半导体SEMICON大会跟踪报告：AI加速市场空间持续增长国产设备新品聚焦先进制程及先进封装-

局日益完善，先进制程及先进封装设备工艺创新加速。建议关注半oAI加速半导体万亿时代落地，国内晶圆扩产与先进封装共迎机遇。在AI工具预计将大幅提升设计生产力并有效缩短设计周期。全球晶圆厂正加速RFMatch智能射频匹配器以及蓝绿光MicroLED量产MOCVD设备上发布四大系列新品，包括ALD系列新品VS-300TAstra-sSiN和PF-300T现场集中呈现，具体包括12英寸/8英寸CMP装备、面板化学机械抛光装备Master-P510APEX、iPUMA-HP12英寸氢离子大束流离子注入机及Versatile-GP300磨划装备。5）晶盛机电：公司针对先进封装领域的痛点o投资建议。SEMICON大会展现国内半导体设备技术实力，国内先进制程设备持续推进，同时龙头公司先进封装设备设备不断被亮相，建议关注受益于平台化布局或技术产品创新加速的北方华创、中微公司、拓荆科技、份、安森股份、兴福电子、神工股份、上海新阳、路维光电、清溢光电、龙图光罩、安集科技、广钢气体等材料厂商；受益于半导体零部件国产替代的富创精密、先导基电、新莱应材、正帆科技、英杰电气、珂玛科技、%(%)——电子——沪深30002正文目录 4 5 5 6 6 7 8 8 9 9 4裁冯莉指出，在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻，原定于2030年达到的万亿美金半导体时代有望于2026年底提前势。第一个趋势为AI算力，2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动GPU、HBM及高存储产值将首次超越晶圆代工，成为半导体第一动产业升级，随着2nm及以下制程逼近物理极限，遭遇效益递减；一座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm全球半导体产能将从2020年的2510万片增至2030年的4450万片，中国晶圆产能将从490万片国产能占比将从2024年的25%提升至2028年的42%。设备投资方面，中国增。行业同时面临多重不确定性，比如能源与PFA长电科技首席执行长郑力指出，当前先进封装已演进至原子级的精度革命阶段，推动集成电路产业迎来从追求晶体管数量向追求系统结构质量的范式升级。原子级封装带来了对准精度、互原子级先进封装与AI技术实现了双向赋能，AI工具既是芯片制的转折点，AI使用的快速普及推动算力需求呈指数级攀需布局低功耗芯片。在技术趋势上，AI模型正向更段转向推理阶段，推动AI在更多终端设备和企业的应用，其中AI在编程领域已展现出巨大潜力。展望未来，物理AI有望在未来十年成为重要的增长驱动力，先进封装、存储（含HBM沐曦股份高级副总裁及首席产品官孙国梁指出，全球已迈入算力时代。第三方数据显示，以OpenClaw为代表的智能体应用，单日平均Token消耗量较聊天机器人呈现显著增长，推动推理环节需求爆发式增长。人工智能革命的本质体现为智力层面的革命，驱动整体产业发展模式及可持续发展四大力量正对行业产生深远影响。当前芯片设计正面临工艺复杂度提升、设计成产力并有效缩短设计周期，其具体实现路径主要包括提升工程师效率、加速引擎以及提供设计实现从“自动化执行”到“自适应智造”的跨越、通过全流程智能化实现高性能、高良率、低图1：北方华创TSV电镀设备——AusipT830纳米级超高精度对准、无空洞高质量稳定键合等关键工艺瓶颈，攻克了高速多轴联动控制、纳图2：北方华创D2W混合键合设备——QomolaHPD30图3：北方华创W2W混合键合设备——GluonerR50刻蚀设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，攻克了精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等核心技术，配备全国产超百区独立控温静电卡盘及自研温控算法、原位原子层沉积模块，还创新搭载AI核心性能表现突出，实现了电子伏特量级、窄能量分布的离子入射能量和方向精确控制，超百的埃米级范围，可同腔室内任意交替使用ALD沉积和刻蚀图4：北方华创新一代12英寸高端电感耦合ICP刻蚀设备——NMC612H2）中微公司：SEMICONChina2026进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案高流导和高速分子泵系统，可实现高反应气体通量并大幅扩展反应腔体压力控制范围；设备集立控制离子浓度和离子能量，其搭载的超低频射频等离子体源可产生极高离子能量，显著强化C6V3传送平台，最多可配置6个主刻蚀腔体与2个LLStrip除胶腔体，有效降低综合运行成图5：中微公司新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备PrimoAngnova用全对称腔体结构与优化流场设计，系统整合气体注入、温度控制、压力调控等关键环节，保障晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性；拥有独特集成气柜设计，可缩短气体注入距离并实现更快脉冲气体精密控制，设备内部配备高抗腐蚀管路与特殊涂层材料，适配高活性刻蚀气刻蚀工艺的均匀性与稳定性；该设备同样搭载量产的PrimoC6V3传输系统，可蚀腔和辅助退火腔以满足不同刻蚀应用需求。图6：中微公司高选择性刻蚀机PrimoDomingo道介质、硅、金属刻蚀及先进封装、MEMS、化合物半导体等精密刻蚀应用，其首创半导体设让匹配器可主动向射频电源下发控制指令；该产品能实现微秒级射频环境响应，实时自动调节阻抗以保障射频能量高效稳定传输，还可根据工艺条件自动选择切换电源频率调节范围与匹配调节模式，匹配速度较传统匹配器快百倍以上，在客户端高端逻辑工艺测试中，其将射频信号图7：中微公司SmartRFMatch智能射频匹配器均匀性与低颗粒度的严苛要求，在气体输运、加热模式、温场控制等关键技术上突破现有垂直图8：中微公司蓝绿光MicroLED量产MOCVD设备PreciomoUdx3）拓荆科技：公司在展会上发布四大系列新品。①公司本次发布了两款ALD系列新品VS-300TSupra-HACHM-VI，是一款在先进存储与先进逻辑制程中应用于图形传递修饰，刻蚀阻挡层及图形盖熔融键合、激光剥离等多款新产品，重点聚焦先进逻辑芯片C取与键合模组，产能高于现有产品的50%。Lyr产品良率和产线稳定。4）华海清科：公司展会前夕发布多款产品并携多款新品在展会著，可支撑先进制程与先进封装、Universal-300FS在先进制程产线验证中表现出高效、稳定、高Master-P510APEX采用双面抛光配置，边缘抛光机具备高精度边缘处理能力。②离子注入：公司iPUMA-HP12英寸氢离子大束流离子注入机，新一代产品高工艺匹配度，可保障先进制程的均匀性与精准度，正加准精度、高产能等优良特性。同步推出的SOI键合、皮秒激光开槽设备，能够满足高端晶圆制造加Hyperion搭载全自主核心模块，性满足先进工艺角度重复性严苛标准，支持高低温注入，适配6/8英寸机工艺。图10：Hyperion系列产品示意图图11：iKing360系列产品示意图资料来源：先导基电公众号、UltraCTahoe单片槽式组合清洗、USEMICON大会展现国内半导体设备技术实装设备设备不断被亮相，建议关注受益于平台化布局或技术产品创新加速的北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科