基本单元B.时序电路的输出仅取决于当前输入C.同步时序电路使用统一的时钟信号D.计数器属于典型的时序逻辑电路43、在半导体物理中，关于载流子迁移率的影响因素，下列说法正确的是哪些？A.温度升高通常导致迁移率下降B.晶格缺陷会降低载流子迁移率C.掺杂浓度越高，迁移率越高D.电场强度增大可能引起迁移率饱和44、下列关于集成电路版图设计规则的描述，正确的是哪些？A.设计规则是版图与工艺之间的桥梁B.最小线宽由光刻工艺决定C.金属层与多晶硅层之间必须通过接触孔连接D.守护环（GuardRing）用于提高电路速度45、关于静态随机存储器（SRAM）单元结构，下列说法正确的是哪些？A.典型6TSRAM由两个反相器交叉耦合构成B.写操作时需克服反相器的反馈以改变状态C.每个存储单元包含一个电容用于存储电荷D.位线通常成对出现以提高读取稳定性三、判断题判断下列说法是否正确（共10题）46、在CMOS工艺中，NMOS和PMOS晶体管通常构建在同一衬底上，且NMOS一般做在P型衬底上。A.正确B.错误47、在数字电路中，组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，与电路的历史状态无关。A.正确B.错误48、在半导体材料中，掺杂浓度越高，其电阻率通常越低。A.正确B.错误49、在集成电路版图设计中，金属走线可以跨过有源区而无需考虑电气隔离。A.正确B.错误50、时钟信号的上升沿和下降沿均可用于触发同步时序电路中的状态更新。A.正确B.错误51、在CMOS工艺中，NMOS和PMOS晶体管通常构建在同一衬底上，其中PMOS一般位于N型阱中。A.正确B.错误52、在数字电路中，组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，与电路的历史状态无关。A.正确B.错误53、在半导体材料中，掺杂浓度越高，载流子迁移率通常也随之提高。A.正确B.错误54、在集成电路版图设计中，金属走线交叉时必须通过通孔（via）连接，不能直接相交导通。A.正确B.错误55、在ADC（模数转换器）中，分辨率越高，量化误差越小。A.正确B.错误

参考答案及解析1.【参考答案】C【解析】CMOS电路的动态功耗主要由充放电电容引起，计算公式为\(P=\frac{1}{2}CV_{dd}^2f\)，可见其与电源电压的平方成正比。静态功耗主要由亚阈值漏电和栅极漏电造成，即使频率为零也存在。漏电流影响的是静态功耗，而非动态功耗。提高阈值电压可降低漏电，从而减少静态功耗，但对动态功耗无直接影响。因此C项正确。2.【参考答案】D【解析】卡诺图是一种图形化工具，用于化简布尔表达式，其核心目的是消除冗余项，得到最简的与或表达式，从而减少逻辑门数量。虽然简化后可能间接降低功耗或提升速度，但主要目标是逻辑优化。输入端数量的减少并非直接目的。因此D项最准确反映其设计初衷。3.【参考答案】C【解析】易失性存储器在断电后会丢失数据。SRAM（静态随机存取存储器）属于典型的易失性存储器，常用于高速缓存。而Flash、EEPROM和PROM均为非易失性存储器，断电后数据仍可保留。SRAM依靠锁存器存储数据，需持续供电维持状态，因此C项正确。4.【参考答案】C【解析】Verilog中，`always@(*)`表示敏感列表包含所有输入信号，常用于描述组合逻辑，且可被综合器正确识别。`always@(posedgeclk)`用于时序逻辑。`initial`仅用于仿真初始化，不可综合。`task`用于功能封装，不一定可综合。因此C项是描述可综合组合逻辑的标准写法。5.【参考答案】A【解析】ADC的最小分辨电压（LSB）计算公式为\(V_{ref}/2^n\)，其中n为位数。代入得\(3.3/1024≈0.00322\,\text{V}=3.22\,\text{mV}\)。10位ADC有1024个量化级，故每级电压差约为3.22mV。其他选项为计算错误结果，A项正确。6.【参考答案】A【解析】在标准CMOS工艺中，P型衬底用于构建N-MOSFET，而P-MOSFET则制作在N型阱（N-well）中。由于P型衬底本身可作为N-MOSFET的基底，电子为多数载流子，适合N沟道器件。P-MOSFET需要在局部形成的N阱内制造，以确保反型空穴导电。因此，P型衬底直接用于N-MOSFET，而非P-MOSFET。选项A正确。7.【参考答案】B【解析】时钟周期T与频率f的关系为T=1/f。将50MHz换算为5×10⁷Hz，计算得T=1/(5×10⁷)=2×10⁻⁸秒，即20纳秒。该计算是数字电路中的基础知识点，常用于时序分析与同步设计。因此正确答案为B。8.【参考答案】D【解析】Verilog中，连续赋值（assign）用于描述组合逻辑，通常作用于wire类型信号，表达式实时更新。阻塞赋值用于过程块中的组合逻辑建模，但assign是最直接、标准的方式。非阻塞赋值用于时序逻辑。initial用于初始化，不综合。因此，D为最准确选项。9.【参考答案】A【解析】6TSRAM单元由两个交叉耦合的反相器构成存储双稳态结构，形成一个锁存器，用于保存一位数据。另外两个访问晶体管（传输门）由字线控制，连接到位线，实现读写操作。其余4个晶体管为负载与驱动管。该结构稳定、速度快，是标准SRAM设计。B为DRAM结构，C、D不符合基本单元定义。10.【参考答案】D【解析】禁带宽度指价带与导带之间的能量差。硅约为1.12eV，锗为0.67eV，砷化镓为1.43eV，而二氧化硅作为绝缘体，禁带宽度高达约9eV。因此SiO₂禁带最宽，常用于栅介质隔离。该知识点涉及材料电学特性，D为正确选项。11.【参考答案】B【解析】在标准CMOS工艺中，N阱是在P型衬底上制作的，用于容纳PMOS晶体管。N阱通过离子注入磷或砷等N型杂质形成，其掺杂类型为N型，电位通常接电源正极（VDD），高于P型衬底的接地电位。选项A错误，因PMOS制作在N阱中，但N阱并非其“衬底”而是隔离区域；C错误，N阱掺杂为N型杂质，非硼（硼为P型掺杂）；D错误，N阱通常接高电位。故正确答案为B。12.【参考答案】A【解析】反相比例放大电路的电压增益公式为：Av=-Rf/Rin。其中Rf为反馈电阻，Rin为输入电阻。代入数据得：Av=-100kΩ/10kΩ=-10。负号表示输出与输入反相。选项B的-11为误用同相放大公式（1+Rf/Rin）所致，C、D符号错误。因此正确答案为A。13.【参考答案】C【解析】Verilog中，时序逻辑通过时钟边沿触发的always块描述，典型写法为always@(posedgeclk)，在时钟上升沿触发状态更新，用于描述寄存器、计数器等。A选项为组合逻辑敏感列表，描述电平触发组合电路；B为连续赋值，用于组合逻辑；D的initial块仅在仿真开始时执行一次，不综合为硬件。因此，只有C可用于描述可综合的时序逻辑电路，答案为C。14.【参考答案】A【解析】容量8K表示8×1024=8192个存储单元。2^13=8192，故需13根地址线寻址。每个单元为8位，即一次读写8位数据，因此数据线为8根。选项B中12根地址线仅能寻址4K单元，不足；C数据线错误；D容量不符。因此正确答案为A。15.【参考答案】C【解析】机械开关在闭合或断开瞬间会产生多次快速抖动，导致数字系统误判。常用硬件方法是通过RC电路对信号进行延时滤波，配合比较器或触发器，使信号在稳定后再被读取。施密特触发器虽具抗干扰能力，但单独使用不足以完全消除抖动，常与RC电路配合。选项A、D与抖动无关。最直接有效的方法是低通滤波或RC延时，故答案为C。16.【参考答案】C【解析】在CMOS电路中，静态功耗主要来源于亚阈值漏电流和栅极漏电流。采用高k介质材料可有效增加栅介质的等效氧化物厚度，减少栅极漏电流，从而显著降低静态功耗。提高电源电压会增加功耗，降低阈值电压会加剧漏电，增加晶体管尺寸可能增大寄生电容，均不利于静态功耗控制。因此，高k介质材料是先进工艺节点中抑制漏电的关键技术。17.【参考答案】C【解析】时钟周期=1/200MHz=5ns。50%用于时序余量，则可用时间为5ns×50%=2.5ns，即最大组合逻辑延迟为2.5ns。建立时间和保持时间需在该周期内满足，否则将引发时序违例。此题考查对时钟周期与时序路径的理解。18.【参考答案】C【解析】DRAM（动态随机存取存储器）需要周期性刷新以维持数据，断电后数据丢失，属于易失性存储器。Flash、EEPROM和PROM均为非易失性存储器，常用于长期数据存储。DRAM广泛应用于主存系统，其高密度和低成本优势明显，但功耗和刷新机制是设计中的关键考量。19.【参考答案】C【解析】“always@(posedgeclk)”用于描述在时钟上升沿触发的时序逻辑，是可综合的典型结构，常用于寄存器、状态机等设计。assign用于连续赋值，适用于组合逻辑；initial仅用于仿真初始化，不可综合；deka不是合法关键字。掌握可综合性是数字前端设计的基础。20.【参考答案】A【解析】掺杂浓度升高会增加载流子散射，显著降低迁移率。温度升高也加剧晶格振动，降低迁移率，但掺杂影响更为直接和显著。高掺杂区常出现迁移率下降现象，影响器件速度与导通电阻。在CMOS工艺优化中，需平衡掺杂分布与迁移率性能。21.【参考答案】A【解析】在标准CMOS工艺中，P型衬底用于构建NMOS晶体管的源、漏区，而PMOS则制作在N型阱中。由于P型衬底本身具备导电类型，直接在上面扩散N+区即可形成NMOS结构，而PMOS必须先在P型衬底上形成N阱，再在其中制作PMOS。因此，P型衬底主要用于制作NMOS管，故选A。22.【参考答案】A【解析】8位补码表示范围为-128到+127。-128是补码能表示的最小值，其编码为10000000。正数128超出8位无符号范围，但在补码中，最高位为符号位，10000000特指-128，无需通过取反加一计算。其他选项：B为127，C为-1，D为-127，均不符合，故选A。23.【参考答案】B【解析】CMRR（Common-ModeRejectionRatio）定义为差模增益与共模增益之比，用于衡量差分放大器抑制共模信号（如噪声、干扰）的能力。CMRR越高，说明电路对共模信号的抑制越强，输出越稳定。它不直接反映差模增益、输入阻抗或输出摆幅，故正确答案为B。24.【参考答案】C【解析】易失性存储器指断电后数据丢失的存储器。DRAM（动态随机存取存储器）需要周期性刷新以维持数据，断电后信息立即丢失，属于典型的易失性存储器。而Flash、EEPROM和ROM均为非易失性存储器，用于长期存储数据。因此正确答案为C。25.【参考答案】B【解析】在Verilog中，always@(*)自动敏感所有输入信号，适用于描述组合逻辑电路，避免遗漏敏感信号。always@(posedgeclk)用于时序逻辑；initial块仅在仿真开始时执行一次；task用于封装可重用代码。组合逻辑要求输出随输入即时变化，故应使用always@(*)，答案为B。26.【参考答案】B【解析】P型半导体通过掺入三价元素（如硼）形成，其多数载流子为空穴，故B正确。磷为五价元素，用于N型掺杂，A错误。NMOS确实构建在P型衬底上，但源极本身由N+掺杂构成，C表述不准确。半导体导电性随温度升高而增强，D错误。本题考查半导体基础材料知识。27.【参考答案】C【解析】与非门（NAND）的逻辑是：输入全为1时输出0，其他情况输出1，符合题意。与门输出1需全输入为1，与描述相反；或门在任一输入为1时输出1，不满足条件；异或门在输入相同时输出0，不同输出1，不符合。本题考察基本逻辑门真值表理解。28.【参考答案】D【解析】通孔（Via）是连接不同金属层的关键结构，实现垂直电气连接。栅极、源极、漏极属于晶体管组成部分，位于器件层，不用于层间互连。现代多层布线依赖通孔技术提升集成密度。本题考查IC制造中的互连结构知识。29.【参考答案】A【解析】标准6T-SRAM单元由两个反相器交叉连接形成双稳态存储节点，配合两个访问MOS管（传输管）控制读写，实现数据存储与访问。B、C、D结构不符合CMOSSRAM设计规范。本题考察静态存储器基本单元结构。30.【参考答案】B【解析】串扰是由于相邻信号线间存在容性或感性耦合，一条线上的信号变化干扰邻线，属于电磁干扰现象。电源波动影响噪声容限，接地问题引发地弹，但非串扰主因。时钟频率低反而减少串扰风险。本题考查高速电路设计中的干扰机制。31.【参考答案】A、C、D【解析】NMOS以电子为载流子，电子迁移率约为空穴的2-3倍，故A、C正确；PMOS在栅极电压低于源极时形成空穴反型层，即低电平导通，D正确；B错误，沟道长度由工艺节点决定，与晶体管类型无关，NMOS和PMOS通常采用相同最小线宽。32.【参考答案】A、B、C、D【解析】触发器是时序电路的基本存储单元，A正确；组合逻辑无记忆，B正确；同步电路依赖统一时钟，C正确；异步复位优先于时钟，能立即清零，D正确。四者均符合数字电路基本原理。33.【参考答案】A、B、D【解析】加宽金属线可减小电流密度，缓解电迁移（A正确）；保护环收集寄生电流，抑制latch-up（B正确）；去耦电容稳定电源电压（D正确）；C错误，平行长距离布线易引起串扰，应避免。34.【参考答案】B、C、D【解析】硅禁带宽度约1.12eV，大于锗的0.67eV，A错误；本征半导体中ni=pi，B正确；掺杂使费米能级靠近导带（n型）或价带（p型），C正确；宽禁带材料热稳定性好，适合高温应用，D正确。35.【参考答案】A、B、D【解析】光刻分辨率决定最小特征尺寸，焦深影响聚焦范围，套刻精度确保多层对准，三者均为关键参数；掺杂浓度由离子注入或扩散控制，不属于光刻参数，C错误。36.【参考答案】A、C、D【解析】NMOS以电子为载流子，电子迁移率约为空穴的2-3倍，因此NMOS驱动能力更强（A、D正确）。NMOS通常做在P型衬底上，PMOS做在N阱中，而非直接在N型衬底上（B错误）。阈值电压定义上，NMOS开启需正栅压（Vth>0），PMOS需负栅压（Vth<0），故C正确。37.【参考答案】A、B、D【解析】建立时间（setuptime）要求数据提前稳定（A正确）；保持时间（holdtime）不足会使数据未能维持，引发亚稳态（B正确）；时钟偏移可能恶化时序，但在某些情况下可被利用（C错误）；同步复位需等时钟边沿，异步复位独立于时钟（D正确）。38.【参考答案】A、B【解析】禁带越宽，导电性越差，趋向绝缘体（A正确）；本征半导体中电子与空穴成对激发，浓度相等（B正确）；掺杂后费米能级向导带（N型）或价带（P型）移动，不再居中（C错误）；硅禁带约1.12eV，GaAs约1.42eV，故硅更小（D错误）。39.【参考答案】A、C、D【解析】增大电源线宽可降低电阻，减小电压降（A正确）；蛇形走线用于延迟匹配，但易引入寄生电容，非可靠性主要手段（B错误）；长导线加缓冲器可减少延迟和串扰（C正确）；模拟电路远离数字模块可降低噪声干扰（D正确）。40.【参考答案】A、B【解析】短沟道效应使沟道电荷受漏极影响，Vth降低（A正确）；DIBL削弱源端势垒，导致漏极关断电流上升（B正确）；速度饱和限制电流增长，降低跨导（C错误）；氧化层越薄，隧穿电流增大，栅漏电流上升（D错误）。41.【参考答案】C、D【解析】在标准CMOS工艺中，NMOS管通常制作在P型衬底上，而PMOS管制作在N阱中（而非N型衬底），因此A、B错误。双阱工艺通过在P型衬底中形成N阱、在N阱或P衬底中形成P阱，实现器件间的良好隔离，显著降低latch-up风险，C正确。阱结构的核心作用之一是实现器件电学隔离，D正确。42.【参考答案】A、C、D【解析】时序逻辑电路的输出不仅取决于当前输入，还与电路原来的状态有关，B错误。触发器能够存储状态，是时序电路的核心，A正确。同步时序电路中所有触发器受同一时钟控制，C正确。计数器通过状态变化实现计数功能，是典型的时序电路，D正确。43.【参考答案】A、B、D【解析】温度升高加剧晶格振动，散射增强，迁移率下降，A正确。晶格缺陷增加散射，降低迁移率，B正确。高掺杂会引入电离杂质散射，反而降低迁移率，C错误。强电场下载流子速度饱和，迁移率下降并趋于饱和，D正确。44.【参考答案】A、B、C【解析】设计规则确保版图符合制造工艺要求，是连接设计与制造的关键，A正确。最小线宽受限于光刻分辨率，B正确。金属与多晶硅无直接连接，需通过接触孔实现电连接，C正确。守护环主要用于抑制latch-up和噪声耦合，而非提速，D错误。45.【参考答案】A、B、D【解析】6TSRAM由两个交叉耦合的反相器和两个访问管组成，A正确。写入时需驱动位线至足够电压以翻转状态，克服反馈，B正确。电容是DRAM的特征，SRAM无电容，C错误。SRAM采用差分位线（BL和BL̄）提升读出精度与抗干扰能力，D正确。46.【参考答案】A【解析】在标准CMOS工艺中，NMOS晶体管直接制作在P型衬底上，而PMOS则制作在N型阱（N-well）中，该N-well嵌入于P型衬底内。这种结构可实现良好的电气隔离与互补工作特性，是CMOS集成电路的基础工艺之一。因此该说法正确。47.【参考答案】A【解析】组合逻辑电路的特点是输出状态完全由当前输入变量决定，不依赖于先前的输入或状态，无记忆功能。与之相对，时序逻辑电路的输出还受触发器等存储元件影响，具有状态记忆能力。基本门电路、加法器、译码器等均属于组合逻辑电路，故该说法正确。48.【参考答案】A【解析】半导体通过掺杂引入额外载流子（电子或空穴），提高导电能力。掺杂浓度越高，自由载流子数量越多，电导率上升，电阻率相应下降。这一关系在一定范围内呈反比趋势，是制造低电阻源漏区和互连结构的基础原理，因此该说法正确。49.【参考答案】B【解析】金属走线虽然位于较高层次，但仍需遵循工艺规则，避免在无隔离结构下直接跨越有源区引发短路或寄生效应。版图设计必须符合设计规则检查（DRC）要求，确保各层之间物理和电气隔离，防止漏电或器件失效。因此该说法错误。50.【参考答案】A【解析】同步时序电路可通过边沿触发方式工作，常见为上升沿触发，但也可设计为下降沿触发或双沿触发（如DDR技术）。只要触发机制明确且时序满足建立与保持时间要求，两种边沿均可有效驱动状态变化。因此该说法正确。51.【参考答案】A【解析】在标准CMOS工艺中，为实现互补结构，NMOS晶体管制作在P型衬底上，而PMOS则制作在N型阱（N-well）中，以实现电学隔离和正常工作。N阱用于容纳PMOS器件，防止latch-up现象需合理设计保护环。该结构是CMOS集成电路的基础，广泛应用于数字和模拟电路中，因此该说法正确。52.【参考答案】A【解析】组合逻辑电路的特性是输出状态完全由当前输入决定，不含存储元件，因此无记忆功能。与之相对，时序逻辑电路包含触发器等存储单元，输出与过去状态相关。常见组合电路如加法器、译码器、多路选择器均符合此定义。该描述准确反映了组合逻辑的本质特征，故正确。53.【参考答案】B【解析】随着掺杂浓度升高，晶格中杂质离子增多，电离杂质散射效应增强，反而会降低载流子的迁移率。虽然掺杂能增加载流子数量，提升电导率，但迁移率呈下降趋势。这一现象在高掺杂区域尤为明显，是半导体器件设计中需权衡的因素，因此原说法错误。54.【参考答案】A【解析】集成电路中不同金属层之间通过通孔实现垂直互连，同一层金属可横向导通，但不同层金属即使图形交叉也不自动导通，必须通过通孔连接。直接重叠而无通孔无法形成电连接。这是多层互连工艺的基本规则，确保布线准确性和制造可行性，因此说法正确。55.【参考答案】A【解析】ADC的分辨率指输出数字量的位数，位数越高，最小量化单位（LSB）越小，信号被划分的等级越多，量化误差（最大为±0.5LSB）也随之减小。因此，提高分辨率可有效降低量化噪声，提升转换精度。这在精密测量系统中尤为重要，故该说法正确。

2025福建省晋华集成电路有限公司校园招聘笔试历年常考点试题专练附带答案详解（第2套）一、单项选择题下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共30题）1、在CMOS工艺中，下列关于P型衬底的描述正确的是哪一项？A.P型衬底主要掺杂元素为磷B.P型衬底中多数载流子为空穴C.P型衬底通常用于构建NMOS晶体管的源极D.P型衬底的导电性随温度降低而增强2、在数字电路设计中，下列哪种逻辑门可以实现“有1出0，全0出1”的功能？A.与门B.或门C.或非门D.异或门3、在半导体能带结构中，禁带宽度指的是哪两个能带之间的能量差？A.价带顶与导带底B.导带底与杂质能级C.价带顶与费米能级D.费米能级与导带底4、下列关于SRAM和DRAM的比较，说法正确的是哪一项？A.DRAM存储单元包含一个晶体管和一个电容B.SRAM需要周期性刷新以保持数据C.DRAM的集成度低于SRAMD.SRAM的读写速度慢于DRAM5、在VerilogHDL中，下列哪种语句用于描述组合逻辑电路？A.always@(posedgeclk)B.initialC.always@(*)D.forever6、在CMOS工艺中，P型衬底通常用于制作哪种类型的MOS管？A．NMOS

B．PMOS

C．BJT

D．IGBT7、下列哪项是衡量集成电路制造工艺先进程度的关键参数？A．栅极氧化层厚度

B．特征尺寸（如7nm、5nm）

C．芯片封装材料

D．电源电压大小8、在数字电路设计中，下列哪种逻辑门可以实现“有0出1，全1出0”的功能？A．与门

B．或门

C．与非门

D．异或门9、在半导体材料中，掺杂磷元素后主要形成哪种类型的载流子？A．空穴

B．电子

C．离子

D．光子10、在集成电路版图设计中，为何要避免出现“天线效应”？A．防止信号延迟增加

B．避免金属层过热

C．防止栅氧化层击穿

D．减少功耗11、在CMOS工艺中，下列哪种器件的阈值电压通常为正值？A．NMOS晶体管

B．PMOS晶体管

C．齐纳二极管

D．双极型晶体管12、在数字电路设计中，下列哪项是降低功耗最有效的手段？A．提高时钟频率

B．增大电源电压

C．采用时钟门控技术

D．增加并行计算单元13、在集成电路版图设计中，为何要避免长距离的多晶硅走线？A．多晶硅电阻率高，易造成信号延迟

B．多晶硅无法通过大电流

C．多晶硅易被氧化

D．多晶硅与金属层不兼容14、下列哪种存储器属于易失性存储器？A．Flash

B．DRAM

C．EEPROM

D．MaskROM15、在集成电路制造中，光刻工艺的主要作用是什么？A．沉积绝缘材料

B．将掩模图形转移到光刻胶上

C．掺杂半导体材料

D．进行化学机械抛光16、在CMOS工艺中，以下哪种器件通常用于实现逻辑门电路中的上拉网络？A．N型MOSFET

B．P型MOSFET

C．双极型晶体管

D．齐纳二极管17、在数字电路中，建立时间（setuptime）指的是什么？A．触发器输出稳定所需的时间

B．时钟信号上升沿到来后数据必须保持不变的时间

C．数据信号在时钟有效沿到来之前必须保持稳定的最短时间

D．触发器从一个状态切换到另一个状态的时间18、下列哪种存储器属于易失性存储器？A．Flash

B．ROM

C．SRAM

D．EEPROM19、在VerilogHDL中，以下哪个关键字用于描述时序逻辑的行为？A．assign

B．wire

C．always@(posedgeclk)

D．reg20、若一个8位二进制补码表示的整数为11110001，则其对应的十进制数值是多少？A．-15

B．-113

C．241

D．-1421、在CMOS工艺中，P型衬底通常用于制作哪种类型的MOS管？A．仅NMOS

B．仅PMOS

C．NMOS和PMOS均可

D．需要外加N型阱才能制作NMOS22、某数字系统中使用8位补码表示整数，则十进制数-128的补码表示为？A．10000000

B．11111111

C．01111111

D．1000000123、在理想运算放大器构成的反相放大电路中，输入电阻主要由？A．运放的输入电阻决定

B．反馈电阻决定

C．输入端串联电阻决定

D．负载电阻决定24、下列哪种存储器在断电后仍能保留数据？A．SRAM

B．DRAM

C．FlashMemory

D．Cache25、在VerilogHDL中，以下哪种语句用于描述组合逻辑时应避免使用？A．assign

B．always@(*)

C．always@(posedgeclk)

D．case语句26、在CMOS工艺中，P型衬底通常用于制作哪种类型的MOS管？A．仅NMOS

B．仅PMOS

C．NMOS和PMOS均可

D．需要外加N型阱才能制作NMOS27、在数字电路中，下列哪种触发器具有“空翻”现象？A．主从JK触发器

B．边沿D触发器

C．基本RS锁存器

D．同步RS触发器28、某SRAM存储单元由6个MOS管构成，其核心结构包含什么？A．两个串联的传输管

B．两个反相器交叉耦合

C．一个电容和一个MOS管

D．三个与非门反馈连接29、在VerilogHDL中，以下哪种语句用于描述组合逻辑时最安全？A．always@(*)

B．always@(posedgeclk)

C．always@(aorb)

D．initial30、下列哪项是降低集成电路功耗最有效的手段之一？A．提高电源电压

B．降低工作频率

C．采用更小的工艺节点

D．增加并行计算单元二、多项选择题下列各题有多个正确答案，请选出所有正确选项（共15题）31、在CMOS工艺中，以下关于NMOS和PMOS晶体管的描述正确的是哪些？A.NMOS管在栅极加高电平时导通B.PMOS管在衬底连接电源时形成反型层C.NMOS管的载流子为电子D.PMOS管通常制作在N型衬底上32、下列关于数字电路中时序逻辑电路的描述，正确的是哪些？A.触发器是时序电路的基本存储单元B.组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入C.同步时序电路中所有触发器共用同一时钟信号D.异步计数器的延迟小于同步计数器33、关于半导体材料的能带结构，以下说法正确的是哪些？A.禁带宽度越大，材料越容易导电B.本征半导体中电子和空穴浓度相等C.掺杂可改变半导体的载流子浓度D.硅的禁带宽度小于锗34、在集成电路版图设计中，以下哪些做法有助于提升电路可靠性？A.增加金属互连线宽度以减小电流密度B.采用阶梯式布线避免直角拐弯C.在高阻区下方添加衬底接触D.尽量缩短时钟线长度并进行屏蔽35、下列关于运算放大器理想特性的描述，正确的是哪些？A.输入阻抗为无穷大B.输出阻抗为零C.开环增益为有限值D.共模抑制比为无穷大36、在CMOS工艺中，以下关于NMOS和PMOS晶体管的描述，哪些是正确的？A.NMOS管在栅极为高电平时导通B.PMOS管的载流子为空穴C.NMOS管通常比PMOS管具有更高的电子迁移率D.PMOS管在衬底连接到地时工作更稳定37、下列关于数字电路中时序逻辑的描述，哪些是正确的？A.触发器属于时序逻辑电路的基本单元B.同步时序电路中所有触发器共用同一时钟信号C.组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，与时钟无关D.异步复位信号必须与时钟同步以避免亚稳态38、在集成电路版图设计中，以下哪些做法有助于提高电路的可靠性和性能？A.使用蛇形走线以增加布线长度匹配B.在电源线上加去耦电容以抑制噪声C.采用规则的几何图形减少光刻失真D.将敏感信号线远离高开关频率路径39、关于半导体能带结构，下列说法正确的是哪些？A.禁带宽度越大，材料越倾向于绝缘体B.掺杂可以改变半导体的费米能级位置C.本征半导体中电子浓度等于空穴浓度D.温度升高会减小半导体的禁带宽度40、下列关于运算放大器的应用电路，哪些描述是正确的？A.反相比例放大器的输入阻抗主要由输入电阻决定B.电压跟随器具有高输入阻抗和低输出阻抗C.积分器电路中反馈元件为电容D.比较器通常工作在线性区以实现高精度比较41、在CMOS工艺中，下列哪些因素会影响MOS管的阈值电压？A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.源极与衬底之间的电压D.栅极材料功函数42、下列关于数字电路中时序逻辑电路的描述，正确的是？A.输出仅取决于当前输入B.必须包含存储元件C.触发器是基本组成单元D.存在反馈路径43、在集成电路版图设计中，下列哪些设计规则必须严格遵守？A.最小线宽B.最小线间距C.接触孔与栅极的对准容差D.金属层颜色44、下列哪些技术可用于降低CMOS电路的动态功耗？A.降低电源电压B.减少信号翻转频率C.使用多阈值电压技术D.采用时钟门控45、在模拟集成电路设计中，差分放大器的优点包括？A.抑制共模干扰B.提高输入阻抗C.增大电压增益D.减少功耗三、判断题判断下列说法是否正确（共10题）46、在CMOS工艺中，NMOS和PMOS晶体管通常构建在同一衬底上，且PMOS一般位于N型阱中。A.正确B.错误47、在数字电路中，组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，与电路的历史状态无关。A.正确B.错误48、在半导体材料中，掺杂浓度越高，其电阻率越大。A.正确B.错误49、在集成电路版图设计中，金属走线交叉时必须通过接触孔实现电气连接。A.正确B.错误50、时钟信号的上升沿触发的D触发器，在时钟下降沿时也会更新输出状态。A.正确B.错误51、在CMOS工艺中，NMOS管和PMOS管通常构建在同一块硅衬底上，且NMOS管一般做在P型衬底上。A.正确B.错误52、在数字电路中，组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，与电路的历史状态无关。A.正确B.错误53、在半导体材料中，掺杂浓度越高，其电阻率越大。A.正确B.错误54、在集成电路版图设计中，金属层通常用于实现器件之间的互连，而不用于形成晶体管的栅极。A.正确B.错误55、在信号完整性分析中，串扰主要是由于相邻信号线之间的电容和电感耦合引起的。A.正确B.错误

参考答案及解析1.【参考答案】B【解析】P型半导体通过掺杂三价元素（如硼）形成，主要载流子为空穴，故B正确。磷为五价元素，用于N型掺杂，A错误。NMOS确实构建在P型衬底上，但源极是掺杂区域，非衬底本身用途，C表述不准确。半导体导电性通常随温度升高而增强，因载流子浓度增加，D错误。2.【参考答案】C【解析】或非门（NOR）的逻辑是：只要任一输入为1，输出为0；仅当所有输入为0时，输出为1，符合“有1出0，全0出1”。与门需全1出1，或门有1出1，异或门在输入不同时出1，均不符合题意。因此正确答案为C。3.【参考答案】A【解析】禁带宽度（Bandgap）是指半导体中价带（valenceband）最高能量与导带（conductionband）最低能量之间的能量差，记作Eg。该参数决定材料的导电特性与光学性能。杂质能级和费米能级位于禁带内，但非禁带宽度的定义依据。故正确答案为A。4.【参考答案】A【解析】DRAM的基本存储单元由一个MOS晶体管和一个电容组成，依靠电容存储电荷表示数据，需刷新。SRAM由多个晶体管（通常6个）构成触发器结构，无需刷新，速度快，但集成度低。因此B、C、D均错误，A为正确描述。5.【参考答案】C【解析】Verilog中，always@(*)表示敏感列表包含所有输入信号，适用于组合逻辑建模。posedgeclk用于触发沿触发的时序逻辑。initial用于初始化，只执行一次。forever为无限循环，常用于测试平台。因此，描述组合逻辑应使用always@(*)，答案为C。6.【参考答案】A【解析】在标准CMOS工艺中，P型衬底用于制作NMOS晶体管，因为NMOS的源极和漏极是N型掺杂，形成于P型衬底上。而PMOS则通常制作在N型阱（N-well）中，以实现电学隔离。P型衬底能有效收集电子，防止寄生电容干扰，提升器件稳定性。因此，P型衬底主要用于NMOS的制造，选项A正确。7.【参考答案】B【解析】特征尺寸（如7nm、5nm）是衡量集成电路工艺节点的核心指标，代表器件中最小可加工图形的尺寸，直接影响晶体管密度、功耗和性能。虽然栅极氧化层厚度也重要，但已被纳入工艺节点综合评估。封装材料和电源电压不直接反映制造工艺水平。因此，选项B为最准确答案。8.【参考答案】C【解析】“有0出1，全1出0”是与非门（NAND）的逻辑特征：仅当所有输入为1时输出为0，其余情况输出为1。与门在全1时输出1，不符合；或门在有1时即输出1；异或门在输入不同时输出1，逻辑不符。因此，正确答案为C。9.【参考答案】B【解析】磷是五价元素，掺入硅等四价半导体中，其多余的一个价电子易脱离原子成为自由电子，从而显著增加电子浓度，形成N型半导体。此时电子为多数载流子。空穴是P型半导体中的主要载流子，由三价元素（如硼）掺杂产生。离子和光子非半导体中的主要导电载流子。因此，正确答案为B。10.【参考答案】C【解析】天线效应发生在刻蚀过程中，当大面积金属连接到栅极时，会收集电荷并在栅氧层形成高压，可能导致栅氧化层击穿，造成器件失效。这是制造过程中需通过跳线或后期连接避免的关键可靠性问题。信号延迟、功耗和发热并非其直接后果。因此，正确答案为C。11.【参考答案】A【解析】在CMOS工艺中，NMOS晶体管的阈值电压通常为正值，表示当栅源电压超过该正值时，NMOS导通。PMOS的阈值电压则为负值。齐纳二极管和双极型晶体管不属于MOS结构，其工作原理与阈值电压无关。因此，正确答案为A。12.【参考答案】C【解析】时钟门控技术通过关闭空闲模块的时钟信号，有效减少动态功耗。提高时钟频率和增大电源电压反而会显著增加功耗。增加并行单元虽提升性能，但可能增加整体功耗。因此，最有效的低功耗设计方法是时钟门控，答案为C。13.【参考答案】A【解析】多晶硅的电阻率远高于金属，长距离走线会导致显著的RC延迟，影响电路速度。因此在版图设计中，长距离信号线通常使用金属层布线，多晶硅主要用于栅极等短距离连接。故正确答案为A。14.【参考答案】B【解析】DRAM（动态随机存取存储器）需要周期性刷新以维持数据，断电后数据丢失，属于易失性存储器。Flash、EEPROM和MaskROM均为非易失性存储器，断电后数据可保留。因此正确答案为B。15.【参考答案】B【解析】光刻是通过曝光和显影过程，将掩模上的图形精确复制到涂覆在硅片表面的光刻胶上，为后续的刻蚀或离子注入提供图形模板。沉积、掺杂和抛光属于其他工艺步骤。因此正确答案为B。16.【参考答案】B【解析】在CMOS逻辑门中，上拉网络负责将输出连接到电源电压VDD。P型MOSFET在栅极电压低时导通，适合作为上拉器件；而N型MOSFET用于下拉网络，将输出接地。这种互补结构降低了静态功耗，是CMOS技术的核心原理。17.【参考答案】C【解析】建立时间是触发器正常工作的重要时序参数，指数据信号必须在时钟有效边沿到来前保持稳定的最小时间。若不满足，可能导致数据采样错误，引发亚稳态。该参数由触发器内部结构决定，是时序分析的关键指标。18.【参考答案】C【解析】SRAM（静态随机存取存储器）在断电后数据会丢失，属于易失性存储器。其依靠触发器结构存储数据，读写速度快，常用于高速缓存。而Flash、ROM和EEPROM均能在断电后保留数据，属于非易失性存储器。19.【参考答案】C【解析】“always@(posedgeclk)”用于描述在时钟上升沿触发的时序逻辑行为，是建模触发器和寄存器的核心结构。assign用于组合逻辑连续赋值，wire为线网类型，reg为寄存器类型，但其是否为时序逻辑取决于always块的敏感信号。20.【参考答案】A【解析】最高位为1，表示负数。补码转原码：符号位不变，其余位取反加1，得原码10001111，对应十进制为-(8+4+2+1)=-15。也可直接计算：-128+64+32+16+1=-128+113=-15。21.【参考答案】A【解析】在标准CMOS工艺中，P型衬底用于制作NMOS管，而PMOS管则需要在P型衬底上制作N型阱后再形成。因此，P型衬底本身直接用于NMOS的源漏区掺杂。选项A正确，D表述不准确，因为N型阱是为PMOS服务的，而非NMOS。22.【参考答案】A【解析】8位补码表示范围为-128至+127。-128是补码能表示的最小值，其编码为10000000。计算方法：+128超出正数范围，但-128有唯一编码，符号位为1，其余为0。选项B为-1的补码，D为-127，故A正确。23.【参考答案】C【解析】反相放大电路中，运放“虚地”特性使输入电流由输入电压和输入端串联电阻决定，故输入电阻近似等于该串联电阻。运放自身输入电阻极高，不影响整体输入阻抗。反馈电阻影响增益，不决定输入电阻，故C正确。24.【参考答案】C【解析】FlashMemory属于非易失性存储器，断电后数据不丢失。SRAM、DRAM和Cache均为易失性存储器，依赖持续供电维持数据。Flash广泛用于U盘、固态硬盘等，适合长期存储，故正确答案为C。25.【参考答案】C【解析】always@(posedgeclk)用于描述时序逻辑，依赖时钟上升沿触发，若用于组合逻辑会导致综合错误或锁存器生成。组合逻辑应使用assign或always@(*)，以电平敏感方式建模。case语句可在组合逻辑中安全使用，故C为应避免的选项。26.【参考答案】A【解析】在标准CMOS工艺中，P型衬底上首先制作NMOS管，而PMOS管则需在N型阱中制作。由于电子迁移率高于空穴，NMOS通常直接在P型衬底上形成，源、漏区为N+掺杂。制作PMOS时需先在P型衬底中扩散或注入形成N阱，再在N阱中制作PMOS。因此P型衬底主要用于制作NMOS，而PMOS需借助N阱。选项A正确。27.【参考答案】D【解析】“空翻”是指在时钟信号有效期间，输出随输入多次翻转的现象。同步RS触发器在时钟CLK为高电平时，输入R、S的变化会直接影响输出，若输入信号波动，输出可能发生多次跳变，导致空翻。而边沿触发器（如边沿D、主从JK）仅在时钟上升沿或下降沿响应输入，抗干扰能力强，避免了空翻。基本RS锁存器无时钟控制，不属于同步电路。因此答案为D。28.【参考答案】B【解析】六管SRAM（6TSRAM）由两个交叉耦合的反相器构成双稳态存储节点，实现数据“0”和“1”的稳定存储。每个反相器由一个PMOS和一个NMOS组成，共4个管；另外两个NMOS作为访问管，由字线控制，连接存储节点与位线。这种结构具有稳定、快速、无需刷新的优点。而电容结构用于DRAM。因此答案为B。29.【参考答案】A【解析】`always@(*)`中的`*`表示自动敏感所有输入信号，适用于组合逻辑建模，避免遗漏敏感变量导致仿真与综合不一致。而`always@(aorb)`若未列出所有输入，可能产生锁存器或时序错误。`posedgeclk`用于时序逻辑。`initial`仅用于初始化，不可综合。因此A为描述组合逻辑最安全、推荐的方式。30.【参考答案】C【解析】采用更小工艺节点（如从28nm到7nm）可显著降低工作电压，而动态功耗与电压平方成正比（P∝CV²f），因此降压对功耗抑制效果显著。此外，先进工艺提升集成度和能效。提高电压会增加功耗；降低频率虽可减功耗，但牺牲性能；增加并行单元可能增加总功耗。综合来看，工艺升级是最根本有效的手段。故答案为C。31.【参考答案】A、C【解析】NMOS在栅极施加高于阈值的电压时，吸引电子形成导电沟道，故A、C正确。PMOS载流子为空穴，通常制作在P型衬底上，衬底应接低电平，D错误；反型层形成与栅压有关，而非仅靠衬底接电源，B错误。32.【参考答案】A、B、C【解析】触发器用于存储状态，是时序电路核心，A正确；组合电路无记忆功能，B正确；同步电路时钟统一，C正确；异步计数器因逐级触发，累积延迟更大，D错误。因此正确答案为A、B、C。33.【参考答案】B、C【解析】禁带越宽，越难激发载流子，导电性越差，A错误；本征半导体中电子与空穴成对产生，浓度相等，B正确；掺杂显著提高载流子浓度，C正确；硅禁带约1.12eV，锗约0.67eV，故硅更大，D错误。答案为B、C。34.【参考答案】A、C、D【解析】增大线宽可降低电迁移风险，A正确；直角布线易引发电场集中，但现代工艺可接受，B非关键措施；衬底接触防止闩锁效应，C正确；时钟线短且屏蔽可减少噪声耦合，D正确。故选A、C、D。35.【参考答案】A、B、D【解析】理想运放具有无穷大输入阻抗（无输入电流）、零输出阻抗（驱动能力强）、无穷大开环增益和共模抑制比，故A、B、D正确。C中“有限值”不符合理想模型，错误。答案为A、B、D。36.【参考答案】A、B、C【解析】NMOS在栅极电压高于阈值时形成反型层而导通，故A正确；PMOS依靠空穴导电，迁移率较低，B正确；电子在NMOS中的迁移率约为PMOS中空穴的2~3倍，因此C正确；PMOS衬底应接电源正端（VDD）以确保源-衬底结反偏，接地点会导致结正偏，产生漏电流，故D错误。37.【参考答案】A、B、C【解析】触发器用于存储状态，是时序电路核心，A正确；同步时序电路通过统一时钟协调状态变化，B正确；组合逻辑无记忆功能，输出仅由当前输入决定，C正确；异步复位可不依赖时钟，但退出时需同步处理以降低亚稳态风险，但“必须同步”表述错误，