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文档简介
2025年计算机系统原理课程期末考试试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1.冯·诺依曼结构计算机的核心特征是()A.程序和数据独立存储B.存储程序并按地址顺序执行C.采用并行计算单元D.支持直接内存访问(DMA)2.某处理器执行10^6条指令,总时钟周期数为1.5×10^6,则其CPI(每条指令时钟周期数)为()A.1.0B.1.5C.2.0D.2.53.TLB(转换旁路缓冲器)的主要作用是()A.加速虚拟地址到物理地址的转换B.提高Cache命中率C.减少主存访问延迟D.优化指令流水线效率4.某Cache采用4路组相联映射,块大小为64B,总容量为256KB。若主存地址为36位,则组号字段的位数为()A.8B.10C.12D.145.以下关于DRAM刷新的描述,正确的是()A.刷新操作需CPU主动触发B.按行刷新,每次刷新一行C.刷新过程中不影响正常访问D.刷新周期与存储容量无关6.超标量处理器的关键技术是()A.增加流水线级数B.同时发射多条指令C.动态分支预测D.寄存器重命名7.虚拟地址空间大小由()决定A.主存容量B.页表大小C.地址总线宽度D.操作系统配置8.RISC-V指令集的典型特征是()A.复杂指令类型B.变长指令编码C.仅LOAD/STORE指令访问内存D.大量专用寄存器9.总线仲裁中,独立请求方式的优点是()A.仲裁速度快B.硬件复杂度低C.优先级固定D.支持分布式控制10.MESI协议中,“S”状态表示()A.数据已修改且仅本地有效B.数据未修改且多个缓存共享C.数据未修改且仅本地有效D.数据无效二、填空题(每空1分,共10分)1.指令周期通常包括取指、译码、()、()和写回阶段。2.主存与Cache的映射方式包括全相联、()和()。3.虚拟内存管理中,页表项通常包含有效位、()和()。4.总线传输周期包括()、()、数据传输和结束阶段。5.动态流水线调度技术主要通过()和()实现指令重排。三、简答题(每题6分,共30分)1.比较哈佛结构与冯·诺依曼结构的差异,并说明各自适用场景。2.简述Cache写通(Write-Through)和写回(Write-Back)策略的区别及适用场景。3.解释TLB缺失时的处理流程(假设页表已在主存中)。4.说明超标量处理器与超流水线处理器在提高性能上的不同思路。5.分析DRAM与SRAM在存储原理、速度、密度上的主要差异。四、分析题(每题10分,共30分)1.某处理器指令集包含算术、LOAD、分支三类指令,占比分别为70%、20%、10%,对应CPI为1、3、4。(1)计算平均CPI;(2)若通过优化使LOAD指令CPI降至2,其他不变,新的平均CPI是多少?2.某计算机主存地址32位,Cache采用8路组相联,块大小128B,总容量512KB。(1)计算主存地址中组号、块内偏移、标记字段的位数;(2)若Cache命中率为95%,主存访问时间为100ns,Cache访问时间为10ns,计算平均访问时间。3.某系统采用4级页表的虚拟内存管理,虚拟地址48位,页大小4KB,每页表项8字节。(1)计算每级页表对应的虚拟地址位数;(2)说明为何4级页表可避免页表占用过多连续内存空间。五、设计题(10分)设计一个支持三级Cache(L1、L2、L3)的存储系统,要求:(1)给出L1、L2、L3的容量、相联度、块大小等关键参数;(2)说明各层Cache的设计目标及参数选择依据;(3)分析如何通过一致性协议(如MESI)保证多级Cache间的数据一致性。答案一、单项选择题1.B2.B3.A4.B5.B6.B7.C8.C9.A10.B二、填空题1.执行、访存;2.直接映射、组相联映射;3.修改位(脏位)、物理页号;4.申请总线、仲裁;5.保留站、重排序缓冲。三、简答题1.差异:哈佛结构程序和数据存储在独立的存储器中,拥有独立的总线;冯·诺依曼结构程序和数据共享同一存储器及总线。适用场景:哈佛结构适合对速度要求高的实时系统(如DSP);冯·诺依曼结构因灵活性高,广泛用于通用计算机。2.写通策略:Cache写命中时,同时更新主存;优点是数据一致性好,缺点是写操作慢。写回策略:Cache写命中时仅更新Cache,标记“脏位”,当块被替换时再写回主存;优点是减少主存写次数,速度快,缺点是需处理脏数据一致性。3.TLB缺失时,处理器根据虚拟地址中的页号访问页表(可能多级页表),查找到对应的物理页号后,将(虚拟页号,物理页号)存入TLB(若TLB未满),再重新执行地址转换。若页表项无效(缺页),则触发缺页中断,由操作系统加载页面到主存。4.超标量通过增加指令发射单元(如多个ALU),在一个时钟周期内同时发射多条指令(如2-4条),依赖指令级并行(ILP)提高吞吐量;超流水线通过增加流水线级数(如将5级增至10级),缩短每级延迟,提高时钟频率,本质是时间上的并行。5.存储原理:DRAM利用电容存储电荷(需刷新),SRAM利用触发器(双稳态电路)存储;速度:SRAM快于DRAM(纳秒级vs.几十纳秒);密度:DRAM密度更高(电容结构简单),SRAM因含多个晶体管密度低。四、分析题1.(1)平均CPI=0.7×1+0.2×3+0.1×4=0.7+0.6+0.4=1.7;(2)新平均CPI=0.7×1+0.2×2+0.1×4=0.7+0.4+0.4=1.5。2.(1)块大小128B=2^7B,块内偏移7位;总块数=512KB/128B=4096块,组数=4096/8=512组=2^9组,组号9位;标记位数=32-9-7=16位。(2)平均访问时间=命中率×Cache时间+失效率×主存时间=0.95×10ns+0.05×(10ns+100ns)=9.5ns+5.5ns=15ns(注:主存访问需先访问Cache,故失效率时总时间为Cache时间+主存时间)。3.(1)页大小4KB=2^12B,页内偏移12位;剩余虚拟地址48-12=36位,4级页表每级占36/4=9位(每级页表索引9位)。(2)4级页表通过分层索引,仅当前进程使用的页表项需驻留内存,未使用的页表无需加载,避免了单级页表需连续存储所有页表项的问题,减少内存占用。五、设计题(1)参数设计:L1(一级Cache):容量32KB,4路组相联,块大小64B;L2(二级Cache):容量256KB,8路组相联,块大小128B;L3(三级Cache):容量8MB,16路组相联,块大小256B。(2)设计目标及依据:L1追求速度,小容量、小颗粒(块大小64B)减少访问延迟,4路平衡命中与硬件复杂度;L2作为L1和L3的缓冲,更大容量(256KB)提高局部性覆盖,8路提升命中率,块大小128B减少L1失效率;L3为多核共享,大容量(8MB)减少主存访问,16路应对多核心竞争,块大小256B利用空间局部性。(3)一致性保证:L1和L2采用MESI协议,每个Cache行标记状态(Modified/Exclusive/Shared/Invalid)。当L
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