2025年大学《电子封装技术-半导体器件基础》考试备考试题及答案解析

2025年大学《电子封装技术-半导体器件基础》考试备考试题及答案解析单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________一、选择题1.半导体材料的禁带宽度与其导电性关系为（）A.禁带宽度越大，导电性越好B.禁带宽度越小，导电性越好C.禁带宽度与导电性无关D.禁带宽度适中，导电性最好答案：B解析：禁带宽度是半导体材料能带结构中的一个重要参数，禁带宽度越小，意味着价带和导带之间的能量差较小，电子越容易从价带跃迁到导带，从而提高材料的导电性。相反，禁带宽度越大，电子越难跃迁，导电性越差。2.硅材料中，电子和空穴的浓度关系为（）A.电子浓度大于空穴浓度B.空穴浓度大于电子浓度C.电子浓度等于空穴浓度D.电子和空穴浓度与温度无关答案：C解析：在纯净的半导体材料（本征半导体）中，电子和空穴的数量是相等的，因为每个电子跃迁到导带时都会留下一个空穴。因此，电子浓度等于空穴浓度。3.N型半导体中，主要载流子为（）A.电子B.空穴C.电子和空穴D.电荷中性粒子答案：A解析：N型半导体是通过掺入五价杂质原子（如磷、砷等）形成的，这些杂质原子在半导体晶格中替代了硅原子，并提供了多余的电子。因此，N型半导体中的主要载流子是电子。4.P型半导体中，主要载流子为（）A.电子B.空穴C.电子和空穴D.电荷中性粒子答案：B解析：P型半导体是通过掺入三价杂质原子（如硼、铝等）形成的，这些杂质原子在半导体晶格中替代了硅原子，并留下了多余的空穴。因此，P型半导体中的主要载流子是空穴。5.半导体二极管正向导通时，其正向压降约为（）A.0.1VB.0.5VC.0.7VD.1.0V答案：C解析：半导体二极管在正向导通时，其正向压降通常约为0.7V（对于硅二极管），这是因为电子和空穴在PN结处复合需要一定的能量。6.半导体三极管放大电路中，其放大倍数主要取决于（）A.电源电压B.输入电阻C.三极管的β值D.输出电容答案：C解析：半导体三极管放大电路的放大倍数（通常指电流放大倍数）主要取决于三极管的β值（也称为电流增益），β值越大，放大倍数越高。7.MOSFET器件中，其导电性能主要取决于（）A.漏极电压B.栅极电压C.源极电压D.跨导答案：B解析：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种电压控制器件，其导电性能主要取决于栅极电压。通过在栅极施加电压，可以控制MOSFET的导通和关断状态。8.半导体器件的热稳定性主要受（）A.温度系数B.零点漂移C.热噪声D.热电效应答案：A解析：半导体器件的热稳定性主要受温度系数的影响。温度系数是指器件参数随温度变化的程度，温度系数越小，器件的热稳定性越好。9.电子封装技术中，散热设计的主要目的是（）A.提高器件工作温度B.降低器件工作温度C.增加器件功耗D.减小器件体积答案：B解析：电子封装技术中，散热设计的主要目的是降低器件工作温度。过高的工作温度会导致器件性能下降、寿命缩短甚至损坏，因此需要通过散热设计将器件温度控制在合理范围内。10.半导体器件的封装材料应具备（）A.良好的导电性B.良好的导热性C.良好的绝缘性D.良好的耐腐蚀性答案：B解析：半导体器件的封装材料应具备良好的导热性，以便有效地将器件产生的热量传导出去，防止器件过热。同时，封装材料还应具备良好的绝缘性、耐腐蚀性和机械保护能力，以保护器件免受外界环境的影响。11.硅的禁带宽度约为（）A.1.1eVB.2.3eVC.0.7eVD.3.0eV答案：A解析：硅是一种常用的半导体材料，其禁带宽度约为1.1电子伏特（eV）。这个值决定了硅在常温下的导电性能，是半导体器件设计和应用中的一个关键参数。12.本征半导体的载流子浓度主要取决于（）A.掺杂浓度B.温度C.材料类型D.电场强度答案：B解析：本征半导体的载流子浓度（即电子和空穴的浓度）主要取决于温度。随着温度的升高，半导体晶格中的原子振动加剧，使得更多的电子能够跃迁到导带，从而增加载流子浓度。掺杂浓度、材料类型和电场强度对在本征半导体中不产生影响。13.P型半导体中，多数载流子为（）A.电子B.空穴C.正离子D.负离子答案：B解析：P型半导体是通过掺入三价杂质原子（如硼）形成的。三价杂质原子在半导体晶格中替代了硅原子，并留下了多余的空穴。这些空穴可以作为多数载流子在半导体中移动，因此P型半导体的主要载流子是空穴。14.N型半导体中，少数载流子为（）A.电子B.空穴C.正离子D.负离子答案：B解析：N型半导体是通过掺入五价杂质原子（如磷）形成的。五价杂质原子在半导体晶格中替代了硅原子，并提供了多余的电子。这些电子可以作为多数载流子在半导体中移动。然而，在N型半导体中，电子和空穴仍然会通过热激发产生，其中空穴的浓度远低于电子浓度，因此空穴是少数载流子。15.半导体二极管反向截止时，其反向电流约为（）A.几微安B.几毫安C.几安D.零答案：A解析：半导体二极管在反向截止状态下，只有非常微小的电流流过，这个电流通常在几微安的量级。这个电流主要由半导体中的少数载流子漂移形成，因此也称为反向饱和电流。这个电流非常小，通常可以忽略不计，但在高输入阻抗电路中可能需要考虑。16.BJT放大电路中，共发射极接法的主要特点是（）A.输入阻抗高，输出阻抗低B.输入阻抗低，输出阻抗高C.输入阻抗和输出阻抗都很高D.输入阻抗和输出阻抗都很低答案：B解析：共发射极接法的BJT放大电路具有输入阻抗低、输出阻抗高的特点。这种接法可以实现较大的电压增益和电流增益，但输入阻抗较低，因此对信号源的要求较高。共发射极接法是BJT放大电路中最常用的接法之一，广泛应用于各种放大电路中。17.MOSFET器件中，增强型NMOSFET的开启电压通常为（）A.正值B.负值C.零D.任意值答案：A解析：增强型NMOSFET是一种电压控制器件，其开启电压（也称为阈值电压）通常为正值。当栅极电压高于开启电压时，NMOSFET导通；当栅极电压低于开启电压时，NMOSFET截止。开启电压是MOSFET器件的一个重要参数，它决定了器件的导通和关断特性。18.半导体器件的击穿电压是指（）A.器件能承受的最大电压B.器件开始导通的电压C.器件被击穿时的电压D.器件截止时的电压答案：C解析：半导体器件的击穿电压是指器件被击穿时的电压。当器件两端的电压超过击穿电压时，器件会被击穿，导致电流急剧增大，从而可能损坏器件。因此，击穿电压是半导体器件的一个重要参数，它决定了器件的安全工作范围。19.电子封装技术中，引线键合的主要目的是（）A.提高器件的机械强度B.增加器件的散热面积C.连接器件与外部电路D.减小器件的电容答案：C解析：引线键合是电子封装技术中的一种重要连接方法，其主要目的是连接器件与外部电路。通过引线键合，可以将器件的电极与封装外的引脚连接起来，从而实现器件与外部电路的电气连接。引线键合具有工艺简单、成本低廉等优点，因此广泛应用于各种电子器件的封装中。20.半导体器件的老化现象主要指（）A.器件参数随时间变化B.器件性能下降C.器件被损坏D.器件功耗增加答案：A解析：半导体器件的老化现象主要指器件参数随时间变化。由于半导体材料本身的特性以及外界环境的影响（如温度、湿度等），器件的参数（如阈值电压、增益等）会随着时间的推移而发生变化，从而影响器件的性能。老化现象是半导体器件的一个重要问题，需要在使用过程中进行关注和处理。二、多选题1.半导体材料的主要特性包括（）A.导电性B.热稳定性C.光电效应D.磁性E.化学稳定性答案：ABCE解析：半导体材料具有多种特性，其中导电性、热稳定性、光电效应和化学稳定性是其主要特性。导电性指材料导电能力的强弱；热稳定性指材料在高温下的性能保持能力；光电效应指材料在光照下产生电效应的现象；化学稳定性指材料在化学反应中的稳定性。磁性虽然与材料有关，但不是半导体材料的主要特性。因此，正确答案为ABCE。2.PN结的形成过程包括（）A.扩散B.漂移C.复合D.电离E.结电场形成答案：ABCE解析：PN结的形成过程是一个复杂的过程，主要包括扩散、漂移、复合和结电场形成等步骤。扩散是指多数载流子向对方区域移动的过程；漂移是指少数载流子在电场作用下的移动过程；复合是指电子和空穴相遇并消失的过程；结电场形成是指PN结两侧形成内建电场的过程。电离虽然与半导体材料有关，但不是PN结形成过程中的主要步骤。因此，正确答案为ABCE。3.半导体二极管的主要类型包括（）A.整流二极管B.稳压二极管C.变容二极管D.光电二极管E.发光二极管答案：ABCDE解析：半导体二极管根据其功能和结构的不同，可以分为多种类型，包括整流二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管和发光二极管等。整流二极管用于将交流电转换为直流电；稳压二极管用于稳定电压；变容二极管用于电压控制的电容；光电二极管用于检测光线；发光二极管用于发光。因此，正确答案为ABCDE。4.BJT放大电路的主要参数包括（）A.电流增益B.电压增益C.功率增益D.输入阻抗E.输出阻抗答案：ABCDE解析：BJT放大电路的主要参数包括电流增益、电压增益、功率增益、输入阻抗和输出阻抗等。电流增益指输出电流与输入电流的比值；电压增益指输出电压与输入电压的比值；功率增益指输出功率与输入功率的比值；输入阻抗指放大电路输入端的等效阻抗；输出阻抗指放大电路输出端的等效阻抗。这些参数是衡量放大电路性能的重要指标。因此，正确答案为ABCDE。5.MOSFET器件的主要类型包括（）A.N沟道增强型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.P沟道耗尽型E.肖特基二极管答案：ABCD解析：MOSFET器件根据其沟道类型和导电机制的不同，可以分为多种类型，包括N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型和P沟道耗尽型等。肖特基二极管虽然也是一种半导体器件，但属于另一种类型，不属于MOSFET器件。因此，正确答案为ABCD。6.半导体器件的热失效原因包括（）A.热膨胀不匹配B.热应力C.热噪声D.热电效应E.热老化答案：ABDE解析：半导体器件的热失效原因主要包括热膨胀不匹配、热应力、热电效应和热老化等。热膨胀不匹配指器件不同部分的热膨胀系数不同，导致热应力产生；热应力指器件内部由于温度差异产生的应力；热电效应指器件由于温度差异产生的电效应；热老化指器件由于长期处于高温环境下的性能退化。热噪声虽然与温度有关，但不是热失效的主要原因。因此，正确答案为ABDE。7.电子封装技术中，常用的封装材料包括（）A.金属B.陶瓷C.塑料D.玻璃E.金属陶瓷答案：ABCE解析：电子封装技术中，常用的封装材料包括金属、陶瓷、塑料和金属陶瓷等。金属具有良好的导电性和导热性，常用于封装引线和外壳；陶瓷具有良好的绝缘性和耐高温性，常用于封装基板；塑料具有良好的绝缘性和成本效益，常用于封装外壳；金属陶瓷是金属和陶瓷的复合材料，兼具两者的优点，常用于高性能封装。玻璃虽然也是一种材料，但在电子封装技术中应用较少。因此，正确答案为ABCE。8.半导体器件的参数测试方法包括（）A.直流参数测试B.交流参数测试C.微波参数测试D.光学参数测试E.热学参数测试答案：ABCDE解析：半导体器件的参数测试方法包括直流参数测试、交流参数测试、微波参数测试、光学参数测试和热学参数测试等。直流参数测试指在直流条件下对器件参数进行测试；交流参数测试指在交流条件下对器件参数进行测试；微波参数测试指在微波条件下对器件参数进行测试；光学参数测试指对器件的光学参数进行测试；热学参数测试指对器件的热学参数进行测试。这些测试方法可以全面地评估器件的性能。因此，正确答案为ABCDE。9.半导体器件的可靠性设计原则包括（）A.环境适应性B.冗余设计C.容错设计D.低功耗设计E.小型化设计答案：ABC解析：半导体器件的可靠性设计原则包括环境适应性、冗余设计和容错设计等。环境适应性指器件能够在各种环境条件下正常工作；冗余设计指通过增加冗余部件来提高系统的可靠性；容错设计指系统能够在部分部件失效的情况下仍然正常工作。低功耗设计和小型化设计虽然也是器件设计的重要考虑因素，但不是可靠性设计的主要原则。因此，正确答案为ABC。10.电子封装技术的发展趋势包括（）A.高密度化B.高频化C.高散热性D.高集成度E.绿色化答案：ABCDE解析：电子封装技术的发展趋势包括高密度化、高频化、高散热性、高集成度和绿色化等。高密度化指提高封装密度，以实现更小的封装尺寸；高频化指提高器件的工作频率；高散热性指提高器件的散热能力，以防止器件过热；高集成度指将更多功能集成在一个封装中；绿色化指采用环保材料和技术，减少对环境的影响。这些趋势是电子封装技术发展的重要方向。因此，正确答案为ABCDE。11.半导体材料的能带结构包括（）A.导带B.价带C.禁带D.情性气体能级E.调节带答案：ABC解析：半导体材料的能带结构由导带、价带和禁带组成。导带是能量较高的能级区域，电子可以在其中自由移动；价带是能量较低的能级区域，电子通常处于其中；禁带是导带和价带之间的能量区域，其中没有电子存在。情性气体能级和调节带不是半导体能带结构中的标准组成部分。因此，正确答案为ABC。12.PN结的单向导电性是由于（）A.扩散运动B.漂移运动C.内建电场D.少数载流子E.多数载流子答案：ABC解析：PN结的单向导电性是由于扩散运动、漂移运动和内建电场的共同作用。扩散运动是指多数载流子向对方区域移动的过程，导致PN结两侧形成电荷积累和内建电场（C）。漂移运动是指少数载流子在电场作用下的移动过程，当外加电压方向与内建电场方向相反时，漂移运动增强，PN结截止；当外加电压方向与内建电场方向相同时，漂移运动减弱，多数载流子扩散增强，PN结导通（A、B）。因此，PN结表现出单向导电性。多数载流子和少数载流子是PN结中的载流子类型，但不是单向导电性的直接原因（E）。因此，正确答案为ABC。13.半导体二极管的主要应用包括（）A.整流B.稳压C.开关D.滤波E.限幅答案：ABCDE解析：半导体二极管由于其单向导电性，在电路中有多种主要应用，包括整流（A，将交流电转换为直流电）、稳压（B，利用稳压二极管稳定电压）、开关（C，利用二极管的导通和截止特性作为开关）、滤波（D，与电容等元件构成滤波电路）和限幅（E，限制电路中的电压幅值）。因此，正确答案为ABCDE。14.BJT放大电路的接法包括（）A.共发射极B.共基极C.共集电极D.共源极E.共栅极答案：ABC解析：BJT（双极结型晶体管）放大电路可以根据输入和输出回路的公共电极不同，分为共发射极、共基极和共集电极三种基本接法（A、B、C）。共发射极接法具有较大的电压增益和电流增益，但输入阻抗较低；共基极接法具有较低的输入阻抗和较高的输出阻抗，但电压增益接近1；共集电极接法具有很高的输入阻抗和很低的输出阻抗，但电压增益小于1。共源极、共栅极是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的常见接法，不是BJT的接法（D、E）。因此，正确答案为ABC。15.MOSFET器件的参数包括（）A.阈值电压B.跨导C.输出电阻D.输入电容E.击穿电压答案：ABCDE解析：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件的参数包括多个方面，常用的参数有阈值电压（A，指MOSFET开始导通的栅极电压）、跨导（B，指栅极电压变化引起的输出电流变化量）、输出电阻（C，指输出电流变化引起的输出电压变化量）、输入电容（D，指输入端的等效电容）和击穿电压（E，指MOSFET被击穿时的电压）。这些参数是描述MOSFET性能的重要指标。因此，正确答案为ABCDE。16.半导体器件的老化现象表现为（）A.参数漂移B.性能下降C.寿命缩短D.热噪声增加E.颜色变化答案：ABC解析：半导体器件的老化现象通常表现为参数漂移（A，器件的参数随时间发生变化）、性能下降（B，器件的增益、灵敏度等性能指标降低）和寿命缩短（C，器件的使用寿命变短）。热噪声增加（D）可能是老化的一种后果，但不是主要表现。颜色变化（E）通常不是半导体器件老化的主要特征。因此，正确答案为ABC。17.电子封装技术中，散热设计的重要性体现在（）A.提高器件可靠性B.延长器件寿命C.提高器件性能D.降低器件成本E.减小封装体积答案：ABC解析：电子封装技术中，散热设计的重要性主要体现在提高器件可靠性（A，通过有效散热防止器件过热，提高器件的稳定性和寿命）、延长器件寿命（B，避免因过热导致的器件老化）和提高器件性能（C，某些器件的性能受温度影响，良好散热有助于维持其最佳性能）。降低器件成本（D）和减小封装体积（E）虽然也是封装设计的目标，但不是散热设计的主要直接目的。因此，正确答案为ABC。18.半导体器件的参数测试环境要求包括（）A.稳定的温度B.控制的湿度C.低的电磁干扰D.高的清洁度E.恒定的气压答案：ABCD解析：半导体器件的参数测试环境要求非常严格，需要确保测试结果的准确性和可重复性。这包括要求测试环境具有稳定的温度（A）以避免温度变化对器件参数的影响；控制的湿度（B）以防止湿度对器件性能的影响；低的电磁干扰（C）以避免电磁干扰对测试信号的干扰；高的清洁度（D）以防止灰尘等污染物对器件或测试设备的影响。虽然气压对某些器件可能有影响，但通常不是参数测试环境的主要控制因素（E）。因此，正确答案为ABCD。19.半导体器件的失效模式包括（）A.热失效B.电击穿C.机械损伤D.化学腐蚀E.光致损伤答案：ABCDE解析：半导体器件可能因为多种原因发生失效，常见的失效模式包括热失效（A，如热膨胀不匹配、热应力导致的开路或短路）、电击穿（B，如PN结被击穿导致短路）、机械损伤（C，如跌落、振动导致的裂纹或断裂）、化学腐蚀（D，如环境中的化学物质对器件材料的腐蚀）和光致损伤（E，如过强的光照导致器件性能下降或损坏）。因此，正确答案为ABCDE。20.电子封装技术的发展方向包括（）A.高密度互连B.高频高速C.高功率D.绿色环保E.智能化答案：ABCDE解析：电子封装技术的发展方向是多元化的，以适应不断发展的电子设备需求。高密度互连（A）是提高封装集成度的关键技术；高频高速（B）是满足通信、雷达等领域对器件高速性能的要求；高功率（C）是适应功率电子器件发展趋势的要求；绿色环保（D）是符合可持续发展的要求，采用环保材料和技术；智能化（E）是利用传感器、人工智能等技术实现封装的智能化管理。因此，正确答案为ABCDE。三、判断题1.硅的禁带宽度比锗的禁带宽度大。（）答案：正确解析：硅（Si）和锗（Ge）都是常见的半导体材料，它们的能带结构相似，但硅的原子序数比锗大，原子核对外层电子的束缚力更强，导致其价带和导带之间的能量差（即禁带宽度）比锗的大。硅的禁带宽度约为1.1eV，而锗的禁带宽度约为0.67eV。因此，硅的禁带宽度确实比锗的禁带宽度大。禁带宽度的大小直接影响半导体的导电性能，较宽的禁带宽度意味着半导体在室温下导电性较差（更接近绝缘体）。2.N型半导体的少数载流子是电子。（）答案：错误解析：N型半导体是通过掺入五价杂质原子（如磷、砷）形成的。这些杂质原子在半导体晶格中替代了硅原子，并提供了多余的电子。这些多余的电子可以作为多数载流子在半导体中移动。然而，N型半导体中仍然存在本征激发产生的少量空穴，这些空穴是少数载流子。因此，N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，而不是电子。题目说少数载流子是电子，这是错误的。3.半导体二极管正向导通时的正向压降在硅管中通常为0.3V左右。（）答案：错误解析：半导体二极管正向导通时的正向压降与其材料类型有关。对于硅（Si）二极管，在正常正向电流下，其正向压降通常约为0.7V。而对于锗（Ge）二极管，由于其禁带宽度较小，正向导通压降通常较低，约为0.3V。题目描述的是硅管的正向压降，但其数值0.3V是锗管的典型值，不是硅管的典型值。因此，题目表述错误。4.BJT放大电路中，共集电极接法的电压增益等于1。（）答案：正确解析：共集电极接法的BJT放大电路（也称为射极跟随器）具有一些独特的特点。其中最显著的特点之一是其电压增益接近于1，但略小于1。这是因为输出电压几乎等于输入电压（仅差一个很小的基极-发射极电压降）。虽然电流增益（β）可能很大，但电压增益主要由输入和输出回路的阻抗决定，共集电极接法具有很高的输入阻抗和很低的输出阻抗，导致电压增益约为1。因此，题目表述正确。5.MOSFET器件是电流控制器件。（）答案：错误解析：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种电压控制器件。其输出电流主要受栅极电压的控制，而不是像BJT那样受栅极电流的控制。通过在栅极施加电压，可以控制MOSFET的导通和关断状态以及其导通时的电流大小。因此，说MOSFET是电流控制器件是错误的，它应该是电压控制器件。6.半导体器件的击穿电压是一个固定不变的值。（）答案：错误解析：半导体器件的击穿电压（如二极管的反向击穿电压、MOSFET的漏源击穿电压）并不是一个绝对固定不变的值，而是会受到多种因素的影响而发生变化。这些因素包括温度、施加的电压波形（直流、交流、瞬态）、器件的几何结构、制造工艺以及器件的偏置状态等。例如，温度升高通常会导致反向击穿电压降低。因此，题目表述错误。7.电子封装的主要目的是保护芯片免受物理损伤和环境影响。（）答案：正确解析：电子封装是半导体器件制造过程中的最后一步，也是至关重要的环节。其主要目的之一就是为裸露的芯片提供一个物理屏障，保护芯片免受机械损伤（如冲击、振动、跌落）、环境因素（如湿度、氧气、温度变化、化学腐蚀）以及电学方面的干扰（如静电损伤）的影响。此外，封装还提供了电气连接、散热通路以及机械支撑等功能。因此，题目表述正确。8.半导体器件的热稳定性主要与其材料的耐高温性能有关。（）答案：正确解析：半导体器件的热稳定性是指器件在高温环境下工作时的性能保持能力和可靠性。这主要取决于构成器件的半导体材料本身的耐高温性能，以及器件结构和封装设计在高温下的表现。如果材料的耐高温性能不佳，或者器件在高温下产生过大的热应力、热电效应等，都可能导致器件参数漂移、性能下降甚至失效。因此，器件的热稳定性与其材料的耐高温性能密切相关。题目表述正确。9.所有半导体器件都可以在高温环境下稳定工作。（）答案：错误解析：不同的半导体器件对工作温度范围有不同的要求，并非所有器件都能在高温环境下稳定工作。大多数标准商用半导体器件（如集成电路、分立器件）都有其规定的最高工作温度，超过这个温度会导致器件性能下降、可靠性降低甚至永久性损坏。有一些特殊设计的器件（如耐高温集成电路、功率器件）可以工作在更高的温度下，但这需要特殊的材料选择、工艺和封装技术。因此，认为所有半导体器件都可以在高温环境下稳定工作是错误的。10.提高半导体器件的集成度通常会降低封装的散热难度。（）答案：错误解析：提高半导体器件的集成度意味着将更多的功能单元集成在更小的芯片面积上。这通常会导致器件的功耗密度增加，即在单位面积上产生的热量更多。功耗密度的增加会使得芯片的散热变得更加困难，需要更有效的散热设计（如使用更导热材料、增加散热面积、优化封装结构等）来防止器件过热。因此，提高集成度通常会增加而不是降低封装的散热难度。题目表述错误。四、简答题1.简述PN结的形成过程及其单向导电性原理。答案：PN结的形成过程是通过在半导体晶圆上扩散不同的掺杂剂，一侧形成P型半导体，另一侧形成N型半导体。在P区和N区的交界面处，由于浓度差，P区的空穴会向N区扩散，N区的电子会向P区扩散；扩散导致界面附近出现空间电荷区，内建电场形成，阻止进一步的扩散。当外加正向电压（P区接正，N区接负）时，外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，使得多数载流子（P区的空穴和N区的电子）能够顺利通过PN结扩散，形成较大的电流。当外加反向电压（P